低噪声放大器以及射频前端模组的制作方法

1.本技术涉及射频技术领域，特别是涉及一种低噪声放大器以及射频前端模组。


背景技术：

2.低噪声放大器(lownoiseamplifier，lna)作为射频接收机关键模块，其增益覆盖范围和线性度是影响其性能的关键指标。传统的低噪声放大器通常采用无源衰减结构实现低增益档位，但这种结构较为简单，线性度不足。通过提高放大管偏置电压的方法，也能够一定程度上改善其线性度。但这种方法会增加额外的功耗。
3.如何在提高lna的增益范围的同时，改善相应增益档位的线性度，是本领域一直致力解决的重要技术问题。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种低噪声放大器以及射频前端模组。
5.第一方面，本技术一实施例提供了一种低噪声放大器，包括：第一信号输入端、第一信号输出端、逻辑控制单元以及第一信号输入端和第一信号输出端之间并联连接的第一放大电路和第二放大电路；其中，
6.所述第一信号输入端用于接收信号；
7.所述第一信号输出端用于输出信号；
8.所述第一放大电路用于对所述信号进行第一增益模式的放大；所述第一放大电路包括二级放大单元，用于对所述信号进行两级放大；所述第一放大电路包括：第一级放大单元和第二级放大单元；
9.所述第二放大电路用于对所述信号进行第二增益模式的放大；所述第二放大电路包括一级放大单元，用于对所述信号进行一级放大；所述第二增益模式的增益小于所述第一增益模式的增益；所述第二放大电路包括第三放大单元；
10.所述逻辑控制单元用于控制所述第一放大电路或所述第二放大电路导通，以选择所述第一增益模式或所述第二增益模式对所述信号进行放大。
11.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述第一级放大单元包括第一共源管、第一共栅管和第一晶体管；所述第二级放大单元包括第二共源管、第二共栅管和第二晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号，以分别控制所述第一级放大单元和所述第二级放大单元导通与否。
12.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述第一共源管的漏极连接所述第一共栅管的源极，所述第一共源管的源极连接所述第一晶体管的漏极，所述第一共源管的栅极连接所述第一信号输入端；所述第一晶体管的源极接地；所述第一共栅管的漏极连接电源；所述第二共源管的漏极连接所述第二共栅管的源极，所述第二共源管的源极连接所述第二晶体管的漏极；所述第二共源管的漏极连接所述第一信号输出端；所述第二共源
管的栅极连接所述第一共栅管的漏极；所述第二晶体管的源极接地；所述第二共栅管的漏极连接电源；所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号。
13.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述第三放大单元包括第三共源管、第三共栅管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管；所述第三共源管的漏极连接所述第三共栅管源极，所述第三共源管的栅极连接所述第三晶体管的漏极，所述第三晶体管的源极连接所述第四晶体管的漏极；所述第三晶体管的源极连接所述第一信号输入端；所述第四晶体管的源极接地；所述第三共栅管的漏极连接所述第五晶体管的源极；所述第五晶体管的漏极分别连接电源和所述第一信号输出端；所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号，以控制所述第三放大单元导通与否。
14.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述低噪声放大电路还包括偏置电路，所述偏置电路用于向所述第一级放大单元、所述第二级放大单元和/或所述第三放大单元输出工作电压；所述偏置电路用于在所述逻辑控制单元的控制下改变所述工作电压，以调节所述第一增益模式和/或第二增益模式的增益档位。
15.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述低噪声放大电路还包括衰减器，用于在所述逻辑控制单元的控制下调节所述低噪声放大电路的增益档位；所述衰减器设置于所述第二放大电路与所述第一信号输出端之间，和/或所述第一放大电路与所述第一信号输出端之间。
