一种纳米晶带压力喷带制备工艺的制作方法

1.本发明属于磁性材料技术领域，具体涉及一种纳米晶带压力喷带制备工艺。


背景技术：

2.从手机、笔记本等便携式电子产品逐渐普及开始，“轻”薄的设计理念一直牵引着市场的发展方向，各大厂商也在不断加强技术研发，试图将便携电子产品做到更薄，无线充电模组想作为内置器件植入便携式电子产品中，起关键作用的隔磁片就必须做到“轻薄”。
3.非晶、纳米晶带材是由超急冷凝固形成厚度在15～35μm范围内的固体薄带，合金凝固时原子来不及有序排列结晶得到的固态合金。这种固态合金是长程无序结构，没有晶态合金的晶粒、晶界存在，具有优异的磁性，耐蚀性，耐磨性、高硬度、高强度、高电阻率等特性。性能方面，非晶、纳米晶隔磁片具有高的导磁率，高的饱和磁通密度，具有较大的性能优势。
4.非晶、纳米晶隔磁片用于无线充电时，未经处理的非晶或纳米晶带材的磁导率饱和磁通密度都能达到要求，但是损耗较高，纳米晶导磁片在高频下的损耗主要来自于涡流损耗，涡流损耗较大会导致品质因素q值低，充电效率低，同时，充电时纳米晶的发热量较大，为了降低涡流损耗，目前常规的做法是将纳米晶带材碎化，相当于把纳米晶带材碎裂成微小的颗粒，颗粒之间使用绝缘胶层，这样单体小颗粒上的磁通量小，涡流小，就减少了大面积的涡流损耗。使得无线充电时，磁场耦合后的损耗降低，发热量减少。
5.目前行业中常规的破碎方式是采用机械压力的方式使带材碎碎。先是单层破碎，然后使用多双面胶带将多层纳米晶贴合到一起，来达到无线充电使用要求的厚度和磁性能。但是即使是破碎之后，在无线充电中，仍然存在充电磁片发热过高的问题。
6.cn104011814a提到了一种将整体非晶纳米晶带材分割成小单元的方法，其中提到了采用层压的方法使薄带片间绝缘，通过单层非晶纳米晶薄带上、下两面施加保护膜或胶带的方式，然后进行压碎制备无线充电用软磁片。
7.cn104900383a公开了一种无线充电用单/多层导磁片及其制备方法，该单层导磁片包括：一层磁性薄片，所述薄片上均匀分布有多条裂纹，且所述多条裂纹将所述薄片分割成多个碎片单元；所述多条裂纹的缝隙中填充有绝缘介质，以使所述裂纹两侧的碎片单元相互绝缘；双面胶，粘附于所述磁性薄片的其中一面，所述磁性薄片的另一面形成有由所述绝缘介质构成的防护薄膜。其制备方法包括：热处理、双面胶粘合、裂纹化处理、浸胶处理以及烘干固化处理步骤。
8.cn107979966a公开了一种应用于无线充电和nfc的隔磁片及其制备工艺，其制备工艺包括：构造隔磁单元：以具有两个裸露面的片材结构的软磁带材为基元，在所述软磁带材的其中一个裸露面贴合双面胶，并将所述软磁带材的另外一个裸露面被压制成网状纹路；构造隔磁片。
9.上述磁片制备方法都存在着充电磁片发热过高的问题。因此，开发一种能够解决磁片发热过高问题的制备工艺对于本领域有重要意义。


技术实现要素：

10.针对上述存在的问题，本发明的目的是提供一种纳米晶带压力喷带制备工艺。本发明提供的纳米晶磁片具有涡流损耗低，充电效率高，充电时的发热量低的优点。
11.为达此目的，本发明采用以下技术方案：一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：s1、取纳米晶带，进行第一次固化处理：a.采用硅溶胶型固化剂对纳米晶带双面处理；b.进行两个阶段的加热处理，第一阶段温度为100~250℃，第二阶段温度为450~700℃；s2、取s1步骤处理得到的纳米晶带，进行第二次固化处理：a.对纳米晶带一侧表面贴附保护膜，另一侧表面采用聚氨酯型固化剂表面处理；b.在外力作用下进行加热处理，得到单面处理晶带；c.去除步骤b得到的单面处理晶带一侧表面上的保护膜，对该面采用聚氨酯型固化剂表面处理；d.重复步骤b。
