一种含硅的三胺衍生物及其有机发光器件的制作方法
未命名
08-18
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1.本发明涉及有机光电材料技术领域,尤其涉及一种含硅的三胺衍生物及其有机发光器件。
背景技术:
2.有机发光器件(oled)中的载流子(空穴和电子)在电场的驱动下分别由器件的两个电极注入到器件中,并在有机发光层中相遇复合发光。一般用于oled的材料包括发光材料、辅助材料、电极材料以及覆盖层材料。其中辅助材料主要包括载流子传输材料、载流子注入材料和载流子阻挡材料。不同的辅助材料在器件中所起的功能和作用不同,因此对不同的辅助材料通常具有不同的功能要求。
3.高性能的有机发光器件,要求各种有机功能材料具备良好的光电特性。譬如,作为空穴传输材料,要求具有良好的载流子迁移率,分子的三线态能级要高于发光层的激发能,要避免与发光层形成激基复合物,且需要具有良好的成膜性,具有较高的热稳定性以及具有适当的最高分子占据轨道(homo)能级,能够保证空穴在各个界面之间的有效注入与传输。
4.空穴传输材料是以传输空穴为主,在oled中,包含空穴传输材料的空穴传输层的作用是提高空穴在器件中的传输效率,并将电子阻挡在发光层内,实现载流子的最大复合。现有的有机发光器件中使用的空穴注入层材料以及空穴传输层材料的注入和传输特性相对较弱,空穴注入和传输速率与电子注入和传输速率不匹配,导致复合区域偏移较大,不利于器件的稳定性。另外,空穴注入层材料和空穴传输层材料合理的能级匹配是提高器件效率和器件寿命的重要因素,因此目前空穴传输材料的研究重点在于如何提高材料的成膜性、热稳定性以及器件的发光效率。另一方面,由于有机发光器件在出光时会在界面处发生全反射现象,导致oled器件的出光效率仅约为20%,严重制约了有机发光器件性能的提升,然而目前覆盖层材料的折射率以及玻璃化转变温度较低,导致出光效率提高效果不明显,有机发光器件的发光效率低。
5.针对上述问题,目前研究较高空穴迁移率、高的玻璃转化温度、高的三线态能级的空穴传输材料以及具备较高折射率以及玻璃化转变温度的覆盖层材料,成为亟待解决的问题。
技术实现要素:
6.本发明的目的在于,在现有技术的基础上,以产业化为目标,提供一种含硅的三胺衍生物及其有机发光器件,使用该含硅的三胺衍生物制备的有机发光器件,应用于空穴传输区域或覆盖层来开发具有高效率和长寿命的有机发光器件,解决了现有技术中有机发光器件的发光效率低、使用寿命短的问题,其分子结构通式如式ⅰ所示:
[0007][0008]
其中,所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6独立的选自式a所示基团:
[0009][0010]
所述z相同或不同的选自crm或n,与l1、l2、l3、l4、l5、l6相连的z选自c原子,其中所述rm相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的环烷基、取代或未取代的c6~c30的芳基、取代或未取代的c2~c25的杂芳基、取代或未取代的c6~c30的芳香族环与c3~c30的脂肪族环的稠环基中的一种,或者任选相邻的两个rm基团可以键合起来形成取代或未取代的环状结构;
[0011]
所述r1、r2、r3相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、氟、三氟甲基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的环烷基、取代或未取代的c6~c30的芳基、取代或未取代的c3~c30的脂环和c6~c30的芳环的稠和环基中的任意一种;
[0012]
所述l1、l2、l3、l4、l5、l6独立地选自单键、取代或未取代的c6~c25的亚芳基、取代或未取代的c3~c10的脂肪环和c6~c25的芳环的亚稠和环基中的一种;
[0013]
所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6、l1、l2、l3、l4、l5、l6、r1、r2、r3中的至少一个含有一个或多个如下式b所示基团:
[0014][0015]
所述ra、rb、rc相同或不同的选自氘、取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的环烷基、取代或未取代的c6~c30的芳基中的任意一种;
[0016]“*”表示连接位点。
[0017]
本发明还提供一种有机发光器件,包括阳极、阴极、有机物层,所述有机物层位于所述阳极与所述阴极之间或位于所述阳极及所述阴极中的一个以上的电极的外侧,所述有机物层中含有本发明所述的含硅的三胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。
[0018]
本发明的有益效果:
[0019]
本发明提供一种含硅的三胺衍生物及其有机发光器件,本发明化合物以苯为中心,连接三个三芳胺,并且衍生物中引入甲硅烷基,使化合物对称性降低,提高了材料的玻璃化转化温度,控制材料的结晶性,且能够调整分子的homo能级,更好地与相邻的功能层匹配,使电子和空穴更好的结合,增强空穴传输效率,从而提高器件的空穴传输性能以及热稳定性。应用于有机发光器件中,可以有效地提高器件的发光效率和使用寿命;另一方面本发
明的含硅的三胺衍生物应用于覆盖层中,有效提高器件的发光效率,延长器件的使用寿命。
具体实施方式
[0020]
下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明的保护范围。
[0021]
在本发明的化合物中,未指定为特定同位素的任何原子被包括作为该原子的任何稳定同位素,并且包含处于其天然同位素丰度与非天然丰度两者的原子。
[0022]
本发明中,“h”和“氢”的使用是指化学结构中的氢原子包含不多于天然丰度的氘原子或氚原子,例如,不超过0.0156原子%的氘。“d”和“氘”是指氘含量的丰度在天然丰度以上,例如超过0.1原子%、超过1原子%、超过10原子%的任意值,例如其中约95原子%为氘。本发明中,省略未画出的氢原子表示“h”或“氢”。
[0023]
在本说明书中,当取代基在环上的位置不固定时,表示其可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。
[0024]
例如,可表示可表示可表示可表示可表示可表示以此类推。
[0025]
在本说明书中,当取代基或连接位点所在键贯穿于两个或多个环时,表明其可连接于所述两个或两个环的任一个,具体可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。例如,可表示可表示可表示可表示以此类推。
[0026]
本发明所述的卤素是指氟、氯、溴和碘。
[0027]
本发明所述的“取代或未取代的甲硅烷基”是指—si(rk)3基团,其中每个rk相同或不同的选自如下所述基团:氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的c1~c30的烷基、取代或未取代的c1~c30的烯基、取代或未取代的c3~c30的环烷基、取代或未取代的c6~c60的芳基、取代或未取代的c2~c60的杂芳基、取代或未取代的c3~c30的脂环与c6~c60的芳环的稠合环基、取代或未取代的c3~c30的脂环与c2~c60的杂芳环的稠合环基。优选的,每个rk相同或不同的选自如下所述基团:氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的c1~c30的烷基、取代或未取代的c3~c30的环烷基。所述烷基的碳原子数优选为1至20个,优选1至15个,再优选1至10个,最优选为1至8个。所述环烷基的碳原子数优选为3至20个,优选3至15个,再优选3至10个,最优选为3至7个。优选的,每个rk相同或不同的选自如下所述基团:氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的
丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的庚基、取代或未取代的辛基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的环庚基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基。优选的取代甲硅烷基具体包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等,但不限于此。上述甲硅烷基优选为三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、苯基二甲基甲硅烷基。
[0028]
本发明所述的烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基,其可以为直链烷基、支链烷基,优选具有1至15个碳原子,更优选1至12个碳原子,特别优选1至6个碳原子。所述直链烷基包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、十一烷基、十二烷基等,但不限于此;所述支链烷基包括异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基的异构基团、正己基的异构基团、正庚基的异构基团、正辛基的异构基团、正壬基的异构基团、正癸基的异构基团等,但不限于此。上述烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基。
[0029]
本发明所述的碳原子数大于三的链状烷基包括其异构体,例如,丙基包括正丙基、异丙基,丁基包括正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基。以此类推。
[0030]
本发明所述的环烷基是指环烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基,优选具有3至15个碳原子,更优选3至12个碳原子,特别优选3至6个碳原子,实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、莰烷基、降冰片烷基等,但不限于此。上述环烷基优选为环戊基、环己基、1-金刚烷基、2-金刚烷基、降冰片烷基。
[0031]
