一种高频高线性多级多沟道T-GateFin-HEMT结构及制备方法与流程

一种高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构及制备方法
技术领域
1.本发明涉及高频线性半导体，尤其涉及一种高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构及其制备方法。


背景技术：

2.氮化镓(gan)材料具有禁带宽度大、击穿场强高等优点，基于此制备的algan/gan异质结器件具有较高的电子迁移率，且在非故意掺杂的情况下可以通过极化在异质结界面处形成高浓度的二维电子气(2deg)，因此氮化镓基高电子迁移率晶体管(gan hemt)器件在微波功率领域有广阔的应用前景。然而，gan hemt器件面临严重的非线性问题，严重制约了gan hemt器件在通信领域的应用，为提高gan hemt器件的线性度，目前主流的方法之一是采用鳍式高电子迁移率场效应晶体管(fin high electron mobility transistor，fin-hemt)结构。
3.fin-hemt的原理是在平面hemt的基础上对沟通增加了侧栅的控制，形成顶栅和侧栅的阈值耦合，然而侧栅的制作需要沿栅宽方向将部分沟道刻蚀掉，不可避免地造成有效沟道宽度的损失，增加器件导通电阻。为此引入多沟通外延结构，使器件从单层2deg变为多层2deg以降低导通电阻，然而上下沟道间的耦合作用，在很大程度上影响整体二维电子气的浓度分布，尤其是相邻沟道间的上层沟道层与下层势垒层的能带结构相互影响，不仅导致沟道的二维电子气浓度有所降低，而且使2deg的分布普遍存在表层沟通浓度最高、最下层沟道次之、中间沟道较低的分布规律。多沟道结构需要结合鳍式(fin)结构将沟道整体刻蚀，仍旧会造成有效沟道的严重损失。


技术实现要素：

4.基于此，本发明针对fin对于多沟道的有效沟道宽度的损失，结合多沟道的二维电子气的浓度分布特点，不采用将多沟道完全刻蚀的方案，而是采用多级刻蚀形成台阶，分别将部分下层沟道通过特定深度的刻蚀都转变为第一沟道，既实现了fin结构的侧栅和顶栅的耦合，很大程度上避免了有效沟道宽度的损失，同时引入了不同fin宽的阈值耦合。
5.本发明通过以下技术方案来实现上述技术目的:本发明提供一种高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构，从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层，缓冲层、衬底层，其中，n≥2；
6.源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；
7.每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；
8.栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状，从上至下依次形成第一级阶梯槽、第二级阶梯槽......第n级阶梯槽，其中，
9.第一级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层，第二级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层和第2组异质结叠层，......，第n级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第2组异质结叠
层......第n-1组异质结叠层和部分第n组异质结叠层的势垒层。
10.本发明结合多沟道的二维电子气浓度分布特点，不采用将多沟道完全刻蚀的方案，而是采用多级刻蚀形成台阶，分别将部分下层沟道通过刻蚀都转变为第一沟道。除了不同沟道之间的耦合外，多级台阶的方式还引入了不同fin宽之间的耦合，提高了器件线性度。
11.优选的，通过调整栅极区域阶梯的宽度，调节沟道的二维电子气浓度。
12.优选的，衬底层的材料为硅或碳化硅或蓝宝石。
13.优选的，缓冲层为1～6μm的gan材料。
14.本发明还提供了上述高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构的制备方法，包括如下步骤：
15.在多沟道外延结构上制作源漏欧姆电极后，旋涂光刻胶并对源漏电极之间刻蚀深度最深的栅槽区域进行曝光，显影后形成掩膜图形，打开刻蚀窗口；
16.通过刻蚀窗口对外延片刻蚀第一深度，之后横向刻蚀光刻胶，形成新的刻蚀窗口，多次循环即刻蚀出多级台阶，其中，循环的次数为台阶的数目，横向刻蚀光刻胶的宽度由台阶宽度确定，每个循环刻蚀外延片的深度由台阶的深度确定；
17.刻蚀完成后洗胶，并在台阶上制作栅极。
18.优选的，外延片刻蚀时采用电感耦合等离子体刻蚀，气源为cl2/ccl3。
19.优选的，外延片刻蚀时的刻蚀速率为1～3nm/min。