16.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述衰减器包括至少两个增益调节单元，所述至少两个增益调节单元包括不同的增益档位；所述逻辑控制单元用于控制所述衰减器的工作状态，以调节所述低噪声放大器的增益档位。
17.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述衰减器包括开关组件和至少一个衰减网络，所述开关组件用于在所述逻辑控制器的控制下控制所述至少一个衰减网络的工作状态，以调节所述衰减器的增益档位。
18.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述至少一个衰减网络包括：t型衰减网络，包括第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻和所述第二电阻串联，所述第三电阻的一端连接在所述第一电阻和所述第二电阻之间，所述第三电阻的另一端接射频地；或，
19.所述至少一个衰减网络包括：π型衰减网络，包括第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第五电阻连接在所述第四电阻的一端和所述第六电阻的一端之间，所述第四电阻的另一端和所述第六电阻的另一端接射频地。
20.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述至少一个衰减网络包括第一衰减网络和第二衰减网络；
21.所述第一衰减网络包括第三十一电阻、第三十二电阻和第三十三电阻；所述第三十一电阻的一端和所述第三十三电阻的一端之间连接所述第三十二电阻，所述第三十一电阻的另一端和所述第三十三电阻的另一端接射频地；
22.所述第二衰减网络包括第三十四电阻、第三十五电阻和第三十六电阻；所述第三十五电阻连接在所述第三十四电阻的一端和所述第三十六电阻的一端之间，所述第三十四
电阻的另一端和所述第三十六电阻的另一端接射频地；所述第三十二电阻和所述第三十五电阻串联连接在所述第二级放大电路的信号输出端和所述第一信号输出端之间。
23.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述开关组件包括第三十一晶体管、第三十二晶体管、第三十三晶体管、第三十四晶体管、第三十五晶体管、第三十六晶体管和第三十七晶体管；所述第三十一晶体管的源极连接所述第二级放大电路的信号输出端；所述第三十一晶体管的漏极连接所述第一信号输出端；所述第三十二晶体管的源极连接所述第二级放大电路的信号输出端；所述第三十二晶体管的漏极连接所述第三十五晶体管的源极；所述第三十五晶体管的漏极连接所述第一信号输出端；所述第三十一电阻连接在所述第三十二晶体管的源极和漏极之间；所述第三十三晶体管的漏极通过所述第三十二电阻连接所述第三十二晶体管的源极，所述第三十三晶体管的源极接射频地；所述第三十四晶体管的漏极通过所述第三十三电阻连接所述第三十二晶体管的漏极，所述第三十四晶体管的源极接射频地；所述第三十五电阻连接在所述第三十五晶体管的源极和漏极之间；所述第三十六晶体管的漏极通过所述第三十四电阻连接所述第三十五晶体管的源极，所述第三十六晶体管的源极接射频地；所述第三十七晶体管的漏极通过所述第三十六电阻连接所述第三十五晶体管的漏极，所述第三十七晶体管的源极接射频地；所述第三十一晶体管的栅极、所述第三十二晶体管的栅极、所述第三十三晶体管的栅极、所述第三十四晶体管的栅极、所述第三十五晶体管的栅极、所述第三十六晶体管的栅极和所述第三十七晶体管的栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号。
24.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述第一级放大单元和所述第一信号输入端之间设置有输入匹配网络，所述输入匹配网络包括输入匹配调节电路，用于调节所述第一增益模式的输入阻抗。
25.结合本技术的第一方面，在一可选实施方式中，所述输入匹配调节电路包括第六晶体管和第三电容，所述第六晶体管的源极连接所述第一级放大单元的共源管的栅极，所述第六晶体管的漏极通过所述第三电容连接所述第一级放大单元的共源管的源极，所述第六晶体管的栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号。
