阵列基板和显示设备的制作方法

1.本发明涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板和显示设备。


背景技术：

2.柔性显示设备是具有柔性显示面板的可弯折或可变形显示设备。柔性显示设备的示例包括柔性有机发光二极管(oled)显示设备、柔性电泳显示(epd)设备和柔性液晶显示(lcd)设备。作为新一代显示设备，柔性显示设备更薄更轻，具有高对比度、高响应性和高亮度。它还提供了全色和宽视角。柔性显示设备在移动电话、个人数字助理(pda)、数码相机、机载显示器、笔记本电脑、壁挂式电视以及各种军事应用中具有广泛的应用。柔性显示设备包括柔性阵列基板。柔性阵列基板的基底可以由诸如塑料的柔性材料制成。


技术实现要素：

3.在第一方面，本公开的实施例提供一种阵列基板，包括多个信号线；其中，所述多个信号线中的各个信号线包括在第一区域中的第一部分和在第二区域中的第二部分，所述第一部分和所述第二部分在不同的层中；所述多个信号线的第二部分被分组为多个对，各个对包括所述多个信号线的两个相邻信号线的第一-第二部分和第二-第二部分；以及所述第一-第二部分和所述第二-第二部分在基底上的正投影至少部分地彼此重叠。
4.在本公开的一些实施例中，多个信号线的至少两个第一部分位于两个不同的层中。
5.在本公开的一些实施例中，多个信号线的第一部分交替位于第一金属层和第二金属层中。
6.在本公开的一些实施例中，多个信号线中的所述各个信号线还包括在所述第一部分和所述第二部分之间并且在第三区域中的第三部分；以及所述第三部分包括第一子层和第二子层，所述第一子层与所述第一部分位于同一层中且彼此连接，以及所述第二子层与所述第二部分位于同一层中且彼此连接。
7.在本公开的一些实施例中，第二子层通过延伸穿过绝缘层的过孔连接至所述第一子层。
8.在本公开的一些实施例中，相邻第三部分在所述基底上的正投影至少部分地不重叠。
9.在本公开的一些实施例中，多个信号线的第三部分的第二子层交替位于第一信号线层和第二信号线层中。
10.在本公开的一些实施例中，多个信号线的第三部分的至少两个第一子层在两个不同的层中。
11.在本公开的一些实施例中，多个信号线的第三部分的第一子层交替位于第一金属层和第二金属层中。
12.在本公开的一些实施例中，所述阵列基板包括多个连接结构；其中，各个连接结构
包括：所述第一-第二部分；所述第二-第二部分；第一-第三部分的第一-第一子层；所述第一-第三部分的第一-第二子层，其与所述第一-第二部分位于同一层中且彼此连接；第二-第三部分的第二-第一子层；以及所述第二-第三部分的第二-第二子层，其与所述第二-第二部分位于同一层中且彼此连接。
13.在本公开的一些实施例中，第一-第一子层、所述第一-第二子层、所述第二-第一子层和所述第二-第二子层分别在四个不同的层中。
14.在本公开的一些实施例中，第一-第一子层和所述第二-第一子层在选自第一金属层和第二金属层的两个不同层中；以及所述第一-第二子层和所述第二-第二子层在选自第一信号线层和第二信号线层的两个不同层中。
15.在本公开的一些实施例中，第一-第一子层与第一-第一部分位于同一层中且彼此连接；所述第二-第一子层与第二-第一部分位于同一层中且彼此连接；以及所述第一-第一部分和所述第二-第一部分是两个相邻信号线的两个相邻第一部分。
16.在本公开的一些实施例中，多个信号线中的所述信号线还包括在第四区域中的第四部分；所述第四部分位于所述第一部分的远离所述第二部分的一侧；所述第四部分与所述第一部分位于同一层中且彼此连接；以及所述第四部分和所述第一部分的延伸方向不同。
17.在本公开的一些实施例中，多个信号线的至少两个第四部分位于两个不同的层中。
18.在本公开的一些实施例中，多个信号线的第四部分交替位于第一金属层和第二金属层中。
19.在本公开的一些实施例中，两个相邻第四部分的正投影彼此部分重叠。
20.在本公开的一些实施例中，第一部分和所述第二部分的延伸方向实质相同。
21.在本公开的一些实施例中，第一区域是所述阵列基板的扇出区域，并且所述第二区域是所述阵列基板的弯折区域。
22.在第二方面，本公开的实施例提供一种显示设备，包括根据所述的阵列基板以及连接至所述阵列基板的集成电路。
附图说明
23.根据各种公开的实施例，以下附图仅是用于说明目的的示例，并且不旨在限制本发明的范围。
24.图1是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的示意图。
25.图2是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的示意图。
