窗和显示装置的制作方法

窗和显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年2月17日提交的第10-2022-0021039号韩国专利申请的优先权以及从其获取的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
3.一个或多个实施例涉及一种窗和一种包括窗的显示装置，并且更具体地，涉及一种具有降低的反射率的窗和一种包括窗的显示装置。


背景技术：

4.最近，显示装置已经被广泛地用于各种领域中。此外，随着显示装置正在变得更薄和更轻，显示装置的使用范围正在进一步增加。
5.由于显示装置被以各种方式使用，因此存在设计显示装置的形状的各种方法。此外，可以与显示装置关联或联系的功能正在增加。


技术实现要素：

6.根据本公开的实施例，可以有效地防止或基本上最小化由于外部光的反射导致的显示装置的可视性的劣化。
7.根据一个或多个实施例，一种窗包括：窗基底；第一层，设置在所述窗基底上，其中，所述第一层具有在大约1.2至大约1.4的范围内的折射率；第二层，设置在所述第一层上，其中，所述第二层包括氧化铬(cr2o3)；第三层，设置在所述第二层上，其中，所述第三层具有在大约1.4至大约1.6的范围内的折射率；以及防指纹层，设置在所述第三层上，其中，所述防指纹层包括全氟聚醚(pfpe)。
8.在实施例中，所述第二层可以具有大于所述第一层的所述折射率和所述第三层的所述折射率的折射率。
9.在实施例中，所述第二层可以具有在大约1.6至大约2.0的范围内的所述折射率。
10.在实施例中，所述第一层可以具有在大约50纳米(nm)至大约150nm的范围内的厚度，所述第二层可以具有在大约5nm至大约15nm的范围内的厚度，并且所述第三层可以具有在大约5nm至大约15nm的范围内的厚度。
11.在实施例中，所述第一层可以包括氟化镁(mgf2)，并且所述第三层可以包括氧化硅(sio2)。
12.在实施例中，所述第二层可以包括共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)。
13.在实施例中，在通过使用橡皮擦向所述窗的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动6000次或更多次之后，所述窗的所述表面的相对于水的接触角可以是大约95
°
或更大。
14.根据一个或多个实施例，一种窗包括：窗基底；第一层，设置在所述窗基底上，其中，所述第一层具有在大约1.2至大约1.4的范围内的折射率；第二层，设置在所述第一层
上，其中，所述第二层具有在大约1.6至大约2.0的范围内的折射率；第三层，设置在所述第二层上，其中，所述第三层具有在大约1.4至大约1.6的范围内的折射率；以及防指纹层，设置在所述第三层上，其中，所述防指纹层包括全氟聚醚(pfpe)，其中，在通过使用橡皮擦向所述窗的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动6000次或更多次之后，所述窗的所述表面的相对于水的接触角是大约95
°
或更大。
15.在实施例中，所述第一层可以具有在大约50nm至大约150nm的范围内的厚度，所述第二层可以具有在大约5nm至大约15nm的范围内的厚度，并且所述第三层可以具有在大约5nm至大约15nm的范围内的厚度。
16.在实施例中，所述第一层可以包括氟化镁(mgf2)，所述第二层可以包括氧化铬(cr2o3)，并且所述第三层可以包括氧化硅(sio2)。
17.在实施例中，所述第二层可以包括共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)。
18.根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：基底；发光元件，设置在所述基底上，其中，所述发光元件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的中间层；滤光层，设置在所述发光元件上，其中，所述滤光层包括滤色器层和光阻挡层；以及窗，设置在所述滤光层上。在这样的实施例中，所述窗包括：窗基底；第一层，设置在所述窗基底上，其中，所述第一层具有在大约1.2至大约1.4的范围内的折射率；第二层，设置在所述第一层上，其中，所述第二层包括氧化铬(cr2o3)；第三层，设置在所述第二层上，其中，所述第三层具有在大约1.4至大约1.6的范围内的折射率；和防指纹层，设置在所述第三层上，其中，所述防指纹层包括全氟聚醚(pfpe)。
19.在实施例中，所述第二层可以具有大于所述第一层的所述折射率和所述第三层的所述折射率的折射率。
20.在实施例中，所述第二层可以具有在大约1.6至大约2.0的范围内的所述折射率。
21.在实施例中，所述第一层可以具有在大约50nm至大约150nm的范围内的厚度，所述第二层可以具有在大约5nm至大约15nm的范围内的厚度，并且所述第三层可以具有在大约5nm至大约15nm的范围内的厚度。
22.在实施例中，所述第一层可以包括氟化镁(mgf2)，并且所述第三层可以包括氧化硅(sio2)。
23.在实施例中，所述第二层可以包括共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)。
24.在实施例中，在通过使用橡皮擦向所述窗的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动6000次或更多次之后，所述窗的所述表面的相对于水的接触角可以是大约95
°
或更大。
25.在实施例中，所述显示装置还可以包括：像素限定层，第一开口限定在所述像素限定层中以暴露所述第一电极的至少一部分。
26.在实施例中，所述光阻挡层可以限定与所述第一开口重叠的第二开口。
27.在实施例中，所述滤色器层的至少一部分可以在所述第二开口中。
28.在实施例中，所述滤色器层可以与所述中间层至少部分地重叠。
29.在实施例中，所述滤光层还可以包括设置在所述滤色器层上的包覆层。
30.在实施例中，所述显示装置还可以包括：封装层，在所述发光元件与所述滤光层之间；以及输入感测层，在所述封装层与所述滤光层之间。
附图说明
31.根据以下结合附图的描述，本公开的某些实施例的以上和其它特征将更加显而易见，在附图中：
32.图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
33.图2是根据实施例的显示装置的示意性截面图；
34.图3是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
35.图4是根据实施例的显示装置中的像素的等效电路图；
36.图5是根据实施例的显示装置的示意性截面图；
37.图6是根据实施例的显示装置中的窗的示意性截面图；
38.图7是示出实施例的耐磨性评估结果的曲线图；
39.图8是示出实施例的耐磨性评估结果的曲线图；
40.图9是示出比较示例1的耐磨性评估结果的曲线图；
41.图10是示出比较示例1的耐磨性评估结果的曲线图；
42.图11是示出比较示例2的耐磨性评估结果的曲线图；
43.图12是示出比较示例2的耐磨性评估结果的曲线图；以及
44.图13是示出实施例的窗和窗基底的根据波长的反射率测量结果的曲线图。
具体实施方式
45.现在将参照附图在下文中更充分地描述本发明，在附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实现，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。同样的附图标记始终指代同样的元件。
46.在本文中使用的术语仅出于描述具体实施例的目的，而不意图进行限制。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则“一”、“一个(种/者)”、“所述(该)”和“至少一个(种/者)”不表示数量的限制，并且旨在包括单数形式和复数形式两者。例如，“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义，除非上下文另外明确指出。“至少一个(种/者)”不应被解释为限于“一”或“一个(种/者)”。“或”表示“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”或“选自a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者它们的变体。
47.尽管本公开允许各种改变和众多实施例，但是将在附图中示出并在书面描述中详细描述特定实施例。参照下面详细描述的实施例和附图，本公开的效果和特征以及实现本公开的效果和特征的方法将是显而易见的。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的示例性实施例。
48.在以下实施例中，尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种元件，但是这样的元件不必限于上面的术语。
49.将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因
此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可以被称为“第二元件”、“第二组件”、“第二区”、“第二层”或“第二部分”。
50.还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括(comprises和/或comprising)”或者“包含(includes和/或including)”时，说明存在所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
51.将理解的是，当层、区或组件被称为形成在另一层、区或组件时，所述层、区或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区或组件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区或组件。
52.为了便于说明，附图中的组件的尺寸可能被夸大。例如，由于为了便于说明而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。
