处理装置的制作方法

1.本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种处理装置。


背景技术：

2.在半导体器件的生产过程中，反应腔内的压力直接影响刻蚀的效果，因此，需要实时监测反应腔内的压力变化并反馈给抽气阀，通过改变抽气阀的开度来改变抽气速率，以平稳控制或调节反应腔内的压力。
3.电容式薄膜压力计具有极高的测量精度，通常采用电容式薄膜压力计实时监测反应腔内的压力值。反应腔内的压力变化会引起电容式薄膜压力计中电容薄膜产生形变，从而造成以电容薄膜为可变极板的电容上的电容值发生变化，再通过鉴频器把电容变化转换为电流或电压变化，组成输出信号，进而得到反应腔内的压力值。
4.目前，电容式薄膜压力计直接连接在反应腔的腔体上，反应腔上任何可能存在的振动都会传导至电容式薄膜压力计，造成电容式薄膜压力计读数的变化。然而该读数的变化并不是由反应腔内真实的压力变化产生的，抽气阀响应该读数变化会引起反应腔内压力异常波动，影响半导体工艺制程及半导体处理装置的稳定性。


技术实现要素：

5.本发明提出了一种处理装置，通过设置第一吸振组件和第二吸振组件，吸收由反应腔传导至电容式薄膜压力计的振动，从而消除反应腔的振动对电容式薄膜压力计数值的影响，保障处理装置的稳定性。
6.为了达到上述目的，本发明提出了一种处理装置，包括：
7.反应腔，其包括一端口；
8.输入管道、第一吸振组件和输出管道相互连通，位于所述反应腔外，其中，所述第一吸振组件位于所述输入管道与输出管道之间，且所述输入管道与所述端口连通；
9.气压装置，与所述输出管道连接，并能够通过所述输出管道、第一吸振组件和输入通道测量所述反应腔内的气压；
10.支撑组件，用于支撑所述气压装置，所述支撑组件中还设置有第二吸振组件。
11.可选的，所述第一吸振组件为硬质波纹管或软质波纹管。
12.可选的，所述输入管道、第一吸振组件和输出管道沿垂直于所述反应腔的顶部排布；所述支撑组件包括：支撑件和外延件，所述外延件由所述输出管道向外延伸，所述支撑件位于所述输入管道、第一吸振组件和输出管道周围的反应腔上，且所述支撑件与所述外延件之间通过一固定件连接，所述外延件与所述固定件之间、以及所述外延件与支撑件之间设置所述第二吸振组件。
13.可选的，所述外延件的个数与支撑件的个数相同，所述外延件呈散射状排布，一个支撑件支撑一个外延件。
14.可选的，所述输入管道、第一吸振组件和输出管道沿平行于所述反应腔的顶部排
布；所述支撑组件为一支撑槽，所述第二吸振组件设置在所述支撑槽的内壁，所述气压装置坐落于所述支撑槽内的第二吸振组件上。
15.可选的，所述输入管道与反应腔的顶部之间、以及所述输出管道与气压装置之间还设置有法兰。
16.可选的，所述软质波纹管由至少三组不锈钢膜片焊接而成。
17.可选的，所述第二吸振组件的材料包括橡胶、硅胶、工程塑料、泡棉及砂砾中的一种或多种。
18.可选的，所述处理装置为半导体处理装置。
19.可选的，所述气压装置为电容式薄膜压力计。
20.可选的，所述反应腔是由反应腔顶盖、反应腔侧壁和反应腔底壁围成，所述端口设置在所述反应腔顶盖上。
21.可选的，所述反应腔顶盖可打开。
22.可选的，还包括：抽气泵，用于改变所述反应腔内的压力；所述气压装置还用于将反应腔内的压力变化反馈给所述抽气泵，以改变所述反应腔内的压力大小。
23.本发明具有的优势包括：
24.本发明在反应腔与气压装置之间设置第一吸振组件，在支撑所述气压装置的支撑组件上设置第二吸振组件，可以有效吸收由所述反应腔传导至所述气压装置上的振动，避免反应腔上的振动引起所述气压装置测量数值的异常变化，这样所述气压测量装置就不会将该异常变化反馈给所述抽气泵，所述抽气泵也就不会调整反应腔内的压力导致反应腔内压力的异常波动，因此，有利于提高反应腔内压力的稳定，提高工艺制程的稳定性和机台的稳定性。
附图说明
25.图1为本发明一种半导体处理装置的结构示意图。
26.图2为本发明另一种半导体处理装置的结构示意图。
具体实施方式
27.以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