20.优选的，光刻胶的刻蚀采用氧等离子体刻蚀；和/或光刻胶刻蚀的速率为80～120nm/min，进行各向同性刻蚀。
21.优选的，栅极的制作采用三层电子束光刻胶，一次曝光一次显影制作出t型栅结构掩膜图形，随后通过电子束蒸镀、湿法剥离完成栅极金属电极制作。
22.优选的，外延结构上有3组异质结叠层，从上至下依次形成第一级阶梯槽、第二级阶梯槽和第三级阶梯槽，其中第一级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第二级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层和第2组异质结叠层，第三级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层和第2组异质结叠层和部分第3组异质结叠层的势垒层。
23.本发明既实现了fin结构的侧栅和顶栅的耦合，很大程度上避免了有效沟道宽度的损失，同时引入了不同fin宽的阈值耦合，实现了器件的高频高高线性度；经过上层沟道刻蚀后下层沟道转变为第一沟道，提高了二维电子气；该结构及制作方法对不同的异质结结构都适用，通用性更强；采用光刻胶作为软掩膜，大大简化了制作工艺；通过一次曝光定位刻蚀区域，不存在多级台阶之间的套刻误差；采用等离子体打胶速率可调，便于控制刻蚀形貌，且等离子体横向刻蚀均匀性好，器件对称性更好。
附图说明
24.图1为现有技术中的fin-hemt的结构，其中a为单级单沟道结构，b为单级三沟道结构；
25.图2为本发明实施例选用的三沟道材料的结构示意图；
26.图3为本发明实施例中源漏欧姆电极制作完成后的结构示意图；
27.图4为本发明实施例中沟槽刻蚀中心区域曝光时的示意图；
28.图5为本发明实施例中第一次刻蚀外延片的示意图；
29.图6为本发明实施例中氧等离子体第一次横向刻蚀光刻胶时的示意图；
30.图7为本发明实施例中第二次刻蚀外延片的示意图；
31.图8为本发明实施例中氧等离子体第二次横向刻蚀光刻胶时的示意图；
32.图9为本发明实施例中第三次刻蚀外延片的示意图；
33.图10为本发明实施例中刻蚀洗胶后的示意图；
34.图11为本发明实施例中栅极金属制作完成后的结构示意图；
35.图12为本发明具体实施例制备得到的三级三沟道t-gate fin-hemt结构与现有技术中的单级单沟道、单级三沟道制备得到的器件的栅压摆幅gvs测定结果。
36.图中：
37.1漏极、2源极、3栅极、4第一沟道al
x
ga
1-x
n势垒层、5第一沟道gan沟道层、6第二沟道al
x
ga
1-x
n势垒层、7第二沟道gan沟道层、8第三沟道al
x
ga
1-x
n势垒层、9第三沟道gan沟道层。
具体实施方式
38.现有的单级多沟道fin，参见图1b，是通过增加二维电子气的层数，增加有效沟道宽度，通过多沟道的阈值耦合作用，改善器件的跨导线性度。但是上下沟道间的耦合作用，在很大程度上影响整体二维电子气的浓度分布，尤其是相邻沟道间的上层沟道层与下层势垒层的能带结构相互影响，不仅导致沟道的二维电子气浓度有所降低，而且使2deg的浓度分布普遍存在表层沟道浓度最高、最下层沟道次之、中间沟道较低的规律。多沟道结构需要结合fin结构才能避免阈值电压太负难以关断的问题，而传统的fin结构将沟道整体刻蚀，造成了有效沟道的严重损失。
39.基于此，本发明结合多沟道异质结原理提出了一种多级多沟道fin-hemt，结合多沟道的二维电子气的浓度分布特点，利用多沟道异质结材料中相邻沟道的相互作用规律，采用多级台阶刻蚀，使下层沟道均转变为第一沟道，既实现了fin结构的侧栅和顶栅的耦合，很大程度上避免了有效沟道宽度的损失，同时引入了不同fin宽的阈值耦合。
40.本发明所提供的高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构，参见图11，从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层、缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极2和漏电极1嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极3嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，且呈阶梯状，从上至下依次形成第一级阶梯槽、第二级阶梯槽......第n级阶梯槽，其中，第一级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第二级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层和第2组异质结叠层，......，第n级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n-1组异质结叠层和部分第n组异质结叠层的势垒层。