53.此外，在本文中可以使用诸如“下/下部”或“底部”以及“上/上部”或“顶部”的相对术语以描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，相对术语还旨在涵盖装置的不同方位。例如，如果在一幅附图中装置被翻转，则描述为在其它元件“下”侧上的元件随后将被定向为在其它元件“上”侧。因此，根据附图的具体方位，术语“下/下部”可以涵盖“下/下部”和“上/上部”两种方位。类似地，如果在一幅附图中装置被翻转，则描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”其它元件“上方”。因此，术语“在
……
下方”或“在
……
之下”可以涵盖上方和下方两种方位。
54.在以下实施例中，将理解的是，当布线被称为“在第一方向或第二方向上延伸”时，所述布线不仅可以以线性形状延伸，而且可以以之字形线或曲线在第一方向或第二方向上延伸。
55.在以下实施例中，“平面图”表示从上方观看目标物体的一部分，并且“截面图”表示垂直地切割目标物体的一部分并且从侧面观察截面。在以下实施例中，术语“重叠”包括在平面图和截面图中重叠。
56.考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且表示在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以表示在一个或多个标准偏差内，或在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
57.除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则诸如在通用词典中定义的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开中的含义相一致的含义，而将不以理想化的或过于形式化的意义来解释所述术语。
58.在本文中参照作为理想化的实施例的示意图的截面图来描述实施例。这样，预计到由于例如制造技术和/或公差引起的示图的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应当被解释为局限于如本文中示出的区的具体形状，而是将包括例如由于制造引起的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以被倒圆。因此，在附图中示出的区在本质上是示意性的，并且它们的形状并不意图
示出区的精确形状，且不意图限制本权利要求的范围。
59.在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。
60.图1是根据实施例的显示装置1的示意性平面图。
61.参照图1，显示装置1的实施例可以包括显示图像的显示区域da和在显示区域da周围的外围区域pa。显示装置1可以通过使用从显示区域da发射的光向外部提供图像。在实施例中，显示装置1包括基底100，并且显示区域da和外围区域pa可以限定在基底100中。
62.基底100可以包括各种材料，诸如玻璃、金属或塑料等。在实施例中，基底100可以包括柔性材料。这里，柔性材料表示可以被扭曲、弯折、折叠或卷曲的材料。柔性材料的基底100可以包括超薄的玻璃、金属或塑料。
63.包括发光元件(诸如有机发光二极管)的像素px可以布置在基底100的显示区域da中。多个像素px可以被包括在显示区域da中，并且多个像素px可以以诸如条纹布置、pentile布置或马赛克布置等的各种形式布置，以实现图像。在下文中，为了便于描述，将描述显示装置1包括发光元件oled(参照图5)并且发光元件oled是有机发光二极管的实施例，但是本公开不限于此。在可替代实施例中，例如，发光元件也可以是无机发光二极管或量子点发光二极管。
64.尽管图1示出了显示区域da的平面形状是矩形形状的实施例，但是本公开不限于此。在可替代实施例中，例如，显示区域da可以包括诸如三角形形状、五边形形状或六边形形状等的多边形形状或者圆形形状、椭圆形形状或不规则形状等。
65.基底100的外围区域pa是在显示区域da周围的区域，并且可以是不显示图像的区域。配置为向显示区域da传送电信号的各种线以及印刷电路板或驱动器集成电路(ic)芯片所附接到的焊盘可以在外围区域pa中。
66.图2是根据实施例的显示装置1的示意性截面图。
67.参照图2，显示装置1的实施例可以包括显示面板10和显示面板10上的窗600。显示面板10可以包括彼此顺序地堆叠的基底100、显示层200、封装层300、输入感测层400和滤光层500。在这样的实施例中，显示装置1包括显示面板10，使得显示装置1包括彼此顺序地堆叠的基底100、显示层200、封装层300、输入感测层400和滤光层500。
68.基底100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料、或者柔性的或可弯折的材料。在基底100包括柔性的或可弯折的材料的实施例中，基底100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。
69.基底100可以具有单层结构或多层结构，并且在多层结构的情况下可以包括无机层。在一些实施例中，基底100可以具有有机材料/无机材料/有机材料/无机材料的结构。这将在下面参照图5更详细地描述。
70.显示层200可以设置在基底100上。显示层200可以包括薄膜晶体管、发光元件、绝缘层和有机绝缘层。封装层300可以设置在显示层200上。
71.封装层300可以包括包含至少一种无机膜和至少一种有机膜的薄膜封装层或者包含玻璃材料的封装基底。在封装层300包括玻璃材料的实施例中，包括玻璃料等的密封剂可以在基底100与封装层300之间，并且密封剂可以在外围区域pa(参照图1)中。外围区域pa中的密封剂可以在围绕显示区域da(参照图1)的同时防止和最小化湿气渗透通过显示装置1
的侧表面。
72.输入感测层400可以设置在封装层300上。输入感测层400可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。输入感测层400可以单独地形成在触摸基底上并且之后通过粘合剂层(诸如光学透明粘合剂(oca)层)附接到封装层300。在实施例中，输入感测层400可以直接形成在封装层300上。在这样的实施例中，粘合剂层可以不在输入感测层400与封装层300之间。
73.在实施例中，滤光层500可以设置在输入感测层400上。如下面将参照图5所描述的，滤光层500可以包括光阻挡层510(参照图5)、滤色器层520(参照图5)和包覆层530(参照图5)。这将在下面参照图5更详细地描述。
74.在实施例中，窗600可以设置在滤光层500上。如下面将参照图6所描述的，窗600可以包括窗基底610(参照图6)、第一层620(参照图6)、第二层630(参照图6)、第三层640(参照图6)和防指纹层650(参照图6)。这将在下面参照图6更详细地描述。
75.图3是根据实施例的显示装置1的示意性平面图。
76.参照图3，显示装置1的实施例可以包括显示区域da和外围区域pa，并且包括在显示区域da中的多个像素px。多个像素px中的每一个可以包括发光元件oled(参照图5)。在实施例中，发光元件oled可以是有机发光二极管。每个像素px可以通过发光元件oled发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在下文中，每个像素px可以表示子像素，子像素与另一子像素发射不同的颜色光，并且每个像素px可以包括例如红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的一个。显示区域da可以被封装层300(参照图2)覆盖，以被保护免受外部空气或湿气的影响。
77.每个像素px可以电连接到外围区域pa中的外部电路。第一扫描驱动电路130、第二扫描驱动电路131、发射控制驱动电路133、端子140、第一电源线160和第二电源线170可以在外围区域pa中。
78.第一扫描驱动电路130和第二扫描驱动电路131可以通过扫描线sl向每个像素px提供扫描信号。第二扫描驱动电路131可以与第一扫描驱动电路130平行布置且显示区域da在第二扫描驱动电路131与第一扫描驱动电路130之间。显示区域da中的多个像素px中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路130，并且其余的像素px可以连接到第二扫描驱动电路131。在可替代实施例中，第二扫描驱动电路131可以被省略。发射控制驱动电路133可以通过发射控制线el向每个像素px提供发射控制信号。
79.端子140可以布置在基底100的一侧上。端子140可以不被绝缘层覆盖，而是被暴露以电连接到印刷电路板pcb。印刷电路板pcb的端子pcb-p可以电连接到显示装置1的端子140。印刷电路板pcb可以将控制器(未示出)的信号或电力传输到显示装置1。
80.由控制器产生的控制信号可以通过印刷电路板pcb分别传输到第一扫描驱动电路130和第二扫描驱动电路131。控制器可以通过第一连接线161和第二连接线171分别向第一电源线160和第二电源线170提供第一电源电压elvdd(参照图4)和第二电源电压elvss(参照图4)。第一电源电压elvdd可以通过连接到第一电源线160的驱动电压线pl提供给每个像素px，并且第二电源电压elvss可以提供给连接到第二电源线170的每个像素px的第二电极230(参照图5)。
81.数据驱动电路150可以电连接到数据线dl。数据驱动电路150的数据信号可以通过
连接到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线dl提供给每个像素px。尽管图3示出了数据驱动电路150布置在印刷电路板pcb中的实施例，但是本公开不限于此。在可替代实施例中，数据驱动电路150可以设置在基底100上。在实施例中，例如，数据驱动电路150可以布置在端子140与第一电源线160之间。
82.第一电源线160可以包括第一子线162和第二子线163且显示区域da在第一子线162与第二子线163之间，第一子线162和第二子线163两者在第一方向(x方向)上平行延伸。第二电源线170可以以具有一个开口侧的环形形状部分地围绕显示区域da。