28.本发明提出了一种处理装置，具体为半导体处理装置。该半导体处理装置包含用于进行半导体工艺制程的反应腔，以及测量反应腔内气压值的气压装置，通过设置第一吸振组件和第二吸振组件，能够有效吸收由所述反应腔传导至所述气压装置上的振动，避免所述反应腔上的振动引起所述气压装置测量数值的异常变化，所述气压测量装置就不会将该异常变化反馈给抽气泵，这样抽气泵就不会改变其开度来调整反应腔内的压力变化，因此，有利于提高反应腔内压力的稳定，提高工艺制程的稳定性和机台的稳定性。
29.图1为本发明一种半导体处理装置的结构示意图。
30.如下结合图1进行详细说明：
31.请参考图1，处理装置包括：反应腔，其包括一端口10；输入管道8、第一吸振组件和
输出管道3相互连通，位于所述反应腔外，其中，所述第一吸振组件位于所述输入管道8与输出管道3之间，且所述输入管道8与所述端口10连通；气压装置1，与所述输出管道3连接，并能够通过所述输出管道3、第一吸振组件和输入通道8测量所述反应腔内的气压；支撑组件，用于支撑所述气压装置1，所述支撑组件中还设置有第二吸振组件；抽气泵14，用于改变所述反应腔内的压力，所述抽气泵14包含抽气阀(图中未示出)，通过改变所述抽气阀的开度来调节所述反应腔内的压力；所述气压装置还用于将反应腔内的压力变化反馈给所述抽气泵14，以改变所述反应腔内的压力大小。
32.所述反应腔由反应腔顶盖11、反应腔侧壁12和反应腔底壁13围成。所述反应腔的顶盖11可打开，便于反应腔内部元件的维修替换或深度清洁。所述反应腔的顶盖11上设有一端口10，所述气压装置可通过所述端口10测量所述反应腔内的气压。所述气压装置位于所述反应腔外部。优选地，所述气压装置为具有高测量精度的电容式薄膜压力计1。
33.在所述反应腔与所述电容式薄膜压力计1之间设置输入管道8、第一吸振组件以及输出管道3，所述输入管道8、第一吸振组件以及输出管道3相互连通，所述输入管道8与所述反应腔的端口10连接，所述输出管道3与所述电容式薄膜压力计1连接，所述电容式薄膜压力计1通过所述输出管道3、第一吸振组件和所述输入管道8测量所述反应腔内的气压。所述输入管道8与所述反应腔的端口10，以及所述输出管道3与所述电容式薄膜压力计1之间还设置有法兰2，所述输入管道8与所述反应腔的端口10通过所述法兰2固定安装，所述输出管道3与所述电容式薄膜压力计1通过所述法兰2固定安装。所述第一吸振组件为波纹管7，所述波纹管7可为软质波纹管，也可为硬质波纹管。所述波纹管7由一系列不锈钢膜片焊接而成，具体地，所述波纹管7由至少三组不锈钢膜片焊接而成。本实施例中，所述波纹管7采用软质波纹管。当所述反应腔产生的振动传导至所述软质波纹管时，所述软质波纹管发生伸缩，高效吸收该振动，进而阻隔反应腔上的振动传导至所述电容式薄膜压力计1，避免反应腔上的振动引起所述电容式薄膜压力计1测量数值的异常变化，进而导致所述反应腔内压力的异常波动，保障半导体处理装置半导体工艺制程的稳定性。
34.在本实施例中，所述输入管道8、第一吸振组件和所述输出管道3沿垂直于所述反应腔顶盖11排布，所述第一吸振组件为软质波纹管。由于软质波纹管可变形性太强，无法有效支撑固定所述电容式薄膜压力计1，因此采用支撑组件支撑固定所述电容式薄膜压力计1。所述支撑组件位于所述反应腔外，并安装在所述反应腔的顶盖11。所述支撑组件上设有第二吸振组件5，以吸收所述反应腔上振动，防止所述反应腔上的振动经由所述支撑组件传导至所述电容式薄膜压力计1，消除反应腔的振动对所述气压装置测量数值的影响，保障处理装置的稳定性。
35.所述支撑组件包含至少一个支撑件9和至少一个外延件6，所述外延件6由所述输出管道3向外延伸，所述支撑件9位于所述输入管道8、第一吸振组件和输出管道3周围的反应腔顶盖11上，且所述支撑件9与所述外延件6之间通过一固定件连接。所述支撑件9用于支撑所述外延件6，所述支撑件9的高度与所述外延件6安装在所述输出管道3上时的高度相匹配。所述支撑组件通过支撑所述输出管道3为所述电容式薄膜压力计1提供机械支撑。所述支撑件9的个数与所述外延件6的个数相同，一个支撑件9支撑一个外延件6。若所述支撑组件包含多个支撑件9及多个外延件6，所述外延件6以所述输出管道3为中心轴呈散射状均匀排布，所述支撑件9均匀分布在所述输入管道8、第一吸振组件和输出管道3的四周。所述固