26.图3是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的平面图。
27.图4a示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的显示区域中的详细结构。
28.图4b示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的显示区域中的详细结构。
29.图5a是根据本公开的一些实施例中图3中由虚线圈出的区域的放大视图。
30.图5b示出了图5a所示的阵列基板的区域中的第一金属层的结构。
31.图5c示出了图5a所示的阵列基板的区域中的第二金属层的结构。
32.图5d示出了图5a所示的阵列基板的区域中的层间电介质层的结构。
33.图5e示出了图5a所示的阵列基板的区域中的第一信号线层的结构。
34.图5f示出了图5a所示的阵列基板区域中的平坦化层的结构。
35.图5g示出了图5a所示的阵列基板的区域中的第二信号线层的结构。
36.图6示出了根据本公开的一些实施例中的各个信号线的结构。
37.图7a示出了根据本公开的一些实施例中的各个信号线对的结构。
38.图7b示出了根据本公开的一些实施例中的各个信号线对中的第一信号线的结构。
39.图7c示出了根据本公开的一些实施例中的各个信号线对中的第二信号线的结构。
40.图8示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板的区域的结构。
41.图9示出了根据本公开的一些实施例中的各个信号线对的结构。
42.图10示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板的区域的结构。
43.图11a是根据本公开的一些实施例中沿图7b中的a-a’线的截面图。
44.图11b是根据本公开的一些实施例中沿图7c中的b-b’线的截面图。
45.图11c是根据本公开的一些实施例中沿图7c中的b-b’线的截面图。
具体实施方式
46.现在将参考以下实施例更具体地描述本公开。应当注意，本文中呈现的一些实施例的以下描述仅用于说明和描述的目的。其不是穷举的或限于所公开的精确形式。
47.本公开尤其提供了一种阵列基板和显示设备，其基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。在一个方面，本公开提供了一种阵列基板。在一些实施例中，阵列基板包括多个信号线。可选地，多个信号线中的各个信号线包括在第一区域中的第一部分和在第二区域中的第二部分，所述第一部分和所述第二部分在不同的层中。可选地，多个信号线的第二部分被分组为多个对，各个对包括所述多个信号线的两个相邻信号线的第一-第二部分和第二-第二部分。可选地，所述第一-第二部分和所述第二-第二部分在基底上的正投影至少部分地彼此重叠。
48.图1是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的示意图。参照图1，在一些实施例中，阵列基板包括显示区域dr中的显示部分，其中图像由显示部分中的子像素阵列显示。显示设备的周边区域围绕显示区域dr。尽管图1中示出了矩形显示区域，但是显示区域dr可以具有任何适当的形状和尺寸。显示区域dr的适当形状的示例包括圆形、正方形、六边形、椭圆形和不规则多边形。显示区域dr中的每个子像素可以电连接到像素驱动电路，该像素驱动电路包括一个或多个薄膜晶体管。阵列基板还包括栅线和数据线，用于提供驱动显示区域dr中的图像显示的信号。这些信号线电连接到一个或多个集成电路，例如栅极驱动集成电路和数据驱动集成电路。一个或多个集成电路可以集成到显示面板中(玻璃上芯片)或安装在柔性印刷电路上(膜上芯片)。一个或多个集成电路电连接到柔性印刷电路。显示设备还包括各种其它信号线，例如高电压供应线vdd、低电压供应线vss和启动信号线。
49.显示设备还包括在弯折区域bda中的弯折部分bp。弯折部分pbp是柔性的或可弯折的。如图1所示，弯折部分bp可以沿着图1中所示的箭头方向弯折，使得阵列基板的一部分可以朝向显示部分的背侧弯折。图2是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的示意图。图2示出阵列基板，其中，弯折部分bp是弯折的，阵列基板的一部分向显示部的背侧弯折。
50.图3是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的平面图。参照图3，在一些实施例
中，显示部分dp位于显示图像的显示区域dr中，弯折部分bp位于弯折区域bda中，扇出区域foa位于显示区域dr和弯折部分pbp之间，显示部分dp包括延伸穿过扇出区域foa的多个信号线sl。
