基于样品吸收峰的阵列式光谱MEMS芯片排布方法与流程

基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法
技术领域
1.本发明涉及光谱mems芯片技术领域，具体的说，是一种基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法。


背景技术：

2.随着微机电技术的发展，近红外光谱仪的微型化是近些年的发展重点，目前最常见的微型化近红外光谱仪是基于fabry-perot(法伯腔)干涉可调滤波芯片的，mems法珀腔芯片的光学原理是基于法布里-珀罗干涉原理，通过半导体集成电路工艺制成的分光芯片，以不同电压驱动芯片，实时改变mems法珀腔芯片的腔长，获得不同窄波光谱。这类单点型光谱mems法珀腔芯片靠时分途径完成全刻度(fsr)光谱范围的波长扫描，该方法需要逐步改变电压值进而改变腔长来逐一采集各个波长点的光谱数据，若单点型光谱mems法珀腔芯片采集单一波长点光谱数据需要的时间是1秒，实际包含m个波长点，则可以计算出每次采集待测样品单条光谱数据所需时间为1*m秒，微型化光谱仪包含的波长点越多，采集单条光谱数据耗时越久，这种采集方式严重影响光谱采集效率；同时，单点型光谱mems法珀腔芯片的波长点常常为均分式排布，即每两个相邻波长点之间的波长范围相等，这种排布方式采集了过多与待测样品组分特征信息关联度较小的数据，这种排布方式会严重影响光谱分析准确率，较低的分析准确率及效率会严重制约微型化近红外光谱技术的发展，因此，如何提高光谱mems法珀腔芯片的采集效率及分析准确率成为必须要解决的问题。


技术实现要素：

3.本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，将单点型mems光谱芯片转化为阵列式mems光谱芯片，通过静态式多通道采集进而有效提升光谱mems法伯腔芯片的采集效率及稳定性。
4.本发明通过下述技术方案解决上述问题：
5.基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，包括：
6.步骤a.计算光谱mems法珀腔芯片波长点典型式排布方式中各典型段包含的波长点数目；
7.步骤b.根据光谱mems法珀腔芯片的波长响应范围计算各典型段包含的特征波长点；
8.步骤c.结合特征波长点数目对阵列式光谱mems法珀腔芯片子单元进行阵列式排布；
9.步骤d.结合特征波长点的波长值采用间隔排布方式对子芯片阵列进行顺序排布。
10.作为本发明的进一步改进，所述步骤a中，包括基于样品吸收峰的典型式排布，具体方法为：
11.对光谱mems法珀腔芯片波长点进行典型式划分，划分为两个典型段，分别为特征典型段及非特征典型段，其中，特征典型段是以实际待测样品组分含量光谱吸收峰为中心
进行特征点划分，非特征典型段是远离光谱吸收峰的波长点进行划分，且特征典型段包含的波长点数目大于非特征典型段的波长点数目。
12.作为本发明的进一步改进，所述步骤a中，特征典型段包含的波长点数目向上取整，非特征典型段向下取整。
13.作为本发明的进一步改进，所述步骤b中，包括以均分式波长点划分方式为基准，计算各典型段包含的特征波长点；具体步骤包括：
14.b1.光谱mems法珀腔芯片波长响应范围为(λ1～λ2)nm，包含的光谱特征波长点为m个，计算相邻两个特征波长点之间的波长范围
15.b2.若特征典型段的波长点密度为均分式波长点密度的b倍，则特征典型段两个相邻特征波长点之间的波长范围为h2＝h1/b，可以计算出特征典型段的波段范围h3＝(a
1-1)*h2，a1为特征典型段包含的波长点数目；
16.b3.计算出非特征典型段的波段范围h4＝λ
2-λ
1-h3；
17.b4.计算出非特征典型段两个相邻特征波长点之间的波长范围h5＝h4/(a
2-1)，a2为非特征典型段包含的波长点数目；
18.b5.设定实际待测样品组分含量光谱吸收峰的波长值为λ3，采用以待测样品光谱吸收峰的波长点为中心点进行特征波长点选取，得到特征典型段包含的特征波长点。
