用于基板处理的反射板的制作方法

1.本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备，并且更具体地涉及用于快速热处理的反射板。


背景技术：

2.快速热处理(rtp)是一种用于在半导体制造期间对基板进行退火的处理。在此处理期间，热辐射用于在受控环境中将基板快速加热至高于室温超过九百度的最高温度。用于基板的rtp处理的反射板利用高温计进行晶片温度测量。制造最先进的(state-of-the-art)反射板以优化高温计波段的100％反射率，即使只有10％或更少的反射板面积用于高温计。这种不匹配导致不必要的高成本。此外，为了诸如节能和改善晶片的加热性能的目的，反射板应该例如在整个波长表面处反射晶片辐射的整个带宽。然而，将节能和改进的加热性能结合在一个均匀的反射板中是昂贵的，因为这样的反射板需要例如复杂的多层涂层。
3.存在有用于基板处理的新的和改进的反射板的需求。


技术实现要素：

4.本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备，并且更具体地涉及用于快速热处理的反射板。
5.在一实施方式中，提供了一种用于处理基板的反射板组件。所述反射板组件包括：反射板主体；设置在所述反射板主体内的多个子反射板；和多个高温计。所述多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。
6.在另一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的反射板组件。所述反射板组件包括：反射板主体；设置在所述反射板主体内的多个子反射板；和多个高温计。所述多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。第一盖设置在所述反射板主体的一部分上方，并且第二盖设置在至少一个子反射板的一部分上方，所述第二盖处于比所述第一盖高的高度。
7.在另一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的腔室。所述腔室包括腔室主体和设置在所述腔室主体上的腔室盖。所述腔室盖包括盖主体和反射板组件。所述反射板组件包括：反射板主体；设置在所述反射板主体内的多个子反射板；和多个高温计，其中所述多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。
附图说明
8.为了能够详细理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参照实施方式获得上面简要概括的本公开内容的更具体的描述，其中一些实施方式显示在附图中。然而，应当注意，附图仅显示示例性实施方式并且因此不应认为是对其范围的限制，并且可允许其他等效的实施方式。
9.图1是根据本公开内容的至少一个实施方式的示例rtp腔室的截面图。
10.图2是根据本公开内容的至少一个实施方式的示例rtp腔室的截面图。
11.图3a是根据本公开内容的至少一个实施方式的示例反射板组件的俯视图。
12.图3b是根据本公开内容的至少一个实施方式的图3a中所示的示例反射板组件的截面图。
13.图3c显示了根据本公开内容的至少一个实施方式的具有抗反射环的示例子反射板302a。
14.为了便于理解，在可能的情况下使用了相同的元件符号来表示各图共有的相同元件。预期一个实施方式的元件和特征可有益地合并到其他实施方式中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
15.本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备，并且更具体地涉及用于快速热处理的反射板。简而言之，多个子反射板定位在基底反射板内。每个子反射板包括位于其中的高温计，以在晶片上的多个位置处测量晶片的温度，所述多个位置与晶片定位在其上的基板支撑件的区域相对应。另外地或替代地，每个子反射板包括位于其中的高温计，以在晶片上的多个位置处测量晶片的温度，所述多个位置对应于灯(其分布辐射能)被划分的区域。
16.于此披露的反射板利用嵌入基底反射板内的子反射板。子反射板仅覆盖整个基底反射板的一小部分，每个子反射板具有针对嵌入其中的高温计的高温计波长优化的反射率。将不同的子反射板集成到基底反射板主体中能够在每个子反射板处实现例如独立功能(如，温度控制、波长控制)和独立优化。通过利用子反射板，可在不影响晶片辐射的反射的情况下启用辐射增强功能，晶片辐射的反射由基底反射板提供。也就是说，可在不考虑高温计波长的情况下调整基底反射板的反射。将不同的子反射板集成到基底反射板主体中还能够实现例如成本优化的制造。此外，与为单一目的而制造的常规反射板相比，子反射板可替换为不同的子反射板，从而实现多目的使用。