51.如本文所使用的，术语“显示区域”是指显示设备中的阵列基板的实际显示图像的区域。可选地，显示区域可以包括子像素区域和子像素间区域。子像素区域指的是子像素的发光区域，例如，对应于液晶显示器中的像素电极的区域或对应于有机发光二极管显示面板中的发光层的区域。子像素间区域是指相邻子像素区域之间的区域，例如对应于液晶显示器中的黑矩阵的区域或对应于有机发光二极管显示面板中的像素限定层的区域。可选地，子像素间区域是同一像素中的相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是两个相邻像素中的两个相邻子像素区域之间的区域。可选地，显示设备是柔性显示设备。
52.如本文所使用的，术语“周边区域”是指显示设备中的阵列基板的提供有各种电路和走线以将信号传输到阵列基板的区域。为了增加显示设备的透明度，显示设备的非透明或不透明部件(例如，电池、印刷电路板、金属框架)可以被布置在周边区域中而不是在显示区域中。
53.图4a示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的显示区域中的详细结构。参照图4a，在一些实施例中，阵列基板在显示区域中包括基底bs(例如，柔性基底)；在基底bs上的多个薄膜晶体管tft中的相应一个的有源层act；栅极绝缘层gi，其位于有源层act远离基底bs一侧；栅极g和第一电容器电极ce1(都是第一栅极金属层的一部分)，其位于栅极绝缘层gi远离基底bs的一侧；绝缘层in，其位于栅极g和第一电容器电极ce1远离栅极绝缘层gi的一侧；第二电容器电极ce2(第二栅极金属层的一部分)，其位于绝缘层in远离栅极绝缘层gi的一侧；层间电介质层ild，其位于第二电容器电极ce2远离栅极绝缘层gi的一侧；源极s和漏极d(第一sd金属层的部分)，其位于层间电介质层ild远离栅极绝缘层gi的一侧；平坦化层pln，其位于源极s和漏极d远离层间电介质层ild的一侧；像素限定层pdl，其限定子像素开口并且位于平坦化层pln远离所述基底bs的一侧；以及在子像素开口中的发光元件le。发光元件le包括：阳极ad，其位于平坦化层pln远离层间电介质层ild的一侧；发光层el，其位于阳极ad远离平坦化层pln的一侧；以及阴极层cd，其位于发光层el远离阳极ad的一侧。阵列基板在显示区域中还包括封装层en，其封装虚设发光元件dle，并且位于阴极层cd远离基底bs的一侧。在一些实施例中，封装层en包括第一无机封装子层cvd1，其位于阴极层cd远离基底bs的一侧；有机封装子层ijp，其位于第一无机封装子层cvd1远离基底bs的一侧；以及第二无机封装子层cvd2，其位于有机封装子层ijp远离第一无机封装子层cvd1的一侧。阵列基板在显示区域中还包括缓冲层buf，其位于封装层en远离基底bs的一侧；多个第二电极桥br2，其位于缓冲层buf远离封装层en的一侧；触摸绝缘层ti，其位于多个第二电极桥br2远离缓冲层buf的一侧；多个第一触摸电极te1，其位于触摸绝缘层ti远离缓冲层buf的一侧；以及保护层oc(overcoat layer)，其位于多个第一触摸电极te1远离触摸绝缘层ti的一侧。
54.图4b示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的显示区域中的详细结构。参照图4b，在一些实施例中，阵列基板在显示区域中包括基底bs(例如，柔性基底)；在基底bs上的多个薄膜晶体管tft中的相应一个的有源层act；栅极绝缘层gi，其位于有源层act远离基底bs一侧；栅极g和第一电容器电极ce1(都是第一栅极金属层的一部分)，其位于栅极
绝缘层gi远离基底bs的一侧；绝缘层in，其位于栅极g和第一电容器电极ce1远离栅极绝缘层gi的一侧；第二电容器电极ce2(第二栅极金属层的一部分)，其位于绝缘层in远离栅极绝缘层gi的一侧；层间电介质层ild，其位于第二电容器电极ce2远离栅极绝缘层gi的一侧；源极s和漏极d(第一sd金属层的部分)，其位于层间电介质层ild远离栅极绝缘层gi的一侧；钝化层pvx，其位于源极s和漏极d远离层间电介质层ild的一侧；第一平坦化层pln1，其位于钝化层pvx远离层间电介质层ild的一侧；第二平坦化层pln2，其位于第一平坦化层pln1远离钝化层pvx的一侧；中继电极re(第二sd金属层的一部分)，其位于第二平坦化层pln2远离第一平坦化层pln1的一侧；像素限定层pdl，其限定子像素开口并且位于第二平坦化层pln2远离基底bs的一侧；以及在子像素开口中的发光元件le。