12.本发明提供的制备方法中，第一阶段升温速度为2~4℃/min；第二阶段升温速度为3~5℃/min。
13.本发明提供的制备方法中，步骤s1中所述硅溶胶型固化剂中包括质量比为40%~50%的msio2·
nh2o。
14.本发明提供的制备方法中，步骤s2中外力作用采用对纳米晶带长度较长的两端进行拉伸。
15.本发明提供的制备方法中，步骤s2中应力大小为150~250mpa，加热处理温度为100~120℃。
16.本发明提供的制备方法中，所述保护膜为耐热离型膜。
17.作为本发明的进一步优选，还包括钝化处理，所述钝化处理包括将纳米晶带放入钝化剂中浸泡，然后清洗烘干；浸泡时间为1.5~2.5h，烘干温度为40~60℃。
18.作为本发明的进一步优选，对经固化处理和钝化处理后的纳米晶带进行切割处理，得到纳米晶单层磁片。
具体实施方式
19.发明人发现，采用特殊的固化处理工艺，可以降低纳米晶片涡流损耗，明显减缓充电磁片发热过高的问题，固化处理步骤具体包括：s1、取纳米晶带，进行第一次固化处理：a.采用硅溶胶型固化剂对纳米晶带双面处理；b.进行两个阶段的加热处理，第一阶段温度为100~250℃，第二阶段温度为250~550℃；s2、取s1步骤处理得到的纳米晶带，进行第二次固化处理：a.对纳米晶带一侧表面贴附保护膜，另一侧表面采用聚氨酯型固化剂表面处理；b.在外力作用下进行加热处理，得到单面处理晶带；c.去除步骤b得到的单面处理晶带一侧表面上的保护膜，对该面采用聚氨酯型固化剂表面处理；d.重复步骤b。
20.其中，所述纳米晶带，是指铁基纳米晶合金，其在晶化温度以上退火时，会形成非常细小的晶粒组织，晶粒尺寸仅有10~20纳米，因此命名为纳米晶带。
21.硅溶胶型固化剂是指纳米级的二氧化硅颗粒在水中或溶剂中的分散液，比表面积为50~400m2/g，粒径范围在5~100nm。
22.采用硅溶胶型固化剂对纳米晶带双面处理，是指：对纳米晶带面积最大的两个相
对面，采用硅溶胶型固化剂进行浸泡或涂布或任何可以对纳米晶带表面覆盖固化剂的操作。
23.对纳米晶带一侧表面贴附保护膜，另一侧表面采用聚氨酯型固化剂表面处理，是指：对纳米晶带面积最大的两个相对面中的一个表面贴附保护膜，另一个表面采用聚氨酯型固化剂进行浸泡或涂布或任何可以对纳米晶带表面覆盖固化剂的操作。
24.本发明提供的制备方法中，步骤s1中第一阶段升温速度为2~4℃/min；第二阶段升温速度为3~5℃/min。
25.本发明提供的制备方法中，步骤s1中所述硅溶胶型固化剂中包括质量比为40%~50%的msio2·
nh2o。
26.本发明提供的制备方法中，步骤s2中外力作用采用对纳米晶带长度较长的两端进行拉伸。
27.本发明提供的制备方法中，步骤s2中应力大小为150~250mpa，加热处理温度为100~120℃。
28.本发明采用的固化处理工艺，（1）首先采用硅溶胶固化剂进行二阶段的加热处理，目的是为了：在第一阶段缓慢地烘干硅溶胶，以使得晶带表面上以及晶带内部的缝隙之间被硅溶胶均匀覆盖和填充，以增加绝缘性。在第二阶段升温至晶化温度，使晶带磁芯释放应力，增强软磁性能；于此同时，在升温至晶化温度的同时，硅溶胶完全脱水，形成无定形的sio2，进而增加了晶带的脆性，而在升温的同时硅溶胶由于具有较强的收缩性而使得sio2晶体之间产生新的裂纹，使后续工艺中聚氨酯固化剂处理后的效果更佳。（2）采用聚氨酯固化剂二次固化处理的目的是为了：利用聚氨酯收缩性小、绝缘性好的优点增强晶带的绝缘效果和加工性能，增强软磁性能。
29.其中，外力作用的目的是为了提高晶带的晶面间距，从而增加聚氨酯的渗透性，进而降低涡流耗损。
30.其中，保护膜的处理目的是为了避免晶带在第一次固化处理后发生破碎，难以进行后续的加工处理。所述保护膜为耐热离型膜，优选为pet离型膜。
