阵列基板的控制电路、控制方法及显示面板与流程

1.本技术属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的控制电路、控制方法及显示面板。


背景技术：

2.为加快显示面板的响应时间，通常对显示面板进行过驱。过驱是指在像素需要提高电压时，向像素提供高于目标电压的实际电压；在像素需要降低电压时，向像素提供低于目标电压的实际电压。由于显示面板的性能容易受到温度的影响，因此如何改善温度对显示面板的响应时间的影响是亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

3.本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种阵列基板的控制电路、控制方法及显示面板，解决了温度差异对阵列基板的响应时间的影响；同时释放了存储空间。
4.第一方面，本技术提供了一种阵列基板的控制电路，控制电路包括：
5.检测电路，配置为检测阵列基板的当前温度；
6.时序控制器，与检测电路耦接，且配置为根据当前温度和过驱值拟合函数计算目标过驱查找表，并根据目标过驱查找表对阵列基板进行过驱动，过驱值拟合函数反映温度与过驱值之间的关系。
7.根据本技术的控制电路，通过对阵列基板的当前温度进行检测，再根据过驱值拟合函数对当前温度下的过驱值进行计算，从而根据计算出的过驱值进行过驱，解决了温度差异对阵列基板的响应时间的影响；同时不需要存储各温度下对应的过驱查找表，释放了存储空间，加快了时序控制器的读取和调用速度。
8.根据本技术的一个实施例，阵列基板设有栅极驱动电路，检测电路配置为检测栅极驱动电路接入的驱动信号的电流，并向时序控制器提供检测信号，检测信号反映阵列基板的温度。
9.根据本技术的一个实施例，检测电路包括：
10.电流感应电路，与阵列基板的驱动信号线耦接，且配置为检测驱动信号线上的电流，并提供感应信号；
11.模数转换单元，分别与电流感应电路和时序控制器耦接，且配置为将感应信号转换为数字形式的检测信号。
12.根据本技术的一个实施例，电流感应电路包括：
13.采样电阻，设于驱动信号线；
14.比较器，比较器的正输入端与采样电阻的输入端耦接，比较器的负输入端与采样电阻的输出端耦接；
15.三极管，三极管的基极与比较器的输出端耦接，三极管的集电极与比较器的正输
入端与耦接，三极管的发射极与模数转换单元的输入端耦接。
16.根据本技术的一个实施例，阵列基板电连接印刷电路板，电流感应电路和模数转换单元设置于印刷电路板。
17.根据本技术的一个实施例，栅极驱动电路包括设于阵列基板相对两侧的第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路，检测电路包括检测第一栅极驱动电路输入的第一驱动信号的第一检测电路和检测第二栅极驱动电路输入的第二驱动信号的第二检测电路。
18.根据本技术的一个实施例，阵列基板包括非显示区，栅极驱动电路设于非显示区，栅极驱动电路设有时钟信号线，时钟信号线用于接入时钟信号；
19.检测电路配置为对时钟信号线上的电流进行检测，以提供检测信号。
20.根据本技术的一个实施例，时序控制器还配置为根据多个参考过驱查找表生成确定过驱值拟合函数。
21.根据本技术的一个实施例，多个参考过驱查找表包括第一温度对应的第一参考过驱查找表和第二温度对应的第二参考过驱查找表，第一温度为参考温度范围的下限值，第二温度为参考温度范围的上限值。
22.根据本技术的一个实施例，多个参考过驱查找表还包括第三温度对应的第三参考过驱查找表，第三温度为参考温度范围的中间值。
23.第二方面，本技术提供了一种阵列基板的控制方法，包括：
24.获取阵列基板的当前温度；
25.根据当前温度和过驱值拟合函数计算目标过驱查找表，过驱值拟合函数反映温度与过驱值之间的关系；
26.根据目标过驱查找表对阵列基板进行过驱动。
27.根据本技术的控制方法，通过对阵列基板的当前温度进行检测，再根据过驱值拟合函数对当前温度下的过驱值进行计算，从而根据计算出的过驱值进行过驱，解决了温度差异对阵列基板的响应时间的影响；同时不需要存储各温度下对应的过驱查找表，释放了存储空间，加快了时序控制器的读取和调用速度。
28.根据本技术的一个实施例，获取阵列基板的当前温度，包括：
29.获取检测信号，检测信号为对阵列基板上的栅极驱动电路接入的驱动信号的电流进行检测而得；