19.作为本发明的进一步改进，所述采用以待测样品光谱吸收峰的波长点为中心点进行特征波长点选取，得到特征典型段包含的特征波长点；
20.当a1为奇数时，采用以待测样品光谱吸收峰的波长点为中心点进行特征波长点选取，得到特征典型段包含的特征波长点分别为取，得到特征典型段包含的特征波长点分别为当a1为偶数时，采用以待测样品光谱吸收峰的波长点为中心对称点进行特征波长点选取，得到特征典型段包含的特征波长点分别为
21.作为本发明的进一步改进，所述步骤b中，得到特征典型段包含的特征波长点，还包括：
22.若特征典型段中最小波长值小于光谱mems法珀腔芯片波长响应范围最小值，则将设定为λ1，进而特征典型段包含的特征波长点分别为[λ1，λ1+h2，λ1+2h2，
……
λ1+(a
1-1)a2]，进一步计算出非特征典型段包含的特征波长点分别为[λ
2-(a
2-1)a5，
……
λ
2-2a5，λ
2-h5，λ2]；
[0023]
若特征典型段中最大波长值大于光谱mems法珀腔芯片波长响应范围最大值，则将设定为λ2，进而特征典型段包含的特征波长点分别为[λ
2-(a
1-1)a2，
……
λ
2-2h2，λ
2-h2，λ2]，进一步计算出非特征典型段包含的特征波长点分
别为[λ1，λ1+h5，λ1+2h5，
……
λ1+(a
2-1)h5]；
[0024]
若可知特征典型段的波长范围均被包含在光谱mems法珀腔芯片波长响应范围(λ1～λ2)中，则无需对特征典型段的特征波长点进行处理，将特征典型段的特征波长范围进行剔除后计算非特征典型段的特征波长点，非特征典型段首尾波长点的波长值分别为(λ1，λ2)。
[0025]
作为本发明的进一步改进，所述步骤c中，包括：在光谱mems法珀腔芯片阵列中，每个特征波长点对应了一个芯片子单元，采用方形矩阵排布方式对芯片子单元进行阵列式排布。
[0026]
作为本发明的进一步改进，所述步骤d中，包括：
[0027]
在对子芯片进行阵列式排布时，采用特定间隔排布方式将相邻特征波长点的子芯片间隔开，采用的特定间隔排布方式为首尾间隔式或首中间隔式。
[0028]
作为本发明的进一步改进，所述步骤d中，采用首尾间隔排布方式，具体为：设定m个特征波长点的波长范围分别为(k1，k2，
……km
)，在阵列式光谱mems法珀腔芯片中，第一个芯片子单元对应的特征波长点为k1nm，第二个芯片子单元对应的特征波长点为kmnm，第三个芯片子单元对应的特征波长点为k2nm，第四个芯片子单元对应的特征波长点为k
m-1
nm，以此类推，直至完成所有特征波长点的顺序排布。
[0029]
作为本发明的进一步改进，所述步骤d中，采用首中间隔排布方式，设定m个特征波长点的波长范围分别为(k1，k2，
……km
)，若m为偶数，则中值点取在阵列式光谱mems法珀腔芯片中，第一个芯片子单元对应的特征波长点为k1nm，第二个芯片子单元对应的特征波长点为第三个芯片子单元对应的特征波长点为k2nm，第四个芯片子单元对应的特征波长点为以此类推，直至完成所有特征波长点的顺序排布；若m为奇数，则中值点取在阵列式光谱mems法珀腔芯片中，第一个芯片子单元对应的特征波长点为k1nm，第二个芯片子单元对应的特征波长点为第三个芯片子单元对应的特征波长点为k2nm，第四个芯片子单元对应的特征波长点为以此类推，直至完成所有特征波长点的顺序排布。
[0030]
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
[0031]
本发明完全兼容单点型mems光谱芯片流片工艺，将单点型mems光谱芯片转化为阵列式mems光谱芯片，通过静态式多通道采集进而有效提升光谱mems法伯腔芯片的采集效率及稳定性。同时，将传统单点型光谱mems法珀腔芯片的波长点均分式排布转化为基于样品吸收峰的典型式排布，进一步增加待测样品组分特征信息的获取量，提升光谱分析准确率，显著推进微型化近红外光谱技术的发展。
附图说明
[0032]
图1为本发明实施例中基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法流程图；
[0033]
图2为本发明实施例中m为整数时芯片子单元排布方式示意图；