发光元件le包括阳极ad，其位于第二平坦化层pln2远离第一平坦化层pln1的一侧；发光层el，其位于阳极ad远离第二平坦化层pln2的一侧；以及阴极层cd，其位于发光层el远离阳极ad的一侧。阵列基板在显示区域中还包括封装层en，其封装虚设发光元件dle，并且位于阴极层cd远离基底bs的一侧。在一些实施例中，封装层en包括第一无机封装子层cvd1，其位于阴极层cd远离基底bs的一侧；有机封装子层ijp，其位于第一无机封装子层cvd1远离基底bs的一侧；以及第二无机封装子层cvd2，其位于有机封装子层ijp远离第一无机封装子层cvd1的一侧。阵列基板在显示区域中还包括缓冲层buf，其位于封装层en远离基底bs的一侧；多个第二电极桥br2，其位于缓冲层buf远离封装层en的一侧；触摸绝缘层ti，其位于多个第二电极桥br2远离缓冲层buf的一侧；多个第一触摸电极te1，其位于触摸绝缘层ti远离缓冲层buf的一侧；以及保护层oc，其位于多个第一触摸电极te1远离触摸绝缘层ti的一侧。可选地，阵列基板在显示区域中不包括钝化层pvx，例如，层间电介质层ild与第一平坦化层pln1直接接触。
55.参照图4a与图4b，阵列基板包括半导体材料层sml、第一栅极金属层gate1、第二栅极金属层gate2、第一信号线层sll1与第二信号线层sll2。阵列基板还包括位于第一栅极金属层gate1和第二栅极金属层gate2之间的绝缘层in；层间电介质层ild，其位于第二导电层gate2与第一信号线层sll1之间；以及至少一个钝化层pvx或平坦化层pln，其位于第一信号线层sll1与第二信号线层sll2之间。
56.图5a是根据本公开的一些实施例中图3中由虚线圈出的区域的放大视图。图5b示出了图5a所示的阵列基板的区域中的第一金属层的结构。图5c示出了图5a所示的阵列基板的区域中的第二金属层的结构。图5d示出了图5a所示的阵列基板的区域中的层间电介质层的结构。图5e示出了图5a所示的阵列基板的区域中的第一信号线层的结构。图5f示出了图5a所示的阵列基板区域中的平坦化层的结构。图5g示出了图5a所示的阵列基板的区域中的第二信号线层的结构。参照图5a至图5g，阵列基板包括位于周边区域中的多个信号线sl。
57.图6示出了根据本公开的一些实施例中的各个信号线的结构。参照图5a与图6，在一些实施例中，多个信号线sl的各个信号线包括位于第一区域a1中的第一部分p1与位于第二区域a2中的第二部分p2。
58.第一区域a1和第二区域a2都是周边区域的一部分。第一区域a1和第二区域a2可以彼此隔开，如图5a所示。在一个示例中，第一区域a1是图3所示的扇出区域foa的至少一部分，在另一个示例中，第二区域a2是图3所示的弯折区域bda的至少一部分。
59.在一些实施例中，第一部分p1和第二部分p2位于不同的层。参照图5a至图5g以及图6，多个信号线sl的第一部分位于第一金属层或第二金属层中；多个信号线sl的第二部分
在第一信号线层或第二信号线层中。第一金属层、第二金属层、第一信号线层和第二信号线层是四个不同的层。
60.可选地，第一金属层与如图4a或图4b所示的第一栅极金属层gate1位于同一层中；并且第二金属层与如图4a或图4b所示的第二栅极金属层gate2位于同一层中。
61.可选地，第一金属层与如图4a或图4b所示的第二栅极金属层gate2位于同一层中，并且第二金属层与如图4a或图4b所示的第一栅极金属层gate1位于同一层中。
62.可选地，第一信号线层是如图4a或图4b所示的第一信号线层sll1，第二信号线层是如图4b所示的第二信号线层sll2。
63.可选地，第一信号线层和第二信号线层中的至少一个可以与如图4a或图4b所示的阳极ad位于同一层。
64.可选地，第一信号线层和第二信号线层是选自图4b所示的第一信号线层sll1、第二信号线层sll2、阳极层和触摸电极层的两个不同的层。
65.在一些实施例中，所述多个信号线的第二部分被分组为多个对。图7a示出了根据本公开的一些实施例中的各个信号线对的结构。图7b示出了根据本公开的一些实施例中的各个信号线对中的第一信号线的结构。图7c示出了根据本公开的一些实施例中的各个信号线对中的第二信号线的结构。参照图7a至图7c，在一些实施例中，各个信号线对包括多个信号线中的两个相邻信号线的第一-第二部分p2-1和第二-第二部分p2-2。
66.在一些实施例中，第一-第二部分p2-1和第二-第二部分p2-2在基底上的正投影至少部分地彼此重叠。参考图7a至图7c，第一-第二部分p2-1在基底上的正投影与第二-第二部分p2-2在基底上的正投影的至少30％(例如，至少40％、至少50％、至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％、至少99％或100％)重叠。类似地，第二-第二部分p2-2在基底上的正投影与第一-第二部分p2-1在基底上的正投影的至少30％(例如，至少40％、至少50％、至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％、至少99％或100％)重叠。