本发明所述的芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉一个氢原子后,剩下一价基团的总称,其可以为单环芳基、多环芳基或者稠环芳基,优选具有6至25个碳原子,更优选6至20个碳原子,特别优选6至14个碳原子,最优选6至12个碳原子。所述单环芳基是指分子中只有一个芳香环的芳基,例如,苯基等,但不限于此;所述多环芳基是指分子中含有两个或者两个以上独立芳香环的芳基,例如,联苯基、三联苯基等,但不限于此;所述稠环芳基是指分子中含有两个或者多个芳香环且彼此间通过共用两个相邻碳原子稠合而成的芳基,例如,萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、芴基、苯并芴基、三亚苯基、荧蒽基、螺二芴基等,但不限于此。上述芳基优选为苯基、联苯基、三联苯基、萘基(优选2-萘基)、蒽基(优选2-蒽基)、菲基、芘基、苝基、芴基、苯并芴基、三亚苯基、螺二芴基。
[0032]
本发明所述的杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳原子被杂原子替代得到的基团的总称,所述杂原子包括但不限于氧、硫、氮或者磷原子,优选具有1至25个碳原子,更优选2至20个碳原子,特别优选3至15个碳原子,最优选3至12个碳原子,所述杂芳基的连接位点可以位于成环碳原子上,也可以位于成环氮原子上,所述杂芳基可以为单环杂芳基、多环杂芳基或者稠环杂芳基。所述单环杂芳基包括吡啶基、嘧啶基、三嗪基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基等,但不限于此;所述多环杂芳基包括联吡啶基、联嘧啶基、苯基吡啶基等,但不限于此;所述稠环杂芳基包括喹啉基、异喹啉基、吲哚基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、咔唑基、苯并咔唑基、吖啶基、9,10-二氢吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩
噁噻基等,但不限于此。上述杂芳基优选为吡啶基、嘧啶基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、苯并二苯并呋喃基、咔唑基、吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩噁噻基。
[0033]
本发明所述的亚芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉两个氢原子后,剩下二价基团的总称,其可以为单环亚芳基、多环亚芳基或者稠环亚芳基,优选具有6至25个碳原子,更优选6至20个碳原子,特别优选6至14个碳原子,最优选6至12个碳原子。所述单环亚芳基包括亚苯基等,但不限于此;所述多环亚芳基包括亚联苯基、亚三联苯基等,但不限于此;所述稠环亚芳基包括亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芴基、亚芘基、亚三亚苯基、亚荧蒽基、亚苯基芴基等,但不限于此。上述亚芳基优选为亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚芴基、亚苯基芴基。
[0034]
本发明所述的脂肪环和芳环的亚稠和环基是指脂肪环与芳环稠和在一起后去掉两个氢原子,剩下二价基团的总称。优选具有7至30个碳原子,更优选7至18个碳原子,最优选7至12个碳原子,实例可包括亚苯并环丙基、亚苯并环丁基、亚苯并环戊基、亚苯并环己基、亚苯并环庚基、亚苯并环戊烯基、亚苯并环己烯基、亚苯并环庚烯基、亚萘并环丙基、亚萘并环丁基、亚萘并环戊基、亚萘并环己基等,但不限于此。
[0035]
本发明所述的芳香族环与脂肪族环的稠和环是指分子中含有一个或多个芳香族环以及含有一个或多个脂肪族环切彼此之间通过共用两个相邻碳原子稠合而成的环,芳香族环优选6至30个碳原子,更优选6至18个碳原子,最优选6至12个碳原子,脂肪族环优选3~30个碳原子,更优选3~18个碳原子,更优选3至12个碳原子,最优选3至7个碳原子,实例包括苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并环庚烯基、萘并环丙烷基、萘并环丁烷基、萘并环戊烷基、萘并环己烷基、萘并环戊烯基、萘并环己烯基等,但不限于此。
[0036]
本发明所述的脂肪环是指具有脂肪族性质的环烃,分子中含有闭合的碳环,优选具有3至60个碳原子,更优选3至30个碳原子,进一步优选3至18个碳原子,更优选3至12个碳原子,最优选3至7个碳原子。其可形成单环烃或多环烃,可以是完全不饱和或者部分不饱和,具体实例可包含环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环丁烯、环戊烯、环己烯、环庚烯等,但不限于此。多个单环烃还可用多种方式连接:分子中两个环可以共用一个碳原子形成螺环;环上两个碳原子之间可以用碳桥连接形成桥环;几个环也可以互相连接形成笼状结构。
[0037]
本发明所述“取代的
…”
诸如取代的甲硅烷基、取代的烷基、取代的环烷基、取代的芳基、取代的芳香族环与脂肪族环的稠环基、取代的亚芳基、取代的脂肪环和芳环的亚稠和环基等是指被独立地选自氘基、取代或未取代的c1~c6烷基、取代或未取代的c3~c6环烷基、取代或未取代的c6~c20芳基、取代或未取代的c2~c15杂芳基、取代或未取代的胺基等但不限于此的基团单取代或多取代,优选被选自氘基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、苝基、芘基、苯甲基、甲苯基、芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、9-甲基-9-苯基芴基、二苯胺基、二甲胺基、咔唑基、9-苯基咔唑基、吖啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吲哚基的基团单取代或多取代。另外,上述取代基还可被一个或多个氘、卤原子、氰基、烷基、环烷基、芳基所述的取代基取代。
[0038]
除非另有说明,否则本文所用的术语“环”是指由具有3至60个碳原子的脂族环或具有6至60个碳原子的芳族环或具有2至60个碳原子的杂环或其组合组成的稠合环,它包含饱和或不饱和环。
[0039]
本发明所述的键合起来形成环状结构是指两个基团通过化学键彼此连接并任选地进行芳构化。如下所示例:
[0040][0041]
本发明中,连接形成的环可以为芳香环或非芳香环,可以为三元环、四元环、五元环、六元环、七元环、八元环或者稠合环,例如苯、萘、芴、环丙烷、环丁烷、环戊烯、环戊烷、环己烯、环己烷、环戊烷并苯、环己烷并苯、喹啉、异喹啉、二苯并噻吩、菲或芘,但不限于此。
[0042]
在本说明书中,“至少一个”包括一个、两个、三个、四个、五个、六个、七个、八个或者更多个。
[0043]
在本说明书中,“一个或多个”包括一个、两个、三个、四个、五个、六个或者更多个。
[0044]
本发明提供了一种含硅的三胺衍生物,其分子结构如式ⅰ所示:
[0045][0046]
其中,所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6独立的选自式a所示基团:
[0047][0048]
所述z相同或不同的选自crm或n,与l1、l2、l3、l4、l5、l6相连的z选自c原子,其中所述rm相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的环烷基、取代或未取代的c6~c30的芳基、取代或未取代的c2~c25的杂芳基、取代或未取代的c6~c30的芳香族环与c3~c30的脂肪族环的稠环基中的一种,或者任选相邻的两个rm基团可以键合起来形成取代或未取代的环状结构;
[0049]
所述r1、r2、r3相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、氟、三氟甲基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的环烷基、取代或未取代的c6~c30的芳基、取代或未取代的c3~c30的脂环和c6~c30的芳环的稠和环基中的任意一种;
[0050]
所述l1、l2、l3、l4、l5、l6独立地选自单键、取代或未取代的c6~c25的亚芳基、取代或未取代的c3~c10的脂肪环和c6~c25的芳环的亚稠和环基中的一种;
[0051]
所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6、l1、l2、l3、l4、l5、l6、r1、r2、r3中的至少一个含有一个或多个如下式b所示基团:
[0052][0053]
所述ra、rb、rc相同或不同的选自氘、取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的环烷基、取代或未取代的c6~c30的芳基中的任意一种;
[0054]“*”表示连接位点。
[0055]
优选的,所述式ⅰ选自如下式
ⅰ‑
1至式
ⅰ‑
3所示中的一种:
[0056][0057]
优选的,所述ra、rb、rc相同或不同的选自取代或未取代的如下基团中的一种:氘、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基、苯基、联苯基、萘基;其中所述“取代或未取代的”中的取代基选自氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基中的一种或多种,在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同。
[0058]
优选的,所述式b选自如下基团中的一种:
[0059][0060]
优选的,所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6独立地选自如下基团中的任意一种:
[0061][0062]
所述z相同或不同的选自crm或n,与l1、l2、l3、l4、l5、l6相连的z选自c原子,其中所述rm彼此相同或不同,选自式b、氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基或者取代或未取代的如下基团中的一种:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环
己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基;其中所述“取代或未取代的”中的取代基选自氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基中的一种或多种,或者任选相邻的两个rm基团可以键合起来形成取代或未取代的苯环或取代或未取代的三元至八元的脂肪环;在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同;