定件为螺钉、螺栓、销钉及卡扣等固定元件。
36.本实施例中，所述支撑组件包含两个支撑件9和两个外延件6，所述固定件为螺栓4。所述两个外延件6以所述输入管道8为中心轴水平对称排布，所述两个支撑件9分别支撑两个外延件6，所述支撑件9垂直于所述反应腔顶盖11设置，一端固定在所述反应腔顶盖11，另一端通过螺栓4与所述外延件6固定连接。所述外延件6上设有通孔，所述支撑件9上设有由所述支撑件9的顶端沿着所述支撑住高度方向延伸的安装孔，所述支撑件9的高度略低于所述外延件6安装在所述输出管道3上时的高度，所述螺栓4依次穿过所述通孔、安装孔，将所述外延件6固定连接在所述支撑件9上。所述安装孔内设有内螺纹，所述内螺纹的螺距与所述螺栓4的外螺距一致，此外，所述通孔以及所述安装孔的尺寸均与所述螺钉的尺寸相匹配。
37.所述反应腔上的振动可能通过所述支撑件9与所述外延件6之间的连接处向所述电容式薄膜压力计1传导，影响所述电容式薄膜压力计1的测量数值。本实施例中，在所述支撑件9与所述外延件6的连接处设置第二吸振组件5，即在所述外延件6与固定件之间，以及所述固定件与所述支撑件9之间设置第二吸振组件5，以吸收由所述反应腔传导至所述支撑件9上的振动，进一步阻隔所述反应腔上的振动传导至所述电容式薄膜压力计1上。所述第二吸振组件5为由振动吸收材料制成的垫片、垫圈以及密封圈等，所述振动吸收材料可包括橡胶、硅胶、工程塑料、泡棉中的一种或多种。本实施例中，所述第二吸振组件5为设置在所述外延件6与所述支撑件9连接处的垫圈，所述螺栓4依次穿过所述垫圈、所述通孔、所述垫圈及所述安装孔，将所述外延件6固定在所述支撑件9上。
38.本发明在反应腔与电容式薄膜压力计1之间设置第一吸振组件，在支撑组件的外延件6及支撑件9的连接处设置第二吸振组件，可以有效吸收由所述反应腔传导至所述气压装置上的振动，避免反应腔上的振动引起所述气压装置测量数值的异常变化，消除反应腔的振动对所述气压装置测量数值的影响，这样所述气压测量装置就不会将该异常变化反馈给所述抽气泵14，所述抽气泵14也就不会改变所述抽气阀的开度来调整反应腔内的压力导致反应腔内压力的异常波动，因此，有利于提高反应腔内压力的稳定，从而保障半导体处理装置半导体工艺制程的稳定性。
39.图2为本发明提供的另一种半导体处理装置的结构示意图。实施例二与实施例一的区别包括：所述输入管道8、第一吸振组件与输出管道3的排布方向，以及所述支撑组件的结构。
40.在本实施例中，所述输入管道8、第一吸振组件与所述输出管道3沿平行于所述反应腔顶盖11排布，所述输入管道8及所述输出管道3分别通过所述法兰2与所述反应腔的端口10及所述电容式薄膜压力计1固定连接。本实施例中，所述第一吸振组件7采用硬质波纹管。当所述反应腔上的振动向所述电容式薄膜压力计1传导时，所述硬质波纹管发生伸缩，高效吸收该振动，进而阻隔反应腔上的振动传导至所述电容式薄膜压力计1，消除反应腔的振动对所述电容式薄膜压力计1测量数值的影响。
41.在本实施例中，所述支撑组件为支撑槽15，所述支撑槽15位于所述反应腔顶盖11上，用于支撑固定所述电容式薄膜压力计1。所述支撑槽15的底壁和四周侧壁上设有第二吸振组件16，所述电容式薄膜压力计1坐落于所述第二吸振组件16上。所述第二吸振组件16包括橡胶、硅胶、工程塑料、泡棉及砂砾中的一种或多种。所述第二吸振组件16可以有效吸收
所述反应腔传导至所述支撑槽15上的振动，进一步阻隔该振动传导至所述电容式薄膜压力计1上，影响所述电容式薄膜压力计1的测量数值。
42.本发明在反应腔与电容式薄膜压力计1之间设置第一吸振组件，在支撑槽15与电容式薄膜压力计1之间设置第二吸振组件16，可以有效吸收由所述反应腔传导至所述气压装置上的振动，避免反应腔上的振动引起所述气压装置测量数值的异常变化并导致所述反应腔内压力的异常波动，保障半导体处理装置半导体工艺制程的稳定性。同时，采用支撑槽15固定所述电容式薄膜压力计1，既可以为所述电容式薄膜压力计1提供机械支撑力，又可以防止所述电容式薄膜压力计1在所述反应腔顶盖11打开时滑动脱落。
43.尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