26.第二方面，本技术实施例提供了一种射频前端模组，包括上述任意一方面所述的低噪声放大器。
27.本技术实施例所提供的低噪声放大器以及射频前端模组，通过采用包括两级放大单元的第一放大电路对信号进行高增益档位(第一增益模式)放大，采用包括一级放大单元的第二放大电路对信号进行低增益档位(第二增益)放大，利用一级放大电路线性度更优的特点，既保证了低噪声放大器的增益覆盖范围，又能改善低增益档位的线性度。如此，解决了传统低噪声放大器无法兼顾增益范围和线性度的缺点。通过采用衰减器和偏置电路，实现了多个增益档位的可调节，扩大了低噪声放大器的增益调节范围。
28.本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
29.此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
30.图1为本技术一实施例提供的低噪声放大器的示意图一；
31.图2为本技术一实施例提供的低噪声放大器的示意图二；
32.图3为本技术一实施例提供的低噪声放大器的示意图三；
33.图4为本技术一实施例提供的第一偏置电路示意图；
34.图5为本技术一实施例提供的第二偏置电路示意图；
35.图6为本技术一实施例提供的第三偏置电路示意图；
36.图7为本技术一实施例提供的衰减器示意图一；
37.图8a为本技术一实施例提供的衰减器示意图二；
38.图8b为本技术一实施例提供的衰减器示意图三；
39.图8c为本技术一实施例提供的衰减器的示意图四；
40.图9为本技术一实施例提供的衰减器示意图四。
具体实施方式
41.为使本技术的技术方案和有益效果能够更加明显易懂，下面通过列举具体实施例的方式，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
42.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
43.可以理解，本技术所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本技术的范围的情况下，可以将第一电阻称为第二电阻，且类似地，可将第二电阻称为第一电阻。第一电阻和第二电阻两者都是电阻，但其不是同一电阻。当描述“第一”时，并不表示必然存在“第二”；而当讨论“第二”时，也并不表明本技术必然存在第一元件、部件、区、层或部分。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可能意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。还应明白术语“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征的存在，但不排除一个或更多其它的特征的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
44.可以理解，本技术上下文中“连接”表示被连接的一端与连接至的一端之间相互具有电信号或数据的传递，可理解为“电连接”、“通信连接”等。本技术上下文中“a与b直接连接”表示a和b之间不包括除导线以外的其他元器件。
45.本技术实施例提供一种低噪声放大器，参考图1，包括：第一信号输入端01、第一信号输出端02、逻辑控制单元30以及第一信号输入端01和第一信号输出端02之间并联连接的第一放大电路10和第二放大电路20。第一信号输入端01用于输入信号。第一信号输出端02用于输出信号。输入信号可以为射频信号。可选的，第一信号输出端02与负载连接。
46.第一放大电路10用于对信号进行第一增益模式的放大。第一放大电路10包括二级放大单元，第一级放大单元11和第二级放大单元12，用于对信号依次进行两级放大。通过采
用两级放大电路，实现了对输入信号的高增益放大，提高了噪声可调空间。
47.第二放大电路20用于对信号进行第二增益模式的放大。第二放大电路20包括一级放大单元，第三放大单元，用于对信号进行一级放大。第二增益模式的增益小于第一增益模式的增益。
48.逻辑控制单元30用于控制第一放大电路10或第二放大电路20导通，以选择第一增益模式或第二增益模式对信号进行放大。当需要对信号进行第一增益模式(高增益模式)的放大时，逻辑控制单元30控制第一放大电路10导通；当需要对信号进行第二增益模式(低增益模式)的放大时，逻辑控制单元30控制第二放大电路20导通。