[0034]
图3是本发明实施例中m不为整数时芯片子单元排布方式示意图；
[0035]
图4是本发明实施例中特征波长点首尾排布方式示意图；
[0036]
图5是本发明实施例中特征波长点首中排布方式示意图。
具体实施方式
[0037]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0038]
实施例：
[0039]
结合附图1-5，对一种基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法流程进行详细说明。
[0040]
图1中101是计算光谱mems法珀腔芯片波长点典型式排布方式中各典型段包含的波长点数目。将传统单点型光谱mems法珀腔芯片波长点均分式排布转化为基于样品吸收峰的典型式排布，
[0041]
基于样品吸收峰典型式排布具体实施方式为：对光谱mems法珀腔芯片波长点进行典型式划分，划分为两个典型段，分别为特征典型段及非特征典型段，其中特征典型段是以实际待测样品组分含量光谱吸收峰为中心进行特征点划分，非特征典型段是远离光谱吸收峰的波长点进行划分。特征典型段包含的波长点数目大于非特征典型段的波长点数目，这样可以更多的采集获取待测样品特征信息，提升光谱分析准确率。
[0042]
本实施例中，若设定特征典型段与非特征典型段的波长点数目比例为t1:t2，光谱mems法珀腔芯片波长响应范围为(λ1～λ2)nm，包含的光谱特征波长点为m个，则可以计算出特征典型段与非特征典型段分别包含的波长点数目为：
[0043][0044]
其中，a1为特征典型段包含的波长点数目，a2为非特征典型段包含的波长点数目。
[0045]
由于a1，a2均为波长点数目，即为整数，当上述公式计算出来a1，a2包含小数时，均采用特征典型段包含的波长点数目向上取整，非特征典型段向下取整的处理方式。例如以a1＝15.3，a2＝6.7为例，则进行最终取整后a1＝16，a2＝6，即特征典型段与非特征典型段包含的波长点数目分别为16个与6个。
[0046]
图1中102是根据光谱mems法珀腔芯片的波长响应范围计算各典型段包含的特征波长点。为了更多的采集获取待测样品特征信息，需要提升特征典型段中特征波长点之间的密度，以均分式波长点划分方式为基准，计算各典型段包含的特征波长点；具体步骤为：
[0047]
相邻两个特征波长点之间的波长范围h1为：
[0048][0049]
若特征典型段的波长点密度为均分式波长点密度的b倍，即均分式波长点划分方式相邻两个特征波长点之间的波长范围h1，则特征典型段两个相邻特征波长点之间的波长范围为h2＝h1/b，可以计算出特征典型段的波段范围h3为：
[0050]
h3＝(a
1-1)*h2；
[0051]
进一步可以计算出非特征典型段的波段范围h4为：
[0052]
h4＝λ
2-λ
1-h3；
[0053]
再进一步可以计算出非特征典型段两个相邻特征波长点之间的波长范围h5为：
[0054]
h5＝h4/(a
2-1)
[0055]
由上，若设定实际待测样品组分含量光谱吸收峰的波长值为λ3，当a1为奇数时，采用以待测样品光谱吸收峰的波长点为中心点进行特征波长点选取，可以得到特征典型段包含的特征波长点分别为含的特征波长点分别为当a1为偶数时，采用以待测样品光谱吸收峰的波长点为中心对称点进行特征波长点选取，可以得到特征典型段包含的特征波长点分别为
[0056]
其中，若可知特征典型段中最小波长值小于光谱mems法珀腔芯片波长响应范围最小值，在该情况下，将设定为λ1，即特征典型段起始波长点为λ1，进而可知特征典型段包含的特征波长点分别为[λ1，λ1+h2，λ1+2h2，
……
λ1+(a
1-1)h2]，进一步可以计算出非特征典型段包含的特征波长点分别为[λ
2-(a
2-1)h5，
……
λ
2-2h5，λ
2-h5，λ2]。
[0057]
若可知特征典型段中最大波长值大于光谱mems法珀腔芯片波长响应范围最大值，该情况下，将设定为λ2，即特征典型段终点波长点为λ2，进而可知特征典型段包含的特征波长点分别为[λ
2-(a
1-1)h2，
……
λ
2-2h2，λ