41.本发明结合多沟道的二维电子气的浓度分布特点，在源电极和漏电极之间的外延片上进行多级台阶刻蚀，使下层沟道均转变为第一沟道，同时将栅电极嵌设在台阶中，实现了fin结构的侧栅和顶栅的耦合，很大程度上避免了有效沟道宽度的损失，同时引入了不同fin宽的阈值耦合，进一步实现了gan hemt器件的高频高线性度。
42.衬底层的材料包括但不限于硅、碳化硅或蓝宝石。
43.缓冲层为厚度1～6μm的gan材料。
44.其中，通过调整阶梯状栅极区域阶梯的宽度可以调节沟道的二维电子气浓度和侧栅的栅控能力，去除或保留的沟道数影响该区域二维电子气的浓度高低、纵向分布和顶栅的控制能力。
45.进一步，台阶的深度由外延片的结构决定，其中第n级台阶的高度小于第n组异质结叠层的厚度，一般选择为第n组异质结叠层中势垒层厚度的一半，避免将二维电子气刻穿透，其余台阶的深度为其对应的异质结叠层的总厚度。
46.台阶宽度的设置可根据顶栅和侧栅的耦合作用确定，具体的，对于异质结厚度较大的外延结构，顶栅对下层沟道控制能力较弱，则台阶宽度变宽，以相应地降低侧栅控制能力，对于异质结组合厚度较小的外延结构，顶栅对下层沟道控制能力较强，则台阶宽度变窄，以相应地提高侧栅控制能力。
47.上述高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构的制备方法如下：
48.先确定选用的外延片结构，在多沟道外延结构上制作源漏欧姆电极后，旋涂光刻胶并对源漏电极之间刻蚀深度最深栅槽的区域进行曝光，显影后形成掩膜图形，打开刻蚀窗口；
49.通过刻蚀窗口对外延片刻蚀第一深度h1(h1＜第n组异质结叠层势垒层的厚度)，之后横向刻蚀光刻胶，形成新的刻蚀窗口，通过该新的刻蚀窗口对外延片进行第二次刻蚀，刻蚀深度为h2(第n-1组异质结叠层总厚度)，之后再横向刻蚀光刻胶，形成又一新的刻蚀窗口，再次对外延片进行第三次刻蚀，刻蚀深度为h3(第n-2组异质结叠层总厚度)，
……
第n次刻蚀的深度为hn(第1组异质结叠层总厚度)，多次循环即刻蚀出多级台阶；
50.刻蚀完成后洗胶，并在台阶上制作栅极。
51.其中，循环的次数即为台阶的数目，台阶数目与共有多少组异质结叠层相关，比如，当共有n组异质结叠层时，台阶的数目为n。横向刻蚀光刻胶的宽度由台阶宽度确定，每个循环刻蚀外延片的深度由台阶的深度确定。
52.刻蚀完成后，从上至下依次形成第一级阶梯槽、第二级阶梯槽......第n级阶梯槽，其中，
53.第一级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层，其深度为hn，
54.第二级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第2组异质结叠层，其深度为hn+hn-1；
55.......
56.第n级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......部分第n组异质结叠层的势垒层，其深度为hn+hn-1+......h1。
57.例如，当n为3时，刻蚀完成后共有3级阶梯槽，从上至下第一级阶梯槽的深度为h3，第二级阶梯槽的深度为h3+h2，第三级阶梯槽的深度为h3+h2+h1。优选的，h1为第3组异质结叠层中势垒层厚度的一半，h2为第2组异质结叠层的厚度，h3为第1组异质结叠层的厚度，也即台阶形成的三级阶梯槽，第一级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层，第二级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层和第2组异质结叠层，第三级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第2组异质结叠层和部分第3组异质结叠层的势垒层。
58.可选的，当对外延片进行刻蚀时，采用电感耦合等离子体刻蚀，气源为cl2/ccl3，为了提高刻蚀精度和降低刻蚀损伤，外延片刻蚀时采用1～3nm/min的刻蚀速度，其中优选的
为2nm/min。
59.可选的，光刻胶的刻蚀采用氧等离子体刻蚀，刻蚀时通过调整功率和气体流量来控制刻蚀光刻胶的80～120nm/min，进行各向同性刻蚀，横纵比为1:1，以获得陡直的光刻胶侧壁。
60.源漏欧姆电极的制作优选的可通过步进式光刻机完成源漏欧姆电极欧姆接触区的光刻，随后通过电子束蒸镀ti/al/ni/au金属，湿法剥离多余金属完成欧姆金属电极制作，最后在氮气氛围下，进行870℃、30s的高温退火，形成欧姆接触。
61.台阶刻蚀完成后，多级多沟道fin结构的形貌即形成，随后进行栅极金属的制作。
62.栅极金属的制作采用三层电子束光刻胶，利用其灵敏度的不同，采用一次曝光一次显影制作出t型栅结构掩膜图形，随后通过电子束蒸镀ni/au金属，湿法剥离多余金属完成栅极金属电极制作。