30.根据检测信号确述阵列基板的当前温度。
31.根据本技术的一个实施例，驱动信号为栅极驱动电路所连接的时钟信号线上的时钟信号。
32.根据本技术的一个实施例，控制方法还包括：
33.根据多个参考过驱查找表生成确定过驱值拟合函数。
34.第三方面，本技术提供了一种显示面板，包括阵列基板和印刷电路板，印刷电路板设有根据前述的控制电路。
35.根据本技术的显示面板，通过对阵列基板的当前温度进行检测，再根据过驱值拟合函数对当前温度下的过驱值进行计算，从而根据计算出的过驱值进行过驱，解决了温度差异对阵列基板的响应时间的影响；同时不需要存储各温度下对应的过驱查找表，释放了存储空间，加快了时序控制器的读取和调用速度。
36.本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
37.本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
38.图1是本技术实施例提供的显示面板的结构示意图之一；
39.图2是本技术实施例提供的显示面板的结构示意图之二；
40.图3是本技术实施例提供的阵列基板的控制电路的结构示意图；
41.图4是本技术实施例提供的检测电路的结构框图；
42.图5是本技术实施例的控制电路的架构图；
43.图6是本技术实施例提供的阵列基板的控制方法流程示意图。
44.附图标记：
45.阵列基板100，栅极驱动电路120，第一栅极驱动电路121，第二栅极驱动电路122，集成电源管理电路130，数据驱动电路140，时序控制器150，检测电路200，电流感应电路210，模数转换单元220，第一检测电路230，第二检测电路240。
具体实施方式
46.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
47.以下描述涉及被“连接”或“耦接”在一起的元件或部件。正如这里所使用的，“连接”可能指的是一个元件/部件机械结合到(或直接连通)另一个元件/部件，并且不是必须为直接的。同样的，“耦接”可能指一个元件/部件直接或间接的结合到(或直接或间接的连通)另一个元件/部件，并且不必是机械的。然而，其应该被理解为尽管在一个实施例中，两个元件以下被描述为“连接”，在替代的实施例里相似的元件可能为“耦接”，反之亦然。因此，尽管在此所示的示意图描述了元件的示例性布置，但附加的中间元件、设备、部件或构件仍然可能在一个实际的实施例中存在。
48.在描述中，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数字描述符在适当情况下可以互换，以便本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
49.另外，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
50.参照图1，本技术的一个实施例提供了一种显示面板。显示面板包括阵列基板100、栅极驱动电路120、数据驱动电路140、集成电源管理电路130和时序控制器150。
51.阵列基板100包括显示区和非显示区，显示区内设有呈阵列分布的像素单元，各像素单元连接有tft(thin film transistor，薄膜晶体管)。栅极驱动电路120可以集成于阵列基板100上，且设于非显示区内，栅极驱动电路120也可以称为goa(gate on array)电路。栅极驱动电路120分别与各像素单元所连接的tft的栅极耦接，数据驱动电路140130分别与各像素单元所连接的tft的漏极(或源极)耦接。栅极驱动电路120可以通过逐行扫描的方式驱动各行tft逐次打开，数据驱动电路140在tft打开期间，对像素单元进行充电。
52.时序控制器150用于对需要显示的图像信号进行解析，并生成相应的控制信号，以分别驱动栅极驱动电路120、数据驱动电路140、集成电源管理电路130。集成电源管理电路130用于对电源进行转换，以为栅极驱动电路120和数据驱动电路140提供所需的工作电压。
53.显示面板封装有液晶分子、分别位于液晶分子两侧的像素电极和公共电极，像素电极与tft耦接。数据驱动电路140通过对像素电极充电或放电，以调节施加于液晶分子的电压。液晶分子在电压作用下偏转，从而调整像素单元的透光率。其中，液晶分子可以为正性液晶或负性液晶。