2-h2，λ2]，进一步可以计算出非特征典型段包含的特征波长点分别为[λ1，λ1+h5，λ1+2h5，
……
λ1+(a
2-1)h5]。
[0058]
若且可知特征典型段的波长范围均被包含在光谱mems法珀腔芯片波长响应范围(λ1～λ2)中，则无需对特征典型段的特征波长点进行处理，将特征典型段的特征波长范围进行剔除后进一步即可计算非特征典型段的特征波长点，在该情况下，非特征典型段首尾波长点的波长值分别为(λ1，λ2)。
[0059]
具体的，以光谱mems法珀腔芯片波长响应范围为1750～2050nm，包含光谱波长点
16个为例，采用均分式波长点排布方式，可以计算出该mems法珀腔芯片相邻两个特征波长点之间的波长范围h1为：
[0060][0061]
采用基于样品吸收峰的典型式波长点排布方式，若设定特征典型段与非特征典型段的波长点数目比例为3:1，特征典型段的波长点密度为均分式波长点密度的2倍，进而可以计算出特征典型段包含的特征波长点数目为12个，非特征典型段波长点数目为4个，特征典型段内两个相邻特征波长点之间的波长间隔为h2＝h1/b＝20/2＝10nm，若待测样品的光谱吸收峰为1935nm，由上述典型式波长点划分方式计算方法可以计算出上述情况下特征典型段的特征波长点为(1880nm，
……
1930nm，1940nm
……
1990nm)，由于1880nm≥1750nm且1990nm≤2050nm，可以知道特征典型段波长范围均被包含在光谱mems法珀腔芯片波长响应范围中，进而可以计算出非特征典型段两个相邻特征波长点之间的波长间隔为：
[0062]
h5＝[(2050-1750)-(1990-1880)]/(4-1)＝63.3nm。
[0063]
进一步计算出非特征典型段特征波长点为(1750nm，1813.3nm，1876.6nm，2050nm)。
[0064]
图1中103是结合特征波长点数目对阵列式光谱mems法珀腔芯片子单元进行阵列式排布。在光谱mems法珀腔芯片阵列中，每个特征波长点对应了一个芯片子单元100，根据实际的特征点数目即可获取芯片子单元100的数目，通过该芯片阵列可以将原始单点型光谱mems法珀腔芯片采集需要1*m秒时间缩减为仅需要1秒钟即可完成采集。同时为了提升光谱mems法珀腔芯片空间利用率，降低封装工艺要求，采用方形矩阵排布方式对芯片子单元进行阵列式排布。
[0065]
在本实施例中，由于阵列式光谱mems法珀腔芯片包含的特征波长点为m个，即对应的芯片子单元同样也为m个，将m个芯片子单元排布为方形矩阵，需要首先对m进行开方运算，获得其开方值若m为整数，如图2所示，光谱mems法珀腔芯片中芯片子单元的排布方式为(m*m)的方形矩阵；若m不为整数，如图3所示，若m≤(m+1)*m，则需要将超出(m*m)方形矩阵的芯片子单元增加一行或者一列来进行阵列排布，具体排布方式为一个[m*(m+1)]或[(m+1)*m]的方形矩阵；若m＞(m+10*m，则需要将超出(m*m)方形矩阵的芯片子单元同时增加一行与一列来进行阵列排布，具体排布方式为一个[(m+1)*(m+1)]的方形矩阵。
[0066]
图1中104是结合特征波长点的波长值采用间隔排布方式对子芯片阵列进行顺序排布。由于光谱mems法珀腔芯片中相邻透射波长容易发生光响应串扰，即相邻的两个特征波长点容易发生串扰，进而影响光谱mems法珀腔芯片的检测性能，由此在对子芯片进行阵列式排布时，需要采用特定的方式将相邻特征波长点的子芯片间隔开。
[0067]
在本实施例中，采用的间隔排布方式分为首尾间隔式或首中间隔式，以包含m个特征波长点的光谱mems法珀腔芯片为例，设定m个特征波长点的波长范围分别为(k1，k2，
……km
)。如图4所示，采用首尾间隔排布方式，在阵列式光谱mems法珀腔芯片中，第一个芯片子单元对应的特征波长点为k1nm，第二个芯片子单元对应的特征波长点为kmnm，第三个芯片子单元对应的特征波长点为k2nm，第四个芯片子单元对应的特征波长点为k
m-1
nm，以此类推，直至完成所有特征波长点的顺序排布。
[0068]
进一步的，如图5所示，采用首中间隔排布方式，设定m个特征波长点的波长范围分别为(k1，k2，
