BMS芯片基准电压的自修调系统、方法及电子设备与流程

bms芯片基准电压的自修调系统、方法及电子设备
技术领域
1.本发明涉及芯片测试技术领域，具体地涉及一种bms芯片基准电压的自修调系统、一种bms芯片基准电压的自修调方法、一种电子设备以及一种计算机可读存储介质。


背景技术：

2.bms芯片一般用于电池状态信息监测，要求其电压测量精度高，芯片内部一般集成电压采集adc模块。芯片内部的基准电压为adc模块的重要参照系，其精度对整体bms参数性能至关重要。由于现代制造工艺很难满足基准电压的精度量级，要求一般在ft测试中进行精度修调。为满足在全温度下基准电压精度，常规测试方法一般为从测试机台引出全部测试资源，芯片需在常、高、低等不同温度测试环境下进行电压输出测量，进而对各个点位电压进行拟合从而得到最佳的高阶温度补偿系数。因此其测试方法复杂，对测试硬件要求高，测试成本高。
3.dut：die under test，测试芯片。
4.ate：automatic test equipment，自动测试设备。


技术实现要素：

5.本发明实施例的目的是提出一种bms芯片基准电压的自修调方法，该方法通过在芯片内置功率模块，对特定管脚输入电流使其功率模块自加热从而实现芯片在不同温度点下的测试环境；测试端仅需要通过输入固定的电压作为修调的参照，芯片对此电压信号进行自采集并对进行内部比对修正从而确定最终的配置信息。该测试方法具有测试设备简单，测试流程单一，可靠性高。实现芯片批量全温度段的修调测试，降低测试成本。
6.为了实现上述目的，本发明的第一方面提供了一种bms芯片基准电压的自修调系统，所述系统包括：ate测试机和测试芯片；所述测试芯片包括：基准电压模块、功率模块、电压采集电路、电压比较单元电路以及逻辑控制电路；所述基准电压模块用于基于电压输出指令、第一修调配置系数和第二修调配置系数输出对应的基准电压；所述功率模块用于将电流输转化为热量提升测试芯片的芯片温度；所述电压采集电路用于将所述ate测试机输入的电压采集到所述电压比较单元的输入端；所述电压比较单元电路用于将所述电压采集电路输入的电压与所述基准电压进行比较，得到比较结果；所述逻辑控制电路用于根据所述比较结果调整所述第一修调配置系数和/或第二修调配置系数。
7.优选地，所述第一修调配置系数与温度补偿相关；所述根据所述比较结果调整所述第一修调配置系数，包括：分别获取在不同温度下电压采集电路对第一预设电压的采集电压与基准电压模块输出的基准电压的差值；若不同温度对应差值之间的差值大于预设第一阈值，则调整高阶温度补偿配置表以重新确定所述基准电压模块的第一修调配置系数。
8.优选地，所述第二修调配置系数与电压绝对值相关；所述根据所述比较结果调整所述第二修调配置系数，包括：获取电压采集电路对第二预设电压的采集电压与基准电压模块基于输出第二预设电压指令下的实际输出电压的差值；若获取的差值大于预设第二阈
值，通过调整电压绝对值配置表以重新确定所述基准电压模块的第二修调配置系数。
9.优选地，所述测试芯片还包括：通信单元；所述通信单元用于接收所述ate测试机的测试指令及向所述ate测试机回传测试指令的执行结果。
10.优选地，所述测试芯片还包括存储区；所述存储区包括：第一存储子区，用于存储在采集来的电压与基准电压模块的输出的基准电压的比较结果；第二存储子区，用于存储基准电压的高阶温度补偿配置信息；第三存储子区，用于存储基准电压的电压绝对值配置信息。
11.优选地，所述ate测试机包括：控制单元，以及与所述控制单元相连的电流模块、电压模块和通信模块；所述电流模块用于向所述测试芯片提供测试所需电流；所述电压模块用于向所述测试芯片提供测试所需电压；所述通信模块用于向所述测试芯片传输测试指令以及向ate测试机回传测试芯片的返回信息。
12.在发明的第二方面，还提供了一种bms芯片基准电压的自修调方法，该方法包括：s10)分别获取测试芯片在不同温度下对第一预设电压的采集电压与基准电压模块的输出电压的差值；s20)若不同温度对应差值之间的差值大于预设第一阈值，通过调整高阶温度补偿配置表以重新确定所述基准电压模块的第一修调配置系数，返回步骤s10)；s30)在所述不同温度对应差值之间的差值不大于预设第一阈值的情况下，获取对第二预设电压的采集电压与基准电压模块在输出第二预设电压指令下的实际输出电压的差值；s40)若s30)中的差值大于预设第二阈值，通过调整电压绝对值配置表以重新确定所述基准电压模块的第二修调配置系数，返回步骤s30)；s50)若s30)中获取的差值不大于预设第二阈值，修调结束。