67.在高分辨率阵列基板中，与具有诸如pentile像素排列的其它像素排列的阵列基板相比，周边区域中的信号线的总数相对较高，尤其是对于具有实际rgb像素排列的阵列基板。在阵列基板的某些区域中，难以在维持相邻信号线之间的最小间距的同时对信号线进行图案化。该问题在设置大量信号线的扇出区域和弯折区域中变得特别成问题。在该区域中的信号线的示例包括数据线、栅线和触摸信号线。在一个示例中，信号线是连接到设置在该区域中的集成电路(参见例如图3中表示的“ic”)的数据线。
68.本公开的发明人发现，令人惊讶且出乎意料地，利用根据本发明的阵列基板的复杂结构，可以避免在有限区域中大量信号线的制造问题。在扇出区域中，信号线被布置在一个或多个层中。在弯折区域中，信号线再次布置在至少两个不同的层中。弯折区域中的信号线处于与其中设置有在扇出区域中的信号线的层不同的层中。弯折区域中的信号线部分至少部分地彼此堆叠，使得可以在信号线的制造期间保持最小间距。
69.参考图7a至图7c，尽管第一-第二部分p2-1和第二-第二部分p2-2相对于彼此至少部分地堆叠，但是第一-第二部分p2-1和第二-第二部分p2-2通过绝缘层(如通过如图5a至图5g中所描绘的平坦化层pln)彼此绝缘。
70.在一些实施例中，第一-第二部分p2-1和第二-第二部分p2-2被配置成分别传输不同的信号，例如不同的数据信号。可选地，分别包括第一-第二部分p2-1和第二-第二部分
p2-2的相邻信号线被配置为分别传输不同的信号，例如不同的数据信号。可选地，多个信号线被配置为分别传输不同的信号，例如，不同的数据信号。
71.参考图7a至图7c，在一些实施例中，阵列基板包括延伸穿过第一-第二部分p2-1的一个或多个第一气体释放通孔grv1，以及延伸穿过第二-第二部分p2-2的一个或多个第二气体释放通孔grv2。如图7a至图7c所示，在一些实施例中，一个或多个第一气体释放通孔grv1在基底上的正投影与一个或多个第二气体释放通孔grv2在基底上的正投影至少部分重叠。可选地，各个第一气体释放通孔在基底上的正投影与各个第二气体释放通孔在基底上的正投影至少部分重叠。
72.在一些实施例中，第一-第二部分p2-1和第二-第二部分p2-2的轮廓线的正投影基本上彼此重叠。
73.图8示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板的区域的结构。图9示出了根据本公开的一些实施例中的各个信号线对的结构。参考图8和图9，在一些实施例中，第一-第二部分p2-1和第二-第二部分p2-2在基底上的正投影至少部分地彼此不重叠。可选地，第一-第二部分p2-1在基底上的正投影的至少30％(例如，至少40％、至少50％、至少60％、至少70％、至少80％或至少90％)与第二-第二部分p2-2在基底上的正投影不重叠。类似地，第二部分p2-2在基底上的正投影的至少30％(例如至少40％、至少50％、至少60％、至少70％、至少80％或至少90％)与第一-第二部分p2-1在基底上的正投影不重叠。因为第一-第二部分p2-1和第二-第二部分p2-2被配置为传输不同的信号，所以当第一-第二部分p2-1和第二-第二部分p2-2被配置为传输信号时，重叠的减少避免了它们之间的串扰问题。
74.参照图8和图9，在一些实施例中，一个或多个第一气体释放通孔grv1在基底上的正投影与一个或多个第二气体释放通孔grv2在基底上的正投影至少部分地不重叠。可选地，各个第一气体释放通孔在所述基底上的正投影与各个第二气体释放通孔在所述基底上的正投影至少部分地不重叠。可选地，所述各个第一气体释放通孔在所述基底上的正投影与所述各个第二气体释放通孔在所述基底上的正投影完全不重叠。
75.参考图5a至图5g、图6、图7a至图7c、图8和图9，在一些实施例中，第一-第二部分p2-1和第二-第二部分p2-2的延伸方向基本上彼此平行，例如基本上平行于如图5a所示的第一方向dr1。如本文所使用的，术语“基本上平行”是指角度在0度至约45度的范围内，例如0度至约5度、0度至约10度、0度至约15度、0度至约20度、0度至约25度、0度至约30度。
76.参考图5a和图8，在一些实施例中，第二部分的总数与第一部分的总数之间的比是1:1。