83.图4是根据实施例的显示装置1(参照图1)中的像素px(参照图1)的等效电路图。
84.参照图4，像素电路pc的实施例可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、第一存储电容器cst以及第二存储电容器cbt。在实施例中，选自第一晶体管t1至第七晶体管t7中的至少一者可以被省略。
85.第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7以及第一存储电容器cst和第二存储电容器cbt可以连接到信号线、第一初始化电压线vl1、第二初始化电压线vl2以及驱动电压线pl。信号线可以包括数据线dl、第一扫描线sl1、第二扫描线sl2、前一扫描线slp(p是大于1且小于n的整数，n将在下文描述)、下一扫描线sln以及发射控制线el。在实施例中，信号线、第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2和/或驱动电压线pl可以由相邻的像素共享。
86.驱动电压线pl可以配置为向第一晶体管t1传送第一电源电压elvdd。第一初始化电压线vl1可以配置为向像素电路pc传送用于初始化第一晶体管t1的第一初始化电压vint1。第二初始化电压线vl2可以配置为向像素电路pc传送用于初始化发光元件oled的第二初始化电压vint2。
87.在第一晶体管t1至第七晶体管t7之中，第三晶体管t3和第四晶体管t4可以被实现为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)(nmos)，并且其余的晶体管可以被实现为p沟道mosfet(pmos)。然而，本公开不限于此。在实施例中，第三晶体管t3、第四晶体管t4和第七晶体管t7可以被实现为nmos，并且其余的晶体管可以被实现为pmos。
88.在本说明书中，“电连接到信号线的晶体管或彼此电连接的晶体管”表示“晶体管的源极、漏极和栅极与信号线具有相同的形状或者通过连接电极连接”。
89.第一晶体管t1可以基于第一晶体管t1的栅极电压控制从驱动电压线pl流动到发光元件oled的驱动电流的大小。第一晶体管t1可以包括连接到第一存储电容器cst的第一下部电极ce1的栅极g1以及通过第五晶体管t5连接到驱动电压线pl的源极s1。此外，第一晶体管t1可以包括通过第六晶体管t6连接到发光元件oled的漏极d1。
90.第二晶体管t2可以响应于第一扫描信号sn(n是大于1的整数)接收数据电压d。第二晶体管t2可以配置为响应于第一扫描信号sn向第一晶体管t1的源极s1传送数据电压d。第二晶体管t2可以包括连接到第一扫描线sl1的栅极g2、连接到数据线dl的源极s2以及连接到第一晶体管t1的源极s1的漏极d2。
91.第一存储电容器cst可以连接在驱动电压线pl与第一晶体管t1之间。第一存储电容器cst可以包括连接到驱动电压线pl的第一上部电极ce2以及连接到第一晶体管t1的栅极g1的第一下部电极ce1。第一存储电容器cst可以存储施加到驱动电压线pl的第一电源电
压elvdd与第一晶体管t1的栅极电压之间的差，并且可以保持第一晶体管t1的栅极电压。
92.第三晶体管t3可以串联连接在第一晶体管t1的漏极d1和栅极g1之间，并且可以响应于第二扫描信号sn'将第一晶体管t1的漏极d1和栅极g1彼此连接。第三晶体管t3可以包括连接到第二扫描线sl2的栅极g3、连接到第一晶体管t1的漏极d1的源极s3以及连接到第一晶体管t1的栅极g1的漏极d3。第三晶体管t3可以包括彼此串联连接的多个晶体管，并且同时由第二扫描信号sn'控制。可替代地，第三晶体管t3可以被省略。
93.当第三晶体管t3响应于第二扫描信号sn'导通时，第一晶体管t1的漏极d1和栅极g1可以彼此连接以二极管式连接第一晶体管t1。
94.第四晶体管t4可以响应于前一扫描信号sn-1将第一初始化电压vint1施加到第一晶体管t1的栅极g1。第四晶体管t4可以包括连接到前一扫描线slp的栅极g4、连接到第一晶体管t1的栅极g1的源极s4以及连接到第一初始化电压线vl1的漏极d4。第四晶体管t4还可以包括彼此串联连接的多个晶体管，并且同时被前一扫描信号sn-1控制。可替代地，第四晶体管t4可以被省略。
95.第五晶体管t5可以响应于发射控制信号en将驱动电压线pl和第一晶体管t1的源极s1彼此连接。第五晶体管t5可以包括连接到发射控制线el的栅极g5、连接到驱动电压线pl的源极s5以及连接到第一晶体管t1的源极s1的漏极d5。可替代地，第五晶体管t5可以被省略。
96.第六晶体管t6可以响应于发射控制信号en将第一晶体管t1的漏极d1和发光元件oled的第一电极210(参照图5)彼此连接。第六晶体管t6可以配置为向发光元件oled的第一电极210传送从第一晶体管t1输出的驱动电流。第六晶体管t6可以包括连接到发射控制线el的栅极g6、连接到第一晶体管t1的漏极d1的源极s6以及连接到发光元件oled的第一电极210的漏极d6。可替代地，第六晶体管t6可以被省略。
97.第七晶体管t7可以响应于下一扫描信号sn+1向发光元件oled的第一电极210施加第二初始化电压vint2。第七晶体管t7可以包括连接到下一扫描线sln的栅极g7、连接到发光元件oled的第一电极210的源极s7以及连接到第二初始化电压线vl2的漏极d7。可替代地，第七晶体管t7可以被省略。
98.如图4中所示，第七晶体管t7可以连接到下一扫描线sln。可替代地，第七晶体管t7可以连接到发射控制线el，以基于发射控制信号en被驱动。可替代地，第七晶体管t7可以连接到前一扫描线slp，以基于前一扫描信号sn-1被驱动。
99.可以根据晶体管的类型(p型或n型)改变第一晶体管t1至第七晶体管t7的源极和漏极的位置。
100.第二存储电容器cbt可以包括第二下部电极ce3和第二上部电极ce4。第二存储电容器cbt的第二上部电极ce4可以连接到第一存储电容器cst的第一下部电极ce1，并且第二存储电容器cbt的第二下部电极ce3可以接收第一扫描信号sn。第二存储电容器cbt可以通过在停止第一扫描信号sn的供应的时间点增加第一晶体管t1的栅极g1的电压来补偿第一晶体管t1的栅极g1处的电压降。可替代地，第二存储电容器cbt可以被省略。
101.尽管图4示出了像素电路pc包括七个晶体管和两个存储电容器的实施例，但是本公开不限于此。像素电路pc可以包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器。在实施例中，例如，像素电路pc可以被以各种方式(诸如包括两个晶体管和一个存储电容器、包括三个晶
体管和一个存储电容器或者包括九个晶体管和两个存储电容器)提供。
102.图5是根据实施例的显示装置1的示意性截面图。具体地，图5是根据实施例的显示装置1中的显示区域da(参照图1)的截面图。
103.图5仅示出了参照图4描述的第一晶体管t1至第七晶体管t7之中的第一晶体管t1和第三晶体管t3。尽管示出了图5的第一晶体管t1和第三晶体管t3以说明像素px(参照图1)包括包含硅半导体的第一半导体图案和包含氧化物半导体的第二半导体图案，但是第一晶体管t1和第三晶体管t3的位置不限于图5中示出的位置。
104.参照图5，显示装置1可以包括基底100、设置在基底100上的发光元件oled以及设置在发光元件oled上的滤光层500。在实施例中，设置在基底100上的发光元件oled可以是有机发光二极管。
105.基底100可以具有包括有机材料的层和包括无机材料的层交替地堆叠的结构。在实施例中，例如，基底100可以包括彼此顺序地堆叠的第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
106.第一基体层101可以包括有机材料。在实施例中，例如，第一基体层101可以包括聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺和聚醚砜中的任何一种。
107.第一阻挡层102可以设置在第一基体层101上。第一阻挡层102可以包括无机材料。在实施例中，例如，第一阻挡层102可以包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或非晶硅等。在实施例中，第一阻挡层102可以包括包含彼此不同的材料的两个层。在这样的实施例中，所述两个层的折射率可以彼此不同。在实施例中，例如，第一阻挡层102可以包括分别包含氮氧化硅和氧化硅的两个层，包含氧化硅的层具有小于包含氮氧化硅的层的折射率的折射率。然而，本公开不限于此。
108.第二基体层103可以设置在第一阻挡层102上。第二基体层103可以包括与第一基体层101的材料相同的材料。然而，本公开不限于此。可替代地，第二基体层103也可以包括与第一基体层101的材料不同的材料。
109.第二阻挡层104可以设置在第二基体层103上。第二阻挡层104可以包括无机材料。在实施例中，例如，第二阻挡层104可以包括氧化硅、氮氧化硅或氮化硅等。
110.显示装置1还可以包括缓冲层111、绝缘层113、115、117、119、121、123和125、像素限定层180、封装层300、输入感测层400和窗600。缓冲层111可以设置在基底100上。缓冲层111可以减少或阻止外来物质、湿气或外部空气从基底100的下部部分渗透。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机材料，并且可以是包括选自上述材料中的至少一种的单层或多层。
111.半导体图案可以设置在缓冲层111上。在下文中，直接设置在缓冲层111上的半导体图案被定义为第一半导体图案。第一半导体图案可以包括硅半导体。第一半导体图案可以包括多晶硅。然而，本公开不限于此。第一半导体图案也可以包括非晶硅。
112.图5仅示出了第一半导体图案的一部分，并且第一半导体图案也可以布置在像素px的另一区域中。第一半导体图案可以包括掺杂区域和非掺杂区域。掺杂区域可以是掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的区域。p型晶体管可以包括通过掺杂有p型掺杂剂获得的掺杂区域。
113.第一晶体管t1可以包括源极s1、有源部(active)a1和漏极d1。第一晶体管t1的源极s1、有源部a1和漏极d1可以形成第一半导体图案的一部分。第一晶体管t1的源极s1和漏极d1可以彼此分开且第一晶体管t1的有源部a1在第一晶体管t1的源极s1和漏极d1之间。