54.在本技术的一些实施例中，液晶分子为负性液晶。相比正性液晶，负性液晶具有更高的透过率特性，可显著提高液晶屏的亮度、清晰度、对比度，从而达到画质的整体提升。但负性液晶也具有天生缺点，如旋转粘度高、旋转速度受温度影响大等。因此，采用负性液晶的显示面板对温度的敏感性更高。
55.本技术提供了一种阵列基板100的控制电路，通过在不同温度下采样合适的过驱值对阵列基板100进行驱动，以改善温度对液晶显示面板响应时间的影响；尤其对于采用负性液晶的液晶显示面板，可以避免动态画面拖尾及反色等不良。
56.参照图2，本技术的一个实施例提供了一种阵列基板100的控制电路，控制电路包括检测电路200和时序控制器150，检测电路200配置为检测阵列基板100的当前温度；时序控制器150与检测电路200耦接，且配置为根据当前温度和过驱值拟合函数计算目标过驱查找表，并根据目标过驱查找表对阵列基板100进行过驱动，过驱值拟合函数反映温度与过驱值之间的关系。
57.在一些实施例中，检测电路200可以包括传感器或者热敏电阻，设置于阵列基板100电连接的印刷电路板上。检测电路200通过传感器或者热敏电阻对阵列基板100的温度进行感测，从而获取阵列基板100的当前温度。
58.需要说明的是，由于温度变化与过驱值之间为非线性关系，即过驱值拟合函数为非线性函数。过驱值拟合函数定义了在不同温度下阵列基板所需的过驱值，该过驱值是指实际所需施加至像素的电压值或者灰阶值。
59.在一些实施例中，过驱值拟合函数可以由测试人员通过测试进行设计，并将过驱值拟合函数可以存储于存储器内。时序控制器150接收到检测电路200反馈的阵列基板100的当前温度时，通过读取存储器以调用过驱值拟合函数对当前温度进行计算，从而计算出过驱值。
60.作为一种示例，过驱查找表可以如下：
[0061] 0816243240
…
216224232240248255
000000000000008128666666666661620181614141414141414141414243028262422222222222222222232504640363230303030303030304062585450464038383838383838
……………………………………
216241240240239239238
…
216212208203200200224241240240239239239
…
226224220217212210232242242242242242242
…
236235232229226220240244244244244244244
…
243243243240237232248252252252252252252
…
250250250250248244255255255255255255255255255255255255255255
[0062]
表1过驱查找表示例
[0063]
在表1中，各数值表示灰阶。第一行表示上一帧灰阶值，第一列表示当前帧灰阶值，其余数值为灰阶过驱数值。通常，在当前帧灰阶值大于上一帧灰阶值，灰阶过驱数值大于当前帧灰阶值；在当前帧灰阶值小于上一帧灰阶值，灰阶过驱数值小于当前帧灰阶值。
[0064]
灰阶过驱数值包括n*m个数据，n可以等于m，如n＝m＝20，n＝m＝30或者n＝m＝40。由于n、m的数值较大，过驱查找表是比较占用内存的。各灰阶过驱数值以及对应的上一帧灰阶值和当前帧灰阶值可以根据需求进行设置，本实施方式中对此不加以限制。
[0065]
需要说明的是，在8bit色深下，显示灰阶范围设定为l0-l255，若计算出的灰阶过驱数值小于l0，则设定为l0；若计算出的灰阶过驱数值大于l255，则设定为l255。
[0066]
时序控制器150根据当前温度和过驱值拟合函数计算出不同灰阶情况下的过驱值，在计算出n*m个数据之后，生成目标过驱查找表。其中，不同灰阶情况是指当前帧不同灰阶值和上一帧不同灰阶值之间的对应关系。
[0067]
在一些实施例中，时序控制器150生成目标过驱查找表后，将目标过驱查找表进行暂存。在阵列基板100的当前温度保持不变的情况下，时序控制器150根据该目标过驱查找表查找与当前帧图像中各像素对应的过驱下的灰阶值，并控制数据驱动电路140按照查找到的过驱下的灰阶值对各像素进行驱动。
[0068]