77.图10示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板的区域的结构。参考图10，在一些实施例中，阵列基板还包括一个或多个多路复用器mux。各个多路复用器电连接到相应第二部分(图10中单独的一个第二部分表示为“p2”)，并且电连接到多个第一部分(图10中单独的一个第二部分表示为“p1”)。通过具有多路复用器，第二部分的数量可进一步减少，从而允许额外空间用于设置第二部分。该结构有助于在信号线的制造期间保持最小间距。
78.参照图5a、图8和图10，第二部分的堆叠结构包括两层第二部分。在一个示例中，第一层第二部分在第一信号线层中(对应于图4a和图4b中的sll1层)，并且第二层第二部分在第二信号线层中(对应于图4b中的sll2层)。
79.在一些实施例中，第二部分的堆叠结构包括多于两层(例如，3、4或更多)的第二部
分。通过具有第二部分的堆叠结构，该堆叠结构具有多于两层的第二部分，第二部分的数量可以进一步减少，允许额外空间用于设置第二部分。
80.参照图5a至图5c，在一些实施例中，多个信号线的至少两个第一部分位于两个不同的层中，例如第一金属层与第二金属层。可选地，多个信号线的第一部分可以设置在多于两层中。在一个特定示例中，多个信号线sl的第一部分沿着第二方向dr2交替位于第一金属层与第二金属层中，如图5a至图5c所示。在一个示例中，第二方向dr2垂直于多个信号线sl的第一部分的延伸方向。
81.参照图5a与图6，在一些实施例中，多个信号线sl中的各个信号线还包括第三部分p3，其位于第一部分p1与第二部分p2之间。可选地，第三部分p3在第一区域a1和第二区域a2之间的第三区域a3中。可选地，第三部分p3将第一部分p1和第二部分p2连接在一起。可选地，第一部分p1、第二部分p2和第三部分p3的延伸方向基本上彼此平行，例如基本上平行于如图5a中所描绘的第一方向dr1。
82.在一些实施例中，第三部分p3包括第一子层sub1和第二子层sub2，第一子层sub1与第一部分p1位于同一层且连接到第一部分p1，第二子层sub2与第二部分p2位于同一层且连接到第二部分p2。在一些实施例中，多个信号线的第三部分的至少两个第一子层在两个不同层中，例如，第一金属层和第二金属层。可选地，多个信号线sl的第三部分的第一子层沿着第二方向dr2交替位于第一金属层与第二金属层中，如图5a至图5c所示。在一个示例中，第二方向dr2垂直于多个信号线sl的第三部分的第一子层的延伸方向。
83.在一些实施例中，第一子层sub1和多个信号线sl中的各个信号线的第一部分p1是第一整体结构的部分。可选地，第一部分和第一子层的至少两个第一整体结构在两个不同的层中，例如，第一金属层和第二金属层。可选地，第一部分和第一子层的第一整体结构沿第二方向dr2交替地位于第一金属层和第二金属层中，如图5a至图5c所示。在一个示例中，第二方向dr2垂直于第一整体结构的延伸方向。
84.在一些实施例中，多个信号线的第三部分的至少两个第二子层在两个不同层中，例如，第一信号线层和第二信号线层。可选地，多个信号线sl的第三部分的第二子层沿着第二方向dr2交替位于第一信号线层与第二信号线层，如图5a至图5c所示。在一个示例中，第二方向dr2垂直于多个信号线sl的第三部分的第二子层的延伸方向。
85.在一些实施例中，第二子层sub2与多个信号线sl中的各个信号线的第二部分p2为第二整体结构的部分。可选地，第二部分和第二子层的至少两个第二整体结构在两个不同的层中，例如，第一信号线层和第二信号线层。可选地，第二部分和第二子层的第二整体结构沿第二方向dr2交替地位于第一信号线层和第二信号线层中，如图5a至图5c所示。在一个示例中，第二方向dr2垂直于第二整体结构的延伸方向。
86.在一些实施例中，相邻第三部分在基底上的正投影至少部分地不重叠。可选地，各个信号线中的第一子层sub1和第二子层sub2在基底上的正投影至少部分重叠。
87.在一些实施例中，第一子层sub1通过延伸穿过绝缘层的通孔连接到第二子层sub2。图11a是根据本公开的一些实施例中沿图7b中的a-a’线的截面图。图11b是根据本公开的一些实施例中沿图7c中的b-b’线的截面图。图11a和图11b分别示出了分别来自多个信号线中的两个相邻信号线的各对两个相邻第三部分。参照图11a与图11b，两个相邻信号线包括两个相邻第一部分，其分别包括第一-第一部分p1-1与第二-第一部分p1-2。两个相邻
信号线还包括两个相邻第二部分，其分别包括第一-第二部分p2-1与第二-第二部分p2-2。两个相邻信号线还分别包括两个相邻第三部分。参照图5a至图5g、图7a至图7c以及图11a至图11b，在一些实施例中，第一-第三部分p3-1包括第一-第一子层sub1-1和第一-第二子层sub2-1。第一-第二子层sub2-1通过延伸穿过层间电介质层ild的一个或多个第一通孔v1连接至第一-第一子层sub1-1。第二-第三部分p3-2包括第二-第一子层sub1-2和第二-第二子层sub2-2。第二-第二子层sub2-2通过延伸穿过层间电介质层ild和平坦化层pln的一个或多个第二通孔v2连接至第二-第一子层sub1-2。