114.连接信号线scl可以进一步设置在缓冲层111上。连接信号线scl可以连接到第六晶体管t6(参照图4)的漏极d6。可替代地，连接信号线scl可以被省略。
115.第一绝缘层113可以设置在缓冲层111上。第一绝缘层113可以覆盖第一半导体图案。在实施例中，第一绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机材料，并且可以是包括选自上述材料中的至少一种的单层或多层。
116.第一晶体管t1的栅极g1可以设置在第一绝缘层113上。栅极g1可以被金属图案的一部分限定。第一晶体管t1的栅极g1可以与第一晶体管t1的栅极g1下方的第一半导体图案至少部分地重叠。在实施例中，例如，栅极g1可以与栅极g1下方的有源部a1重叠。栅极g1可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的低电阻导电材料，并且可以是包括选自上述材料中的至少一种的单层或多层。
117.第二绝缘层115可以设置在第一绝缘层113上。第二绝缘层115可以覆盖设置在第一绝缘层113上的第一晶体管t1的栅极g1。第二绝缘层115可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机材料，并且可以是包括选自上述材料中的至少一种的单层或多层。
118.上部电极ue可以设置在第二绝缘层115上。上部电极ue可以与上部电极ue下方的第一晶体管t1的栅极g1至少部分地重叠。上部电极ue可以是金属图案的一部分或掺杂半导体图案的一部分。栅极g1的一部分和与栅极g1的所述部分重叠的上部电极ue可以形成第一存储电容器cst(参照图4)。可替代地，上部电极ue可以被省略。
119.尽管在图5中未单独地示出，但是第一存储电容器cst的第一下部电极ce1(参照图4)和第一上部电极ce2(参照图4)可以分别通过与形成栅极g1和上部电极ue的操作相同的操作形成。第一下部电极ce1可以设置在第一绝缘层113上，并且第一下部电极ce1可以电连接到栅极g1。在实施例中，例如，第一下部电极ce1可以具有与栅极g1一体的形状。
120.第三绝缘层117可以设置在第二绝缘层115上。第三绝缘层117可以覆盖设置在第二绝缘层115上的上部电极ue。第三绝缘层117可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机材料，并且可以是包括选自上述材料中的至少一种的单层或多层。在实施例中，第三绝缘层117可以包括彼此交替地堆叠的多个氧化硅层和氮化硅层。
121.尽管在图5中未单独地示出，但是第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7(参照图4)的源极s2、s5、s6和s7(参照图4)、漏极d2、d5、d6和d7(参照图4)以及栅极g2、g5、g6和g7(参照图4)可以分别通过与形成第一晶体管t1的源极s1、漏极d1和栅极g1的操作相同的操作形成。
122.半导体图案可以设置在第三绝缘层117上。在下文中，直接设置在第三绝缘层117上的半导体图案被定义为第二半导体图案。第二半导体图案可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括结晶氧化物半导体或非晶氧化物半导体。
123.在实施例中，例如，氧化物半导体可以包括选自铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)中的至少一种材料。可替代地，氧化物半导体可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化锌(zno)、氧化铟锌(izo)、氧化锌铟(zio)、氧化铟(ino)、氧化钛(tio)、氧化铟锌锡(izto)或氧化锌锡(zto)等。
124.第三晶体管t3可以包括源极s3、有源部a3和漏极d3。第三晶体管t3的源极s3、有源部a3和漏极d3可以形成第二半导体图案的一部分。第三晶体管t3的源极s3和漏极d3可以包括从金属氧化物半导体还原的金属。第三晶体管t3的源极s3和漏极d3可以各自包括从第二半导体图案的上表面具有一定厚度并且包含还原金属的金属层。
125.第四绝缘层119可以设置在第三绝缘层117上。第四绝缘层119可以覆盖设置在第三绝缘层117上的第二半导体图案。在实施例中，第四绝缘层119可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机材料，并且可以是包括选自上述材料中的至少一种的单层或多层。
126.在实施例中，第四绝缘层119可以被图案化以对应于第三晶体管t3的在第四绝缘层119上的栅极g3。在实施例中，在平面图中，栅极g3和第四绝缘层119可以具有彼此相同的形状。
127.第三晶体管t3的栅极g3可以设置在第四绝缘层119上。栅极g3可以是金属图案的一部分。第三晶体管t3的栅极g3可以与第三晶体管t3的栅极g3下方的第二半导体图案至少部分地重叠。在实施例中，例如，栅极g3可以与栅极g3下方的有源部a3重叠。栅极g3可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的低电阻导电材料，并且可以是包括选自上述材料中的至少一种的单层或多层。
128.第五绝缘层121可以设置在第四绝缘层119上。第五绝缘层121可以覆盖设置在第四绝缘层119上的栅极g3。在实施例中，第五绝缘层121可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机材料，并且可以是包括选自上述材料中的至少一种的单层或多层。在实施例中，第五绝缘层121可以包括彼此交替地堆叠的多个氧化硅层和氮化硅层。
129.尽管在图5中未单独地示出，但是第四晶体管t4(参照图4)的源极s4(参照图4)、漏极d4(参照图4)和栅极g4(参照图4)可以分别通过与形成第三晶体管t3的源极s3、漏极d3和栅极g3的操作相同的操作形成。
130.在实施例中，如上所述，第三晶体管t3和第四晶体管t4的半导体图案设置在第三绝缘层117上，但是本公开不限于此。在实施例中，例如，第三晶体管t3和第四晶体管t4的半导体图案可以设置在缓冲层111上，并且第三晶体管t3和第四晶体管t4的半导体图案也可以包括硅半导体。
131.至少一个有机绝缘层可以设置在第五绝缘层121上。在实施例中，第一有机绝缘层123和第二有机绝缘层125可以设置在第五绝缘层121上。第一有机绝缘层123和第二有机绝缘层125中的每一者可以包括选自聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯树脂、环氧树脂、聚氨基甲酸酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰胺树脂和苝树脂中的至少一种。
132.在实施例中，第一有机绝缘层123和第二有机绝缘层125可以包括彼此不同的材料。在实施例中，例如，第一有机绝缘层123可以包括硅氧烷树脂，并且第二有机绝缘层125可以包括聚酰亚胺树脂。可替代地，第一有机绝缘层123可以包括聚酰亚胺树脂，并且第二有机绝缘层125可以包括硅氧烷树脂。然而，本公开不限于此。在可替代实施例中，例如，第一有机绝缘层123和第二有机绝缘层125可以包括彼此相同的材料。
133.第一连接电极cne1可以设置在第五绝缘层121上。第一连接电极cne1可以通过限定在第一绝缘层113至第五绝缘层121中的接触孔cnt连接到连接信号线scl。
134.第二连接电极cne2可以设置在第一有机绝缘层123上。第二连接电极cne2可以通
过限定在第一有机绝缘层123中的第一通孔via1连接到第一连接电极cne1。
135.发光元件oled可以设置在第二有机绝缘层125上。在实施例中，发光元件oled可以是有机发光二极管。发光元件oled可以包括彼此顺序地堆叠的第一电极210、中间层220和第二电极230。第一电极210可以设置在第二有机绝缘层125上。在实施例中，像素限定层180可以设置在第二有机绝缘层125上。
136.第一电极210可以设置在第二有机绝缘层125上。第一电极210可以通过限定在第二有机绝缘层125中的第二通孔via2电连接到第二连接电极cne2。第一电极210可以包括诸如氧化铟锌(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)的导电材料。在实施例中，第一电极210可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或它们的化合物的反射膜。在实施例中，第一电极210还可以包括在上面陈述的反射膜上方/下方的包含ito、izo、zno或in2o3的膜。在实施例中，例如，第一电极210可以具有ito/ag/ito的多层结构。
137.其中限定有第一开口180op以暴露第一电极210的至少一部分的像素限定层180可以设置在第一电极210上。像素限定层180的第一开口180op可以限定其中由发光元件oled发射光的发射区域ea。在实施例中，例如，第一开口180op的宽度可以对应于发射区域ea的宽度。发射区域ea的外围是非发射区域nea，并且非发射区域nea可以围绕发射区域ea。
138.像素限定层180可以包括有机绝缘材料。可替代地，像素限定层180可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料。可替代地，像素限定层180可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在实施例中，像素限定层180可以包括光阻挡材料，并且可以被提供为黑色。光阻挡材料可以包括炭黑、碳纳米管、包含黑色染料的树脂或浆料、诸如镍、铝、钼和它们的合金的金属颗粒、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬颗粒)或金属氮化物颗粒(例如，氮化铬颗粒)等。在像素限定层180包括光阻挡材料的实施例中，可以减少由像素限定层180下方的金属结构对外部光的反射。