17.图1是根据本公开内容的至少一个实施方式的rtp腔室100的截面图。rtp腔室100适于热处理位于其中的基板101。rtp腔室100包括腔室主体102和设置在其上的腔室盖104。腔室主体102包括形成在其中的流体通道106，以在处理期间使温度控制流体流过其中，以冷却腔室主体102。腔室主体102的冷却降低了腔室主体102在基板101的加热期间由于热应力而劣化的可能性。由绝热材料(诸如氮化铝)形成的衬垫107设置在腔室主体102的内表面周围，以利于腔室主体内的热量控制并提高热处理效率。
18.基板支撑件108位于腔室主体102内。基板支撑件108可由例如烧结氮化铝形成。基板支撑件108包括多个加热元件110(诸如嵌入其中的电阻加热元件)，以便于在处理期间加热基板101。加热元件110通过穿过支撑轴112设置的导线耦合到功率源117。加热元件110经由传导提供基板101的加热，并且可将基板101加热至约20℃至约1000℃的温度，诸如从约25℃至约500℃。另外地或替代地，可安装其他类型的加热(诸如来自灯泡的辐射)，以向基板提供热量。
19.支撑轴112耦合到基板支撑件108的下侧并且支撑基板支撑件108。支撑轴112耦合到升降器组件114，升降器组件114包括致动器116(诸如步进电机)，以便于将基板101定位
在邻近腔室盖104的处理位置。升降器组件114还有助于通过开口118(如，狭缝阀)从腔室主体102移除基板101。升降器组件114适于在垂直方向上致动基板支撑件108，以允许升降销120接触位于腔室主体102内的升降板122。升降销120与升降板122的接触随着基板支撑件108降低将基板101从基板支撑件108的表面升起。基板101被维持在升降销120上的允许由机械手(未示出)通过开口118将基板101从腔室主体102移除的位置处。
20.腔室盖104位于腔室主体102上。腔室盖104包括盖主体123和反射板124。反射板124具有圆形形状并设置在位于盖主体123内的圆形开口126内。反射板124具有环形唇部132，其直径大于圆形开口126，以将反射板124支撑在盖主体123的顶表面上。环形唇部具有穿过其中的多个开口以容纳紧固件134(诸如螺栓)，以将反射板124固定到盖主体123。反射板124定位在圆形开口126内并延伸穿过圆形开口126。反射板124的表面136被定位成邻近基板101。高温计128穿过反射板124设置以测量基板101的温度。通常，一个高温计128适于测量基板101的对应于其中具有单独加热元件110的基板支撑件108的区域的温度(图1中仅示出了三个高温计)。然而，预期基板支撑件108的每一区域可具有超过一个的对应高温计以用于增加温度监视。每个高温计128与控制器130耦合，控制器130同样与功率源117耦合。控制器130通过控制由功率源117施加到加热元件110的每一者的功率来促进基板支撑件108的每个区域的闭环控制。
21.图2示意性地表示根据本公开内容的至少一个实施方式的rtp腔室200。基板或晶片212(例如，待热处理的半导体晶片(诸如硅晶片))穿过阀或出入口(access port)213进入rtp腔室200的处理区域218。晶片212在其外围被在这个实施方式中显示为边缘环214的基板支撑件支撑，边缘环214可具有接触晶片212的角部的环形倾斜架(annular sloping shelf)215。晶片被定向成使得已经在晶片212的前表面中形成的处理特征216(参照向下的重力场)向上面向由透明石英窗220在其上侧界定的处理区域218。透明石英窗220可位于距晶片212一定距离的位置，使得透明石英窗220对在处理期间的基板的冷却具有最小的影响。通常，在晶片212和透明石英窗220之间的距离约为20mm。与示意图相反，大部分特征216并不突出晶片212的表面以外相当大的距离，而是在表面的平面内和附近构成图案化。当晶片在将晶片带入rtp腔室200和边缘环214上的桨叶(paddle)或机械手叶片(未示出)之间传送时，升降销222可升高和降低以支撑晶片212的背侧。辐射加热设备224位于透明石英窗220上方，以将辐射能导向晶片212并加热晶片。在rtp腔室200中，辐射加热设备包括大量足以向在腔室中加热的基板提供均匀辐射的灯226(示例性数量约409)，灯226定位在透明石英窗220上方的以六边形紧密堆积阵列布置的相应反射管227中。在一些实施方式中，灯226是高强度卤钨灯。