49.本实施例的低噪声放大器的工作过程如下：采用第一放大电路10和第二放大电路20分别对信号进行第一增益模式和第二增益模式的放大。当需要对信号进行第一增益模式的放大时，逻辑控制单元30控制第一放大电路10导通，第二放大电路20不导通；当需要对信号进行第二增益模式的放大时，逻辑控制单元30控制第二放大电路20导通，第一放大电路10不导通。第一放大电路10包括两级放大单元，依次对信号进行两级放大，能够对信号进行高增益模式放大。第二放大电路20采用一级放大单元，对信号进行放大，能够对信号进行低增益模式放大，同时提高低增益档的线性度。
50.通过采用包括两级放大单元的第一放大电路对信号进行高增益模式(第一增益模式)放大，实现了信号的高增益放大；采用包括一级放大单元的第二放大电路对信号进行低增益模式(第二增益模式)放大，由于一级放大电路线性度更优，这样既扩大了低噪声放大器的增益覆盖范围，又提高了低增益模式的线性度。实现了3.3g～4.2ghz频率下(后仿结果)低噪声放大器增益达到21db以上，输入匹配输出匹配良好。在3.8ghz频率处，增益可达23.5db。1db压缩点达到-23dbm。噪声在1.4db以内，匹配良好。
51.本技术实施例中的晶体管以绝缘栅型场效应管(mosfet，简称mos管)为例进行介绍，但本技术的实施例并不限于此，还可采用其他类型的晶体管，例如结型晶体管(bjt)或结型场效应晶体管(jfet)等，本技术对此无限制。
52.参考图2，在一可选实施方式中，第一级放大单元11包括第一共源管m11、第一共栅管m12和第一晶体管m13。第二级放大单元12包括第二共源管m21、第二共栅管m22和第二晶体管m23。m13和m23用于接收逻辑控制单元30的导通控制信号，以分别控制第一级放大单元11和第二级放大单元12导通与否。
53.在一可选实施方式中，m11的漏极连接m12的源极，m11的源极连接m13的漏极，m11的栅极连接第一信号输入端01以接收输入信号。m13的源极接地。m12的漏极连接电源vdd。m21的漏极连接m22的源极，m21的源极连接m23的漏极。m21的漏极连接第一信号输出端02。m23的源极接地。m22的漏极连接电源vdd。m21的栅极连接m12的漏极。m13的栅极和m23的栅极用于接收逻辑控制单元30的导通控制信号va_buf。可选的，m13的源极通过第一电感l51接地。当va_buf为高电平，高于m13和m23的导通电压时，m13和m23导通，第一级放大单元11和第二级放大单元12导通，开始工作。当va_buf为低电平，低于m13和m23的导通电压时，或者未接收到导通控制信号时，m13和m23不导通，第一级放大单元11和第二级放大单元12不导通而不工作。m11、m12、m21和m22的栅极分别用于接收偏置电压vg1d、vg1u、vg2d和vg2u。
54.在一可选实施方式中，第二放大电路20包括第三放大单元21，其包括第三共源管m31、第三共栅管m32、第三晶体管m33、第四晶体管m34和第五晶体管m35。m31的漏极连接m32
源极，m31的栅极连接m33的漏极，m33的源极连接m34的漏极；m33的源极连接第一信号输入端01；m34的源极接地；m32的漏极连接m35的源极；m35的漏极分别连接电源vdd和第一信号输出端02；m33的栅极、m34的栅极和m35的栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号，以控制第三放大单元导通与否。可选的，m23的源极通过第一电感l51接地。可选的，m33的漏极通过第五电容c31与m31的栅极连接。
55.当m33、m34和m35的栅极接收到的导通控制信号va_buf_inv为高电平高于m33、m34和m35的导通电压时，m33、m34和m35导通，第三级放大单元13导通而开始工作。当m33、m34和m35的栅极接收到导通控制信号va_buf_inv为低电平，低于m33、m34和m35的导通电压时，或者未接收到导通控制信号va_buf_inv时，m33、m34和m35不导通，第三放大单元21不导通而处于非工作状态。
56.可选的，va_buf与va_buf_inv的电平反相，当va_buf为高电平时，va_buf_inv为低电平，当va_buf为低电平时，va_buf_inv为高电平。如此，实现了第一放大电路10和第二放大电路20的择一导通。可选的，电源电压vdd为1～3v。可选的，电源电压vdd约为1.2v。
57.由于第二放大电路20采用一级放大结构，相对二级放大电路而言，一级放大结构的线性度要好很多，尤其偏置电流较低时，二级放大电路会出现增益扩增的情况。通过采用一级放大结构既保证了高增益模式的增益值又能改善低增益模式的线性度。