139.尽管在图5中未示出，但是可以在像素限定层180上设置间隔件。间隔件可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可替代地，间隔件可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
140.在实施例中，间隔件可以包括与像素限定层180的材料相同的材料。在这样的实施例中，像素限定层180和间隔件可以在使用半色调掩模等的掩模操作中一起形成。然而，本公开不限于此。在可替代实施例中，例如，间隔件和像素限定层180可以包括彼此不同的材料。
141.中间层220可以设置在第一电极210上。中间层220可以包括彼此顺序地堆叠的第一功能层220a、发射层220b和第二功能层220c。第一功能层220a和第二功能层220c可以被统称为有机功能层220e。
142.发射层220b可以布置在像素限定层180的第一开口180op中。发射层220b可以包括发射特定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。
143.有机功能层220e可以包括选自在第一电极210与发射层220b之间的第一功能层220a和在发射层220b与第二电极230之间的第二功能层220c中的至少一者。在实施例中，例如，第一功能层220a可以在第一电极210与发射层220b之间，并且发射层220b与第二电极230之间的第二功能层220c可以被省略。在实施例中，第一电极210与发射层220b之间的第
一功能层220a可以被省略，并且第二功能层220c可以在发射层220b与第二电极230之间。在实施例中，第一功能层220a可以在第一电极210与发射层220b之间，并且第二功能层220c可以在发射层220b与第二电极230之间。在下文中，将主要详细描述分别布置第一功能层220a和第二功能层220c的实施例。
144.第一功能层220a可以包括空穴传输层(htl)，或者htl和空穴注入层(hil)。第二功能层220c可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。第一功能层220a和/或第二功能层220c可以是形成为完全地覆盖基底100的公共层。
145.第二电极230可以包括具有低功函数的导电材料。在实施例中，例如，第二电极230可以包括包含ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、锂(li)、钙(ca)或它们的合金等的(半)透明层。可替代地，第二电极230还可以包括在包含上面陈述的材料的(半)透明层上方的诸如ito、izo、zno或in2o3的层。
146.尽管在图5中未示出，但是可以在第二电极230上进一步设置覆盖层。覆盖层可以包括氟化锂(lif)、无机材料或/和有机材料。
147.封装层300可以设置在发光元件oled上。封装层300可以包括薄膜封装层或封装基底。在下文中，将主要详细描述封装层300包括薄膜封装层的实施例。
148.在实施例中，封装层300可以包括至少一个无机膜层和至少一个有机膜层。在实施例中，例如，封装层300可以包括顺序地堆叠的第一无机膜层310、有机膜层320和第二无机膜层330。
149.第一无机膜层310可以直接设置在第二电极230上。第一无机膜层310可以防止或最小化外部湿气或氧渗透到发光元件oled中。
150.有机膜层320可以直接设置在第一无机膜层310上。有机膜层320可以在第一无机膜层310上提供平坦的表面。形成在第一无机膜层310的上表面上的弯曲部(curves)或颗粒被有机膜层320覆盖，使得可以阻止第一无机膜层310的上表面的表面状态对设置在有机膜层320上的组件的影响。
151.第二无机膜层330可以直接设置在有机膜层320上。第二无机膜层330可以防止或最小化从有机膜层320排放的湿气等被排放到外部。
152.第一无机膜层310和第二无机膜层330可以各自包括一种或多种无机材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。第一无机膜层310和第二无机膜层330可以各自是包括选自上述材料中的至少一种的单层或多层。有机膜层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。
153.输入感测层400可以设置在封装层300上。输入感测层400可以包括第一感测绝缘层410、第一导电图案420、第二感测绝缘层430、第二导电图案440和第三感测绝缘层450。
154.第一感测绝缘层410可以设置在封装层300上。此外，第一导电图案420可以设置在第一感测绝缘层410上，并且可以被第二感测绝缘层430覆盖。此外，第二导电图案440可以设置在第二感测绝缘层430上，并且可以被第三感测绝缘层450覆盖。第一感测绝缘层410、第二感测绝缘层430和第三感测绝缘层450中的每一者可以包括选自无机材料和有机材料中的至少一种。
155.第一导电图案420和第二导电图案440中的每一者可以具有导电性。第一导电图案
420和第二导电图案440中的每一者可以被提供为单个层或多个层。此外，在平面图中，第一导电图案420和第二导电图案440中的至少一者可以被提供为网状线。
156.在平面图中，构成第一导电图案420和第二导电图案440的网状线可以不与发射层220b重叠。因此，在输入感测层400直接形成在发光元件oled上的实施例中，由发光元件oled的发射层220b发射的光可以被提供给用户而没有来自输入感测层400的干扰。
157.在光阻挡层510直接形成在第二导电图案440上的实施例中，第二导电图案440的至少一部分可能在图案化光阻挡层510的操作期间被损坏。因此，可以通过将第三感测绝缘层450布置在第二导电图案440与光阻挡层510之间来防止或最小化对第二导电图案440的损坏。
158.滤光层500可以设置在输入感测层400上。滤光层500可以包括光阻挡层510、滤色器层520和包覆层530。在实施例中，滤色器层520可以设置在输入感测层400上。滤色器层520可以与滤色器层520下方的中间层220的发射层220b至少部分地重叠。滤色器层520可以选择性地透射与由发射层220b提供的光对应的光。在实施例中，例如，当发射层220b提供蓝光时，滤色器层520可以是透射蓝光的蓝色滤色器。可替代地，当发射层220b提供绿光时，滤色器层520可以是透射绿光的绿色滤色器。可替代地，当发射层220b提供红光时，滤色器层520可以是透射红光的红色滤色器。
159.滤色器层520可以包括聚合物光敏树脂和颜料或染料。在实施例中，例如，与用于提供蓝光的发射层220b重叠的滤色器层520可以包括蓝色颜料或染料，与用于提供绿光的发射层220b重叠的滤色器层520可以包括绿色颜料或染料，并且与用于提供红光的发射层220b重叠的滤色器层520可以包括红色颜料或染料。
160.然而，本公开不限于此。在可替代实施例中，与用于提供蓝光的发射层220b重叠的滤色器层520可以不包括颜料或染料。在这样的实施例中，滤色器层520可以是透明的，并且滤色器层520可以包括透明的光敏树脂。
161.光阻挡层510可以在提供不同颜色的光的滤色器层520之间。光阻挡层510是具有黑色的图案，并且可以是网格形状的矩阵。光阻挡层510可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料和黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或金属的氧化物。在实施例中，光阻挡层510可以包括与像素限定层180的材料相同的材料。
162.在实施例中，光阻挡层510可以限定与发光元件oled的发射区域ea重叠的第二开口510op。光阻挡层510的第二开口510op的宽度可以等于或大于发光元件oled的发射区域ea和/或像素限定层180的第一开口180op的宽度。然而，本公开不限于此。在实施例中，滤色器层520的至少一部分可以布置(或定位)在限定在光阻挡层510中的第二开口510op中。
163.包覆层530可以设置在光阻挡层510和滤色器层520上。包覆层530是不具有可见光带中的颜色的透明层，并且可以提供平坦的上表面，同时覆盖在形成光阻挡层510和滤色器层520的操作中产生的不规则体。在实施例中，例如，包覆层530可以包括诸如丙烯酸树脂的透明有机材料。
164.在实施例中，窗600可以设置在滤光层500上。这将在下面参照图6更详细地描述。
165.图6是根据实施例的显示装置1(参照图5)中的窗600的示意性截面图。
166.参照图6，窗600可以包括彼此顺序地堆叠的窗基底610、第一层620、第二层630、第三层640和防指纹层650。在实施例中，第一层620、第二层630和第三层640可以分别对应于
低折射率层、高折射率层和低折射率层。在低折射率层、高折射率层和低折射率层顺序地布置在窗基底610上的这样的实施例中，反射外部光线彼此相消地干涉，并且因此，可以降低窗600的反射率。在这样的实施例中，可以降低包括窗600的显示装置1的反射率，并且因此，可以改善显示装置1的可视性。这将在下面更详细地描述。
167.在实施例中，窗基底610可以包括玻璃或聚合物树脂。在窗基底610包括聚合物树脂的实施例中，窗基底610可以包括选自聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素、醋酸丙酸纤维素、聚芳醚砜、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷和聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种材料。
168.在实施例中，窗基底610的折射率n1可以是大约1.51。更具体地，窗基底610的相对于具有550纳米(nm)的波长的光的折射率n1可以是大约1.51。
