一种新型MicroOLED显示器件制作方法与流程

一种新型micro oled显示器件制作方法
技术领域
1.本发明属于半导体显示技术领域，更具体地说，涉及一种新型micro oled显示器件制作方法。


背景技术：

2.随着元宇宙概念的崛起，目前市场上的ar,vr等设备的需求越来越大。但是目前市场上的现有micro oled全彩产品亮度普遍较低，只有2000nit左右的亮度。提高micro oled亮度已经迫在眉睫。
3.现有的micro oled全彩产品，因为结构关系，像素与像素间存在漏光串色的问题，从而导致产品色域偏低，且亮度相对较低。大大影响了产品的应用场景。
4.即现有技术中存在以下问题：1.现有工艺的micro oled亮度较低，在vr等显示设备的亮度不够。2.现有的micro oled存在漏光串色问题，色域低下等问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，有效解决漏光串色的问题，提升产品亮度的新型micro oled显示器件制作方法。
6.为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：所提供的这种新型micro oled显示器件，其特征在于：包括基板及设于所述基板上的氧化硅层，在所述氧化硅层上设有半椭球状凹陷的像素区域，所述像素区域上设有阳极，所述氧化硅层上设有有机发光和封装层，所述有机发光和封装层上设有彩色滤光片，所述像素区域与所述彩色滤光片对应设置。
7.为使上述技术方案更加详尽和具体，本发明还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：
8.一种新型micro oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤1)在基板上制作氧化硅层；步骤2)在氧化硅层上制作半椭球状凹陷的像素区域；步骤3)在像素区域内制作阳极；步骤4)进行有机oled蒸镀并进行封装处理；步骤5)通过光刻工艺制作彩色滤光片。
9.步骤1)中将带有cmos底层电路驱动的基板传入cvd设备中制作siox工艺膜。
10.步骤1)中在已制备的siox工艺膜的cmos基板上进行涂胶曝光和显影，制作所需的光刻图形。
11.步骤2)中将步骤1)处理的cmos基板传入湿法刻蚀设备，对基板进行刻蚀和去胶，得到带有半椭球状凹陷像素区域的基板。
12.步骤3)中将经步骤2)处理的基板传入pvd设备中，对基板正面进行阳极膜制备。
13.步骤3)中在制备好阳极膜的基板上进行涂胶曝光和显影工艺；然后再对基板进行刻蚀去胶工艺，得到带有阳极结构的基板。
14.步骤4)中将步骤3)制备好阳极结构的基板送至蒸镀设备，对基板进行有机oled蒸镀并进行封装处理；然后再对基板表面进行平坦化处理。
15.步骤5)中将已经完成蒸镀和封装之后的基板转运至光刻，然后通过光刻工艺分别
在rgb阳极上分别作业r、g、b的三色彩色滤光片。
16.本发明与现有技术相比，具有以下优点：本发明新型micro oled显示器件制作方法，结构简单，有效解决漏光串色的问题，提升产品亮度，具有较强的实用性和较好的应用前景。
附图说明
17.下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
18.图1为本发明新型micro oled显示器件步骤1结构示意图；
19.图2为本发明新型micro oled显示器件步骤2结构示意图；
20.图3为本发明新型micro oled显示器件步骤3结构示意图；
21.图4为本发明新型micro oled显示器件步骤4结构示意图；
22.图5为本发明新型micro oled显示器件步骤25结构示意图；
23.图中标记为：1、基板；2、氧化硅层；3、光刻胶；4、像素区域；5、阳极；6、有机发光和封装层；7、彩色滤光片。
具体实施方式
24.下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
25.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
26.本发明一种新型micro oled显示器件其制备方法，包括如下步骤：步骤1)在基板1上制作氧化硅层2；步骤2)在氧化硅层2上制作半椭球状凹陷的像素区域4；步骤3)在像素区域4内制作阳极5；步骤4)进行有机oled蒸镀并进行封装处理；步骤5)通过光刻工艺制作彩色滤光片7。
27.具体的，包括如下步骤：
28.步骤1:将带有cmos底层电路驱动的硅基板传入cvd设备中制作siox工艺膜；然后在已制备的siox膜的cmos基板上进行涂胶曝光和显影，制作所需的光刻图形。如图1中所示。
29.步骤2：将图1的cmos基板传入干刻湿法刻蚀设备，利用湿法刻蚀的同相性，对基板进行刻蚀和去胶工艺；得到带有类椭圆凹槽的基板。如图2中所示。使用boe药液对基板进行刻蚀，选用合适的刻蚀时间利用刻蚀同相性实现刻蚀(与药业接触的地方会同步刻蚀)；再对基板进行去胶作业，得到带有类椭圆凹槽的基板。
30.boe药液采用hf和nh4f按30:1比例混合制成，nh4f补充f离子，即保证刻蚀速率也保证药业稳定性；刻蚀时间300s-600s左右，形成边缘半椭球状的凹槽结构。
31.步骤3：将图2的基板传入pvd设备中，对基板正面进行阳极膜制备；在制备好阳极膜的基板上进行涂胶曝光和显影工艺；然后再对基板进行刻蚀去胶工艺，得到带有阳极结构的基板。如图3中所示。
32.步骤4：将已制备好阳极结构的基板送至蒸镀设备，对基板进行有机oled蒸镀并进行封装处理；然后再对基板表面进行平坦化处理。如图4中所示。
33.步骤5：将已经完成蒸镀和封装之后的基板转运至光刻；然后通过光刻工艺分别在rgb凹型阳极正上方分别制作r、g、b的三色color filter工艺；得到如图5中所示。
34.本发明这种新型micro oled阳极结构，利用凹型阳极的聚光作用；可将发散的光聚拢在color filter处；从而大大改善原有结构的光损失和串色问题；对比原有工艺，有效改善了产品的串色，漏光等问题，亮度可提高50％左右，色域也可提高10-20％；可提高终端产品ar/vr的使用场景，为开拓市场提供有利基础，改善了micro oled的串色，漏光的问题，从而提高产品色域；另一方面还提高了产品的亮度。
35.本发明这种工艺方法制作的新型micro oled显示器件，包括基板1及设于所述基板1上的氧化硅层2，在所述氧化硅层2上设有半椭球状凹陷的像素区域4，所述像素区域4上设有阳极5，所述氧化硅层2上设有有机发光和封装层6，所述有机发光和封装层6上设有彩色滤光片7，所述像素区域4与所述彩色滤光片7对应设置。本发明这种新型micro oled显示器件在氧化硅层2形成半椭球状凹陷的像素区域4，该结构类半椭圆形结构，将线汇聚经有机发光和封装层6至彩色滤光片7，有效防止漏光串色问题。
36.本发明新型micro oled显示器件制作方法，使用一种新型的阳极结构，从而改善原因工艺串扰问题；在micro oled点亮时，亮度较原工艺30％左右，大幅度提高此显示器件的亮度，在未来市场中应用巨大。此工艺做出来的micro oled显示器ppi可达到3000-5000ppi，像素尺寸在1-10微米级别。
37.本发明新型micro oled显示器件制作方法，有效解决漏光串色的问题，提升产品亮度，具有较强的实用性和较好的应用前景。
38.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
39.上面结合附图对本发明进行了示例性描述，但是本发明并不受限于上述方式，只要采用本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进或直接应用于其它场合的，均落在本发明的保护范围内。