58.在一可选实施方式中，参考图3，低噪声放大器还包括偏置电路，用于向第一级放大单元11、第二级放大单元12和/或第三放大单元21输出工作电压。可选的，偏置电路包括第一偏置电路15、第二偏置电路16和第三偏置电路22，分别用于向第一级放大单元11、第二级放大单元12和第三放大单元21输出工作电压。参考图4，第一偏置电路15包括参考电流输入端iref1、工作电压输出端、电压转换单元、第十晶体管m151、第十一晶体管m152、第十二晶体管m153和第十三晶体管m154。电压转换单元用于将通过参考电流输入端iref1接收到的电流转换为工作电压后，输出至m11和m12。可以理解的是，工作电压输出端的数量与共源管和共栅管的数量匹配。以图2为例，第一级放大单元11包括第一共源管m11和第一共栅管m12，电压转换单元分别将第一工作电压vg1d和第二工作电压vg1u输出至m11和m12的栅极。
59.可选的，mos管m151和m152采用二极管连接方式，形成第一mos二极管m151和第二mos二极管m152。mos二极管作用在于释放静电，提高电路的品质和可靠性。mos管m153的漏极和源极相连以形成第一mos电容m153。mos管m154的漏极和源极相连以形成第二mos电容m154。mos电容起到滤波作用。电压转换单元包括至少一个电阻，输入电流流经电压转换单元后形成压降，从而将电流转换为工作电压。
60.如图4所示，第一偏置电路15的电压转换单元包括第一电阻r151、第二电阻r152、第三电阻r153、第四电阻r154和第五电阻r155。m151的漏极和栅极相连后连接至参考电流输入端iref1。m151的源极与m152的漏极和栅极连接。m151的栅极依次通过r151和r152连接至第二工作电压vg1u输出端。m152的源极连接模拟地gnd1。m152的栅极依次通过r153、r154和r155连接至第一工作电压vg1d输出端。m153的栅极连接在r154和r155之间。m154的栅极连接第二工作电压vg1u输出端。m153和m154的漏极及源极均连接模拟地gnd1。可选的，r151和r152采用一个电阻代替。r153和r154采用一个电阻代替。
61.可选的，第一偏置电路15和第二偏置电路16的结构相同。参考图5，第二偏置电路16包括参考电流输入端iref2、工作电压输出端、电压转换单元、第十五晶体管m161、第十六
晶体管m162、第十七晶体管m163和第十八晶体管m164。电压转换单元用于将通过参考电流输入端iref2接收到的电流转换为工作电压后，输出至m21和m22。可以理解的是，工作电压输出端的数量与第二级放大单元12的共源管和共栅管的数量匹配。以图2为例，第二级放大单元12包括第二共源管m21和第二共栅管m22，第二偏置电路16分别向m21和m22的栅极输出第三工作电压vg2d和第四工作电压vg2u。
62.可选的，第二偏置电路16的电压转换单元包括第六电阻r161、第七电阻r162、第八电阻r163、第九电阻r164和第十电阻r165。其连接关系与第一偏置电路15中的相同。可选的，r161和r162采用一个电阻代替。r163和r164采用一个电阻代替。
63.可选的，第二偏置电路16和第一偏置电路15为同一个偏置电路，第一工作电压vg1d输出端与第三工作电压vg2d输出端相同，第二工作电压vg1u输出端与第四工作电压vg2u输出端相同。可选的，参考电流输入端iref1和iref2连接至逻辑控制单元30。
64.参考图6，第三偏置电路22包括参考电流输入端iref3、工作电压输出端、电压转换单元、第十九晶体管m221、第二十晶体管m222、第二十一晶体管m223和第二十二晶体管m224。第三偏置电路22的电压转换单元用于将通过参考电流输入端iref3接收到的电流转换为工作电压后，输出至第三放大单元21的共源管和共栅管。可选的，参考电流输入端iref3连接至逻辑控制单元30。通过逻辑控制单元30控制电流电路向第三偏置电路22提供参考电流。可以理解的是，工作电压输出端的数量与共源管和共栅管的数量匹配。以图2为例，第三放大单元21包括第三共源管m31和第三共栅管m32，电压转换单元分别将第五工作电压vg3d和第六工作电压vg3u输出至m31和m32的栅极。