[0063]
其中所述rm还可被r
mm
所取代,r
mm
选自氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、甲硅烷基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基中的一种或多种,在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同。
[0064]
优选的,所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6独立地选自如下基团中的任意一种:
[0065]
[0066][0067]
所述r7选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基中的一种,其中“取代或未取代的”中的取代基选自氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、甲基、乙基、正丙基、正丁基、异丙基、叔丁基、环己基、环戊基、环丁基、环丙基、金刚烷基、降冰片烷基、坎烷基、苯基、萘基、联苯基中的一种或多种;
[0068]
所述rm彼此相同或不同,选自氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基或者取代或未取代的如下基团中的一种:式b、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基;其中所述“取代或未取代的”中的取代基选自氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、苯基、联苯基、萘基中的一种或多种,在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同;
[0069]
所述m1选自1、2、3、4或5;所述m2选自1、2、3或4;所述m3选自1、2或3;所述m4选自1、2、3、4、5、6或7;所述m5选自1或2;所述m6选自1、2、3、4、5或6;所述m7选自1、2、3、4、5、6、7、8或9;所述m8选自1、2、3、4、5、6、7或8;所述m9选自1、2、3、4、5、6、7、8、9或10;所述m
10
选自1、2、3、
4、5、6、7、8、9、10或11。
[0070]
优选的,所述rm彼此相同或不同,选自式b、氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基或者取代或未取代的如下基团中的一种:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基;其中所述“取代或未取代的”中的取代基选自氘、氰基、卤素、三氟甲基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、苯基中的一种或多种,在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同。
[0071]
优选的,rm中的一个、两个、三个或更多个选自式b。
[0072]
优选的,所述r1、r2、r3相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、氟、三氟甲基、式b所示基团或者取代或未取代的如下基团中的一种:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基;其中所述“取代或未取代的”中的取代基选自氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、苯基、联苯基中的一种或多种,在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同。
[0073]
优选的,所述l1、l2、l3、l4、l5、l6独立地选自单键或如下基团中的一种:
[0074][0075]
所述rn彼此相同或不同,选自式b、氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的环烷基、取代或未取代的c6~c25的芳基中的任意一种;
[0076]
所述n0选自0、1或2;所述n1选自1、2、3或4;所述n2选自1、2、3、4、5或6;所述n3选自1、2、3、4、5、6、7或8。
[0077]
进一步优选的,所述rn选自式b、氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、取代或未取代的如下基团中的一种或多种:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基,在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同。
[0078]
最优选的,所述l1、l2、l3、l4、l5、l6独立地选自单键或如下基团中的一种:
[0079][0080]
优选的,式i中所包含的式b所示基团的个数至少为一个。
[0081]
优选的,式i中所包含的式b所示基团的个数为一个、两个、三个、四个、五个、六个或者更多个。
[0082]
优选的,所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6、l1、l2、l3、l4、l5、l6、r1、r2、r3中的至少一个含有一个或多个式b所示基团。
[0083]
优选的,所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6中的至少一个含有一个或多个式b所示基团。
[0084]
优选的,所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6中的一个、两个、三个、四个、五个或者六个各自含有一个或多个式b所示基团。
[0085]
优选的,所述l1、l2、l3、l4、l5、l6中的至少一个含有一个或多个式b所示基团。
[0086]
优选的,所述l1、l2、l3、l4、l5、l6中的一个、两个、三个、四个、五个或者六个各自含有一个或多个式b所示基团。
[0087]
优选的,所述r1、r2、r3中的至少一个为式b所示基团。
[0088]
优选的,所述r1、r2、r3中的一个、两个或者三个为式b所示基团。
[0089]
进一步优选的,所述式ⅰ化合物满足以下条件中的至少一个:
[0090]
i.ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6中的一个、两个、三个、四个、五个或者六个各自含有一个或多个式b所示基团;
[0091]
ii.l1、l2、l3、l4、l5、l6中的一个、两个、三个、四个、五个或者六个各自含有一个或多个式b所示基团;
[0092]
ii.r1、r2、r3中的一个、两个、三个为式b所示基团。
[0093]
更优选的,所述式ⅰ化合物满足以下条件中的至少一个:
[0094]
i.所述ar1和ar2各自含有一个或多个式b所示基团;
[0095]
ii.所述ar1和ar3各自含有一个或多个式b所示基团;
[0096]
iii.所述ar1、ar2和ar3各自含有一个或多个式b所示基团;
[0097]
iv.所述ar1、ar3和ar5各自含有一个或多个式b所示基团;
[0098]
v.所述ar1、ar2、ar3和ar4各自含有一个或多个式b所示基团;
[0099]
vi.所述ar1、ar2、ar3和ar5各自含有一个或多个式b所示基团;
[0100]
vii.所述ar1、ar2、ar3、ar4和ar5各自含有一个或多个式b所示基团;
[0101]
vii.所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5和ar6各自含有一个或多个式b所示基团。
[0102]
优选的,所述含有一个或多个式b所示基团,包括含有一个、两个、三个、四个、五个、六个或更多个式b所示基团。
[0103]
优选的,所述r1、r2、r3相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、氟、三氟甲基、式b所示基团或者取代或未取代的如下基团中的一种:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基;其中所述“取代或未取代的”中的取代基选自氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、苯基、联苯基中的一种或多种,在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同。
[0104]
最优选的,所述含硅的三胺衍生物选自如下所示化学结构中的任意一种:
[0105]
[0106]
[0107]
[0108]
[0109]
[0110]
[0111]
[0112]
[0113]
[0114]
[0115]
[0116]
[0117]
[0118]
[0119]
[0120]
[0121]
[0122]
[0123]
[0124]
[0125]
[0126][0127]
本发明式i所述的含硅的三胺衍生物的制备方法,可通过本领域常规的偶联反应即可制备得到,例如可通过如下合成路线制备得到,但本发明不限于此:
[0128][0129]
本发明含硅的三胺衍生物通过buchwald-hartwig偶联反应,得到中间体a、b、c;原料g与中间体a通过buchwald-hartwig偶联反应,得到中间体ⅰ;中间体ⅰ与中间体b通过buchwald-hartwig偶联反应,得到中间体ⅱ,中间体ⅱ与中间体c通过buchwald-hartwig偶联反应,最终得到式i化合物,其中x1、x2、x3、x4、x5、x6独立地选自cl、br或i。
[0130]
本发明对上述各类反应中所采用的原料的来源没有特别的限制,可以使用市售产品原料或采用本领域技术人员所熟知的制备方法得到。本发明对上述反应没有特殊的限制,采用本领域技术人员所熟知的常规反应即可。本发明所述化合物合成步骤少、方法简单,有利于工业化生产。
[0131]
本发明还提供一种有机发光器件,包括阳极、阴极、有机物层,所述有机物层位于所述阳极与所述阴极之间或位于所述阳极及所述阴极中的一个以上的电极的外侧,所述有机物层中含有本发明所述的含硅的三胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。
[0132]
优选的,所述有机物层包含空穴传输区域、发光层、电子传输区域或覆盖层,所述空穴传输区域、覆盖层中的至少一层含有本发明所述的含硅的三胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。