13.优选地，分别获取测试芯片在不同温度下第一预设电压的采集电压与基准电压模块的输出电压的差值，包括：确定所述测试芯片处于第一温度；通过电压采集模块得到所述第一预设电压的采集电压；通过电压比较单元电路得到所述第一预设电压的采集电压与基准电压模块的输出电压的第一差值；通过功率模块将电能转化为热能，使所述测试芯片升温至第二温度；通过电压采集模块得到所述第一预设电压的采集电压；通过电压比较单元电路得到所述第一预设电压的采集电压与基准电压模块的输出电压值的第二差值。
14.优选地，所述方法还包括：通过对应的指令触发逻辑控制电路中对应的测试模式，每个测试模式包括s10至s50中的一个或多个步骤。
15.优选地，所述方法还包括：在修调结束之后，通过所述通信单元输出修调结束标志，用于与所述第二预设电压断开。
16.优选地，所述方法还包括：将获取的测试芯片在不同温度下第一预设电压的采集电压与基准电压模块的输出电压的差值存储于第一存储子区；将基准电压的高阶温度补偿配置信息存储于第二存储子区；以及将基准电压的电压绝对值配置信息存储于第三存储子区。
17.优选地，所述第一预设电压和所述第一预设电压通过ate测试机中的电压模块提供；所述功率模块的电流通过所述ate测试机中的电流模块提供；触发逻辑控制电路中对应的测试模式的指令通过所述ate测试机中的通信模块提供。
18.在本发明的第三方面，还提供了一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实
现前述的bms芯片基准电压的自修调方法的步骤。
19.在本发明的第四方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行前述的bms芯片基准电压的自修调方法的步骤。
20.本发明的第五方面提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序在被处理器执行时实现前述的bms芯片基准电压的自修调方法的步骤。
21.上述技术方案至少具有以下有益效果：只需常温测试环境下就可以实现芯片所需高、室温度段下电压采集，芯片自动完成电压值修正标定配置信息，此方法可一次完成大量芯片的测试，简化整体测试流程且保证测试可靠性的基础上提高了测试效率。
22.本发明实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
23.附图是用来提供对本发明实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明实施例，但并不构成对本发明实施例的限制。在附图中：
24.图1示意性示出了根据本发明实施方式的bms芯片基准电压的自修调系统的结构示意图；
25.图2示意性示出了根据本发明实施方式的bms芯片基准电压的自修调系统的实施示意图；
26.图3示意性示出了根据本发明实施方式的bms芯片基准电压的自修调方法的步骤示意图；
27.图4示意性示出了根据本发明实施方式的bms芯片基准电压的自修调方法的实施示意图。
具体实施方式
28.以下结合附图对本发明实施例的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明实施例，并不用于限制本发明实施例。
29.图1示意性示出了根据本发明实施方式的bms芯片基准电压的自修调系统的结构示意图。如图1所示，一种bms芯片基准电压的自修调系统，所述系统包括：ate测试机和测试芯片；所述测试芯片包括：基准电压模块、功率模块、电压采集电路、电压比较单元电路以及逻辑控制电路；所述基准电压模块用于基于电压输出指令、第一修调配置系数和第二修调配置系数输出对应的基准电压；所述功率模块用于将电流输转化为热量提升测试芯片的芯片温度；所述电压采集电路用于将所述ate测试机输出的电压采集到所述电压比较单元的输入端；所述电压比较单元电路用于将所述电压采集电路采集到的电压与所述基准电压进行比较，得到比较结果；所述逻辑控制电路用于根据所述比较结果调整所述第一修调配置系数和/或第二修调配置系数。
