一种砷化镓晶片存储盒的制作方法

1.本实用新型涉及砷化镓晶片成品存储技术领域，具体为一种砷化镓晶片存储盒。


背景技术：

2.在生产车间内完成对砷化镓晶片的抛光处理后，可将多片成品砷化镓晶片存放到内部预设有卡装空间内的砷化镓晶片存储盒的内部，而卡装到砷化镓晶片存储盒内部的多片成品砷化镓晶片，在得到隔离保护后，也方便后期对成品砷化镓晶片的携带或运输操作；
3.实际操作员在将多片成品砷化镓晶片卡装到砷化镓晶片存储盒的内部时，由于卡装操作是采用人工手动的方式来实现，卡装完成后的部分砷化镓晶片会因位置偏差，出现卡装不到位的现象，这时半包式砷化镓晶片存储盒，会存在不便于操作员对成品砷化镓晶片是否安装到位进行观察的问题。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种砷化镓晶片存储盒，以解决上述背景技术中提出实际操作员在将多片成品砷化镓晶片卡装到砷化镓晶片存储盒的内部后，半包式砷化镓晶片存储盒会存在不便于操作员对成品砷化镓晶片是否安装到位进行观察的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
6.一种砷化镓晶片存储盒，包括绝缘存储盒体，所述绝缘存储盒体的内部中端位置安置有砷化镓晶片本体，且砷化镓晶片本体的一侧位置设有左限位块，所述砷化镓晶片本体的另一侧位置设有右限位块，所述绝缘存储盒体的内部中下方位置滑动连接有托座，且托座的底端中部位置固定连接有显示块，所述绝缘存储盒体的底端中部位置固定连接有套框。
7.优选的，所述绝缘存储盒体的顶端两侧位置固定连接有加高立板，且加高立板的中上方位置通过一体成型设有卡槽。
8.优选的，所述加高立板的后方位置设有组合盖板，且组合盖板的外端和卡槽的内端之间形状相吻合。
9.优选的，所述绝缘存储盒体分别和左限位块、右限位块一体成型设置，且左限位块和右限位块分别呈等距结构分布设置，相邻一组所述左限位块和相邻一组所述右限位块之间的连接分别构成一“v”型槽体，所述左限位块和右限位块的一侧端面分别黏结有第二垫层。
10.优选的，所述托座的顶端中部位置呈弧状结构分布设置，且托座弧形端部的内侧面黏结有第一垫层，所述第一垫层的内侧面和砷化镓晶片本体的底端面贴合设置，所述托座的底端两侧位置均固定连接有弹簧，一组所述弹簧固定安装于绝缘存储盒体的内部两侧下方位置，所述绝缘存储盒体的底端面设有呈等距结构分布设置的套框，且套框和显示块穿插设置。
11.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
12.1、本实用新型中，通过设置的绝缘存储盒体、托座、套框、显示块、左限位块和右限位块，在连接托座显示块伸出套框的内部后，操作员可通过观察显示块是否伸出套框的内部，来断定单片成品砷化镓晶片是否实现安装到位，后期的压紧操作会更加便捷的同时，也防止该砷化镓晶片存储盒在运输过程中，成品砷化镓晶片因安装不到位，造成晶片上下晃动现象的发生；
13.2、本实用新型中，通过设置的绝缘存储盒体、组合盖板和加高立板，在将多片成品砷化镓晶片卡合安装到绝缘存储盒体的内部，且将组合盖板与加高立板连接在一起后，一组加高立板和组合盖板会分别从安装到绝缘存储盒体内部的多片成品砷化镓晶片的两侧端位置及上方位置，起到一定的遮挡防护的作用，避免在进行运输操作时，成品砷化镓晶片直接向外发生弹出的现象。
附图说明
14.图1为本实用新型整体结构示意图；
15.图2为本实用新型绝缘存储盒体内部结构示意图；
16.图3为本实用新绝缘存储盒体底端面结构示意图。
17.图中：1-绝缘存储盒体、2-砷化镓晶片本体、3-左限位块、4-右限位块、5-托座、6-显示块、7-套框、8-弹簧、9-第一垫层、10-加高立板、11-卡槽、12-组合盖板、13-第二垫层。
具体实施方式
18.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
19.请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：
20.一种砷化镓晶片存储盒，包括绝缘存储盒体1，绝缘存储盒体1的内部中端位置安置有砷化镓晶片本体2，且砷化镓晶片本体2的一侧位置设有左限位块3，砷化镓晶片本体2的另一侧位置设有右限位块4，绝缘存储盒体1的内部中下方位置滑动连接有托座5，且托座5的底端中部位置固定连接有显示块6，绝缘存储盒体1的底端中部位置固定连接有套框7。
21.如图1和图2所示，绝缘存储盒体1的顶端两侧位置固定连接有加高立板10，且加高立板10的中上方位置通过一体成型设有卡槽11；加高立板10的后方位置设有组合盖板12，且组合盖板12的外端和卡槽11的内端之间形状相吻合，当完成对多片成品砷化镓晶片的卡合安装操作后，在形状相吻合的设置下，操作员可将组合盖板12推入一组卡槽11的内部，且通过装配到有加高立板10中部位置的螺栓得到位置限定后，与该砷化镓晶片存储盒连接在一起后的组合盖板12，会从卡合安装到绝缘存储盒体1内部的多片成品砷化镓晶片上方位置，起到覆盖遮挡的作用，避免后期在运输该砷化镓晶片存储盒及其多片成品砷化镓晶片时，出现成品砷化镓晶片直接向外发生弹出的现象；绝缘存储盒体1分别和左限位块3、右限位块4一体成型设置，且左限位块3和右限位块4分别呈等距结构分布设置，相邻一组左限位块3和相邻一组右限位块4之间的连接分别构成一“v”型槽体，左限位块3和右限位块4的一侧端面分别黏结有第二垫层13，在将多片成品砷化镓晶片卡装该绝缘存储盒体1内部时，由