63.可以理解的是，当台阶较少时，也可以采用多次曝光定义刻蚀区域，但需控制套刻精度。
64.下面结合具体实施例对本发明作进一步的详细说明，以使本领域的技术人员更加清楚地理解本发明。以下实施例，仅用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。基于本发明中的具体实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的情况下，所获得的其他所有实施例，都属于本发明的保护范围。以三沟道为例对上述高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构的制备方法进行详细的描述：
65.步骤s1，外延结构选用：参见图2，选用具有代表性的algan 20nm/gan20nm/algan 20nm/gan 20nm/algan 20nm/gan 300nm多沟道异质结外延结构，参见图1，材料结构从上至下依次为：
66.4第一沟道al
x
ga
1-x
n势垒层20nm，5第一沟道gan沟道层20nm；
67.6第二沟道al
x
ga
1-x
n势垒层20nm，7第二沟道gan沟道层20nm；
68.8第三沟道al
x
ga
1-x
n势垒层20nm，9第三沟道gan沟道层300nm；
69.含掺铁的高阻gan缓冲层厚度为1.5μm；
70.衬底材料可以是半绝缘的硅、碳化硅、蓝宝石。
71.每层沟道由al
x
ga
1-x
n/gan(al
x
ga
1-x
n在上，gan在下，其中x＝0.3)通过极化效应形成，并且在异质结界面处的gan一侧形成二维电子气层。
72.步骤s2，源漏欧姆电极制作：通过步进式光刻机完成源漏电极欧姆接触区域的光刻，随后通过电子束蒸镀ti/al/ni/au金属、湿法剥离多余金属完成欧姆金属电极制作；在氮气氛围下，进行870℃、30s的高温退火，形成欧姆接触，参见图3。
73.步骤s3，沟槽(trench)中心区域曝光：采用抗刻蚀电子束光刻胶(如ar-p6200)进行匀胶，烘胶；对刻蚀深度最深的区域进行电子束曝光，显影后形成掩膜图形，参见图4。
74.步骤s4，沟槽(trench)中心区域刻蚀：对曝光显影形成的窗口采用电感耦合等离子体(icp)刻蚀，气源采用cl2/ccl3，刻蚀深度为10nm(据第三沟道势垒层厚度的一半确定)。为了提高刻蚀精度和降低刻蚀损伤，调节刻蚀功率和进气比降低刻蚀速率，形成约为2nm/min的慢刻蚀，参见图5。
75.步骤s5，氧等离子体横向刻蚀光刻胶：气源切换o2，采用氧等离子体进行光刻胶横向刻蚀，使刻蚀区域横向扩展100nm，参见图6。为了使光刻胶获得陡直的侧壁，通过调整功
率和气体流量来控制刻蚀光刻胶的速率和横纵比。
76.步骤s6，二次刻蚀：气源切换成cl2/ccl3，对扩展后的新窗口继续进行icp刻蚀，刻蚀深度40nm(据第二沟道结构总厚度确定)，从而形成40nm(贯穿第一沟道结构)和50nm(贯穿第一沟道结构和部分第二沟道势垒层)的两个深度，参见图7。为了提高刻蚀精度和降低刻蚀损伤，仍采用2nm/min的慢刻蚀。
77.步骤s7，氧等离子体横向刻蚀光刻胶：气源切换o2，再用氧离子体继续将刻蚀区域外扩宽度100nm，参见图8。通过调整功率和气体流量来控制刻蚀光刻胶的速率和横纵比，获得陡直的光刻胶侧壁。
78.步骤s8，三次刻蚀：气源切换成cl2/ccl3，对扩展后的新窗口继续进行icp刻蚀，刻蚀深度40nm(据第一沟道结构总厚度确定)，从而形成40nm(贯通第一沟道结构)、80nm(贯通第一沟道结构、第二沟道结构)和90nm(贯通第一沟道结构、第二沟道结构和部分第三沟道势垒层)三个深度，参见图9。为了提高刻蚀精度和降低刻蚀损伤，仍采用2nm/min的慢刻蚀。
79.步骤s9，刻蚀后洗胶：对刻蚀后的光刻胶掩膜层进行剥离去除，形成多级三沟道fin结构，参见图10；至此，以algan/gan三沟道为例的多级三沟道fin结构的形貌形成，可根据外延结构和器件性能的需求调节循环刻蚀的深度、宽度和循环次数。
80.步骤s10，栅极金属制作：采用三层电子束光刻胶，利用其灵敏度的不同，采用一次曝光一次显影制作出t型栅结构掩膜图形；随后通过电子束蒸镀ni/au金属、湿法剥离多余金属完成栅极金属电极制作，参见图11。
81.器件的栅压摆幅gvs是器件线性度的衡量指标，本发明上述具体实施例制备得到的三级三沟道t-gate fin-hemt结构(图11)与现有技术中的单级单沟道(图1a所示)、单级三沟道(图1b所示)制备得到的器件的栅压摆幅gvs测定结果如图12所示。其中1为单级单沟道，其为单跨导峰值；2为单级三沟道，跨导峰值跨度4v(fin宽200nm槽宽100nm，占空比66.7％，两元胞总栅宽600nm)，3为多级三沟道，跨导峰值跨度超过8v(台阶宽度为100nm，从上到下的沟道宽度分别为100nm，300nm，600nm)。由此可知，本发明所提供的三级三沟道t-gate fin-hemt结构能够有效提升制备得到的器件的线性度。