30.通过以上系统，只需常温测试环境下，就可以实现芯片所需高温和室温下电压采集，避免了将芯片在不同测试场景的转移，简化整体测试流程。芯片自动完成电压值修正标定配置信息，避免了参考电压不准确带来的测试结果误差，保证了测试可靠性。此实施方式
可一次完成大量芯片的测试，提高了测试效率。
31.在本发明的一些实施方式中，所述第一修调配置系数与温度补偿相关；所述根据所述比较结果调整所述第一修调配置系数，包括：分别获取在不同温度下电压采集电路对第一预设电压的采集电压与基准电压模块输出的基准电压的差值；若不同温度对应差值之间的差值大于预设第一阈值，则调整高阶温度补偿配置表以重新确定所述基准电压模块的第一修调配置系数。具体的，测试系统控制电流模块输出固定电流值i，测试芯片(也称为dut)的功率模块因流过固定电流值i产生热能，经过固定时间t后，dut到达预定温度，相当于dut处于高温测试环境中；测试系统控制电压模块输出固定电压值vb，测试系统控制单元发送“开始高温电压采集指令”给dut，dut通过逻辑控制使芯片基准电压模块输出参考电压做为电压比较单元电路的输入信号a，电压采集模块将从测试系统采集到的电压vb做为电源比较单元电路的输入信号b，逻辑控制电路将经过比较器的差值电压vdiff(h)以固定位数的二进制(位数越多精度越高)锁存到存储区a中，完成配置锁存后输出完成标志给测试系统，测试系统断开控制的电流及电压模块输出，dut随之恢复为常温状态，高温电压测试结束。dut当下处于常温测试环境状态，测试系统控制单元发送“开始高阶温度补偿自适应修调测试指令”给dut，dut通过逻辑控制进入“高阶温度补偿自适应修调测试模式”；测试系统控制电压模块输出固定电压值vb，测试系统控制单元发送“开始室温电压采集指令”给dut，dut通过逻辑控制使芯片基准电压模块输出参考电压做为电压比较单元电路的输入信号a，电压采集模块将从测试系统采集到的电压vb做为电源比较单元电路的输入信号b，存储区b为高阶温度补偿配置表，现在为默认值，逻辑控制电路将经过比较器的差值电压vdiff(r)_1与从锁存到存储区a中的高温差值电压vdiff(h)比对，若两者差异较大，则逻辑控制电路自动调整存储区b的高阶温度补偿配置表，再次启动电压比较转换，比对新一次的vdiff(r)_2与vdiff(h)，直到得到与vdiff(h)最为接近的vdiff(r)_n，然后将此配置锁存到存储区b并输出完成标志给测试系统，测试系统断开控制的电压模块输出，高阶温度补偿自适应配置测试结束。
32.在一些可选实施方式中，所述第二修调配置系数与电压绝对值相关；所述根据所述比较结果调整所述第二修调配置系数，包括：获取电压采集电路对第二预设电压的采集值与基准电压模块在输出第二预设电压指令下的实际输出电压值的差值；若获取的差值大于预设第二阈值，通过调整电压绝对值配置表重新确定所述基准电压模块的第二修调配置系数。测试系统控制单元发送“开始电压绝对值自适应修调测试指令”给dut，dut通过逻辑控制进入“电压绝对值自适应修调测试模式”；测试系统控制电压模块输出基准电压预期值vref，测试系统控制单元发送“开始基准电压采集指令”给dut，dut通过逻辑控制使芯片基准电压模块输出参考电压做为电压比较单元电路的输入信号a，电压采集模块将从测试系统采集到的电压vref做为电源比较单元电路的输入信号b，存储区c为电压绝对值配置表，现在为默认值，逻辑控制电路得到经过比较器的差值电压vdiff，若差值较大，则逻辑控制电路自动调整存储区c的电压绝对值配置表，再次启动电压比较转换，直到得到最为接近0的vdiff_n，然后将此配置锁存到存储区c并输出完成标志给测试系统，测试系统断开控制的电压模块输出，电压绝对值自适应配置测试结束。
33.前述的对高阶温度补偿配置表和电压绝对值配置表的调整方式包括但不限于对表中数据按比例修正、增加修正项、按预设映射函数修正以及根据新的数据分布状态进行
修正。其中数据分布状态包括但不限于重新确定数据的分布区间、分布间隔或分布密度。
34.在一些可选实施方式中，所述测试芯片还包括通信单元；所述通信单元用于接收所述ate测试机的测试指令及向所述ate测试机回传执行结果。通信单元提供了测试芯片与外部设备的通信接口。此处的通信单元包括有线通信方式和无线通信方式。