31.本发明还包括钝化处理，所述钝化处理包括将纳米晶带放入钝化剂中浸泡，然后清洗烘干；浸泡时间为1.5~2.5h，烘干温度为40~60℃。
32.所述钝化剂的处理目的是为了在晶带双面形成绝缘膜，以降低涡流损耗。其中，采用钝化剂目的是为了在晶带表面形成一层致密的、有绝缘性的钝化膜，以保证足够大的绝缘保护面积，增强贴合的晶带层间的电阻，减小涡流损耗。钝化剂采用常用的钝化剂即可，本发明优选为铁系磷化物钝化液。
33.在本发明中，对经固化处理和钝化处理后的纳米晶带进行切割处理，得到纳米晶单层磁片。
34.在本发明中，得到的单层磁片边长为0.5~2mm，表面的厚度为0.002~0.01mm。
35.实施例1本实施例制备纳米晶磁片的方法如下：（1）将采购的纳米晶带材(20kg/卷)，裁切成100mm长的纳米晶带段，纳米晶带段浸入硅溶胶（质量比40%的msio2·
nh2o）中，浸泡2h后取出，常温放置或低温烘干（30~50℃）至晶带表面硅溶胶凝固；
（2）将步骤（1）中得到的纳米晶带材在氮气保护的管式炉或其他加热设备中进行加热处理，第一阶段：从100℃升温至250℃，升温速度为2℃/min，保温时间1h；第二阶段：从250℃升温至550℃，升温速度为5℃/min，保温时间1.5h；（3）待步骤（2）中晶带冷却至室温后，对其中一个处理面贴覆pet离型膜；（4）将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为150mpa；（5）撕除pet离型膜，再将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为150mpa；（6）将钝化液（华维hw-011铁系磷化物钝化液）稀释成8%的溶液，放入步骤（5）得到的晶带，浸泡2h，取出样品后用无水乙醇进行浸泡清洗，然后放入干燥箱中40℃烘干；（7）裁切为固定尺寸的磁芯：100mm
×
15mm。
36.本实施例得到的纳米晶磁片的性能测试结果见表1和表2。
37.实施例2本实施例制备纳米晶磁片的方法如下：（1）将采购的纳米晶带材(20kg/卷)，裁切成100mm长的纳米晶带段，纳米晶带段浸入硅溶胶（质量比45%的msio2·
nh2o）中，浸泡2h后取出，常温放置或低温烘干（30~50℃）至晶带表面硅溶胶凝固；（2）将步骤（1）中得到的纳米晶带材在氮气保护的管式炉或其他加热设备中进行加热处理，第一阶段：从100℃升温至250℃，升温速度为3℃/min，保温时间1h；第二阶段：从250℃升温至550℃，升温速度为3℃/min，保温时间1.5h；（3）待步骤（2）中晶带冷却至室温后，对其中一个处理面贴覆pet离型膜；（4）将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为200mpa；（5）撕除pet离型膜，再将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为200mpa；（6）将钝化液（华维hw-011铁系磷化物钝化液）稀释成10%的溶液，放入步骤（5）得到的晶带，浸泡2h，取出样品后用无水乙醇进行浸泡清洗，然后放入干燥箱中50℃烘干；（7）裁切为固定尺寸的磁芯：100mm
×
15mm。
38.本实施例得到的纳米晶磁片的性能测试结果见表1和表2。
39.实施例3本实施例制备纳米晶磁片的方法如下：（1）将采购的纳米晶带材(20kg/卷)，裁切成100mm长的纳米晶带段，纳米晶带段浸入硅溶胶（质量比50%的msio2·