在一些实施例中，时序控制器150在检测到阵列基板100的当前温度发生变化时，可以将变化前温度对应的目标过驱查找表进行删除，以释放存储空间，并根据变化后温度重新计算目标过驱查找表。
[0069]
在相关技术中，时序控制器150直接存储多张过驱查找表，根据阵列基板100的当前温度选用对应的过驱查找表进行过驱。例如，在温度范围为t1～t2时，调用过驱查找表a进行过驱；在温度范围为t3～t4时，调用过驱查找表b进行过驱；在温度范围为t5～t6时，调用过驱查找表c进行过驱。在该方案中，若需要更精确的过驱，则需要将温度范围进行精细的划分，由此需要存储的更多的过驱查找表，如十几个或者二十几个。显然，过多的过驱查找表会大量占用存储器的内存，导致时序控制器150的读取和调用速度较慢。
[0070]
根据本技术的控制电路，通过对阵列基板100的当前温度进行检测，再根据过驱值
拟合函数对当前温度下的过驱值进行计算，从而根据计算出的过驱值进行过驱，解决了温度差异对阵列基板100的响应时间的影响；同时不需要存储各温度下对应的过驱查找表，释放了存储空间，加快了时序控制器150的读取和调用速度。
[0071]
在一些实施例中，检测电路200配置为检测栅极驱动电路120接入的驱动信号的电流，并向时序控制器150提供检测信号，检测信号反映阵列基板100的温度。
[0072]
需要说明的是，栅极驱动电路120接入的驱动信号包括时钟信号clk和起始信号stv等。栅极驱动电路120设于阵列基板100上，因此栅极驱动电路120自身同样受到阵列基板100的温度影响。由于栅极驱动电路120自身材料在不同温度下的活性不同，而栅极驱动电路120接入的驱动信号的电压较为恒定，因此栅极驱动电路120接入的驱动信号的电流随阵列基板100的温度变化而变化。
[0073]
在一些实施例中，栅极驱动电路120内部通常也由多个tft结构组合，如4t1c结构或者8t1c结构。在不同温度下，tft材料活性不同，从而影响tft流过的电流。栅极驱动电路120的基本结构已有成熟的技术，本实施方式在此不在赘述。
[0074]
相比于采用传感器或热敏电阻的温度检测方式，本实施方式中的检测电路200所检测的栅极驱动电路120接入的驱动信号的电流仅受到阵列基板100自身的温度影响，从而避免了其他机构发热的影响，检测效果更精确。
[0075]
在一些实施例中，栅极驱动电路120设于阵列基板100的非显示区，栅极驱动电路120设有时钟信号线，时钟信号线用于接入时钟信号clk；检测电路200配置为对时钟信号线上的电流进行检测，以提供检测信号。
[0076]
可以理解的是，时钟信号clk用于控制栅极驱动电路120输出，时钟信号线通过在进入栅极驱动电路120内经tft耦接至接地节点。由此，时钟信号线的负载简单，其电流受到阵列基板100的温度影响明显，其电流变化与阵列基板100的温度变化相关性较强。tft的导通电流可以按照以下公式进行表示：
[0077][0078]
其中，i
ds
为源漏极电流表达式，w为沟道宽度；l是沟道长度；μ
eff
是载流子迁移率，当温度升高时，μ
eff
会增大，表现为i
ds
增大。
[0079]
栅极驱动电路120有6clk/10clk/12clk等不同架构，检测电路200可以对各时钟信号线中的至少一条进行检测，以提供检测信号。
[0080]
参照图3，在一些实施例中，检测电路200包括电流感应电路210和模数转换单元220，电流感应电路210与阵列基板100的驱动信号线耦接，且配置为检测驱动信号线上的电流，并提供感应信号；模数转换单元220分别与电流感应电路210和时序控制器150耦接，且配置为将感应信号转换为数字形式的检测信号。
[0081]
在本实施方式中，以驱动信号线为时钟信号线为例，电流感应电路210对时钟信号线上的电流进行感测。由于感测信号为模拟信号，为便于时序控制器150进行识别，采用模数转换单元220将模拟信号转换为数字信号。
[0082]
参照图4，在一些实施例中，电流感应电路210包括采样电阻rs、比较器a和三极管t，采样电阻rs设于驱动信号线；比较器a的正输入端与采样电阻rs的输入端耦接，比较器a的负输入端与采样电阻rs的输出端耦接；三极管t的基极与比较器a的输出端耦接，三极管t
的集电极与比较器a的正输入端与耦接，三极管t的发射极与模数转换单元220的输入端耦接。
[0083]