35.在一些可选实施方式中，所述测试芯片还包括存储区；所述存储区包括：第一存储子区，用于存储在采集来的电压与基准电压模块的输出的基准电压的比较结果，比如前述的存储区a。第二存储子区，用于存储基准电压的高阶温度补偿配置信息，比如前述的存储区b。第三存储子区，用于存储基准电压的电压绝对值配置信息，比如前述的存储区c。本实施方式提供的分区存储方式，能够使不同信息存储在固定位置，提供了查找效率。
36.在一些可选实施方式中，与前述的测试芯片相对应设置的ate测试机包括：控制单元以及与控制单元相连的电流模块、电压模块、通信模块；所述电流模块用于向所述测试芯片提供测试所需电流；所述电压模块用于向所述测试芯片提供测试所需电压，比如前述的第一预设电压和第二预设电压；所述通信模块与测试芯片中的通信单元相连，用于向所述测试芯片传输测试指令以及回传测试芯片的返回信息。
37.图2示意性示出了根据本发明实施方式的bms芯片基准电压的自修调系统的实施示意图。如图2所示，其中ate测试机由控制单元、电流模块、电压模块及通信模块组成。控制单元用来下发测试指令、收集测试结果以及分析测试结果；通信模块与dut连接，负责传递测试机下发的测试指令及回传dut的返回信息；电压模块及电流模块用来给dut激励信号。bms芯片上相关的模组有基准电压模块、通信单元、功率模块、电压采集电路、电压比较单元电路、逻辑控制电路及存储区。基准电压模块是输出一种具有低温漂高精度的参考电压，作为bms芯片adc的基准电压。通信单元负责接收测试指令及回传执行结果信息；功率模块在有预定电流输入后可实现自身发热以使dut芯片温度提升；电压采集电路将从测试系统输入的电压值采集到芯片内部电压比较单元电路的输入端；电压比较单元电路负责将采集来的电压与预定的电压做比较并输出判断结果；逻辑控制电路负责将测试指令解析、执行结果回传、电压比较结果判断、设定电压采集指令以及配置信息锁存到存储区指令；存储区分为存储区a、b和c，存储区a存储在高温环境下基准电压与输入参照电压比较差值结果，存储区b存储基准电压高阶温度补偿配置信息，存储区c存储基准电压绝对值配置信息。
38.在一些实施方式中，还提供了一种bms芯片基准电压的自修调方法。图3示意性示出了根据本发明实施方式的bms芯片基准电压的自修调方法的步骤示意图。如图3所示，该方法包括：
39.s10)分别获取测试芯片在不同温度下对第一预设电压的采集电压与基准电压模块的输出电压的差值；例如，在高温模式下向测试芯片施加第一预设电压，此时得到对应的采集值。将该采集值与基准电压模块的输出电压值相比较，得到的差值记为vdiff(h)。改变测试芯片中芯片的温度，在常温模式下向测试芯片施加第一预设电压，同样得到对应的采集值并于与基准电压模块的输出电压值相比较，得到vdiff(r)_1。
40.s20)若不同温度对应差值之间的差值大于预设第一阈值，通过调整高阶温度补偿配置表以重新确定所述基准电压模块的第一修调配置系数，返回步骤s10)；若vdiff(h)和vdiff(r)_1的差值大于预设第一阈值，则逻辑控制电路自动调整存储的高阶温度补偿配置表，并通过该表重新确定第一修调配置系数，此时会改变基准电压模块的输出电压值，重复
步骤步骤s10)。为了避免vdiff(h)的重复获取，此时采用的不同温度之一可以采用之前步骤中的高温模式中的相同温度。此时得到vdiff(h)和vdiff(r)_2并进行比较。如此循环直至差值之间的差值不大于预设阈值。至此高阶温度补偿自适应配置测试结束。
41.s30)在所述不同温度对应差值之间的差值不大于预设第一阈值的情况下，获取对第二预设电压的采集电压与基准电压模块在输出第二预设电压指令下的实际输出电压的差值；此处的第二预设电压可以与第一预设电压相等。基准电压模块在输出第二预设电压指令下，理论上的输出值为第二预设电压。在理论电压下，其与第二预设电压的采集值应当相等，两者的差值电压应当为0。
42.s40)若s30)中的差值大于预设第二阈值，通过调整电压绝对值配置表以重新确定所述基准电压模块的第二修调配置系数，返回步骤s30)；若差值电压应当不为0且超出过多，需要调整电压绝对值配置表。并通过调整后的电压绝对值配置表重新确定第二修调配置系数，基准电压模块基于最新的第二修调配置系数输入对应的电压。
43.s50)若s30)中获取的差值不大于预设第二阈值，修调结束。在得到最接近0的差值电压之后，电压绝对值自适应配置测试结束。