[0133]
优选的,所述有机物层包含空穴传输区域,所述空穴传输区域中含有本发明所述的含硅的三胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。
[0134]
优选的,所述空穴传输区域包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层,所述空穴传输层中含有本发明所述的含硅的三胺衍生物中的任意一种或至少两种的组
合。
[0135]
优选的,所述空穴传输层包含空穴传输层和发光辅助层(第二空穴传输层),发光辅助层位于空穴传输层和发光层之间,所述空穴传输层和发光辅助层中的至少一层含有本发明所述的含硅的三胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。
[0136]
优选的,所述有机物层包含覆盖层,所述覆盖层中含有本发明所述的含硅的三胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。
[0137]
优选的,本发明所述的覆盖层可为单层结构、两层结构或者多层结构,本发明所述的覆盖层材料至少一种选自本发明所述的含硅的三胺衍生物,或含有本领域技术人员所熟知的常规的覆盖层材料。
[0138]
本发明的发光器件通常在基板上形成。上述基板只要在形成电极、形成有机物层时不发生变化即可,例如,玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等的基板。当基板不透明时,与其相对的电极优选为透明或者半透明的。
[0139]
阳极物质,优选为功函数大的物质,如有钒、铬、铜、锌、金等金属或它们的合金;氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等金属氧化物;zno:al或sno2:sb等金属与氧化物的组合;聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](pedot)及聚苯胺等导电性高分子等,但并不限于此。可以将阳极形成2层以上的积层结构,如ito/ag/ito,优选的,本发明所述阳极采用透明的ito基板。
[0140]
空穴注入层,优选为具备传输空穴能力的物质,如有金属卟啉、低聚噻吩、芳基胺系有机物、六腈六氮杂苯并菲系有机物、喹吖啶酮系有机物、苝系有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系导电性高分子等,但并不限于此。
[0141]
空穴传输层,优选为空穴迁移率大的物质,如有芳基胺系有机物、导电性高分子、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等,但并非仅限于此。优选的,空穴传输层选用本发明所述的含硅的三胺衍生物任意一种或至少两种的组合。
[0142]
电子阻挡层,优选使用公知的材料形成在发光层与电子注入层之间的合适的部分。
[0143]
发光层,优选为对于荧光或磷光的量子效率高的物质,如有8-羟基喹啉铝配合物(alq3);咔唑系化合物;二聚苯乙烯基化合物;balq;10-羟基苯并喹啉金属化合物;苯并唑、苯并噻唑及苯并咪唑系化合物;聚(对亚苯基亚乙烯基)(ppv)系高分子;螺环化合物;聚芴、红荧烯等,但并不限于此。
[0144]
发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料有芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。如作为芳香族稠环衍生物,有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等,作为含杂环化合物,有咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物嘧啶衍生物等,但并不限于此。
[0145]
掺杂剂材料,有芳香族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等,但并不限于此。作为金属配合物,有铱配合物、铂配合物等,但并不限于此。优选的,本发明所述掺杂剂材料采用铱配合物。
[0146]
作为发光层主体材料和发光层客体材料的掺杂比例,其最佳可根据所用的材料而不同,通常发光层客体材料掺杂质量百分比为0.01%~20%,优选为0.1%~15%,更优选为1%~10%。
[0147]
空穴阻挡层是阻止空穴达到阴极的层,一般可以利用与空穴注入层相同的条件来形成。如有二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物、bcp、铝配合物等,但并不限于此。
[0148]
空穴注入层,优选为具备传输空穴能力的物质,如有金属卟啉、低聚噻吩、芳基胺系有机物、六腈六氮杂苯并菲系有机物、喹吖啶酮系有机物、苝系有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系导电性高分子等,但并不限于此。
[0149]
电子传输层,优选为电子迁移率大的物质,如公知的噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、联对苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物,但并不限于此。其可以是单一物质构成的单一结构,也可是不同物质形成的单层结构或多层结构。
[0150]
电子注入层,优选为具备传输电子能力的物质。优选有碱金属化合物,如氧化锂(li2o)、氧化锂硼(libo2)、碳酸铯(cs2co3)、硅酸钾(k2sio3)等,碱金属氟化物(mf,其中m为li、na、k、rb、cs),如果用al做阴极材料,这些材料的最佳厚度通常小于1.0nm。优选的,本发明所述的电子注入层可以选自lif。
[0151]
阴极物质,优选为功函数小的物质,如有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡及铅等金属或它们的合金;lif/al或lio2/al等多层结构物质等,但并不限于此。
[0152]
覆盖层是为了减少oled器件中的全发射损失和波导损失,提高光取出效率。本发明的覆盖层材料可采用alq3、tpbi或本发明所述的含硅的三胺衍生物任意一种或至少两种的组合。
[0153]
有机发光器件中各层的制备形成方法,没有特别限制,可以采用真空蒸镀法、旋涂法、气相沉积法、刮涂法、激光热转印法、电喷涂布法、狭缝式涂布法、浸沾式涂布法中的任意一种,在本发明中优选采用真空蒸镀的方法。
[0154]
本发明所述有机发光器件可广泛应用于信息显示技术、照明光源、柔性oled、电子纸、有机太阳能电池、有机感光体或有机薄膜晶体管、指示牌、信号灯等领域。信息显示方面被广泛应用于各种信息显示,如手机、平板电脑、电视、可穿戴设备、vr、智能手表、数码相机、车辆显示器和车尾灯等。
[0155]
通过以下实施例,更详尽地解释本发明,但不希望因此限制本发明。在该描述的基础上,本领域普通技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下,在所公开的整个范围内实施本发明和制备根据本发明的其他化合物和器件。
[0156]
化合物的制备及表征
[0157]
原料、试剂以及表征设备的说明:
[0158]
本发明对以下实施例中所采用的原料来源没有特别的限制,可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。
[0159]
质谱使用英国沃特斯g2-si四极杆串联飞行时间高分辨质谱仪,氯仿为溶剂;
[0160]
元素分析使用德国elementar公司的vario el cube型有机元素分析仪,样品质量为5~10mg。
[0161]
合成实施例1:化合物7的制备
[0162][0163]
中间体a-7的制备:
[0164]
在氮气保护下,向反应瓶中加入a-7(16.20g,100.00mmol)、b-7(9.31g,100.00mmol)、叔丁醇钠(14.42g,150.00mmol)和500ml甲苯,搅拌下加入pd(oac)2(0.22g,1.00mmol)、p(t-bu)3(4.0ml的0.5m的甲苯溶液,2.00mmol),将上述反应物的混合溶液加热回流4.5h。反应结束后,冷却至室温,加入蒸馏水,用二氯甲烷萃取,静置分液,收集有机层用无水硫酸镁干燥,过滤,减压蒸馏浓缩滤液,降温析晶,抽滤,将所得固体用甲苯/乙醇(体积比6:1)重结晶,得到中间体a-7(14.46g,83%),hplc检测固体纯度≧99.75%。质谱m/z:174.1215(理论值:174.1205)。
[0165]
中间体c-7的制备:
[0166]
在氮气保护下,将e-7(11.46g,50mmol)、f-7(8.46g,50.00mmol)、叔丁醇钠(7.21g,75.00mmol)加到250ml甲苯中,搅拌下加入pd(dppf)cl2(0.55g,0.75mmol),将上述反应物的混合溶液加热回流5.5h。反应结束后,冷却至室温,加入蒸馏水,用二氯甲烷萃取,静置分液,收集有机层用无水硫酸镁干燥,过滤,减压蒸馏浓缩滤液,降温析晶,抽滤,将所得固体用乙酸乙酯重结晶,得到中间体c-7(12.86g,81%),hplc检测固体纯度≧99.79%。质谱m/z:317.1608(理论值:317.1600)。
[0167]
中间体i-7的制备:
[0168]
在氮气保护下,将中间体a-7(13.94g,80.00mmol)、g-7(10.81g,40.00mmol)、叔丁醇钠(7.69g,80.00mmol)加到400ml甲苯中,搅拌下加入pd(oac)2(0.13g,0.60mmol)、p(t-bu)3(2.40ml的0.5m的甲苯溶液,1.20mmol),将上述反应物的混合溶液加热回流6h。反应结束后,冷却至室温,向混合物中加入二氯甲烷和蒸馏水萃取,静置分液,收集有机相用无水硫酸镁干燥,过滤,减压蒸馏浓缩滤液,用石油醚/二氯甲烷(体积比9:1)通过硅胶柱色谱法纯化,得到中间体i-7(14.44g,79%),hplc检测固体纯度≧99.82%。质谱m/z:456.2165(理论值:456.2177)。
[0169]
化合物7的制备:
[0170]
在氮气保护下,将中间体i-7(13.71g,30.00mmol)、中间体c-7(9.53g,30.00mmol)、叔丁醇钠(5.77g,60.00mmol)加到160ml甲苯中,搅拌下加入pd2(dba)3(0.27g,0.30mmol)、x-phos(0.29g,0.60mmol),将上述反应物的混合溶液加热回流6.5h。反应结束后,冷却至室温,加入蒸馏水,用二氯甲烷萃取,静置分液,收集有机层用无水硫酸镁干燥,过滤,减压蒸馏浓缩滤液,降温析晶,抽滤,将所得固体用甲苯重结晶,得到化合物7(16.61g,75%),hplc检测固体纯度≧99.92%。质谱m/z:737.4002(理论值:737.4010)。理论元素含量(%)c