22.期望将遍及晶片212的温度控制成遍及晶片212均匀的严格界定温度。在这方面，反射板228平行于并在大于晶片212的区域上方延伸并且面向晶片212的背侧。反射板228有效地将从晶片212发出的热辐射反射回晶片212。在一些实施方式中，在晶片212和反射板228之间的间距为约3mm至约9mm，并且空腔的宽度与厚度的深宽比大于约20。反射板228可支撑在由金属制成的水冷基底253上，以散热来自晶片212的过量辐射，尤其是在冷却期间。处理腔室的处理区域218具有至少两个实质上平行的壁，其中第一个是透明石英窗220，由对辐射透明的材料制成，诸如石英，且第二壁/基底253实质上平行于第一壁，第二壁/基底253由金属制成且明显不透明。在一些实施方式中，第二壁和基底是反射板228。边缘环214
支撑在可旋转圆柱体230上，可旋转圆柱体230磁耦合到位于腔室外侧的可旋转凸缘232。转子(未示出)使可旋转凸缘232旋转并因此使晶片围绕其中心轴线234旋转，中心轴线234也是大致对称腔室的中心线。
23.灯226被分成围绕中心轴线234大致呈环状布置的区域。控制电路改变输送到不同区域中的灯226的电压，以调整辐射能量的径向分布。分区加热的动态控制可由多个高温计240的一个或多个引起，高温计240通过一个或多个光学光管242耦合，光学光管242定位成通过反射板228中的孔面向晶片212的背侧，以测量遍及旋转晶片212的半径的温度。高温计240被设置为穿过反射板228。
24.光学光管242可由各种结构形成，包括蓝宝石、金属和石英纤维。计算机控制器244接收高温计240的输出并控制供应给不同环的灯226的电压，以在处理期间动态地控制辐射加热强度和模式。高温计240通常在例如约700nm至约4000nm的范围内的例如约40nm的窄波长带宽中测量光强度。控制器244或其他仪器通过从保持在那个温度下的黑体所辐射的光强度的光谱分布的普朗克分布而将光强度转换为温度。
25.灯226的阵列有时被称为灯头。然而，可用其他辐射加热设备替代。通常，这些涉及电阻加热以快速升高辐射源的温度。合适的灯的示例包括具有围绕灯丝的玻璃或二氧化硅的外壳的汞蒸气灯和包含围绕气体(诸如氙气)的玻璃或二氧化硅的外壳的闪光灯，当气体被供能时，闪光灯提供热源。如于此所用，术语灯旨在涵盖包括围绕热源的外壳的灯。灯的“热源”是指能够提高基板的温度的材料或元件，例如可被供能的灯丝或气体。
26.图2所示的腔室使边缘环214能够悬浮在rtp腔室200内侧的不同垂直位置处，以允许控制晶片的热暴露。可理解，图2所示的配置并非旨在进行限制。例如，本公开内容不限于其中热源或灯指向基板的一侧或表面并且高温计指向晶片的相对侧的配置。
27.某些处理腔室(诸如由加州圣克拉拉市的应用材料公司制造的rtp centura
tm
或rtp centura xe
tm
)可与于此所描述的反射板组件一起使用。或者，来自其他制造商的rtp腔室可与于此所描述的反射板组件一起使用。
28.反射板组件示例
29.图3a示出了根据本公开内容的至少一个实施方式的示例反射板组件300的俯视图。图3b示出了根据本公开内容的至少一个实施方式的图3a所示(如“3b”所示)的反射板组件300的截面图。反射板组件300作为与rtp腔室100或rtp腔室200一起使用的反射板(如，代替图1的反射板124或图2的反射板228)。通常，于此所描述的反射板组件300具有多种功能，诸如在高温计波长/波长范围下的高反射率、针对晶片辐射光谱的高反射率以及嵌入反射板组件300的每个子反射板中的高温计周围的反射率一致性。此外，于此描述的反射板组件300保护处理空间免受污染物(如，金属)的影响，并最小化在高温计之间的串扰。
30.反射板组件300包括基底反射板主体301。多个子反射板302嵌入基底反射板主体301内。高温计304通过每个子反射板302的开口而设置。尽管示出了三个子反射板302a、302b和302c，但可利用更多或更少的子反射板。类似地，尽管示出了三个高温计304a、304b和304c，但可利用更多或更少的高温计。可执行用于切除基底反射板主体301的部分并插入子反射板202的简单方法，以便为例如不同的基板处理更换子反射板。例如，可在基底反射板主体301中钻孔，并且可将子反射板插入到孔中，并用o形环密封。
31.参照图3b，盖306设置在基底反射板主体301上方，并且盖307设置在一个或多个子