在一些实施例中，采样电阻rs可以为时钟信号线上的一段金属线，由于金属线具有一定的内阻，因此可以将时钟信号线上的一段金属线作为采样电阻rs。比较器a的正输入端连接有第一接入电阻rl1，第一接入电阻rl1的另一端连接于该段金属线靠近时序控制器150一侧；比较器a的负输入端连接有第二接入电阻rl2，第二接入电阻rl2的另一端连接于该段金属线远离时序控制器150一侧。
[0084]
在一些实施例中，第一接入电阻rl1、第二接入电阻rl2、比较器a和三极管t可以封装为感应芯片。通过封装以便于电流感应电路210的布置。
[0085]
第一接入电阻rl1从时钟信号线采集的电流经过三极管t放大后，输出至模数转换单元220。模数转换单元220将out端的输出信号转换为数字信号，并传输至时序控制器150。在阵列基板100温度上升时，时钟信号线上的电流上升，从而引起out端的电压上升，时序控制器150感测到温度上升。
[0086]
在一些实施例中，栅极驱动电路120包括设于阵列基板100相对两侧的第一栅极驱动电路121和第二栅极驱动电路122，检测电路200包括检测第一栅极驱动电路121输入的第一驱动信号的第一检测电路230和检测第二栅极驱动电路122输入的第二驱动信号的第二检测电路240。
[0087]
可以理解的是，对于尺寸较大的阵列基板100，通过在两侧分别设置第一栅极驱动电路121和第二栅极驱动电路122以实现双边驱动。双边驱动的原理已有成熟的技术，本实施方式在此不再赘述。
[0088]
在一些实施例中，检测电路200可以同时检测两侧的时钟信号线上的电流，时序控制器150根据两侧的检测信号确定阵列基板100的当前温度。例如，时序控制器150可以将两侧检测信号对应的温度的平均值、最小值或者最大值作为阵列基板100的当前温度，再根据确定的当前温度计算过驱值。
[0089]
在一些实施例中，阵列基板100电连接印刷电路板，电流感应电路210和模数转换单元220设置于印刷电路板。
[0090]
在一些实施例中，印刷电路板包括tcon板和x板，tcon板和x板之间通过fpc(flexible printed circuit，柔性电路板)或cof(chip on flex，覆晶薄膜)电连接，x板和阵列基板100之间同样通过fpc或cof电连接。电流感应电路210、数据驱动电路140和集成电源管理电路130设置于x板上，模数转换单元220和时序控制器150设置于tcon板。
[0091]
参照图5，电流感应电路210可以封装成电流感应芯片，模数转换单元220封装成数模转换芯片。电流感应芯片设置于x板上，且布置位置与显示面板两侧对应，数模转换芯片设置于tcon板上。
[0092]
相比于采用传感器或热敏电阻的温度检测方式，本实施方式中的检测电路200可以直接设置在印刷电路板上，不需要设置于阵列基板100四周，从而避免了机构干涉。
[0093]
在一些实施例中，时序控制器150还配置为根据多个参考过驱查找表生成确定过驱值拟合函数。
[0094]
在本实施方式中，时序控制器150内部存储有少量的参考过驱查找表，各参考过驱查找表对应于阵列基板100在不同温度下的过驱值。时序控制器150通过对少量的参考过驱
查找表内的过驱值进行拟合，从而生成过驱值拟合函数。
[0095]
在一些实施例中，时序控制器150可以采用最小二乘法或者迭代等计算方式对多个参考过驱查找表中的过驱值进行拟合。其中，非线性拟合的计算方式已有成熟的技术，本实施方式在此不再赘述。
[0096]
在本实施方式中，由于时序控制器150可以基于参考过驱查找表生成过驱值拟合函数，测试人员可以通过修正参考过驱查找表，或者补充参考过驱查找表的方式对过驱值拟合函数进行调整，使得阵列基板100的过驱便于调试。
[0097]
在一些实施例中，多个参考过驱查找表包括第一温度对应的第一参考过驱查找表和第二温度对应的第二参考过驱查找表，第一温度为参考温度范围的下限值，第二温度为参考温度范围的上限值。
[0098]
作为一种示例，阵列基板100的温度范围设定为25℃～40℃，则第一参考过驱查找表对应25℃，第让她参考过驱查找表对应40℃。对于负性液晶，温度越低，偏转速度越慢，所以低温限对应的查找表过驱程度相对要高，高温限对应的查找表过驱程度要低。其中，过驱程度是指灰阶过驱数值与当前灰阶值之间的差值。
[0099]
在本实施方式中，时序控制器150可以根据两个参考过驱查找表生成过驱值拟合函数，其对存储空间的占用较少，有利于提高时序控制器150实际运行过程中的读取速度。