51h35d10
n3si:c,82.99;h,7.51;n,5.69。实测元素含量(%):c,82.96;h,
7.49;n,5.71。
[0171]
合成实施例2:化合物16的制备
[0172][0173]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、f-7分别替换为等摩尔的a-16、f-16,得到化合物16(19.37g),hplc检测固体纯度≥99.95%。质谱m/z:883.4274(理论值:883.4260)。理论元素含量(%)c
63h49
d4n3si:c,85.57;h,6.50;n,4.75。实测元素含量(%):c,85.59;h,6.47;n,4.71。
[0174]
合成实施例3:化合物23的制备
[0175][0176]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、f-7分别替换为等摩尔的a-23、f-23,得到化合物23(20.85g),hplc检测固体纯度≥99.91%。质谱m/z:964.4940(理论值:964.4949)。理论元素含量(%)c
69h56
d5n3si:c,85.85;h,6.89;n,4.35。实测元素含量(%):c,85.82;h,6.91;n,4.31。
[0177]
合成实施例4:化合物60的制备
[0178][0179]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、f-7分别替换为等摩尔的a-60、f-60,得到化合物60(18.27g),hplc检测固体纯度≥99.92%。质谱m/z:833.4875(理论值:
833.4887)。理论元素含量(%)c
58h39d14
n3si:c,83.50;h,8.09;n,5.04。实测元素含量(%):c,83.47;h,8.12;n,5.07。
[0180]
合成实施例5:化合物65的制备
[0181][0182]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、b-7、f-7分别替换为等摩尔的a-16、b-65、f-65,得到化合物65(21.33g),hplc检测固体纯度≥99.96%。质谱m/z:1000.5841(理论值:1000.5826)。理论元素含量(%)c
71h60
d9n3si:c,85.15;h,7.85;n,4.20。实测元素含量(%):c,85.18;h,7.82;n,4.16。
[0183]
合成实施例6:化合物76的制备
[0184][0185]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、e-7、f-7分别替换为等摩尔的a-76、e-76、f-76,得到化合物76(20.38g),hplc检测固体纯度≥99.93%。质谱m/z:942.4148(理论值:942.4166)。理论元素含量(%)c
68h46
d5n3si:c,86.58;h,5.98;n,4.45。实测元素含量(%):c,86.60;h,5.94;n,4.49。
[0186]
合成实施例7:化合物94的制备
[0187][0188]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、e-7、f-7分别替换为等摩尔的e-7、a-7、f-94,得到化合物94(19.57g),hplc检测固体纯度≥99.94%。质谱m/z:880.4416(理论
值:880.4405)。理论元素含量(%)c
60h52
d5n3si2:c,81.77;h,7.09;n,4.77。实测元素含量(%):c,81.74;h,7.11;n,4.73。
[0189]
合成实施例8:化合物115的制备
[0190][0191]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将e-7、f-7、a-7分别替换为等摩尔的a-7、f-115、c-7,得到化合物115(21.28g),hplc检测固体纯度≥99.95%。质谱m/z:970.4889(理论值:970.4874)。理论元素含量(%)c
67h58
d5n3si2:c,82.84;h,7.05;n,4.33。实测元素含量(%):c,82.87;h,7.09;n,4.30。
[0192]
合成实施例9:化合物127的制备
[0193][0194]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、b-7、e-7分别替换为等摩尔的e-7、b-127、a-7,得到化合物127(20.00g),hplc检测固体纯度≥99.91%。质谱m/z:912.5049(理论值:912.5031)。理论元素含量(%)c
62h60
d5n3si2:c,81.53;h,7.72;n,4.60。实测元素含量(%):c,81.55;h,7.76;n,4.57。
[0195]
合成实施例10:化合物143的制备
[0196][0197]
中间体a-143的制备:
[0198]
在氮气保护下,将e-7(17.19g,75.00mmol),b-143(7.36g,75.00mmol)、叔丁醇钠(10.81g,112.5.00mmol)加到380ml甲苯中,搅拌下加入pd(oac)2(0.20g,0.90mmol)、p(t-bu)3(3.60ml的0.5m的甲苯溶液,1.80mmol),将上述反应物的混合溶液加热回流4.5h。反应结束后,冷却至室温,加入蒸馏水,用二氯甲烷萃取,静置分液,收集有机层用无水硫酸镁干
燥,过滤,减压蒸馏浓缩滤液,降温析晶,抽滤,将所得固体用甲苯/乙醇(体积比10:1)重结晶,得到中间体a-143(15.16g,收率82%),hplc检测固体纯度≧99.81%。质谱m/z:246.1617(理论值:246.1601)。
[0199]
化合物1的制备:
[0200]
在氮气保护下,将中间体a-143(14.79g,60.00mmol)、g-143(6.30g,20.00mmol)、叔丁醇钠(4.81g,50.00mmol)加到300ml甲苯中,搅拌下加入pd2(dba)3(0.37g,0.40mmol)、p(t-bu)3(1.60ml的0.5m的甲苯溶液,0.80mmol),将上述反应物的混合溶液加热回流7.5h。反应结束后,冷却至室温,向混合物中加入二氯甲烷和蒸馏水萃取,静置分液,收集有机相用无水硫酸镁干燥,过滤,减压蒸馏浓缩滤液,降温析晶,抽滤,将所得固体用甲苯重结晶,得到化合物143(12.50g,77%),hplc检测固体纯度≧99.97%。质谱m/z:810.4820(理论值:810.4802)。理论元素含量(%)c
51h42d15
n3si3:c,75.50;h,8.94;n,5.18。实测元素含量(%):c,75.48;h,8.97;n,5.15。
[0201]
合成实施例11:化合物174的制备
[0202][0203]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、f-7分别替换为等摩尔的a-174、f-174,得到化合物174(17.27g),hplc检测固体纯度≥99.92%。质谱m/z:777.3520(理论值:777.3539)。理论元素含量(%)c
55h47
n3si:c,84.90;h,6.09;n,5.40。实测元素含量(%):c,84.88;h,6.12;n,5.44。
[0204]
合成实施例12:化合物175的制备
[0205][0206]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将f-7、i-7分别替换为等摩尔的f-175、i-174,得到化合物175(18.09g),hplc检测固体纯度≥99.97%。质谱m/z:803.3679(理论值:803.3696)。理论元素含量(%)c
57h49
n3si:c,85.14;h,6.14;n,5.23。实测元素含量(%):c,85.17;h,6.16;n,5.26。
[0207]
合成实施例13:化合物178的制备
[0208][0209]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7替换为等摩尔的a-178,得到化合物178(20.29g),hplc检测固体纯度≥99.92%。质谱m/z:951.5898(理论值:951.5887)。理论元素含量(%)c
67h77
n3si:c,84.49;h,8.15;n,4.41。实测元素含量(%):c,84.52;h,8.11;n,4.43。
[0210]
合成实施例14:化合物184的制备
[0211][0212]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7替换为等摩尔的a-184,得到化合物184(19.54g),hplc检测固体纯度≥99.92%。质谱m/z:891.4938(理论值:891.4948)。理论元素含量(%)c
63h65
n3si:c,84.80;h,7.34;n,4.71。实测元素含量(%):c,84.77;h,7.36;n,4.69。
[0213]
合成实施例15:化合物215的制备
[0214][0215]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、c-7分别替换为等摩尔的a-215、c-94,得到化合物215(22.04g),hplc检测固体纯度≥99.94%。质谱m/z:1019.5558(理论值:1019.5574)。理论元素含量(%)c
73h73
n3si:c,85.92;h,7.21;n,4.12。实测元素含量(%):c,85.95;h,7.19;n,4.15。
[0216]
合成实施例16:化合物228的制备
[0217][0218]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、e-7、f-7分别替换为等摩尔的a-228、e-228、f-228,得到化合物228(19.23g),hplc检测固体纯度≥99.96%。质谱m/z:877.4781(理论值:877.4791)。理论元素含量(%)c
62h63
n3si:c,84.79;h,7.23;n,4.78。实测元素含量(%):c,84.83;h,7.26;n,4.75。