nh2o）中，浸泡2h后取出，常温放置或低温烘干（30~50℃）至晶带表面硅溶胶凝固；（2）将步骤（1）中得到的纳米晶带材在氮气保护的管式炉或其他加热设备中进行加热处理，第一阶段：从100℃升温至250℃，升温速度为4℃/min，保温时间1h；第二阶段：从250℃升温至550℃，升温速度为4℃/min，保温时间1.5h；（3）待步骤（2）中晶带冷却至室温后，对其中一个处理面贴覆pet离型膜；（4）将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同
时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为250mpa；（5）撕除pet离型膜，再将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为250mpa；（6）将钝化液（华维hw-011铁系磷化物钝化液）稀释成8%的溶液，放入步骤（5）得到的晶带，浸泡2h，取出样品后用无水乙醇进行浸泡清洗，然后放入干燥箱中60℃烘干；（7）裁切为固定尺寸的磁芯：100mm
×
15mm。
40.本实施例得到的纳米晶磁片的性能测试结果见表1和表2。
41.实施例4将实施例1制得的纳米晶磁片进行多层贴合，层数为3层，测试结果见表3。
42.实施例5将实施例2制得的纳米晶磁片进行多层贴合，层数为3层，测试结果见表3。
43.实施例6将实施例3制得的纳米晶磁片进行多层贴合，层数为3层，测试结果见表3。
44.实施例7将实施例1制得的纳米晶磁片进行多层贴合，层数为6层，测试结果见表3。
45.实施例8将实施例1制得的纳米晶磁片进行多层贴合，层数为9层，测试结果见表3。
46.对比例1制备纳米晶磁片的方法如下：（1）将采购的纳米晶带材(20kg/卷)，裁切成100mm长的纳米晶带段，纳米晶带段浸入硅溶胶（质量比40%的msio2·
nh2o）中，浸泡2h后取出，常温放置或低温烘干（30~50℃）至晶带表面硅溶胶凝固；（2）将步骤（1）中得到的纳米晶带材在氮气保护的管式炉或其他加热设备中进行加热处理，从100℃升温至550℃，升温速度为5℃/min，保温时间2.5h；（3）待步骤（2）中晶带冷却至室温后，对其中一个处理面贴覆pet离型膜；（4）将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为150mpa；（5）撕除pet离型膜，再将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为150mpa；（6）将钝化液（华维hw-011铁系磷化物钝化液）稀释成8%的溶液，放入步骤（5）得到的晶带，浸泡2h，取出样品后用无水乙醇进行浸泡清洗，然后放入干燥箱中50℃烘干；（7）裁切为固定尺寸的磁芯：100mm
×
15mm。
47.本实施例得到的纳米晶磁片的性能测试结果见表1和表2。
48.对比例2制备纳米晶磁片的方法如下： （1）将采购的纳米晶带材(20kg/卷)，裁切成100mm长的纳米晶带段，纳米晶带段在氮气保护的管式炉或其他加热设备中进行加热处理，第一阶段：从100℃升温至250℃，升温速度为2℃/min，保温时间1h；第二阶段：从250℃升温至550℃，升温速度为5℃/min，保温时间1.5h；
（2）待步骤（1）中晶带冷却至室温后，对其中一个处理面贴覆pet离型膜；（3）将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为150mpa；（4）撕除pet离型膜，再将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为150mpa；（5）将钝化液（华维hw-011铁系磷化物钝化液）稀释成8%的溶液，放入步骤（5）得到的晶带，浸泡2h，取出样品后用无水乙醇进行浸泡清洗，然后放入干燥箱中50℃烘干；（6）裁切为固定尺寸的磁芯：100mm