44.在一些可选实施方式中，分别获取测试芯片在不同温度下第一预设电压的采集值与基准电压模块的输出电压值的差值，包括：确定所述测试芯片处于第一温度；通过电压采集模块得到所述第一预设电压的采集值；通过电压比较单元电路得到所述第一预设电压的采集值与基准电压模块的输出电压值的第一差值；通过功率模块将电能转化为热能，使所述测试芯片升温至第二温度；通过电压采集模块得到所述第一预设电压的采集值；通过电压比较单元电路得到所述第一预设电压的采集值与基准电压模块的输出电压值的第二差值。此处的实施细节如前文所述，此处不再复述。
45.在一些可选实施方式中，所述方法还包括：通过对应的指令触发逻辑控制电路中对应的测试模式，每个测试模式包括s10至s50中的一个或多个步骤。例如：测试系统控制单元发送“开始高温电压测试指令”给dut，dut通过逻辑控制进入“高温电压采集测试模式”，执行“通过功率模块将电能转化为热能，使所述测试芯片升温至第二温度；通过电压采集模块得到所述第一预设电压的采集值；通过电压比较单元电路得到所述第一预设电压的采集值与基准电压模块的输出电压值的第二差值”的步骤。测试系统控制单元发送“开始高阶温度补偿自适应修调测试指令”给dut，dut通过逻辑控制进入“高阶温度补偿自适应修调测试模式”，执行s10至s20的步骤。测试系统控制单元发送“开始电压绝对值自适应修调测试指令”给dut，dut通过逻辑控制进入“电压绝对值自适应修调测试模式”，执行s30至s50的步骤。以及设定对应的指令，执行s10至s50的全部步骤。
46.在一些可选实施方式中，所述方法还包括：在修调结束之后，通过所述通信单元输出修调结束标志，用于与所述第二预设电压断开。本实施方式设置的修调结束标志，有利于用户及时获知测试芯片的当前状态。
47.在一些可选实施方式中，所述方法还包括：将获取的测试芯片在不同温度下第一预设电压的采集值与基准电压模块的输出电压值的差值存储于第一存储子区；将基准电压的高阶温度补偿配置信息存储于第二存储子区；以及将基准电压的电压绝对值配置信息存储于第三存储子区。
48.上述的bms芯片基准电压的自修调方法中的各个步骤的具体限定可以参见上文中
对于bms芯片基准电压的自修调系统的各个模块的限定，在此不再赘述。
49.图4示意性示出了根据本发明实施方式的bms芯片基准电压的自修调方法的实施示意图。如图4所示，其仅通过三次dut采集电压即可完成基准电压自修调。
50.在本发明提供的一些实施方式中，还提供了一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现前述的bms芯片基准电压的自修调方法的步骤。此处的处理器具有数值计算和逻辑运算的功能，其至少具有数据处理能力的中央处理器cpu、随机存储器ram、只读存储器rom、多种i/o口和中断系统等。处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来实现前述的方法。存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(ram)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(rom)或闪存(flash ram)，存储器包括至少一个存储芯片。
51.在本发明的一种实施方式中，还提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，该指令在被处理器执行时使得处理器被配置成执行上述的bms芯片基准电压的自修调方法的步骤。
52.在本发明提供的一种实施方式中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序在被处理器执行时实现上述的bms芯片基准电压的自修调方法的步骤。
53.本领域内的技术人员应明白，本技术的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本技术可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本技术可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