[0219]
合成实施例17:化合物247的制备
[0220][0221]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、e-7、f-7分别替换为等摩尔的a-247、e-247、b-7,得到化合物247(19.54g),hplc检测固体纯度≥99.95%。质谱m/z:879.4020(理论值:879.4009)。理论元素含量(%)c
63h53
n3si:c,85.97;h,6.07;n,4.77。实测元素含量(%):c,85.95;h,6.11;n,4.73。
[0222]
合成实施例18:化合物251的制备
[0223][0224]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将e-7、f-7、i-7分别替换为等摩尔的e-251、b-7、i-16,得到化合物251(18.71g),hplc检测固体纯度≥99.94%。质谱m/z:853.3867(理论值:853.3852)。理论元素含量(%)c
61h51
n3si:c,85.77;h,6.02;n,4.92。实测元素含量(%):c,85.73;h,6.06;n,4.95。
[0225]
合成实施例19:化合物279的制备
[0226][0227]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、b-7、c-7分别替换为等摩尔的e-7、b-279、a-174,得到化合物279(19.45g),hplc检测固体纯度≥99.96%。质谱m/z:863.5039(理论值:863.5030)。理论元素含量(%)c
58h69
n3si2:c,80.59;h,8.05;n,4.86。实测元素含量(%):c,80.61;h,8.03;n,4.88。
[0228]
合成实施例20:化合物304的制备
[0229][0230]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将e-7、f-7、a-7分别替换为等摩尔的e-304、b-7、c-7,得到化合物304(21.52g),hplc检测固体纯度≥99.93%。质谱m/z:981.4888(理论值:981.4874)。理论元素含量(%)c
68h67
n3si2:c,83.13;h,6.87;n,4.28。实测元素含量(%):c,83.15;h,6.83;n,4.31。
[0231]
合成实施例21:化合物326的制备
[0232][0233]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、b-7、c-7分别替换为等摩尔的e-7、b-326、a-174,得到化合物326(22.33g),hplc检测固体纯度≥99.96%。质谱m/z:991.5648(理论值:991.5656)。理论元素含量(%)c
68h77
n3si2:c,82.29;h,7.82;n,4.23。实测元素含量(%):c,82.31;h,7.85;n,4.20。
[0234]
合成实施例22:化合物332的制备
[0235][0236]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、e-7分别替换为等摩尔的a-332、e-332,得到化合物332(21.45g),hplc检测固体纯度≥99.97%。质谱m/z:965.4550(理论值:965.4561)。理论元素含量(%)c
67h63
n3si2:c,83.27;h,6.57;n,4.35。实测元素含量(%):c,83.24;h,6.55;n,4.38。
[0237]
合成实施例23:化合物348的制备
[0238][0239]
按照与合成实施例10相同的制备方法,将a-143替换为等摩尔的a-94,得到化合物348(18.63g),hplc检测固体纯度≥99.98%。质谱m/z:795.3852(理论值:795.3860)。理论元素含量(%)c
51h57
n3si3:c,76.93;h,7.22;n,5.28。实测元素含量(%):c,76.95;h,7.26;n,5.24。
[0240]
合成实施例24:化合物361的制备
[0241][0242]
按照与合成实施例10相同的制备方法,将e-7、b-143分别替换为等摩尔的a-332、b-361,得到化合物361(25.07g),hplc检测固体纯度≥99.93%。质谱m/z:1143.5725(理论值:1143.5738)。理论元素含量(%)c
78h81
n3si3:c,81.84;h,7.13;n,3.67。实测元素含量(%):c,81.87;h,7.09;n,3.65。
[0243]
合成实施例25:化合物379的制备
[0244][0245]
中间体b-379的制备:
[0246]
在氮气保护下,将c-379(11.30g,45mmol)、b-7(4.19g,45.00mmol)、叔丁醇钠(6.49g,67.50mmol)加到230ml甲苯中,搅拌下加入pd(dppf)cl2(0.35g,0.48mmol),将上述反应物的混合溶液加热回流4.5h。反应结束后,将反应液冷却至室温,加入蒸馏水,用二氯甲烷萃取,静置分液,收集有机层用无水硫酸镁干燥,过滤,减压蒸馏浓缩滤液,降温析晶,抽滤,将所得固体用乙酸乙酯重结晶,得到中间体b-379(10.07g,85%),hplc检测固体纯度≧99.10%。质谱m/z:263.1685(理论值:263.1674)。
[0247]
中间体c-379的制备:
[0248]
在氮气保护下,将e-7(10.31g,45mmol)、f-379(7.62g,45mmol)、叔丁醇钠(6.49g,67.50mmol)加到230ml甲苯中,搅拌下加入pd(oac)2(0.10g,0.45mmol)、p(t-bu)3(1.8ml的0.5m的甲苯溶液,0.90mmol),将上述反应物的混合溶液加热回流5h。反应结束后,将反应液冷却至室温,加入蒸馏水,用二氯甲烷萃取,静置分液,收集有机层用无水硫酸镁干燥,过滤,减压蒸馏浓缩滤液,降温析晶,抽滤,将所得固体用甲苯/乙醇(体积比9:1)重结晶,得到中间体c-379(11.86g,83%),hplc检测固体纯度≧99.13%。质谱m/z:317.1609(理论值:317.1600)。
[0249]
中间体i-379的制备:
[0250]
在氮气保护下,将中间体a-247(8.59g,35.00mmol)、g-379(11.11g,35.00mmol)、叔丁醇钠(5.05g,52.50mmol)加到180ml甲苯中,搅拌下加入pd(oac)2(0.08g,0.35mmol)、p(t-bu)3(1.40ml的0.5m的甲苯溶液,0.70mmol),将上述反应物的混合溶液加热回流6h。反应结束后,冷却至室温,向混合物中加入二氯甲烷和蒸馏水萃取,静置分液,收集有机相用无水硫酸镁干燥,过滤,减压蒸馏浓缩滤液,用正己烷/二氯甲烷(体积比10:1)通过硅胶柱色谱法纯化,得到中间体i-379(12.48g,82%),hplc检测固体纯度≧99.88%。质谱m/z:433.0221(理论值:433.0233)。
[0251]
中间体ii-379的制备:
[0252]
在氮气保护下,将中间体i-379(10.87g,25.00mmol)、中间体b-379(6.58g,25.00mmol)、叔丁醇钠(3.60g,37.50mmol)加到160ml甲苯中,搅拌下加入pd2(dba)3(0.23g,0.25mmol)、p(t-bu)3(1.00ml的0.5m的甲苯溶液,0.50mmol),将上述反应物的混合溶液加热回流6.5h。反应结束后,冷却至室温,向混合物中加入二氯甲烷和蒸馏水萃取,静置分液,收集有机相用无水硫酸镁干燥,过滤,减压蒸馏浓缩滤液,用石油醚/乙酸乙酯(体积比11:1)通过硅胶柱色谱法纯化,得到中间体ii-379(12.50g,81%),hplc检测固体纯度≧99.85%。质谱m/z:616.2628(理论值:616.2645)。
[0253]
化合物379的制备:
[0254]
在氮气保护下,将中间体ii-379(12.34g,20.00mmol)、中间体c-379(6.35g,20.00mmol)、叔丁醇钠(2.88g,30.00mmol)加到140ml甲苯中,搅拌下加入pd2(dba)3(0.18g,0.20mmol)、x-phos(0.19g,0.40mmol),将上述反应物的混合溶液加热回流7h。反应结束后,冷却至室温,加入蒸馏水,用二氯甲烷萃取,静置分液,收集有机层用无水硫酸镁干燥,过滤,减压蒸馏浓缩滤液,降温析晶,抽滤,将所得固体用甲苯重结晶,得到化合物379(13.47g,75%),hplc检测固体纯度≧99.96%。质谱m/z:897.4466(理论值:897.4478)。理论元素含量(%)c
64h59
n3si:c,85.57;h,6.62;n,4.68。实测元素含量(%):c,85.60;h,6.55;n,4.64。
[0255]
合成实施例26:化合物394的制备
[0256][0257]
按照与合成实施例25相同的制备方法,将e-7、f-379、a-247、b-379分别替换为等摩尔的e-394、b-7、a-174、a-16,得到化合物394(11.84g),hplc检测固体纯度≥99.97%。质谱m/z:799.3788(理论值:799.3778)。理论元素含量(%)c
54h53
n3si2:c,81.05;h,6.68;n,5.25。实测元素含量(%):c,81.09;h,6.65;n,5.23。
[0258]
合成实施例27:化合物414的制备
[0259][0260]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、b-7、g-7分别替换为等摩尔的a-147、f-379、g-414,得到化合物414(19.85g),hplc检测固体纯度≥99.92%。质谱m/z:893.4185(理论值:893.4165)。理论元素含量(%)c
64h55
n3si:c,85.96;h,6.20;n,4.70。实测元素含量(%):c,85.99;h,6.18;n,4.73。
[0261]
合成实施例28:化合物517的制备
[0262][0263]
按照与合成实施例10相同的制备方法,将e-7、b-143、g-143分别替换为等摩尔的a-517、b-7、g-517,得到化合物517(15.79g),hplc检测固体纯度≥99.93%。质谱m/z:1065.5280(理论值:1065.5269)。理论元素含量(%)c
72h75
n3si3:c,81.07;h,7.09;n,3.94。实测元素含量(%):c,81.10;h,7.13;n,3.90。
[0264]