左限位块3和右限位块4构成的卡装空间内部会借助自身与成品砷化镓晶片的契合，使得成品砷化镓晶片能够以吻合的方式，存储到该砷化镓晶片存储盒内部。
22.如图1、图2和图3所示，托座5的顶端中部位置呈弧状结构分布设置，且托座5弧形端部的内侧面黏结有第一垫层9，第一垫层9的内侧面和砷化镓晶片本体2的底端面贴合设置，托座5的底端两侧位置均固定连接有弹簧8，一组弹簧8固定安装于绝缘存储盒体1的内部两侧下方位置，绝缘存储盒体1的底端面设有呈等距结构分布设置的套框7，且套框7和显示块6穿插设置，结合在将对成品砷化镓晶片卡装到该砷化镓晶片存储盒内部时，成品砷化镓晶片会通过第一垫层9下压托座5，使得其发现向下偏移，当单片成品砷化镓晶片被精确安装到绝缘存储盒体1的内部，且同时受到左限位块3和右限位块4的限定作用力时，如图2所示，拉伸到绝缘存储盒体1下方位置的托座5，在能够对完成卡装后的单片成品砷化镓晶片起到承托作用的同时，托座5底端设有的显示块6会伸出套框7的内部，此时操作员可通过观察显示块6是否伸出套框7的内部，来断定单片成品砷化镓晶片是否实现安装到位。
23.工作流程：当将该砷化镓晶片存储盒稳定放置到水平台面上后，在形状相吻合的设置，操作员可手动将多片成品砷化镓晶片，在抵住带有保护作用的第二垫层13后，依次卡入多组由左限位块3和右限位块4构成的卡装空间内部，使得存放到该砷化镓晶片存储盒内部的多片成品砷化镓晶片，得到保存。
24.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：
1.一种砷化镓晶片存储盒，包括绝缘存储盒体(1)，其特征在于：所述绝缘存储盒体(1)的内部中端位置安置有砷化镓晶片本体(2)，且砷化镓晶片本体(2)的一侧位置设有左限位块(3)，所述砷化镓晶片本体(2)的另一侧位置设有右限位块(4)，所述绝缘存储盒体(1)的内部中下方位置滑动连接有托座(5)，且托座(5)的底端中部位置固定连接有显示块(6)，所述绝缘存储盒体(1)的底端中部位置固定连接有套框(7)。2.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶片存储盒，其特征在于：所述绝缘存储盒体(1)的顶端两侧位置固定连接有加高立板(10)，且加高立板(10)的中上方位置通过一体成型设有卡槽(11)。3.根据权利要求2所述的一种砷化镓晶片存储盒，其特征在于：所述加高立板(10)的后方位置设有组合盖板(12)，且组合盖板(12)的外端和卡槽(11)的内端之间形状相吻合。4.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶片存储盒，其特征在于：所述绝缘存储盒体(1)分别和左限位块(3)、右限位块(4)一体成型设置，且左限位块(3)和右限位块(4)分别呈等距结构分布设置，相邻一组所述左限位块(3)和相邻一组所述右限位块(4)之间的连接分别构成一“v”型槽体，所述左限位块(3)和右限位块(4)的一侧端面分别黏结有第二垫层(13)。5.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶片存储盒，其特征在于：所述托座(5)的顶端中部位置呈弧状结构分布设置，且托座(5)弧形端部的内侧面黏结有第一垫层(9)，所述第一垫层(9)的内侧面和砷化镓晶片本体(2)的底端面贴合设置，所述托座(5)的底端两侧位置均固定连接有弹簧(8)，一组所述弹簧(8)固定安装于绝缘存储盒体(1)的内部两侧下方位置，所述绝缘存储盒体(1)的底端面设有呈等距结构分布设置的套框(7)，且套框(7)和显示块(6)穿插设置。

技术总结
本实用新型涉及砷化镓晶片成品存储技术领域，尤其为一种砷化镓晶片存储盒，包括绝缘存储盒体，所述绝缘存储盒体的内部中端位置安置有砷化镓晶片本体，且砷化镓晶片本体的一侧位置设有左限位块，所述砷化镓晶片本体的另一侧位置设有右限位块，所述绝缘存储盒体的内部中下方位置滑动连接有托座，通过设置的绝缘存储盒体、托座、套框、显示块、左限位块和右限位块，在连接托座显示块伸出套框的内部后，操作员可通过观察显示块是否伸出套框的内部，来断定单片成品砷化镓晶片是否实现安装到位，在后期成品砷化镓晶片得到压紧处理后，可防止该砷化镓晶片存储盒在运输过程中，成品砷化镓晶片因安装不到位，造成晶片上下晃动现象的发生。造成晶片上下晃动现象的发生。造成晶片上下晃动现象的发生。


技术研发人员：许子俊 陈伟 马曾增
受保护的技术使用者：江苏中科晶元信息材料有限公司
技术研发日：2022.12.21
技术公布日：2023/8/17