88.图11c是根据本公开的一些实施例中沿图7c中的b-b’线的截面图。参照图5a至图5g、图7a至图7c、图11a和图11c，在一些实施例中，第二-第三部分p3-2还包括在第二-第一子层sub1-2和第二-第二子层sub2-2之间的第三子层sub3。第二-第二子层sub2-2通过延伸穿过平坦化层pln的第三通孔v3连接到第三子层sub3。第三子层sub3通过延伸穿过层间电介质层ild的一个或多个第四通孔v4连接至第二-第一子层sub1-2。
89.在一些实施例中，第二-第二子层sub2-2位于第二信号线层中，第三子层sub3位于第一信号线层中，第二-第一子层sub1-2位于选自第一金属层和第二金属层的层中。
90.参照图11a至图11c，在一些实施例中，第二-第一子层sub1-2和第二-第一部分p1-2在同一层中。第二-第一子层sub1-2连接至第二-第一部分p1-2，可选地，第二-第一子层sub1-2和第二-第一部分p1-2为整体结构的部分。
91.参照图11a至图11c，在一些实施例中，第二-第二子层sub2-2和第二-第二部分p2-2在同一层中。第二-第二子层sub2-2连接至第二-第二部分p2-2。可选地，第二-第二子层sub2-2和第二-第二部分p2-2为整体结构的部分。
92.在一些实施例中，参照图5a、图11a至图11c，阵列基板包括多个连接结构js。在一些实施例中，各个连接结构包括：第一-第二部分p2-1；第二-第二部分p2-2；第一-第三部分p3-1的第一-第一子层sub1-1；第一-第三部分p3-1的第一-第二子层sub2-1，其与第一-第二部分p2-1位于同一层中且彼此连接；第二-第三部分p3-2的第二-第一子层sub1-2；以及第二-第三部分p3-2的第二-第二子层sub2-2，其与第二-第二部分p2-2位于同一层中且彼此连接。可选地，第一-第一子层sub1-1与第一-第一部分p1-1位于同一层中且彼此连接。可选地，第二-第一子层sub1-2与第二-第一部分p1-2位于同一层中且彼此连接。可选地，第一-第一部分p1-1和第二-第一部分p1-2是两个相邻信号线的两个相邻第一部分。
93.在一些实施例中，在各个连接结构中，第一-第一子层sub1-1、第一-第二子层sub2-1、第二-第一子层sub1-2和第二-第二子层sub2-2分别位于四个不同的层中。可选地，第一-第一子层sub1-1和第二-第一子层sub1-2位于选自第一金属层和第二金属层的两个不同层中。在一个示例中，第一-第一子层sub1-1位于第一金属层中，第二-第一子层sub1-2位于第二金属层中。在另一个示例中，第一-第一子层sub1-1位于第二金属层中，第二-第一子层sub1-2位于第一金属层中。可选地，第一-第二子层sub2-1和第二-第二子层sub2-2位于从第一信号线层和第二信号线层选择的两个不同层中。在一个示例中，第一-第二子层sub2-1位于第一信号线层中，第二-第二子层sub2-2位于第二信号线层中。在另一个示例中，第一-第二子层sub2-1位于第二信号线层中，第二-第二子层sub2-2位于第一信号线层中。
94.参照图5a至图5g以及图6，在一些实施例中，多个信号线中的各个信号线还包括在
invention)”等不一定将权利要求范围限制为特定实施例，并且对本发明的示例性实施例的引用不意味着对本发明的限制，并且不应推断出这样的限制。本发明仅由所附权利要求的精神和范围来限定。此外，这些权利要求可能涉及使用“第一”、“第二”等，随后是名词或元素。这些术语应当被理解为命名法，并且不应当被解释为对由这些命名法所修改的元件的数量进行限制，除非已经给出了特定的数量。所描述的任何优点和益处可能不适用于本发明的所有实施例。应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，本领域技术人员可以对所描述的实施例进行改变。此外，本公开中的元件和组件都不是要贡献给公众，无论该元件或组件是否在所附权利要求中明确叙述。

技术特征：