169.第一层620可以设置在窗基底610上。第一层620可以对应于低折射率层。在实施例中，例如，第一层620的折射率n2可以在大约1.2至大约1.4的范围内。更具体地，第一层620的相对于具有550nm的波长的光的折射率n2可以在大约1.2至大约1.4的范围内。如果第一层620的折射率n2小于1.2，则第一层620的折射率n2类似于空气的折射率，并且因此，反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线可能减少。在实施例中，作为低折射率层的第一层620的折射率n2小于作为高折射率层的第二层630的折射率n3，并且第一层620的折射率n2与第二层630的折射率n3之间的差异是相当大的，即大于预定值，使得可以降低窗600的反射率。如果第一层620的折射率n2大于1.4，则因为在第一层620的折射率n2与第二层630的折射率n3之间没有显著差异，所以反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线可能减少，并且因此，窗600的反射率可能不降低。因此，在第一层620的折射率n2被提供在大约1.2至大约1.4的范围内的实施例中，因为第一层620的折射率n2和第二层630的折射率n3具有显著差异，所以反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线可以增加，并且因此，可以降低窗600的反射率。因此，可以降低包括窗600的显示装置1的反射率，并且因此，可以改善显示装置1的可视性。
170.在实施例中，第一层620可以具有在大约50nm至大约150nm的范围内的厚度t1。如果第一层620的厚度t1小于50nm，则窗基底610与第一层620之间的接合强度以及第一层620与第二层630之间的接合强度低，并且因此，第一层620可能从窗基底610和/或第二层630剥离。如果第一层620的厚度t1大于150nm，则因为第一层620的厚度t1太厚，所以反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线可能减少，并且因此，窗600的反射率可能增加。因此，在实施例中，第一层620的厚度t1被提供在大约50nm至大约150nm的范围内，使得可以防止第一层620从窗基底610和/或第二层630剥离，并且由于反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线的增加，可以降低窗600的反射率。因此，可以降低包括窗600的显示装置1的反射率，并且因此，可以改善显示装置1的可视性。
171.在实施例中，第一层620可以包括选自石英(silica)、熔融石英、氟掺杂熔融石英、氟化镁(mgf2)、氟化钙(caf2)、氟化铝(alf3)和氟化镱(ybf3)中的至少一种。在实施例中，例如，第一层620可以包括氟化镁(mgf2)。在实施例中，第一层620中的氟化镁(mgf2)可以在大约200℃至大约300℃下具有结晶结构。更具体地，第一层620中的氟化镁(mgf2)可以在大约250℃下具有结晶结构。
172.第二层630可以设置在第一层620上。第二层630可以对应于高折射率层。在实施例中，例如，第二层630的折射率n3可以大于第一层620的折射率n2和第三层640的折射率n4。在实施例中，例如，第二层630的折射率n3可以是大约1.6至大约2.0。更具体地，第二层630的相对于具有550nm的波长的光的折射率n3可以是大约1.6至大约2.0。如果第二层630的折射率n3小于1.6，则第二层630的折射率n3与第一层620的折射率n2之间以及第二层630的折射率n3与第三层640的折射率n4之间没有显著差异，反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线可能减少，并且因此，窗600的反射率可能不降低。因此，在第二层630的折射率n3被提供在大约1.6至大约2.0的范围内的实施例中，在第二层630的折射率n3与第一层620的折射率n2之间以及第二层630的折射率n3与第三层640的折射率n4之间存在显著差异，反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线可以增加，并且因此，可以降低窗600的反射率。因此，可以降低包括窗600的显示装置1的反射率，并且因此，可以改善显示装置1的可视性。
173.在实施例中，第二层630可以具有在大约5nm至大约15nm的范围内的厚度t2。如果第二层630的厚度t2小于5nm，则第一层620与第二层630之间的接合强度以及第二层630与第三层640之间的接合强度低，并且因此，第二层630可能从第一层620和/或第三层640剥离。如果第二层630的厚度t2大于15nm，则因为第二层630的厚度t2太厚，则反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线可能减少，并且因此，窗600的反射率可能增加。因此，在第二层630的厚度t2被提供在大约5nm至大约15nm的范围内的实施例中，可以防止第二层630从第一层620和/或第三层640剥离，并且由于反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线的增加，可以降低窗600的反射率。因此，可以降低包括窗600的显示装置1的反射率，并且因此，可以改善显示装置1的可视性。
174.在实施例中，第二层630可以包括选自氧化锆(zro2)、氧化铪(hfo2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铌(nb2o5)、氧化钛(tio2)、氧化钇(y2o3)、氮化硅(si3n4)、钛酸锶(srtio3)、氧化钨(wo3)和氧化铬(cr2o3)中的至少一种(例如，氧化锆(zro2)、氧化铪(hfo2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铌(nb2o5)、氧化钛(tio2)、氧化钇(y2o3)、氮化硅(si3n4)、钛酸锶(srtio3)、氧化钨(wo3)和氧化铬(cr2o3)中的一种)。例如，第二层630可以包括氧化铬(cr2o3)。在第二层630包括氧化铬(cr2o3)的实施例中，第二层630中的铬可以是三价铬(cr
3+
)。在实施例中，第二层630可以包括选自上述材料中的至少一种和硅(si)。在实施例中，例如，第二层630可以包括氧化铬(cr2o3)和硅(si)，并且氧化铬(cr2o3)和硅(si)可以形成共价键。在实施例中，第二层630可以包括共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)。
175.第三层640可以设置在第二层630上。第三层640可以对应于低折射率层。在实施例中，例如，第三层640的折射率n4可以小于第二层630的折射率n3。在实施例中，例如，第三层640的折射率可以在大约1.4至大约1.6的范围内。具体地，第三层640的相对于具有550nm的波长的光的折射率n4可以在大约1.4至大约1.6的范围内。如果第三层640的折射率n4小于1.4，则因为第三层640的折射率n4小于防指纹层650的折射率n5，所以反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线可能减少，并且因此，窗600的反射率可能不降低。如果第三层640的折射率n4大于1.6，则因为第三层640的折射率n4大于作为高折射率层的第二层630的折射率n3，所以反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线可能减少，并且因此，窗600的反射率可能不降低。因此，在第三层640的折射率n4被提供在大约1.4至大约
1.6的范围内的实施例中，因为作为低折射率层的第三层640的折射率n4小于作为高折射率层的第二层630的折射率n3，所以反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线可以增加，并且因此，可以降低窗600的反射率。因此，可以降低包括窗600的显示装置1的反射率，并且因此，可以改善显示装置1的可视性。
176.在实施例中，第三层640可以具有在大约5nm至大约15nm的范围内的厚度t3。如果第三层640的厚度t3小于5nm，则第三层640与第二层630之间的接合强度以及第三层640与防指纹层650之间的接合强度低，并且因此，第三层640可能从第二层630和/或防指纹层650剥离。如果第三层640的厚度t3大于15nm，则因为第三层640的厚度t3太厚，所以反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线可能减少，并且因此，窗600的反射率可能增加。因此，在第三层640的厚度t3被提供在大约5nm至大约15nm的范围内的实施例中，可以防止第三层640从第二层630和/或防指纹层650剥离，并且由于反射外部光线之中的彼此相消地干涉的反射外部光线的增加，可以降低窗600的反射率。因此，可以降低包括窗600的显示装置1的反射率，并且因此，可以改善显示装置1的可视性。
177.在实施例中，第三层640可以包括氧化硅(例如，二氧化硅)(sio2)。然而，本公开不限于此。
178.通常，因为氟化镁(mgf2)与其它材料具有弱的接合强度，所以当防指纹层650直接设置在包括氟化镁(mgf2)的第一层620上时，第一层620与防指纹层650之间的接合强度弱，防指纹层650可能容易从第一层620剥离，并且因此，窗600的耐磨性可能降低。
179.在实施例中，包括氧化硅(sio2)的第三层640布置在第一层620与防指纹层650之间，使得第一层620与防指纹层650之间的接合强度可以增加，并且因此，可以改善窗600的耐磨性。在实施例中，包括氧化硅(sio2)的第三层640可以布置在第一层620与防指纹层650之间，并且包括共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)的第二层630可以布置在第一层620与第三层640之间。在这样的实施例中，由于第二层630布置在第一层620与第三层640之间，因此第一层620与第三层640之间的接合强度可以增加，并且因此，可以改善窗600的耐磨性。也就是说，通过将第二层630和第三层640布置在第一层620与防指纹层650之间，可以增加各个层之间的接合强度，并且因此，可以改善窗600的耐磨性。
180.防指纹层650可以设置在第三层640上。在实施例中，防指纹层650的折射率n5可以小于第三层640的折射率n4。在实施例中，例如，防指纹层650的折射率n5可以是大约1.32。更具体地，防指纹层650的相对于具有550nm的波长的光的折射率n5可以是大约1.32。