82.在此有必要指出的是，以上实施例仅限于对本发明的技术方案做进一步的阐述和说明，并不是对本发明的技术方案的进一步的限制，本发明的方法仅为较佳的实施方案，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构，其特征在于，从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层，缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状，从上至下依次形成第一级阶梯槽、第二级阶梯槽......第n级阶梯槽，其中，第一级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第二级阶梯槽竖向贯穿第2组异质结叠层和第1组异质结叠层，......，第n级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n-1组异质结叠层和部分第n组异质结叠层的势垒层。2.根据权利要求1所述的高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构，其特征在于，通过调整栅极区域阶梯的宽度，调节沟道的二维电子气浓度和侧栅的栅控能力。3.根据权利要求1所述的高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构，其特征在于，衬底层的材料为硅或碳化硅或蓝宝石。4.根据权利要求1所述的高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构，其特征在于，缓冲层为1～6μm的gan材料。5.权利要求1～4任一项所述的高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在多沟道外延结构上制作源漏欧姆电极后，旋涂光刻胶并对源漏电极之间刻蚀深度最深的栅槽区域进行曝光，显影后形成掩膜图形，打开刻蚀窗口；通过刻蚀窗口对外延片刻蚀第一深度，之后横向刻蚀光刻胶，形成新的刻蚀窗口，多次循环即刻蚀出多级台阶，其中，循环的次数为台阶的数目，横向刻蚀光刻胶的宽度由台阶宽度确定，每个循环刻蚀外延片的深度由台阶的深度确定；刻蚀完成后洗胶，并在台阶上制作栅极。6.根据权利要求5所述的高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构的制备方法，其特征在于，外延片刻蚀时采用电感耦合等离子体刻蚀，气源为cl2/ccl3。7.根据权利要求5或6所述的高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构的制备方法，其特征在于，外延片刻蚀时的刻蚀速率为1～3nm/min。8.根据权利要求5所述的高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构的制备方法，其特征在于，光刻胶的刻蚀采用氧等离子体刻蚀；和/或光刻胶刻蚀的速率为80～120nm/min，进行各向同性刻蚀。9.根据权利要求5所述的高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构的制备方法，其特征在于，栅极的制作采用三层电子束光刻胶，一次曝光一次显影制作出t型栅结构掩膜图形，随后通过电子束蒸镀、湿法剥离完成栅极金属电极制作。10.根据权利要求5所述的高频高线性多级多沟道t-gate fin-hemt结构的制备方法，其特征在于，外延结构上有3组异质结叠层，从上至下依次形成第一级阶梯槽、第二级阶梯槽和第三级阶梯槽，其中第一级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层、第二级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层和第2组异质结叠层，第三级阶梯槽竖向贯穿第1组异质结叠层和第2组异质结叠层和部分第3组异质结叠层的势垒层。

技术总结
本发明涉及一种高频高线性多级多沟道T-Gate Fin-HEMT结构，该结构从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层、缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状。该结构既实现了Fin结构的侧栅和顶栅的耦合，同时引入了不同Fin宽的阈值耦合，实现了器件的高线性度。了器件的高线性度。了器件的高线性度。


技术研发人员：王凯 吴畅 郭涛 刘捷龙 李程程
受保护的技术使用者：湖北九峰山实验室
技术研发日：2023.04.10
技术公布日：2023/8/5