反射板302上方。盖用于例如提高通过子反射板302设置用于测量温度的高温计304的精度，防止构成基底反射板主体301和子反射板302的材料脱气(outgassing)。盖306、307可相同或不同，并且不同的子反射板302可具有相同或不同的盖。盖306、307的说明性但非限制性示例包括例如石英、金、银、镍、铝、铑及其组合。另外地或替代地，基底反射板主体301、一个或多个子反射板302或其组合可由例如石英、金、银、镍、铝、铑或其组合形成。子反射板302可与基底反射板主体301分开密封。常规的反射板使整个板涂有石英或其他材料。相比之下，于此所描述的实施方式展示了差异性/选择性盖306、307。如于此所描述的子反射板的此类差异性/选择性盖或高温计周围的较小区域进一步降低了成本。盖例如有助于防止对晶片表面脱气，从而允许对反射板组件300的各个部分进行金属镀覆(如，镀金、镀镍等)。
32.基底反射板主体301、一个或多个子反射板302或其组合可由陶瓷制成，包括但不限于氧化铝、裸铝、碳化硅、石英、蓝宝石。取决于所选择的实施方式，陶瓷可为光学透明的。在一些实施方式中，基底反射板主体301、一个或多个子反射板302或其组合是铝并且包括金涂层、镍涂层或多层介电干涉镜，其有效地在晶片的背侧处形成倾向于将热量从晶片的较热部分分配到较冷部分的黑体空腔。在其他实施方式中，基底反射板主体301、一个或多个子反射板302或其组合可具有更不规则的表面或具有黑色或其他颜色的表面。基底反射板主体301可起到提供红外范围内的反射的作用。
33.图3b示出了可由例如透明/半透明材料制成或包括透明/半透明材料的截面盖307。另外地或替代地，盖307可由耐热和/或非反应性(惰性)材料制成或包括耐热和/或非反应性(惰性)材料，诸如二氧化硅、石英或蓝宝石。由于例如杯308或板(诸如石英杯)，盖307设置在子反射板302a上方的期望高度处，如，约1mm或更高，诸如约2mm至约10mm、诸如约4mm至约8mm。因此，子反射板302a上方的盖307处于比设置在基底反射板主体301上方的盖306更高的高度。杯308是密封的并且杯内是例如大气。杯308可用气体吹扫和/或用o形环密封，以提供用于从反射器脱气到处理容积的阻挡。
34.盖307相对于盖306的更高高度使得例如在基底反射板主体301和子反射板302上方的温度不同。例如，盖307可被加热到比基底反射板主体301上方的盖306更高的温度，以防止来自晶片的脱气材料凝结，脱气材料凝结会使高温计304的辐射变得模糊。更高的高度还例如能够减少加热靠近或甚至接触基底反射板主体301的其他表面的发生率。例如，当在腔室中利用边缘环(如，边缘环214)时，边缘环接触正在处理的晶片的角部。来自常规反射板的热量可加热边缘环。相反地，并且如图3b所示，相对较低的基底反射板主体301(和因此较低的盖306的高度)将减少向边缘环的热传递。截面盖可单独密封(使用例如o形环)，以防止污染物脱气到处理环境中。另外地或替代地，差异吹扫/泵送装置可耦接到高温计的孔，用于排出污染物。
35.参照图1的腔室及图3的反射板组件300，每个高温计304适于测量与基板支撑件108中具有单独的加热元件110的区域对应的基板的温度。每个高温计304可与控制器(如，控制器130)耦合，控制器同样与功率源(如，功率源117)耦合。控制器130通过控制由功率源117施加到加热元件110的每一者的功率来促进基板支撑件108的每个区域的闭环控制。
36.参照图2的腔室和图3的反射板组件300，每个高温计304适于测量与灯226被划分的区域对应的基板的温度。在这些实施方式中，每个子反射器302可具有安装光管的开口。响应于来自多个高温计的信号来调节每个区域的温度。每个高温计304可与控制器(如，控
制器244)耦合，控制器同样与功率源(未示出)耦合。控制器244接收高温计240的输出并控制供应给不同环的灯226的电压，以在处理期间动态地控制辐射加热强度和模式。
37.在一些实施方式中，子反射板302被制成提高嵌入其中的高温计304波长的反射率。例如，子反射板302可经调整尺寸成仅填充用于控制例如相邻灯区域或基板支撑件区域的有效角度。这种尺寸(直径)可为从约10mm至约30mm，诸如从约15mm至约25mm。
38.此外，子反射板302可足够小以最小化在附近或相邻区域之间的串扰，因为来自有效角度外侧的辐射通过子反射板的尺寸和绕着子反射板的外边缘的低反射率的环而减少或消除。
39.在至少一个实施方式中，子反射板302的一个或多个具有约0.5或更高的反射率，诸如约0.9或更高、诸如约0.95或更高、诸如约0.96或更高、诸如约0.97或更高、诸如约0.98或更高、诸如约0.99或更高。在一些实施方式中，子反射板302的一个或多个具有接近高温计的波长范围(如，约1)的反射率。子反射板的一个或多个对嵌入其中的高温计的目标波长范围内的辐射具有高反射率(如，约0.9或更低)，对嵌入其中的高温计的波长范围之外的辐射具有低反射率(如，约0.5或更低)，或其组合。