1.一种阵列基板，包括多个信号线；其中，所述多个信号线中的各个信号线包括在第一区域中的第一部分和在第二区域中的第二部分，所述第一部分和所述第二部分位于不同的层中；所述多个信号线的第二部分被分组为多个对，各个对包括所述多个信号线的两个相邻信号线的第一-第二部分和第二-第二部分；以及所述第一-第二部分在基底上的正投影与所述第二-第二部分在所述基底上的正投影至少部分地彼此重叠。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述多个信号线的至少两个第一部分位于两个不同的层中。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述多个信号线的第一部分交替位于第一金属层和第二金属层中。4.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列基板，其中，所述多个信号线中的所述各个信号线还包括第三部分，所述第三部分位于所述第一部分和所述第二部分之间并且位于第三区域；以及所述第三部分包括第一子层和第二子层，所述第一子层与所述第一部分位于同一层中且彼此连接，以及所述第二子层与所述第二部分位于同一层中且彼此连接。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述第二子层通过延伸穿过绝缘层的过孔连接至所述第一子层。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，相邻第三部分在所述基底上的正投影至少部分地不重叠。7.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述多个信号线的第三部分的第二子层交替位于第一信号线层和第二信号线层中。8.根据权利要求4至7中任一项所述的阵列基板，其中，所述多个信号线的第三部分的至少两个第一子层位于两个不同的层中。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述多个信号线的第三部分的第一子层交替位于第一金属层和第二金属层中。10.根据权利要求1至9中任一项所述的阵列基板，包括多个连接结构；其中，各个连接结构包括：所述第一-第二部分；所述第二-第二部分；第一-第三部分的第一-第一子层；所述第一-第三部分的第一-第二子层，与所述第一-第二部分位于同一层中且彼此连接；第二-第三部分的第二-第一子层；以及所述第二-第三部分的第二-第二子层，与所述第二-第二部分位于同一层中且彼此连接。11.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述第一-第一子层、所述第一-第二子层、所述第二-第一子层和所述第二-第二子层分别位于四个不同的层中。12.根据权利要求11所述的阵列基板，其中，所述第一-第一子层和所述第二-第一子层
位于选自第一金属层和第二金属层的两个不同层中；以及所述第一-第二子层和所述第二-第二子层位于选自第一信号线层和第二信号线层的两个不同层中。13.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述第一-第一子层与第一-第一部分位于同一层中且彼此连接；所述第二-第一子层与第二-第一部分位于同一层中且彼此连接；以及所述第一-第一部分和所述第二-第一部分是两个相邻信号线的两个相邻第一部分。14.根据权利要求1至13中任一项所述的阵列基板，其中，所述多个信号线中的所述信号线还包括在第四区域中的第四部分；所述第四部分位于所述第一部分的远离所述第二部分的一侧；所述第四部分与所述第一部分位于同一层中且彼此连接；以及所述第四部分和所述第一部分的延伸方向不同。15.根据权利要求14所述的阵列基板，其中，所述多个信号线的至少两个第四部分位于两个不同的层中。16.根据权利要求15所述的阵列基板，其中，所述多个信号线的第四部分交替位于第一金属层和第二金属层中。17.根据权利要求14所述的阵列基板，其中，两个相邻第四部分的正投影彼此部分重叠。18.根据权利要求14所述的阵列基板，其中，所述第一部分和所述第二部分的延伸方向实质相同。19.根据权利要求1至18中任一项所述的阵列基板，其中，所述第一区域是所述阵列基板的扇出区域，并且所述第二区域是所述阵列基板的弯折区域。20.一种显示设备，包括根据权利要求1至19中任一项所述的阵列基板以及连接至所述阵列基板的集成电路。

技术总结
提供一种阵列基板，包括多个信号线；其中，所述多个信号线中的各个信号线包括在第一区域中的第一部分和在第二区域中的第二部分，所述第一部分和所述第二部分在不同的层中；所述多个信号线的第二部分被分组为多个对，各个对包括所述多个信号线的两个相邻信号线的第一-第二部分和第二-第二部分；以及所述第一-第二部分和所述第二-第二部分在基底上的正投影至少部分地彼此重叠。少部分地彼此重叠。少部分地彼此重叠。


技术研发人员：易宏 王梦奇 陈文波
受保护的技术使用者：成都京东方光电科技有限公司
技术研发日：2021.12.17
技术公布日：2023/8/21