×
15mm。
49.本实施例得到的纳米晶磁片的性能测试结果见表1和表2。
50.对比例3制备纳米晶磁片的方法如下：本实施例制备纳米晶磁片的方法如下（1）将采购的纳米晶带材(20kg/卷)，裁切成100mm长的纳米晶带段，纳米晶带段浸入硅溶胶（质量比40%的msio2·
nh2o）中，浸泡2h后取出，常温放置或低温烘干（30~50℃）至晶带表面硅溶胶凝固；（2）将步骤（1）中得到的纳米晶带材在氮气保护的管式炉或其他加热设备中进行加热处理，第一阶段：从100℃升温至250℃，升温速度为2℃/min，保温时间1h；第二阶段：从250℃升温至550℃，升温速度为5℃/min，保温时间1.5h；（3）待步骤（2）中晶带冷却至室温后，将钝化液（华维hw-011铁系磷化物钝化液）稀释成8%的溶液，放入冷却后的晶带，浸泡2h，取出样品后用无水乙醇进行浸泡清洗，然后放入干燥箱中50℃烘干；（4）裁切为固定尺寸的磁芯：100mm
×
15mm。
51.本实施例得到的纳米晶磁片的性能测试结果见表1和表2。
52.对比例4制备纳米晶磁片的方法如下：（1）将采购的纳米晶带材(20kg/卷)，裁切成100mm长的纳米晶带段，纳米晶带段浸入硅溶胶（质量比40%的msio2·
nh2o）中，浸泡2h后取出，常温放置或低温烘干（30~50℃）至晶带表面硅溶胶凝固；（2）将步骤（1）中得到的纳米晶带材在氮气保护的管式炉或其他加热设备中进行加热处理，第一阶段：从100℃升温至250℃，升温速度为2℃/min，保温时间1h；第二阶段：从250℃升温至550℃，升温速度为5℃/min，保温时间1.5h；（3）待步骤（2）中晶带冷却至室温后，对其中一个处理面贴覆pet离型膜；（4）将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为150mpa；（5）撕除pet离型膜，再将晶带浸入聚氨酯中，浸泡时间2h，取出后放入干燥箱中100℃烘干，烘干的同时对晶带的两端进行拉伸，拉伸力的大小为150mpa；（6）裁切为固定尺寸的磁芯：100mm
×
15mm。
53.本实施例得到的纳米晶磁片的性能测试结果见表1和表2。
54.对比例5
对对比例1制得的纳米晶磁片进行多层贴合，层数为3层，测试结果见表3。
55.对比例6对对比例2制得的纳米晶磁片进行多层贴合，层数为3层，测试结果见表3。
56.对比例7对对比例3制得的纳米晶磁片进行多层贴合，层数为3层，测试结果见表3。
57.对比例8对对比例4制得的纳米晶磁片进行多层贴合，层数为3层，测试结果见表3。
58.上述实施例1~3，对比例1~4涉及的测试包括直流软磁测试和交流软磁测试，二者都是现有技术中常用的测试方法，故不再赘述，测试结果如下：表1.磁芯样品直流软磁参数。
59.表2. 磁芯样品交流软磁参数。
60.如表1和表2所示，实施例1~3之间的性能参数相当。实施例1与对比例1对比可知，在缺少二段升温处理时，对比例1各方面的数值明显不如实施例1，这可能跟硅溶胶是否有效进入到磁芯之间的缝隙中有关。实施例1与对比例2对比可知，在使用单一固化剂时，对比例2各方面的数值明显不如使用两次固化剂处理的实施例1，间接证明两次固化剂的处理之间有互相促进作用。实施例1与对比例3对比可知，在使用单一固化剂时，对比例3各方面的数值明显不如使用两次次固化剂处理的实施例1，同时也不如对比例2，可以间接证明使用单一固化剂时硅溶胶的固化处理效果优于聚氨酯的固化处理效果。对比例4证明无钝化处理对于直流软磁参数无较大影响，但在交流软磁参数中的损耗明显大于其它样品，证明钝
化处理可以有效降低磁芯的损耗。