技术特征：
1.一种处理装置，其特征在于，包括：反应腔，其包括一端口；输入管道、第一吸振组件和输出管道相互连通，位于所述反应腔外，其中，所述第一吸振组件位于所述输入管道与输出管道之间，且所述输入管道与所述端口连通；气压装置，与所述输出管道连接，并能够通过所述输出管道、第一吸振组件和输入通道测量所述反应腔内的气压；支撑组件，用于支撑所述气压装置，所述支撑组件中还设置有第二吸振组件。2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述第一吸振组件为硬质波纹管或软质波纹管。3.如权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于，所述输入管道、第一吸振组件和输出管道沿垂直于所述反应腔的顶部排布；所述支撑组件包括：支撑件和外延件，所述外延件由所述输出管道向外延伸，所述支撑件位于所述输入管道、第一吸振组件和输出管道周围的反应腔上，且所述支撑件与所述外延件之间通过一固定件连接，所述外延件与所述固定件之间、以及所述外延件与支撑件之间设置所述第二吸振组件。4.如权利要求3所述的处理装置，其特征在于，所述外延件的个数与支撑件的个数相同，所述外延件呈散射状排布，一个支撑件支撑一个外延件。5.如权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于，所述输入管道、第一吸振组件和输出管道沿平行于所述反应腔的顶部排布；所述支撑组件为一支撑槽，所述第二吸振组件设置在所述支撑槽的内壁，所述气压装置坐落于所述支撑槽内的第二吸振组件上。6.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述输入管道与反应腔的顶部之间、以及所述输出管道与气压装置之间还设置有法兰。7.如权利要求2所述的处理装置，其特征在于，所述软质波纹管由至少三组不锈钢膜片焊接而成。8.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述第二吸振组件的材料包括橡胶、硅胶、工程塑料、泡棉及砂砾中的一种或多种。9.如权利要求1所述的一种处理装置，其特征在于，所述处理装置为半导体处理装置。10.如权利要求1所述的一种处理装置，其特征在于，所述气压装置为电容式薄膜压力计。11.如权利要求1所述的一种处理装置，其特征在于，所述反应腔是由反应腔顶盖、反应腔侧壁和反应腔底壁围成，所述端口设置在所述反应腔顶盖上。12.如权利要求11所述的一种处理装置，其特征在于，所述反应腔顶盖可打开。13.如权利要求1所述的一种处理装置，其特征在于，还包括：抽气泵，用于改变所述反应腔内的压力；所述气压装置还用于将反应腔内的压力变化反馈给所述抽气泵，以改变所述反应腔内的压力大小。

技术总结
本发明公开了一种处理装置，包含：反应腔、用于测量所述反应腔内气压的气压装置，位于所述反应腔与所述气压装置之间的输入管道、第一吸振组件和输出管道相互连通，以及用于支撑所述气压装置的支撑组件，所述支撑组件中还设置有第二吸振组件。本发明设置第一吸振组件和第二吸振组件，能够有效吸收由所述反应腔传导至所述气压装置上的振动，避免反应腔上的振动引起所述气压装置测量数值的异常变化并导致所述反应腔内压力的异常波动，消除反应腔的振动对所述气压装置测量数值的影响，从而保障处理装置半导体工艺制程的稳定性。装置半导体工艺制程的稳定性。装置半导体工艺制程的稳定性。


技术研发人员：吴昊 叶如彬 周艳
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）股份有限公司
技术研发日：2022.02.09
技术公布日：2023/8/21