[0100]
在一些实施例中，多个参考过驱查找表还包括第三温度对应的第三参考过驱查找表，第三温度为参考温度范围的中间值。
[0101]
作为一种示例，第三温度可以为30℃或者35℃。通过增加一个参考过驱查找表可以提高时序控制器150生成的过驱值拟合函数的精度，从而提高过驱控制精度。同样，由于存储的参考过驱查找表较少，对存储器空间的占用较少，时序控制器150实际运行过程中的读取时间越迅速。
[0102]
参照图6，本技术的一个实施例还提供了一种阵列基板的控制方法。
[0103]
在本实施方式中，控制方法包括以下步骤：
[0104]
步骤10：获取阵列基板的当前温度；
[0105]
步骤20：根据当前温度和过驱值拟合函数计算目标过驱查找表，过驱值拟合函数反映温度与过驱值之间的关系；
[0106]
步骤30：根据目标过驱查找表对阵列基板进行过驱动。
[0107]
需要说明的是，本实施方式中的控制方法的执行主体可以为前述实施例中的时序控制器150，时序控制器150控制阵列基板100的原理可以参照前述实施例，本实施方式在此不在赘述。
[0108]
在一些实施例中，时序控制器150连接有检测电路200，时序控制器150通过接收检测电路200反馈的检测信号确定阵列基板的当前温度。其中，检测电路200的具体结构可以参照前述实施例，本实施方式在此不在赘述。
[0109]
在一些实施例中，过驱值拟合函数可以由测试人员通过测试进行设计，并将过驱值拟合函数可以存储于存储器内。时序控制器150通过读取存储器以调用过驱值拟合函数对当前温度进行计算，从而计算出过驱值。
[0110]
在一些实施例中，时序控制器150生成目标过驱查找表后，将目标过驱查找表进行暂存。在阵列基板100的当前温度保持不变的情况下，时序控制器150根据该目标过驱查找
表查找与当前帧图像中各像素对应的过驱下的灰阶值，并控制数据驱动电路140按照查找到的过驱下的灰阶值对各像素进行驱动。
[0111]
在一些实施例中，时序控制器150在检测到阵列基板100的当前温度发生变化时，可以将变化前温度对应的目标过驱查找表进行删除，以释放存储空间，并根据变化后温度重新计算目标过驱查找表。
[0112]
在相关技术中，时序控制器150直接存储多张过驱查找表，根据阵列基板100的当前温度选用对应的过驱查找表进行过驱。例如，在温度范围为t1～t2时，调用过驱查找表a进行过驱；在温度范围为t3～t4时，调用过驱查找表b进行过驱；在温度范围为t5～t6时，调用过驱查找表c进行过驱。在该方案中，若需要更精确的过驱，则需要将温度范围进行精细的划分，由此需要存储的更多的过驱查找表，如十几个或者二十几个。显然，过多的过驱查找表会大量占用存储器的内存，导致时序控制器150的读取和调用速度较慢。
[0113]
根据本技术的控制方法，通过对阵列基板的当前温度进行检测，再根据过驱值拟合函数对当前温度下的过驱值进行计算，从而根据计算出的过驱值进行过驱，解决了温度差异对阵列基板的响应时间的影响；同时不需要存储各温度下对应的过驱查找表，释放了存储空间，加快了时序控制器的读取和调用速度。
[0114]
在一些实施例中，获取阵列基板的当前温度的步骤可以包括：获取检测信号，检测信号为对阵列基板上的栅极驱动电路接入的驱动信号的电流进行检测而得；根据检测信号确述阵列基板的当前温度。
[0115]
需要说明的是，栅极驱动电路120接入的驱动信号包括时钟信号clk和起始信号stv等。栅极驱动电路120设于阵列基板100上，因此栅极驱动电路120自身同样受到阵列基板100的温度影响。由于栅极驱动电路120自身材料在不同温度下的活性不同，而栅极驱动电路120接入的驱动信号的电压较为恒定，因此栅极驱动电路120接入的驱动信号的电流随阵列基板100的温度变化而变化。
[0116]
在一些实施例中，栅极驱动电路120内部通常也由多个tft结构组合，如4t1c结构或者8t1c结构。在不同温度下，tft材料活性不同，从而影响tft流过的电流。栅极驱动电路120的基本结构已有成熟的技术，本实施方式在此不在赘述。
[0117]
相比于采用传感器或热敏电阻的温度检测方式，本实施方式中的栅极驱动电路120接入的驱动信号的电流仅受到阵列基板100自身的温度影响，从而避免了其他机构发热的影响，检测效果更精确。
[0118]
在一些实施例中，驱动信号为栅极驱动电路所连接的时钟信号线上的时钟信号。
[0119]