61.上述实施例4~8，对比例5~8涉及的测试为将所得磁片放入大功率无线充电装置中测试充电效率和发热情况，测试结果如下：表3。
62.如表3所示，除了与表1~2所得的相似的结论外，还证明了，层数的增加是发热、降低充电效率的重要因素。并且证明了钝化处理对于充电效率和发热情况可以有效高山。
63.本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

技术特征：
1.一种纳米晶带压力喷带制备工艺，包括固化处理，其特征在于，所述固化处理包括以下步骤：s1、取纳米晶带，进行第一次固化处理：a.采用硅溶胶型固化剂对纳米晶带双面处理；b.进行两个阶段的加热处理，第一阶段温度为100~250℃，第二阶段温度为250~550℃；s2、取s1步骤处理得到的纳米晶带，进行第二次固化处理：a.对纳米晶带一侧表面贴附保护膜，另一侧表面采用聚氨酯型固化剂表面处理；b.在外力作用下进行加热处理，得到单面处理晶带；c.去除步骤b得到的单面处理晶带一侧表面上的保护膜，对该面采用聚氨酯型固化剂表面处理；d.重复步骤b。2.根据权利要求1所述一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，步骤s1中第一阶段升温速度为2~4℃/min；第二阶段升温速度为3~5℃/min。3.根据权利要求1所述一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，步骤s1中所述硅溶胶型固化剂中包括质量比为40%~50%的msio2·
nh2o。4.根据权利要求1所述一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，步骤s2中外力作用采用对纳米晶带长度较长的两端进行拉伸。5.根据权利要求1所述一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，步骤s2中外力大小为150~250mpa，加热处理温度为100~120℃。6.根据权利要求1所述一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，所述保护膜为耐热离型膜。7.根据权利要求1所述一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，还包括钝化处理，所述钝化处理包括将纳米晶带放入钝化剂中浸泡，然后清洗烘干；浸泡时间为1.5~2.5h，烘干温度为40~60℃。8.根据权利要求7所述一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，对经固化处理和钝化处理后的纳米晶带进行切割处理，得到纳米晶单层磁片。

技术总结
一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、取纳米晶带，进行第一次固化处理：a.采用硅溶胶型固化剂对纳米晶带双面处理；b.进行两个阶段的加热处理，第一阶段温度为100~250℃，第二阶段温度为450~700℃；S2、取S1步骤处理得到的纳米晶带，进行第二次固化处理：a.对纳米晶带一侧表面贴附保护膜，另一侧表面采用聚氨酯型固化剂表面处理；b.在外力作用下进行加热处理，得到单面处理晶带；c.去除步骤b得到的单面处理晶带一侧表面上的保护膜，对该面采用聚氨酯型固化剂表面处理；d.重复步骤b。本发明提供的纳米晶磁片具有涡流损耗低，充电效率高，充电时的发热量低的优点。点。


技术研发人员：陈慧鹏 杨乐琪 周柔刚 邵惠锋 李文欣
受保护的技术使用者：浙江晶精新材料科技有限公司
技术研发日：2023.04.04
技术公布日：2023/8/21