40.在一些实施方式中，基底反射板主体301具有约0.95或更高的反射率，诸如约0.96或更高、诸如约0.97或更高、诸如约0.98或更高。
41.基底反射板主体301的直径通常可约等于或略大于基板支撑件的直径，诸如约大1％或更大。每个单独的子反射板302可具有相对于基底反射板主体301的面积为约3％或更小的面积，诸如约2％或更小、诸如约1％或更小、例如在约0.5％和约3％之间、诸如从约1％至约2％、诸如从约1％至约1.5％。在一些实施方式中，子反射板302相对于基底反射板主体301的总集合面积可为约15％或更小，诸如约10％或更小、诸如从约1％至约10％、诸如从约2％至约8％、诸如从约4％至约6％、或约5％至约10％。
42.基底反射板主体301、一个或多个子反射板302或其组合可反射波长/波长范围从约700nm至约4000nm(诸如从约700nm至约1000nm)的辐射。在一些实施方式中，对于那个目标范围内的辐射而言，反射率接近于统一，诸如对于低于目标波长范围的波长而言，反射率小于约2、小于约1、或小于约0.3，并且对于波长在1200纳米和10μm之间的辐射而言，反射率小于约2、小于约1、或小于约0.3。也可利用辐射波长的光谱范围内的其他反射和吸收水平，如，在从约1000nm至约1200nm的波长范围、从约1200nm至约2100nm的范围和从约2100nm至约2400nm的范围内的反射率。
43.在一些实施方式中，至少一个子反射板在至少一个子反射板的外部。在一些实施方式中，至少一个子反射板与至少一个其他子反射器共享公共切线。
44.图3c示出了根据本公开内容的至少一个实施方式的具有抗反射环310的示例子反射板302a。抗反射环310可为全抗反射环或部分抗反射环，覆盖子反射板302a的各个尺寸。如图所示，抗反射环310可设置在一个或多个子反射板上方和/或周围。作为参考，带有光管的高温计孔显示为304a。抗反射环310可用于减少来自相邻控制区域的辐射和/或减少或消除在控制区域之间的串扰。可使用(多个)抗反射新月形区段或其他合适的形状来代替环。
45.如于此所描述的，反射板主体被优化用于晶片(或基板)辐射的高反射率。反射板主体内的多个子反射板对(多个)高温计波长具有增强的反射率，足够大以填充用于控制相邻灯组(或加热元件)的有效角度，但足够小以最小化来自相邻温度控制区域的串扰。多个
高温计用于测量基板温度。具体而言，每个高温计都会测量基板发出的辐射的强度。于此描述的反射板组件适合于这种高温测量系统。根据由基板发射的辐射的强度来确定温度使用了高温计周围的区域中的子反射板，子反射板相对于辐射的目标波长/波长范围(如，当基板在目标温度范围内时由基板发射的辐射的波长范围)内的辐射具有高反射率。因此，子反射板的表面高度反射目标温度范围内的辐射。
46.如从前面的一般描述和具体实施方式显而易见的，虽然已经说明和描述了本公开内容的形式，但是在不背离本公开内容的精神和范围的情况下可进行各种修改。因此，本公开内容不旨在因此受到限制。同样，术语“包含(comprising)”被认为与术语“包括(including)”同义。同样，每当组合物、元件或一组元件前面带有过渡短语“包含”时，应理解我们也考虑具有过渡短语“基本上由
……
组成”、“由
……
组成”、“选自由
……
组成的组”或“是”在组合物、元件或多个元件的叙述之前，反之亦然。
47.出于这份公开内容的目的，且除非另有说明，于此的详细说明和权利要求书中的所有数值均由“约(about)”或“大约(approximately)”所指示的值修改，并考虑将由本领域普通技术人员所预期的实验误差和变化。
48.已经使用一组数值上限和一组数值下限描述了某些实施方式和特征。应当理解，除非另有说明，否则涵盖包括任何两个值的组合的范围，如，任何较低值与任何较高值的组合、任何两个较低值的组合和/或任何两个较高值的组合。某些下限、上限和范围出现在以下的一个或多个权利要求中。
49.如于此所用，不定冠词“一(a)”或“一(an)”应表示“至少一个”，除非另有说明或上下文另有明确指示。例如，包含“子反射板”的实施方式包括了包含一个、两个或更多个子反射板的实施方式，除非有相反的说明或者上下文清楚地表明仅包括一个子反射板。