181.在实施例中，防指纹层650可以具有在大约5nm至大约30nm的范围内的厚度t4。如果防指纹层650的厚度t4小于5nm，则防指纹层650与第三层640之间的接合强度低，并且因此，防指纹层650可能从第三层640剥离。如果防指纹层650的厚度t4大于30nm，则因为防指纹层650的厚度t4太厚，所以作为窗600的最上层的防指纹层650可能被剥离，并且因此，包括防指纹层650的窗600的耐磨性可能降低。因此，在防指纹层650的厚度t4被提供在大约5nm至大约30nm的范围内的实施例中，可以防止防指纹层650被从第三层640剥离，并且可以防止或最小化防指纹层650的耐磨性的劣化。
182.在实施例中，防指纹层650可以包括全氟聚醚(pfpe)。防指纹层650的端部可以接合到第三层640。因此，防指纹层650与第三层640之间的接合强度可以增加。
183.在实施例中，如上所述，具有折射率差异的层(诸如低折射率层/高折射率层/低折
射率层)顺序地堆叠，使得由于各个层的折射率的差异，可以在从各个层反射的光线中产生相位差，并且因此，各个层的反射光线的振幅重叠并且反射光线的量可以减少。在实施例中，例如，来自各个层的反射光线的相位可以改变λ/4，并且因此，反射光线的振幅可以重叠，并且总体的反射率可以降低。
184.在实施例中，窗600可以包括彼此顺序地堆叠的窗基底610、第一层620、第二层630、第三层640和防指纹层650。在这样实施例中，第一层620可以对应于低折射率层，第二层630可以对应于高折射率层，并且第三层640可以对应于低折射率层。由于第一层620、第二层630和第三层640之间的折射率的差异，从每一层反射的光的相位可以变化，并且因此，反射光线的振幅相互抵消，从而减少反射光线的量。也就是说，可以降低反射率。
185.[表1]
[0186][0187]
表1是示出根据实施例、比较示例1和比较示例2的窗的反射特性的评估结果的表。在表1中，实施例对应于如下情况：窗600包括彼此顺序地堆叠的窗基底610、第一层620、第二层630、第三层640和防指纹层650，并且窗基底610、第一层620、第二层630、第三层640和防指纹层650分别包括玻璃、氟化镁(mgf2)、共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)、氧化硅(sio2)和pfpe。比较示例1是窗包括彼此顺序地堆叠的窗基底610、第三层640和防指纹层650，并且窗基底610、第三层640和防指纹层650分别包括玻璃、氧化硅(sio2)和pfpe的情况。比较示例2对应于如下情况：窗包括彼此顺序地堆叠的窗基底610、第一层620、第三层640和防指纹层650，并且窗基底610、第一层620、第三层640和防指纹层650分别包括玻璃、氟化镁(mgf2)、氧化硅(sio2)和pfpe。也就是说，与实施例相比，比较示例1与不包括包含氟化镁(mgf2)的第一层620和包含共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)的第二层630的结构对应，并且与实施例相比，比较示例2与不包括包含共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)的第二层630的结构对应。
[0188]
此外，在表1中，反射率表示在包含镜面反射组分(sci)模式下测量的反射率，并且a*和b*分别表示在排除镜面反射组分(sce)模式下测量的光的l*a*b*色系中的a*和b*。反射率为6.3％或更低，a*具有在-2《a*《2内的值，并且b*具有在-1.5《a*《0.5内的值的情况对应于满足期望(或预设)条件的情况。此外，当值在上面提到的范围外时，其对应于不满足期望条件的情况。
[0189]
参照表1，可以确认，与比较示例1和比较示例2的反射率相比，实施例的反射率是最低的。
[0190]
首先，在实施例的情况下，可以确认，反射率满足6.3％或更低，a*具有在-2《a*《2内的值，并且b*具有在-1.5《b*《0.5内的值。因此，实施例满足期望条件。
[0191]
然而，在比较示例1的情况下，因为反射率超过6.3％，所以比较示例1不满足期望条件。此外，在比较示例2的情况下，虽然反射率和a*满足所需条件，但是b*对应于-2.25，并且因此，比较示例2也不满足期望条件。
[0192]
因此，窗600包括彼此顺序地堆叠的窗基底610、第一层620、第二层630、第三层640和防指纹层650，其中窗基底610、第一层620、第二层630、第三层640和防指纹层650分别包括玻璃、氟化镁(mgf2)、共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)、氧化硅(sio2)和pfpe的实施例可以具有反射率并且可以具有期望条件的a*值和b*值。
[0193]
图7是示出实施例的耐磨性评估结果的曲线图。在图7中，经由通过使用橡皮擦向具有上面在表1中描述的结构的实施例的窗600(参照图6)的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动来执行耐磨性评估。然后，通过在窗600的表面上滴水来评估窗600的表面的相对于水的接触角(以下简称为“相对于水的接触角”)。在当往复移动的次数为6000次或更多次时相对于水的接触角是95
°
或更大时，其对应于满足期望的耐磨性条件的情况。当相对于水的接触角小于95
°
时，其对应于不满足期望的耐磨性条件的情况。
[0194]
参照图7，可以确认，当在实施例中未执行往复移动时(即，开始时)、当执行往复移动5000(即，5k)次时以及当执行往复移动10000(即，10k)次时，相对于水的接触角分别是116.3
°
、113.7
°
和101.4
°
。因此，在实施例的情况下，因为当通过使用橡皮擦执行往复移动6000次或更多次时，相对于水的接触角满足95
°
或更大，所以实施例满足期望的耐磨性条件。
[0195]
图8是示出实施例的耐磨性评估结果的曲线图。在图8中，经由通过使用钢丝绒(steel wool)向具有上面在表1中描述的结构的实施例的窗600的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动来执行耐磨性评估。然后，通过在窗600的表面上滴水来评估相对于水的接触角。在当往复移动的次数为6000次或更多次时相对于水的接触角是95
°
或更大时，其对应于满足期望的耐磨性条件的情况。当相对于水的接触角小于95
°
时，其对应于不满足期望的耐磨性条件的情况。
[0196]
参照图8，可以确认，当在实施例中未执行往复移动时、当执行往复移动5000次时以及当执行往复移动10000次时，相对于水的接触角分别是116.3
°
、100.2
°
和98.6
°
。因此，在实施例的情况下，因为当通过使用钢丝绒执行往复移动6000次或更多次时，相对于水的接触角满足95
°
或更大，所以实施例满足期望的耐磨性条件。
[0197]
图9是示出比较示例1的耐磨性评估结果的曲线图。在图9中，经由通过使用橡皮擦向具有上面在表1中描述的结构的比较示例1的窗的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动来执行耐磨性评估。然后，通过在窗的表面上滴水来评估相对于水的接触角。在当往复移动的次数为6000次或更多次时相对于水的接触角是95
°
或更大时，其对应于满足期望的耐磨性条件的情况。当相对于水的接触角小于95
°
时，其对应于不满足期望的耐磨性条件的情况。
[0198]
参照图9，可以确认，当在比较示例1中未执行往复移动时、当执行往复移动5000次时以及当执行往复移动10000次时，相对于水的接触角分别是116.8
°
、90
°
和70
°
。因此，在比较示例1的情况下，因为当通过使用橡皮擦执行往复移动6000次或更多次时，相对于水的接触角小于95
°
，所以比较示例1不满足期望的耐磨性条件。
[0199]
图10是示出比较示例1的耐磨性评估结果的曲线图。在图10中，经由通过使用钢丝绒向具有上面在表1中描述的结构的比较示例1的窗的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动来执行耐磨性评估。然后，通过在窗的表面上滴水来评估相对于水的接触角。在当往复移动的次数为6000次或更多次时相对于水的接触角是95
°
或更大时，其对应于满足期望的耐磨性条件的情况。当相对于水的接触角小于95
°
时，其对应于不满足期望的耐磨性条件的情况。
[0200]
参照图10，可以确认，当在比较示例1中未执行往复移动时、当执行往复移动5000次时以及当执行往复移动10000次时，相对于水的接触角分别是116.8
°
、80
°
和60
°
。因此，在比较示例1的情况下，因为当通过使用钢丝绒执行往复移动6000次或更多次时，相对于水的接触角小于95
°
，所以比较示例1不满足期望的耐磨性条件。
[0201]
图11是示出比较示例2的耐磨性评估结果的曲线图。在图11中，经由通过使用橡皮擦向具有上面在表1中描述的结构的比较示例2的窗的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动来执行耐磨性评估。然后，通过在窗的表面上滴水来评估相对于水的接触角。当往复移动的次数为6000次或更多次时相对于水的接触角是95
°
或更大时，其对应于满足期望的耐磨性条件的情况。当相对于水的接触角小于95
°
时，其对应于不满足期望的耐磨性条件的情况。
[0202]
参照图11，可以确认，当在比较示例2中未执行往复移动时、当执行往复移动5000次时以及当执行往复移动10000次时，相对于水的接触角分别是116.8
°
、89.4
°
和65
°
。因此，在比较示例2的情况下，因为当通过使用橡皮擦执行往复移动6000次或更多次时，相对于水的接触角小于95
°
，所以比较示例2不满足期望的耐磨性条件。
[0203]
图12是示出比较示例2的耐磨性评估结果的曲线图。在图12中，经由通过使用钢丝绒向具有上面在表1中描述的结构的比较示例2的窗的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动来执行耐磨性评估。然后，通过在窗的表面上滴水来评估相对于水的接触角。在当往复移动的次数为6000次或更多次时相对于水的接触角是95
°
或更大时，其对应于满足期望的耐磨性条件的情况。当相对于水的接触角小于95
°
时，其对应于不满足期望的耐磨性条件的情况。