栅极驱动电路120设有时钟信号线，时钟信号线用于接入时钟信号clk；检测电路200对时钟信号线上的电流进行检测，以提供检测信号。时钟信号clk用于控制栅极驱动电路120输出，时钟信号线通过在进入栅极驱动电路120内经tft耦接至接地节点。由此，时钟信号线的负载简单，其电流受到阵列基板100的温度影响明显，其电流变化与阵列基板100的温度变化相关性较强。
[0120]
根据本技术的一个实施例，控制方法还包括：根据多个参考过驱查找表生成确定过驱值拟合函数。
[0121]
在本实施方式中，时序控制器150内部存储有少量的参考过驱查找表，各参考过驱查找表对应于阵列基板100在不同温度下的过驱值。时序控制器150通过对少量的参考过驱
查找表内的过驱值进行拟合，从而生成过驱值拟合函数。
[0122]
在一些实施例中，时序控制器150可以采用最小二乘法或者迭代等计算方式对多个参考过驱查找表中的过驱值进行拟合。其中，非线性拟合的计算方式已有成熟的技术，本实施方式在此不再赘述。
[0123]
在本实施方式中，由于时序控制器150可以基于参考过驱查找表生成过驱值拟合函数，测试人员可以通过修正参考过驱查找表，或者补充参考过驱查找表的方式对过驱值拟合函数进行调整，使得阵列基板100的过驱便于调试。
[0124]
在一些实施例中，多个参考过驱查找表包括第一温度对应的第一参考过驱查找表和第二温度对应的第二参考过驱查找表，第一温度为参考温度范围的下限值，第二温度为参考温度范围的上限值。
[0125]
作为一种示例，阵列基板100的温度范围设定为25℃～40℃，则第一参考过驱查找表对应25℃，第让她参考过驱查找表对应40℃。对于负性液晶，温度越低，偏转速度越慢，所以低温限对应的查找表过驱程度相对要高，高温限对应的查找表过驱程度要低。其中，过驱程度是指灰阶过驱数值与当前灰阶值之间的差值。
[0126]
在本实施方式中，时序控制器150可以根据两个参考过驱查找表生成过驱值拟合函数，其对存储空间的占用较少，有利于提高时序控制器150实际运行过程中的读取速度。
[0127]
在一些实施例中，多个参考过驱查找表还包括第三温度对应的第三参考过驱查找表，第三温度为参考温度范围的中间值。
[0128]
作为一种示例，第三温度可以为30℃或者35℃。通过增加一个参考过驱查找表可以提高时序控制器150生成的过驱值拟合函数的精度，从而提高过驱控制精度。同样，由于存储的参考过驱查找表较少，对存储器空间的占用较少，时序控制器150实际运行过程中的读取时间越迅速。
[0129]
第三方面，本技术提供了一种显示面板，包括阵列基板100和印刷电路板，印刷电路板设有根据前述的控制电路。控制电路的具体结构和原理可以参照前述实施例，本实施方式在此不再赘述。
[0130]
根据本技术的显示面板，通过对阵列基板100的当前温度进行检测，再根据过驱值拟合函数对当前温度下的过驱值进行计算，从而根据计算出的过驱值进行过驱，解决了温度差异对阵列基板100的响应时间的影响；同时不需要存储各温度下对应的过驱查找表，释放了存储空间，加快了时序控制器150的读取和调用速度。
[0131]
尽管已经示出和描述了本技术的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本技术的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由权利要求及其等同物限定。

技术特征：
1.一种阵列基板的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：检测电路，配置为检测所述阵列基板的当前温度；时序控制器，与所述检测电路耦接，且配置为根据所述当前温度和过驱值拟合函数计算目标过驱查找表，并根据所述目标过驱查找表对所述阵列基板进行过驱动，所述过驱值拟合函数反映温度与过驱值之间的关系。2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述阵列基板设有栅极驱动电路，所述检测电路配置为检测所述栅极驱动电路接入的驱动信号的电流，并向所述时序控制器提供检测信号，所述检测信号反映所述阵列基板的温度。3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述检测电路包括：电流感应电路，与所述阵列基板的驱动信号线耦接，且配置为检测所述驱动信号线上的电流，并提供感应信号；模数转换单元，分别与所述电流感应电路和所述时序控制器耦接，且配置为将所述感应信号转换为数字形式的检测信号。