……km
)，若m为偶数，则中值点取在阵列式光谱mems法珀腔芯片中，第一个芯片子单元对应的特征波长点为k1nm，第二个芯片子单元对应的特征波长点为第三个芯片子单元对应的特征波长点为k2nm，第四个芯片子单元对应的特征波长点为以此类推，直至完成所有特征波长点的顺序排布；若m为奇数，则中值点取在阵列式光谱mems法珀腔芯片中，第一个芯片子单元对应的特征波长点为k1nm，第二个芯片子单元对应的特征波长点为第三个芯片子单元对应的特征波长点为k2nm，第四个芯片子单元对应的特征波长点为以此类推，直至完成所有特征波长点的顺序排布。
[0069]
尽管这里参照本发明的解释性实施例对本发明进行了描述，上述实施例仅为本发明较佳的实施方式，本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，这些修改和实施方式将落在本技术公开的原则范围和精神之内。

技术特征：
1.基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，其特征在于，包括：步骤a.计算光谱mems法珀腔芯片波长点典型式排布方式中各典型段包含的波长点数目；步骤b.根据光谱mems法珀腔芯片的波长响应范围计算各典型段包含的特征波长点；步骤c.结合特征波长点数目对阵列式光谱mems法珀腔芯片子单元进行阵列式排布；步骤d.结合特征波长点的波长值采用间隔排布方式对子芯片阵列进行顺序排布。2.如权利要求1所述基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，其特征在于，所述步骤a中，包括基于样品吸收峰的典型式排布，具体方法为：对光谱mems法珀腔芯片波长点进行典型式划分，划分为两个典型段，分别为特征典型段及非特征典型段，其中，特征典型段是以实际待测样品组分含量光谱吸收峰为中心进行特征点划分，非特征典型段是远离光谱吸收峰的波长点进行划分，且特征典型段包含的波长点数目大于非特征典型段的波长点数目。3.如权利要求2所述基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，其特征在于，所述步骤a中，特征典型段包含的波长点数目向上取整，非特征典型段向下取整。4.如权利要求2所述基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，其特征在于，所述步骤b中，包括以均分式波长点划分方式为基准，计算各典型段包含的特征波长点；具体步骤包括：b1.光谱mems法珀腔芯片波长响应范围为(λ1～λ2)nm，包含的光谱特征波长点为m个，计算相邻两个特征波长点之间的波长范围b2.若特征典型段的波长点密度为均分式波长点密度的b倍，则特征典型段两个相邻特征波长点之间的波长范围为h2＝h1/b，可以计算出特征典型段的波段范围h3＝(a
1-1)*h2，a1为特征典型段包含的波长点数目；b3.计算出非特征典型段的波段范围h4＝λ
2-λ
1-h3；b4.计算出非特征典型段两个相邻特征波长点之间的波长范围h5＝h4/(a
2-1)，a2为非特征典型段包含的波长点数目；b5.设定实际待测样品组分含量光谱吸收峰的波长值为λ3，采用以待测样品光谱吸收峰的波长点为中心点进行特征波长点选取，得到特征典型段包含的特征波长点。5.如权利要求4所述基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，其特征在于，所述采用以待测样品光谱吸收峰的波长点为中心点进行特征波长点选取，得到特征典型段包含的特征波长点；当a1为奇数时，采用以待测样品光谱吸收峰的波长点为中心点进行特征波长点选取，得到特征典型段包含的特征波长点分别为到特征典型段包含的特征波长点分别为当a1为偶数时，采用以待测样品光谱吸收峰的波长点为中心对称点进行特征波长点选取，得到特征典型段包含的特征波长点分别为