[0204]
参照图12，可以确认，当在比较示例2中未执行往复移动时、当执行往复移动5000次时以及当执行往复移动10000次时，相对于水的接触角分别是116.8
°
、75
°
和50
°
。因此，在比较示例2的情况下，因为当通过使用钢丝绒执行往复移动6000次或更多次时，相对于水的接触角小于95
°
，所以比较示例2不满足期望的耐磨性条件。
[0205]
参照图7至图12，作为耐磨性评估的结果，可以确认，包括比较示例1和比较示例2的结构的窗不具有期望条件的耐磨性，但是具有实施例的结构的窗600具有期望条件的耐磨性。与实施例相比，比较示例1对应于不包括包含氟化镁(mgf2)的第一层620和包含共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)的第二层630的结构，并且与实施例相比，比较示例2对应于不包括包含共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)的第二层630的结构。因此，可以确认，在包
含共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)的第二层630布置在包含氟化镁(mgf2)的第一层620与包含氧化硅(sio2)的第三层640之间的情况下，窗600的耐磨性被改善。
[0206]
图13是示出实施例的窗和窗基底的根据波长的反射率测量结果的曲线图。具体地，图13包括示出具有上面在表1中描述的实施例的结构的窗600(参照图6)的在可见光线波长区域中(即，对于可见光)的反射率测量结果的曲线13a和示出窗基底610(参照图6)的在可见光线波长区域中的反射率测量结果的曲线13b。
[0207]
参照图5、图6和图13，可以确认，实施例的窗600的在可见光线波长区域中的反射率低于窗基底610的在可见光线波长区域中的反射率。因此，在窗600包括包含氟化镁(mgf2)的第一层620、包含共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)的第二层630、包含氧化硅(sio2)的第三层640和包含pfpe的防指纹层650顺序地堆叠在窗基底610上的结构的实施例中，窗600的在可见光线区域中的反射率可以降低。
[0208]
与包括偏光板的光学功能层设置在发光元件oled上的情况相比，在包括滤色器层520的滤光层500设置在发光元件oled上的实施例中，可以改善显示装置1的光发射效率。然而，与包括偏光板的光学功能层设置在发光元件oled上的情况相比，在包括滤色器层520的滤光层500设置在发光元件oled上的情况下，外部光的反射率可能增加，并且因此，由于反射的外部光，用户的可视性可能劣化并且显示质量可能劣化。
[0209]
在实施例中，包括滤色器层520的滤光层500设置在发光元件oled上，使得显示装置1的效率可以被改善。在这样的实施例中，窗600具有这样的结构：其中，包含氟化镁(mgf2)的第一层620、包含共价键合到硅(si)的氧化铬(cr2o3)的第二层630、包含氧化硅(sio2)的第三层640和包含pfpe的防指纹层650顺序地堆叠，使得反射外部光线彼此相消地干涉，并且因此，可以降低窗600的反射率。同时，可以降低包括窗600的显示装置1的反射率，并且因此，可以改善显示装置1的可视性。
[0210]
根据上述本公开的实施例，可以防止或最小化由于外部光的反射而导致的显示装置的可视性的劣化。在这样的实施例中，通过改善多个层之间的接合强度，可以改善包括所述多个层的窗的耐磨特性。
[0211]
本发明不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的构思。
[0212]
虽然已经参照本发明的实施例具体地示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由所附权利要求限定的本发明的精神或范围的情况下，可以在其中作出形式和细节上的各种改变。

技术特征：
1.一种窗，其中，所述窗包括：窗基底；第一层，设置在所述窗基底上，其中，所述第一层具有在1.2至1.4的范围内的折射率；第二层，设置在所述第一层上，其中，所述第二层包括氧化铬；第三层，设置在所述第二层上，其中，所述第三层具有在1.4至1.6的范围内的折射率；以及防指纹层，设置在所述第三层上，其中，所述防指纹层包括全氟聚醚。2.根据权利要求1所述的窗，其中，所述第二层具有大于所述第一层的所述折射率和所述第三层的所述折射率的折射率。3.根据权利要求2所述的窗，其中，所述第二层具有在1.6至2.0的范围内的所述折射率。4.根据权利要求1所述的窗，其中所述第一层具有在50nm至150nm的范围内的厚度，所述第二层具有在5nm至15nm的范围内的厚度，并且所述第三层具有在5nm至15nm的范围内的厚度。5.根据权利要求1所述的窗，其中所述第一层包括氟化镁，并且所述第三层包括氧化硅。6.根据权利要求1所述的窗，其中，所述第二层包括共价键合到硅的氧化铬。7.根据权利要求1所述的窗，其中，在通过使用橡皮擦向所述窗的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动6000次或更多次之后，所述窗的所述表面的相对于水的接触角是95
°
或更大。8.一种窗，其中，所述窗包括：窗基底；第一层，设置在所述窗基底上，其中，所述第一层具有在1.2至1.4的范围内的折射率；第二层，设置在所述第一层上，其中，所述第二层具有在1.6至2.0的范围内的折射率；第三层，设置在所述第二层上，其中，所述第三层具有在1.4至1.6的范围内的折射率；以及防指纹层，设置在所述第三层上，其中，所述防指纹层包括全氟聚醚，其中，在通过使用橡皮擦向所述窗的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动6000次或更多次之后，所述窗的所述表面的相对于水的接触角是95
°
或更大。9.根据权利要求8所述的窗，其中所述第一层具有在50nm至150nm的范围内的厚度，所述第二层具有在5nm至15nm的范围内的厚度，并且所述第三层具有在5nm至15nm的范围内的厚度。10.根据权利要求8所述的窗，其中所述第一层包括氟化镁，所述第二层包括氧化铬，并且
所述第三层包括氧化硅。11.根据权利要求10所述的窗，其中，所述第二层包括共价键合到硅的氧化铬。12.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：基底；发光元件，设置在所述基底上，其中，所述发光元件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的中间层；滤光层，设置在所述发光元件上，其中，所述滤光层包括滤色器层和光阻挡层；以及窗，设置在所述滤光层上，其中，所述窗包括：窗基底；第一层，设置在所述窗基底上，其中，所述第一层具有在1.2至1.4的范围内的折射率；第二层，设置在所述第一层上，其中，所述第二层包括氧化铬；第三层，设置在所述第二层上，其中，所述第三层具有在1.4至1.6的范围内的折射率；和防指纹层，设置在所述第三层上，其中，所述防指纹层包括全氟聚醚。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二层具有大于所述第一层的所述折射率和所述第三层的所述折射率的折射率。14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二层具有在1.6至2.0的范围内的所述折射率。15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述第一层具有在50nm至150nm的范围内的厚度，所述第二层具有在5nm至15nm的范围内的厚度，并且所述第三层具有在5nm至15nm的范围内的厚度。16.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第一层包括氟化镁，并且所述第三层包括氧化硅。17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二层包括共价键合到硅的氧化铬。18.根据权利要求12所述的显示装置，其中，在通过使用橡皮擦向所述窗的表面施加1kg的载荷并且然后以40循环/min的速度、按15mm的距离往复移动6000次或更多次之后，所述窗的所述表面的相对于水的接触角是95
°
或更大。19.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：像素限定层，第一开口限定在所述像素限定层中以暴露所述第一电极的至少一部分。20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述光阻挡层限定与所述第一开口重叠的第二开口。21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述滤色器层的至少一部分在所述第二开口中。22.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述滤色器层与所述中间层至少部分地重叠。23.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述滤光层还包括设置在所述滤色器层上
的包覆层。24.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：封装层，在所述发光元件与所述滤光层之间；以及输入感测层，在所述封装层与所述滤光层之间。

技术总结
本公开涉及一种窗和一种显示装置。所述窗包括：窗基底；第一层，设置在所述窗基底上；第二层，设置在所述第一层上；第三层，设置在所述第二层上；以及防指纹层，设置在所述第三层上。所述第一层具有在大约1.2至大约1.4的范围内的折射率，所述第二层包括氧化铬(Cr2O3)，所述第三层具有在大约1.4至大约1.6的范围内的折射率，并且所述防指纹层包括全氟聚醚(PFPE)。并且所述防指纹层包括全氟聚醚(PFPE)。并且所述防指纹层包括全氟聚醚(PFPE)。


技术研发人员：崔盛植 曹宗焕
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.02.17
技术公布日：2023/8/21