50.虽然前述内容涉及本公开内容的实施方式，但是在不背离其基本范围的情况下可设计本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且其范围由以下的权利要求书确定。

技术特征：
1.一种用于处理基板的反射板组件，包括：反射板主体；多个子反射板，所述多个子反射板设置在所述反射板主体内；和多个高温计，其中所述多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。2.如权利要求1所述的反射板组件，其中第一盖设置在所述反射板主体的一部分上方，且第二盖设置在至少一个子反射板的一部分上方，所述第二盖处于比所述第一盖高的高度。3.如权利要求1所述的反射板组件，其中第一子反射板在第二子反射器的外部。4.如权利要求1所述的反射板组件，其中第一子反射板与第二子反射器共享公共切线。5.如权利要求1所述的反射板组件，其中：第一子反射板与第二子反射器共享公共切线；和所述第一子反射板在所述第二子反射器的外部。6.如权利要求1所述的反射板组件，其中每个子反射板对于嵌入其中的所述高温计的目标波长范围内的辐射具有高反射率，而对于嵌入其中的所述高温计的所述目标波长范围之外的辐射具有低反射率。7.如权利要求6所述的反射板组件，其中：所述高反射率是约0.95或更高的反射率；所述低反射率是约0.5或更低的反射率；或它们的组合。8.如权利要求6所述的反射板组件，其中所述目标波长范围是从约700nm到约1000nm。9.如权利要求1所述的反射板组件，其中单独子反射板的面积相对于所述反射板主体的面积为约2％或更小。10.如权利要求1所述的反射板组件，其中所述多个子反射板的集合面积相对于所述反射板主体的面积为约15％或更小。11.如权利要求1所述的反射板组件，其中全抗反射环或部分抗反射环设置在一个或多个子反射板的至少一部分上方。12.一种用于处理基板的反射板组件，包括：反射板主体；多个子反射板，所述多个子反射板设置在所述反射板主体内；和多个高温计，其中所述多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口，其中第一盖设置在所述反射板主体的一部分上方，并且第二盖设置在至少一个子反射板的一部分上方，所述第二盖处于比所述第一盖高的高度。13.如权利要求12所述的反射板组件，其中每个子反射板对于嵌入其中的所述高温计的目标波长范围内的辐射具有高反射率，而对于嵌入其中的所述高温计的所述目标波长范围之外的辐射具有低反射率。14.如权利要求12所述的反射板组件，其中：所述高反射率是约0.95或更高的反射率；所述低反射率是约0.5或更低的反射率；或它们的组合。
15.如权利要求12所述的反射板组件，其中全抗反射环或部分抗反射环设置在一个或多个子反射板的至少一部分上方。16.一种用于处理基板的腔室，包括：腔室主体；腔室盖，所述腔室盖设置在所述腔室主体上，所述腔室盖包括：盖主体；和反射板组件，所述反射板组件包括：反射板主体；多个子反射板，所述多个子反射板设置在所述反射板主体内；和多个高温计，其中所述多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。17.如权利要求16所述的腔室，进一步包括多个区域，多个灯被划分在所述多个区域中，其中所述多个高温计的每个高温计对应于所述多个区域的每个区域。18.如权利要求17所述的腔室，进一步包括控制器，所述控制器配置为接收来自所述多个高温计的输出并控制供应给所述多个灯的电压。19.如权利要求16所述的腔室，进一步包括基板支撑件，所述基板支撑件包括多个区域以加热位于所述基板支撑件上的基板，其中所述多个高温计的每个高温计对应于所述多个区域的每个区域。20.如权利要求19所述的腔室，进一步包括多个电阻加热元件，其中电阻加热元件设置在每个区域中，并且所述多个电阻加热元件由每个区域的所述高温计控制。

技术总结
本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备，并且更具体地涉及用于快速热处理的反射板。在一实施方式中，提供了一种用于处理基板的反射板组件。所述反射板组件包括：反射板主体；设置在所述反射板主体内的多个子反射板；和多个高温计。多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。于此还描述了包括反射板组件的腔室。括反射板组件的腔室。括反射板组件的腔室。


技术研发人员：沃尔夫冈
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2021.11.02
技术公布日：2023/8/9