6.如权利要求5所述基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，其特征在于，所述步骤b中，得到特征典型段包含的特征波长点，还包括：若特征典型段中最小波长值小于光谱mems法珀腔芯片波长响应范围最小值，则将设定为λ1，进而特征典型段包含的特征波长点分别为[λ1，λ1+h2，λ1+2h2，
……
λ1+(a
1-1)h2]，进一步计算出非特征典型段包含的特征波长点分别为[λ
2-(a
2-1)h5，
……
λ
2-2h5，λ
2-h5，λ2]；若特征典型段中最大波长值大于光谱mems法珀腔芯片波长响应范围最大值，则将设定为λ2，进而特征典型段包含的特征波长点分别为[λ
2-(a
1-1)h2，
……
λ
2-2h2，λ
2-h2，λ2]，进一步计算出非特征典型段包含的特征波长点分别为[λ1，λ1+h5，λ1+2h5，
……
λ1+(a
2-1)h5]；若且可知特征典型段的波长范围均被包含在光谱mems法珀腔芯片波长响应范围(λ1～λ2)中，则无需对特征典型段的特征波长点进行处理，将特征典型段的特征波长范围进行剔除后计算非特征典型段的特征波长点，非特征典型段首尾波长点的波长值分别为(λ1，λ2)。7.如权利要求1所述基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，其特征在于，所述步骤c中，包括：在光谱mems法珀腔芯片阵列中，每个特征波长点对应了一个芯片子单元，采用方形矩阵排布方式对芯片子单元进行阵列式排布。8.如权利要求1所述基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，其特征在于，所述步骤d中，包括：在对子芯片进行阵列式排布时，采用特定间隔排布方式将相邻特征波长点的子芯片间隔开，采用的特定间隔排布方式为首尾间隔式或首中间隔式。9.如权利要求8所述基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，其特征在于，所述步骤d中，采用首尾间隔排布方式，具体为：设定m个特征波长点的波长范围分别为(k1，k2，
……
k
m
)，在阵列式光谱mems法珀腔芯片中，第一个芯片子单元对应的特征波长点为k1nm，第二个芯片子单元对应的特征波长点为k
m
nm，第三个芯片子单元对应的特征波长点为k2nm，第四个芯片子单元对应的特征波长点为k
m-1
nm，以此类推，直至完成所有特征波长点的顺序排布。10.如权利要求8所述基于样品吸收峰的阵列式光谱mems芯片排布方法，其特征在于，所述步骤d中，采用首中间隔排布方式，设定m个特征波长点的波长范围分别为(k1，k2，
……
k
m
)，若m为偶数，则中值点取在阵列式光谱mems法珀腔芯片中，第一个芯片子单元对应的特征波长点为k1nm，第二个芯片子单元对应的特征波长点为第三个芯
片子单元对应的特征波长点为k2nm，第四个芯片子单元对应的特征波长点为以此类推，直至完成所有特征波长点的顺序排布；若m为奇数，则中值点取在阵列式光谱mems法珀腔芯片中，第一个芯片子单元对应的特征波长点为k1nm，第二个芯片子单元对应的特征波长点为第三个芯片子单元对应的特征波长点为k2nm，第四个芯片子单元对应的特征波长点为以此类推，直至完成所有特征波长点的顺序排布。

技术总结
本发明公开了基于样品吸收峰的阵列式光谱MEMS芯片排布方法，包括：计算光谱MEMS法珀腔芯片波长点典型式排布方式中各典型段包含的波长点数目；根据光谱MEMS法珀腔芯片的波长响应范围计算各典型段包含的特征波长点；结合特征波长点数目对阵列式光谱MEMS法珀腔芯片子单元进行阵列式排布；结合特征波长点的波长值采用间隔排布方式对子芯片阵列进行顺序排布。本发明将单点型MEMS光谱芯片转化为阵列式MEMS光谱芯片，有效提升光谱MEMS法伯腔芯片的采集效率及稳定性。同时，将传统单点型光谱MEMS法珀腔芯片的波长点均分式排布转化为基于样品吸收峰的典型式排布，增加待测样品组分特征信息的获取量提升光谱分析准确率。特征信息的获取量提升光谱分析准确率。特征信息的获取量提升光谱分析准确率。


技术研发人员：刘浩 张国宏 陈宫傣 闫晓剑 赵浩宇
受保护的技术使用者：四川启睿克科技有限公司
技术研发日：2023.03.29
技术公布日：2023/8/5