54.本技术是参照根据本技术实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
55.这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
56.这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
57.在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(cpu)、输入/输出接口、网络接口和内存。
58.存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(ram)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(rom)或闪存(flash ram)。存储器是计算机可读介
质的示例。
59.计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(pram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、其他类型的随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(cd-rom)、数字多功能光盘(dvd)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。
60.还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
61.以上仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术。对于本领域技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的权利要求范围之内。

技术特征：
1.一种bms芯片基准电压的自修调系统，其特征在于，所述系统包括：ate测试机和测试芯片；所述测试芯片包括：基准电压模块、功率模块、电压采集电路、电压比较单元电路以及逻辑控制电路；所述基准电压模块用于基于电压输出指令、第一修调配置系数和第二修调配置系数输出对应的基准电压；所述功率模块用于将电流输转化为热量提升芯片温度；所述电压采集电路用于将所述ate测试机输出的电压采集到所述电压比较单元的输入端；所述电压比较单元电路用于将所述电压采集电路采集到的电压与所述基准电压进行比较，得到比较结果；所述逻辑控制电路用于根据所述比较结果调整所述第一修调配置系数和/或第二修调配置系数。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一修调配置系数与温度相关；根据所述比较结果调整所述第一修调配置系数，包括：分别获取在不同温度下电压采集电路对第一预设电压的采集电压与基准电压模块输出的基准电压的差值；若不同温度对应差值之间的差值大于预设第一阈值，则调整高阶温度补偿配置表以重新确定所述基准电压模块的第一修调配置系数。3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第二修调配置系数与电压绝对值相关；根据所述比较结果调整所述第二修调配置系数，包括：获取电压采集电路对第二预设电压的采集电压与基准电压模块基于输出第二预设电压指令下的实际输出电压的差值；若获取的差值大于预设第二阈值，通过调整电压绝对值配置表以重新确定所述基准电压模块的第二修调配置系数。4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述测试芯片还包括：通信单元；所述通信单元用于接收所述ate测试机的测试指令及向所述ate测试机回传测试指令的执行结果。5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述测试芯片还包括存储区；所述存储区包括：第一存储子区，用于存储在采集来的电压与基准电压模块的输出的基准电压的比较结果；第二存储子区，用于存储基准电压的高阶温度补偿配置信息；第三存储子区，用于存储基准电压的电压绝对值配置信息。6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述ate测试机包括：控制单元，以及与所述控制单元相连的电流模块、电压模块和通信模块；所述电流模块用于向所述测试芯片提供测试所需电流；所述电压模块用于向所述测试芯片提供测试所需电压；所述通信模块用于向所述测试芯片传输测试指令以及向所述ate测试机回传测试芯片的返回信息。7.一种bms芯片基准电压的自修调方法，其特征在于，该方法包括：