技术特征：
1.一种新型micro oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤1)在基板上制作氧化硅层；步骤2)在氧化硅层上制作半椭球状凹陷的像素区域；步骤3)在像素区域内制作阳极；步骤4)进行有机oled蒸镀并进行封装处理；步骤5)通过光刻工艺制作彩色滤光片。2.按照权利要求1所述的新型micro oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤1)中将带有cmos底层电路驱动的基板传入cvd设备中制作siox工艺膜。3.按照权利要求2所述的新型micro oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤1)中在已制备的siox工艺膜的cmos基板上进行涂胶曝光和显影，制作所需的光刻图形。4.按照权利要求3所述的新型micro oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤2)中将步骤1)处理的cmos基板传入湿法刻蚀设备，对基板进行刻蚀和去胶，得到带有半椭球状凹陷像素区域的基板。5.按照权利要求4所述的新型micro oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤2)中使用boe药液对基板进行刻蚀，boe药液采用hf和nh4f按30:1比例混合制成。6.按照权利要求4所述的新型micro oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤3)中将经步骤2)处理的基板传入pvd设备中，对基板正面进行阳极膜制备。7.按照权利要求6所述的新型micro oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤3)中在制备好阳极膜的基板上进行涂胶曝光和显影工艺；然后再对基板进行刻蚀去胶工艺，得到带有阳极结构的基板。8.按照权利要求7所述的新型micro oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤4)中将步骤3)制备好阳极结构的基板送至蒸镀设备，对基板进行有机oled蒸镀并进行封装处理；然后再对基板表面进行平坦化处理。9.按照权利要求8所述的新型micro oled显示器件制备方法，其特征在于：步骤5)中将已经完成蒸镀和封装之后的基板转运至光刻，然后通过光刻工艺分别在rgb阳极上分别作业r、g、b的三色彩色滤光片。

技术总结
本发明公开了一种新型Micro OLED显示器件制备方法，其特征在于：步骤1)在基板上制作氧化硅层；步骤2)在氧化硅层上制作半椭球状凹陷的像素区域；步骤3)在像素区域内制作阳极；步骤4)进行有机OLED蒸镀并进行封装处理；步骤5)通过光刻工艺制作彩色滤光片。本发明新型Micro OLED显示器件制作方法，结构简单，有效解决漏光串色的问题，提升产品亮度，具有较强的实用性和较好的应用前景。的实用性和较好的应用前景。的实用性和较好的应用前景。


技术研发人员：荣长停 曹绪文 晋芳铭 张良睿 孙圣 李亮亮
受保护的技术使用者：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司
技术研发日：2023.05.23
技术公布日：2023/8/21