合成实施例29:化合物522的制备
[0265][0266]
按照与合成实施例10相同的制备方法,将b-143、g-143分别替换为等摩尔的f-228、g-522,得到化合物522(15.57g),hplc检测固体纯度≥99.94%。质谱m/z:1065.5258(理论值:1065.5269)。理论元素含量(%)c
72h75
n3si3:c,81.07;h,7.09;n,3.94。实测元素含量(%):c,81.04;h,7.11;n,3.93。
[0267]
合成实施例30:化合物572的制备
[0268][0269]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、g-7分别替换为等摩尔的a-572、g-572,得到化合物572(20.46g),hplc检测固体纯度≥99.93%。质谱m/z:959.4645(理论值:959.4635)。理论元素含量(%)c
69h61
n3si:c,86.30;h,6.40;n,4.38。实测元素含量(%):c,86.28;h,6.43;n,4.35。
[0270]
合成实施例31:化合物589的制备
[0271]
[0272]
按照与合成实施例10相同的制备方法,将e-7、b-143、g-143分别替换为等摩尔的a-589、b-589、g-589,得到化合物589(14.83g),hplc检测固体纯度≥99.96%。质谱m/z:1014.5245(理论值:1014.5234)。理论元素含量(%)c
60h78
d3n3si6:c,70.94;h,8.33;n,4.14。实测元素含量(%):c,70.96;h,8.29;n,4.18。
[0273]
合成实施例32:化合物590的制备
[0274][0275]
按照与合成实施例25相同的制备方法,将c-379、b-7、a-247、c-379分别替换为等摩尔的c-590、f-7、a-16、c-7,得到化合物590(13.29g),hplc检测固体纯度≥99.94%。质谱m/z:969.3525(理论值:969.3538)。理论元素含量(%)c
63h48
f5n3si:c,78.00;h,4.99;n,4.33。实测元素含量(%):c,78.02;h,4.96;n,4.31。
[0276]
合成实施例33:化合物602的制备
[0277][0278]
按照与合成实施例25相同的制备方法,将c-379、e-7、f-379、a-247分别替换为等摩尔的c-602、e-602、b-7、a-174,得到化合物602(13.29g),hplc检测固体纯度≥99.92%。质谱m/z:877.3844(理论值:877.3852)。理论元素含量(%)c
63h51
n3si:c,86.16;h,5.85;n,4.78。实测元素含量(%):c,86.19;h,5.81;n,4.80。
[0279]
合成实施例34:化合物616的制备
[0280][0281]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将e-7、f-7、i-7分别替换为等摩尔的e-616、b-7、i-332,得到化合物616(23.16g),hplc检测固体纯度≥99.93%。质谱m/z:1056.5040(理论值:1056.5031)。理论元素含量(%)c
74h60
d5n3si2:c,84.04;h,6.67;n,3.97。实测元素含量(%):c,84.07;h,6.63;n,3.95。
[0282]
合成实施例35:化合物638的制备
[0283][0284]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将f-7、i-7分别替换为等摩尔的b-638、i-16,得到化合物638(23.16g),hplc检测固体纯度≥99.93%。质谱m/z:953.4155(理论值:953.4165)。理论元素含量(%)c
69h55
n3si:c,86.84;h,5.81;n,4.40。实测元素含量(%):c,86.87;h,5.79;n,4.38。
[0285]
合成实施例36:化合物709的制备
[0286][0287]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、b-7、e-7、f-7分别替换为等摩尔的a-709、f-228、e-709、b-7,得到化合物709(27.74g),hplc检测固体纯度≥99.90%。质谱m/z:1319.6918(理论值:1319.6908)。理论元素含量(%)c
94h93
n3si2:c,85.47;h,7.10;n,3.18。实测元素含量(%):c,85.45;h,7.14;n,3.21。
[0288]
合成实施例37:化合物783的制备
[0289][0290]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7替换为等摩尔的a-783,得到化合物783(19.25g),hplc检测固体纯度≥99.93%。质谱m/z:881.3926(理论值:881.3914)。理论元素含量(%)c
61h51
n5si:c,83.05;h,5.83;n,7.94。实测元素含量(%):c,83.09;h,5.80;n,7.91。
[0291]
合成实施例38:化合物788的制备
[0292][0293][0294]
按照与合成实施例1相同的制备方法,将a-7、b-7、e-7、f-7分别替换为等摩尔的a-788、f-7、e-788、b-7,得到化合物788(21.03g),hplc检测固体纯度≥99.90%。质谱m/z:994.4202(理论值:994.4211)。理论元素含量(%)c
65h58
n6osi2:c,78.43;h,5.87;n,8.44。实测元素含量(%):c,78.40;h,5.89;n,8.41。[对比实施例1-2]器件制备实施例:
[0295]
对比实施例1:利用真空热蒸镀的方法制备有机发光器件。实验步骤为:将ito基板放在蒸馏水中清洗3次,超声波洗涤15分钟,蒸馏水清洗结束后,异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后,120℃烘干干燥,送到蒸镀机里。
[0296]
在已经准备好的ito透明电极上以逐层真空蒸镀的方式蒸镀空穴注入层hat-cn/28nm、蒸镀空穴传输层ht-1/100nm、蒸镀主体m-cbp:掺杂ir(ppy)2acac(质量比92%:8%混合)/25nm、然后蒸镀电子传输层bmpyphb与liq(掺杂比为质量比1:1)/28nm、电子注入层lif/1nm、阴极al/120nm。并将该器件密封于手套箱中,从而制备了有机发光器件。按照上述步骤完成有机发光器件的制作后,测量器件的光电性能,相关材料的分子结构式如下所示:
[0297][0298]
对比实施例2:将对比实施例1中的空穴传输层材料ht-1换成ht-2,用与对比实施例1相同的方式来制造对比实施例2的有机发光器件。
[0299]
[应用实施例1-25]
[0300]
应用实施例1-25:将有机发光器件的空穴传输层材料ht-1依次换成本发明的化合物7、16、23、60、65、76、94、115、143、174、175、178、184、247、279、304、326、332、348、361、379、394、414、517、638,其他步骤均与对比实施例1相同。
[0301]
将测试软件、计算机、美国keithley公司生产的k2400数字源表和美国photo research公司的pr788光谱扫描亮度计组成一个联合ivl测试系统来测试有机发光器件的发光效率。寿命的测试采用mcscience公司的m6000 oled寿命测试系统。测试的环境为大气
环境,温度为室温。所得有机发光器件的发光特性测试结果见表1所示。表1为本发明实施例制备的化合物以及比较物质制备的发光器件的发光特性测试结果。
[0302]
[表1]发光器件的发光特性测试
[0303]
[0304][0305]
由表1的结果可以看出,本发明的含硅的三胺衍生物应用于有机发光器件中,尤其是作为空穴传输层材料,与对比实施例1-2相比,显著改善了有机发光器件的发光效率和使用寿命,是性能良好的有机发光材料。
[0306]
[对比实施例3]器件制备实施例:
[0307]
对比实施例3:利用真空热蒸镀的方法制备有机发光器件。实验步骤为:将ito透明基板放在蒸馏水中清洗3次,超声波洗涤15分钟,蒸馏水清洗结束后,异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后,120℃烘干干燥,送到蒸镀机里。
[0308]
在已经准备好的ito透明基板电极上以逐层真空蒸镀的方式蒸镀空穴注入层在已经准备好的ito透明基板电极上以逐层真空蒸镀的方式蒸镀空穴注入层hat-cn/28nm、蒸镀空穴传输层ht/60nm、蒸镀第二空穴传输层ht2-1/40nm、蒸镀主体m-cbp:掺杂ir(dmpq)2acac(质量比98%:2%混合)/24nm、然后蒸镀电子传输层bmpyphb与liq(掺杂比为质量比1:1)/28nm、电子注入层lif/1nm、阴极al/120nm。并将该器件密封于手套箱中,从而制备了有机发光器件。按照上述步骤完成有机发光器件的制作后,测量器件的光电性能,相关材料的分子结构式如下所示:
[0309][0310]
[应用实施例26-60]
[0311]
应用实施例26-60:将器件中的第二空穴传输层材料ht2-1依次换成本发明的化合物7、16、23、60、65、76、94、115、127、143、174、175、178、184、215、228、247、251、279、304、326、332、348、361、379、394、414、517、522、572、589、590、602、616、638,其他步骤均与对比实施例3相同。
[0312]
将测试软件、计算机、美国keithley公司生产的k2400数字源表和美国photo research公司的pr788光谱扫描亮度计组成一个联合ivl测试系统来测试有机发光器件的驱动电压及发光效率。所得有机发光器件的发光特性测试结果见表2所示。表2为本发明实施例制备的化合物以及比较物质制备的发光器件的发光特性测试结果。
[0313]
[表2]发光器件的发光特性测试
[0314]
[0315]
[0316][0317]
由表2的结果可以看出,本发明的含硅的三胺衍生物应用于有机发光器件中,尤其是作为第二空穴传输层材料,与对比实施例3相比,显著改善了有机发光器件的发光效率和使用寿命,是性能良好的有机发光材料。
[0318]
[对比实施例4-5]器件制备实施例:
[0319]