4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述电流感应电路包括：采样电阻，设于所述驱动信号线；比较器，所述比较器的正输入端与所述采样电阻的输入端耦接，所述比较器的负输入端与所述采样电阻的输出端耦接；三极管，所述三极管的基极与所述比较器的输出端耦接，所述三极管的集电极与所述比较器的正输入端与耦接，所述三极管的发射极与所述模数转换单元的输入端耦接。5.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述阵列基板电连接印刷电路板，所述电流感应电路和所述模数转换单元设置于所述印刷电路板。6.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述栅极驱动电路包括设于所述阵列基板相对两侧的第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路，所述检测电路包括检测所述第一栅极驱动电路输入的第一驱动信号的第一检测电路和检测所述第二栅极驱动电路输入的第二驱动信号的第二检测电路。7.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述阵列基板包括非显示区，所述栅极驱动电路设于所述非显示区，所述栅极驱动电路设有时钟信号线，所述时钟信号线用于接入时钟信号；所述检测电路配置为对所述时钟信号线上的电流进行检测，以提供所述检测信号。8.根据权利要求1-7中任一项所述的控制电路，其特征在于，所述时序控制器还配置为根据多个参考过驱查找表生成确定过驱值拟合函数。9.根据权利要求8所述的控制电路，其特征在于，所述多个参考过驱查找表包括第一温度对应的第一参考过驱查找表和第二温度对应的第二参考过驱查找表，所述第一温度为参考温度范围的下限值，所述第二温度为所述参考温度范围的上限值。10.根据权利要求9所述的控制电路，其特征在于，所述多个参考过驱查找表还包括第三温度对应的第三参考过驱查找表，所述第三温度为所述参考温度范围的中间值。11.一种阵列基板的控制方法，其特征在于，包括：获取所述阵列基板的当前温度；根据所述当前温度和过驱值拟合函数计算目标过驱查找表，所述过驱值拟合函数反映
温度与过驱值之间的关系；根据所述目标过驱查找表对所述阵列基板进行过驱动。12.根据权利要求11所述的控制方法，其特征在于，所述获取所述阵列基板的当前温度，包括：获取检测信号，所述检测信号为对所述阵列基板上的栅极驱动电路接入的驱动信号的电流进行检测而得；根据所述检测信号确定所述阵列基板的当前温度。13.根据权利要求12所述的控制方法，其特征在于，所述驱动信号为所述栅极驱动电路所连接的时钟信号线上的时钟信号。14.根据权利要求11所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：根据多个参考过驱查找表生成确定过驱值拟合函数。15.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板和印刷电路板，所述印刷电路板设有根据权利要求1-10中任一项所述的控制电路。

技术总结
本申请公开了一种阵列基板的控制电路、控制方法及显示面板，属于显示技术领域。控制电路包括：检测电路，配置为检测阵列基板的当前温度；时序控制器，与检测电路耦接，且配置为根据当前温度和过驱值拟合函数计算目标过驱查找表，并根据目标过驱查找表对阵列基板进行过驱动，过驱值拟合函数反映温度与过驱值之间的关系。根据本申请的控制电路，通过对阵列基板的当前温度进行检测，再根据过驱值拟合函数对当前温度下的过驱值进行计算，从而根据计算出的过驱值进行过驱，解决了温度差异对阵列基板的响应时间的影响；同时不需要存储各温度下对应的过驱查找表，释放了存储空间，加快了时序控制器的读取和调用速度。控制器的读取和调用速度。控制器的读取和调用速度。


技术研发人员：黄艳庭 程敏 李清 胡虹玲 戴珂 聂春扬 谭雨辰 杨越
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2023.05.26
技术公布日：2023/8/16