一种银包铜浆异质结电池的制作方法

1.本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体为一种银包铜浆异质结电池。


背景技术：

2.硅异质结太阳电池是以晶体硅为基础，经过清洗制绒、在晶体硅正面第一受光面依次沉积本征非晶硅层和n型非晶硅层、在背面第二受光面依次沉积本征非晶硅层和p型非晶硅层、在第一受光面和第二受光面同时沉积透明导电氧化物最后在第一受光面和第二受光面，制备金属电极得到硅异质结太阳电池。
3.目前需要采用低温银浆制作栅线电极，低温银浆与目前晶硅电池使用的高温银浆对比，印刷宽度更宽，耗用量更大，市场价格非常昂贵，基于此，本实用新型设计了一种银包铜浆异质结电池，以解决上述问题。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种银包铜浆异质结电池，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种银包铜浆异质结电池，包括晶体硅片，设置在晶体硅片外表面上的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，第一本征非晶硅层上设有p型掺杂非晶硅层，所述第二本征非晶硅层上设有n型掺杂非晶硅层，所述p型掺杂非晶硅层上设有第一透明导电薄膜层，所述n型掺杂非晶硅层上设有第二透明导电薄膜层，所述第一透明导电薄膜层上设有银浆栅线正电极，所述第二透明导电薄膜层上分别设有镀铜层和铜镍合金保护层，所述铜镍合金保护层上设有银浆栅线负电极。
6.优选的，所述银浆栅线正电极和银浆栅线负电极均包括位于内部的金属导线银层、金属导线银层外部的金属导线铜层以及位于金属导线铜层外部的金属导线镍层。
7.优选的，所述第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层的厚度为5～15nm。
8.优选的，所述p型掺杂非晶硅层和n型掺杂非晶硅层的厚度为5～10nm。
9.优选的，所述第一透明导电薄膜层与第二透明导电薄膜层的厚度为60～90nm。
10.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过采用电阻率低、成本低的镀铜层以及具有导电保护作用的铜镍合金保护层，并配合改进后的银浆栅线正电极，替代昂贵的低温银浆栅线作为电池电极，降低了电池电极生产成本。
附图说明
11.为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
12.图1为本实用新型结构示意图；
13.图2为本实用新型银浆栅线正电极或银浆栅线负电极结构示意图。
14.附图中，各标号所代表的部件列表如下：
15.1-晶体硅片；2-第一本征非晶硅层；3-第二本征非晶硅层；4-p型掺杂非晶硅层；5-n型掺杂非晶硅层；6-第一透明导电薄膜层；7-第二透明导电薄膜层；8-镀铜层；9-铜镍合金保护层；10-超薄膜介质层；11-银浆栅线正电极；12-银浆栅线负电极；13-金属导线银层；14-金属导线铜层；15-金属导线镍层。
具体实施方式
16.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
17.请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种银包铜浆异质结电池，包括晶体硅片1，设置在晶体硅片1外表面上的第一本征非晶硅层2和第二本征非晶硅层3，第一本征非晶硅层2、第二本征非晶硅层3的厚度为5～15nm。第一本征非晶硅层2上设有p型掺杂非晶硅层4，第二本征非晶硅层3上设有n型掺杂非晶硅层5，p型掺杂非晶硅层4和n型掺杂非晶硅层5的厚度为5～10nm。p型掺杂非晶硅层4上设有第一透明导电薄膜层6，n型掺杂非晶硅层5上设有第二透明导电薄膜层7，第一透明导电薄膜层6与第二透明导电薄膜层7的厚度为60～90nm。
18.第一透明导电薄膜层6上设有银浆栅线正电极11，第二透明导电薄膜层7上分别设有镀铜层8和铜镍合金保护层9，镀铜层8和铜镍合金保护层9采用物理气相沉积技术形成。铜镍合金保护层9上设有银浆栅线负电极12。其中，银浆栅线正电极11和银浆栅线负电极12均做了结构性改进，银浆栅线正电极11和银浆栅线负电极12均包括位于内部的金属导线银层13、金属导线银层13外部的金属导线铜层14以及位于金属导线铜层14外部的金属导线镍层15。
19.本实用新型通过采用电阻率低、成本低的镀铜层8以及具有导电保护作用的铜镍合金保护层9，并配合改进后的银浆栅线正电极，替代昂贵的低温银浆栅线作为电池电极，降低了电池电极生产成本。
20.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
21.以上公开的本实用新型优选实施例只是用于帮助阐述本实用新型。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。


技术特征：
1.一种银包铜浆异质结电池，包括晶体硅片（1），设置在晶体硅片（1）外表面上的第一本征非晶硅层（2）和第二本征非晶硅层（3），第一本征非晶硅层（2）上设有p型掺杂非晶硅层（4），所述第二本征非晶硅层（3）上设有n型掺杂非晶硅层（5），所述p型掺杂非晶硅层（4）上设有第一透明导电薄膜层（6），所述n型掺杂非晶硅层（5）上设有第二透明导电薄膜层（7），所述第一透明导电薄膜层（6）上设有银浆栅线正电极（11），其特征在于：所述第二透明导电薄膜层（7）上分别设有镀铜层（8）和铜镍合金保护层（9），所述铜镍合金保护层（9）上设有银浆栅线负电极（12）；所述银浆栅线正电极（11）和银浆栅线负电极（12）均包括位于内部的金属导线银层（13）、金属导线银层（13）外部的金属导线铜层（14）以及位于金属导线铜层（14）外部的金属导线镍层（15）。2.根据权利要求1所述的一种银包铜浆异质结电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅层（2）、第二本征非晶硅层（3）的厚度为5～15nm。3.根据权利要求1所述的一种银包铜浆异质结电池，其特征在于：所述p型掺杂非晶硅层（4）和n型掺杂非晶硅层（5）的厚度为5～10nm。4.根据权利要求1所述的一种银包铜浆异质结电池，其特征在于：所述第一透明导电薄膜层（6）与第二透明导电薄膜层（7）的厚度为60～90nm。

技术总结
本实用新型公开了太阳能电池技术领域的一种银包铜浆异质结电池，包括晶体硅片、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、透明导电薄膜层、银浆栅线正电极，导电薄膜层上分别设有镀铜层和铜镍合金保护层，所述铜镍合金保护层上设有银浆栅线负电极，本实用新型通过采用电阻率低、成本低的镀铜层以及具有导电保护作用的铜镍合金保护层，并配合改进后的银浆栅线正电极，替代昂贵的低温银浆栅线作为电池电极，降低了电池电极生产成本。池电极生产成本。池电极生产成本。


技术研发人员：孙文峰 刘振波 黄信二 熊福民 张强 邢珍帅
受保护的技术使用者：湖州爱康光电科技有限公司
技术研发日：2023.01.14
技术公布日：2023/8/17