s10)分别获取测试芯片在不同温度下对第一预设电压的采集电压与基准电压模块的输出电压的差值；s20)若不同温度对应差值之间的差值大于预设第一阈值，通过调整高阶温度补偿配置表以重新确定所述基准电压模块的第一修调配置系数，返回步骤s10)；s30)在所述不同温度对应差值之间的差值不大于预设第一阈值的情况下，获取对第二预设电压的采集电压与基准电压模块在输出第二预设电压指令下的实际输出电压的差值；s40)若s30)中的差值大于预设第二阈值，通过调整电压绝对值配置表以重新确定所述基准电压模块的第二修调配置系数，返回步骤s30)；s50)若s30)中获取的差值不大于预设第二阈值，修调结束。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，分别获取测试芯片在不同温度下第一预设电压的采集电压与基准电压模块的输出电压的差值，包括：确定所述测试芯片处于第一温度；通过电压采集模块得到所述第一预设电压的采集电压；通过电压比较单元电路得到所述第一预设电压的采集电压与基准电压模块的输出电压的第一差值；通过功率模块将电能转化为热能，使所述测试芯片升温至第二温度；通过电压采集模块得到所述第一预设电压的采集电压；通过电压比较单元电路得到所述第一预设电压的采集电压与基准电压模块的输出电压值的第二差值。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：通过对应的指令触发逻辑控制电路中对应的测试模式，每个测试模式包括s10至s50中的一个或多个步骤。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在修调结束之后，通过所述通信单元输出修调结束标志，用于与所述第二预设电压断开。11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：将获取的测试芯片在不同温度下第一预设电压的采集电压与基准电压模块的输出电压的差值存储于第一存储子区；将基准电压的高阶温度补偿配置信息存储于第二存储子区；以及将基准电压的电压绝对值配置信息存储于第三存储子区。12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一预设电压和所述第一预设电压通过ate测试机中的电压模块提供；所述功率模块的电流通过所述ate测试机中的电流模块提供；触发逻辑控制电路中对应的测试模式的指令通过所述ate测试机中的通信模块提供。13.一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求7至12中任一项权利要求所述的bms芯片基准电压的自修调方法的步骤。14.一种计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行权利要求7至12中任一项权利要求所述的bms芯片基准电压的自修调方法的步骤。

技术总结
本发明涉及芯片测试技术领域，其实施方式提供了一种BMS芯片基准电压的自修调系统、方法及电子设备。其中一种BMS芯片基准电压的自修调系统，包括：ATE测试机和测试芯片，所述测试芯片包括：基准电压模块、功率模块、电压采集电路、电压比较单元电路以及逻辑控制电路；所述基准电压模块用于根据电压输出指令、第一修调配置系数和第二修调配置系数输出对应的基准电压；所述逻辑控制电路用于根据所述比较结果调整所述第一修调配置系数和/或第二修调配置系数。本发明提供的实施方式能够实现自动标定，提升测试效率。提升测试效率。提升测试效率。


技术研发人员：张学磊 杨旭浩 孙云龙 温立国 刘雨峰 李思琦 平爱军
受保护的技术使用者：北京智芯微电子科技有限公司
技术研发日：2023.05.08
技术公布日：2023/8/14