对比实施例4:利用真空热蒸镀的方法制备有机发光器件。实验步骤为:将ito-ag-ito基板放在蒸馏水中清洗3次,超声波洗涤15分钟,蒸馏水清洗结束后,异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后,120℃烘干干燥,送到蒸镀机里。
[0320]
在已经准备好的ito-ag-ito透明电极上以逐层真空蒸镀的方式蒸镀空穴注入层hat-cn/28nm、蒸镀空穴传输层ht/100nm、蒸镀主体bh:掺杂bd(质量比98%:2%混合)/21nm、然后蒸镀电子传输层bmpyphb与liq(掺杂比为质量比1:1)/28nm、电子注入层lif/1nm、阴极mg-ag/15nm、在阴极上蒸镀覆盖层cp-1/74nm。并将该器件密封于手套箱中,从而制备了有机发光器件。按照上述步骤完成有机发光器件的制作后,测量器件的光电性能,相关材料的分子结构式如下所示:
[0321][0322]
对比实施例5:将对比实施例4中的覆盖层材料cp-1换成cp-2,用与对比实施例4相同的方式来制造对比实施例5的有机发光器件。
[0323]
[应用实施例61-79]
[0324]
应用实施例61-79:将有机发光器件的覆盖层材料依次换成本发明的化合物7、76、94、143、174、178、215、326、332、348、361、414、517、590、616、638、709、783、788,其他步骤均与对比实施例3相同。
[0325]
将测试软件、计算机、美国keithley公司生产的k2400数字源表和美国photo research公司的pr788光谱扫描亮度计组成一个联合ivl测试系统来测试有机发光器件的驱动电压及发光效率。所得有机发光器件的发光特性测试结果见表3所示。表3为本发明实施例制备的化合物以及比较物质制备的发光器件的发光特性测试结果。
[0326][0327]
注:t95指的是在电流密度为10ma/cm2情况下,器件亮度衰减到95%所用的时间;
[0328]
由表3的结果可以看出,本发明的含硅的三胺衍生物应用于有机发光器件中,作为覆盖层材料,与对比实施例4-5相比,可有效提高光取出效率,进而提高有机发光器件的发光效率,是性能良好的有机发光器件覆盖层材料。
[0329]
应当指出,本发明用个别实施方案进行了特别描述,但在不脱离本发明原理的前提下,本领域普通技术人可对本发明进行各种形式或细节上的改进,这些改进也落入本发明的保护范围内。
技术特征:
1.一种含硅的三胺衍生物,其特征在于,分子结构如式ⅰ所示:其中,所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6独立的选自式a所示基团:所述z相同或不同的选自cr
m
或n,与l1、l2、l3、l4、l5、l6相连的z选自c原子,其中所述r
m
相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的环烷基、取代或未取代的c6~c30的芳基、取代或未取代的c2~c25的杂芳基、取代或未取代的c6~c30的芳香族环与c3~c30的脂肪族环的稠环基中的一种,或者任选相邻的两个r
m
基团可以键合起来形成取代或未取代的环状结构;所述r1、r2、r3相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、氟、三氟甲基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的环烷基、取代或未取代的c6~c30的芳基、取代或未取代的c3~c30的脂环和c6~c30的芳环的稠和环基中的任意一种;所述l1、l2、l3、l4、l5、l6独立地选自单键、取代或未取代的c6~c25的亚芳基、取代或未取代的c3~c10的脂肪环和c6~c25的芳环的亚稠和环基中的一种;所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6、l1、l2、l3、l4、l5、l6、r1、r2、r3中的至少一个含有一个或多个如下式b所示基团:所述r
a
、r
b
、r
c
相同或不同的选自氘、取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的环烷基、取代或未取代的c6~c30的芳基中的任意一种;“*”表示连接位点。2.根据权利要求1所述的含硅的三胺衍生物,其特征在于,所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6、中的至少一个含有一个或多个式b所示基团。3.根据权利要求1所述的含硅的三胺衍生物,其特征在于,所述式b选自如下基团中的一种:
4.根据权利要求1所述的含硅的三胺衍生物,其特征在于,所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6独立地选自如下基团中的任意一种:所述z相同或不同的选自cr
m
或n,与l1、l2、l3、l4、l5、l6相连的z选自c原子,其中所述r
m
彼此相同或不同,选自式b、氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基或者取代或未取代的如下基团中的一种:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基;其中所述“取代或未取代的”中的取代基选自氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基中的一种或多种,或者任选相邻的两个r
m
基团可以键合起来形成取代或未取代的苯环或取代或未取代的三元至八元的脂肪环;在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同;其中所述r
m
还可被r
mm
所取代,r
mm
选自氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、甲硅烷基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基中的一种或多种,在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同。5.根据权利要求1所述的含硅的三胺衍生物,其特征在于,所述ar1、ar2、ar3、ar4、ar5、ar6独立地选自如下基团中的任意一种:
所述r7选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基中的一种,其中“取代或未取代的”中的取代基选自氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、三甲基硅烷基、三苯基硅烷基、甲基、乙基、正丙基、正丁基、异丙基、叔丁基、环己基、环戊基、环丁基、环丙基、金刚烷基、降冰片烷基、坎烷基、苯基、萘基、联苯基中的一种或多种;所述r
m
彼此相同或不同,选自氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基或者取代或未取代的如下基团中的一种:式b、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基;其中所述“取代或未取代的”中的取代基选自氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、苯基、联苯基、萘基中的一种或多种,在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同;所述m1选自1、2、3、4或5;所述m2选自1、2、3或4;所述m3选自1、2或3;所述m4选自1、2、3、4、5、6或7;所述m5选自1或2;所述m6选自1、2、3、4、5或6;所述m7选自1、2、3、4、5、6、7、8或9;所述m8选自1、2、3、4、5、6、7或8;所述m9选自1、2、3、4、5、6、7、8、9或10;所述m
10
选自1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11。6.根据权利要求1所述的含硅的三胺衍生物,其特征在于,所述l1、l2、l3、l4、l5、l6独立地选自单键或如下基团中的一种:所述r
n
彼此相同或不同,选自式b、氢、氘、氚、氰基、卤素、三氟甲基、取代或未取代的c1~c10的烷基、取代或未取代的c3~c12的环烷基、取代或未取代的c6~c25的芳基中的任意一种;所述n0选自0、1或2;所述n1选自1、2、3或4;所述n2选自1、2、3、4、5或6;所述n3选自1、2、3、4、5、6、7或8。7.根据权利要求1所述的含硅的三胺衍生物,其特征在于,所述式ⅰ表示的含硅的三胺衍生物选自如下所示化学结构中的任意一种:
。
8.一种有机发光器件,包括阳极、阴极、有机物层,所述有机物层位于所述阳极与所述阴极之间或位于所述阳极及所述阴极中的一个以上的电极的外侧,其特征在于,所述有机物层中含有权利要求1~7任一项所述的含硅的三胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。9.根据权利要求8所述的一种有机发光器件,所述有机物层包含空穴传输区域、发光层、电子传输区域或覆盖层,其特征在于,所述空穴传输区域、覆盖层中的至少一层含有权利要求1~7任一项所述的含硅的三胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。10.根据权利要求9所述的一种有机发光器件,其特征在于,所述空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层,所述空穴传输层含有权利要求1~7任一项所述的含硅的三胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。
技术总结
本发明提供一种含硅的三胺衍生物及其有机发光器件,涉及有机光电材料技术领域。本发明化合物以苯为中心,连接三个三芳胺,并且衍生物中引入甲硅烷基,使化合物对称性降低,提高了材料的玻璃化转化温度,控制材料的结晶性,且能够调整分子的HOMO能级,更好地与相邻的功能层匹配,使电子和空穴更好的结合,增强空穴传输效率,从而提高器件的空穴传输性能以及热稳定性,可以有效地提高器件的发光效率和使用寿命。另一方面本发明衍生物应用于覆盖层中,有效提高器件的发光效率,延长器件的使用寿命。具有良好的产业化前景,可广泛应用于面板显示、照明光源、柔性OLED、电子纸、有机太阳能电池、有机感光体、指示牌、信号灯等领域。信号灯等领域。
技术研发人员:韩春雪 周雯庭 刘喜庆
受保护的技术使用者:长春海谱润斯科技股份有限公司
技术研发日:2023.05.17
技术公布日:2023/8/16
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