65.可选的，mos管m221和m222采用二极管连接方式，形成第五mos二极管m221和第六mos二极管m222。mos二极管作用在于释放静电，提高电路的品质和可靠性。mos管m223的漏极和源极相连以形成第五mos电容m223。mos管m224的漏极和源极相连以形成第六mos电容m224。mos电容起到滤波作用。电压转换单元包括至少一个电阻，输入电流流经电压转换单元后形成压降，从而将电流转换为工作电压。
66.如图6所示，第三偏置电路22的电压转换单元包括第十一电阻r221、第十二电阻r222、第十三电阻r223和第十四电阻r224。m221的漏极和栅极相连后连接至参考电流输入端iref3。m221的源极与m222的漏极和栅极连接。m221的栅极依次通过r221和r222连接至第六工作电压vg3u输出端。m222的源极连接模拟地gnd1。m222的栅极依次通过r223和r224连接至第五工作电压vg3u输出端。m223的栅极连接第五工作电压vg3u输出端。m224的栅极连接第六工作电压vg3u输出端。m223和m224的漏极及源极均连接模拟地gnd1。可选的，r221和r222采用一个电阻代替。r223和r224采用一个电阻代替。
67.通过逻辑控制单元30控制电流电路提供的参考电流iref1、iref2、iref3的大小，从而改变第一偏置电路、第二偏置电路和第三偏置电路所输出的工作电压，以调节低噪声放大器的模式/档位。每个增益挡位均可调节。可选的，逻辑控制单元30采用mipi数字控制器。采用3个寄存器各三位控制字控制电流电路，可提供3路8种电流值，进而改变偏置电路的参考电流，改变偏置电路提供给第一放大电路10和第二放大电路20的工作电压，以实现不同增益值的调节。可选的，参考电流为10～20ma，例如15.5ma。可选的，第一偏置电路11的参考电流为10ma，第二偏置电路12的参考电流为6ma，实现了高增益放大，以及提高噪声可调空间。采用三路偏置电路还用于分别提高三个放大单元的栅压。
68.参考图2和图3，在一可选实施方式中，低噪声放大器还包括衰减器40，设置于第二放大电路20与第一信号输出端02之间，和/或第一放大电路10与第一信号输出端02之间，用于在逻辑控制单元30的控制下调节低噪声放大器的增益档位。逻辑控制单元还用于控制衰减器40的工作状态，以调节低噪声放大器的增益档位。可分别针对第一增益模式和第二增益模式进行增益档位的调节。图2中衰减器40设置在第一放大电路10的信号输出端222和第一信号输出端02之间，以及第二放大电路20的信号输出端和第一信号输出端02之间，能够针对第一增益模式和第二增益模式进行增益档位的调节。还可将第二放大电路20的信号输出端直接连接第一信号输出端02，即将m35的漏极直接连接第一信号输出端02，此时，衰减器40仅针对第一增益模式进行增益档位的调节。
69.可选的，衰减器40包括无源衰减器。衰减器40包括至少两个增益调节单元，包括不同的增益档位。不同增益调节单元的阻抗值不同。通过控制不同增益调节单元的工作状态，以实现第一增益模式或第二增益模式下对信号的不同程度的衰减。若衰减器40中第一增益调节单元41处于工作状态，采用第一增益调节单元41对信号进行衰减，若第二增益调节单元42处于工作状态，采用第二增益调节单元42对信号进行衰减，从而实现低噪声放大器的增益可调节。
70.可选的，增益调节单元的数量可以根据需要调整。图7示出了包括四个增益调节单元的实例，包括第一增益调节单元41、第二增益调节单元42、第三增益调节单元43和第四增益调节单元44，分别通过控制信号s1、s2、s3和s4输入端接收逻辑控制单元30的控制信号，以控制第一增益调节单元41、第二增益调节单元42、第三增益调节单元43和第四增益调节单元44是否处于工作状态。第一增益调节单元41、第二增益调节单元42、第三增益调节单元43和第四增益调节单元44的增益不同。衰减器40的信号输入端401连接第一放大电路10的信号输出端，和/或第二放大电路20的信号输出端。信号输出端402连接第一信号输出端02。可选的，衰减器40的信号输入端401连接输出匹配网络60的信号输入端。
71.本实施例的低噪声放大器的工作过程如下：采用第一放大电路10的两级放大电路对输入的信号进行第一增益模式(高增益)放大，采用第二放大电路20的一级放大电路对输入的信号进行第二增益模式(低增益)放大。采用衰减器40对经第一放大电路10或第二放大电路20的信号进行衰减。衰减器40包括至少两个不同的增益单元，分别对应不同的增益档位。当需要对低噪声放大器的增益档位进行调节时，逻辑控制单元30控制衰减器40的工作状态，选择不同的增益档位对信号进行第一增益模式和/或第二增益模式增益调节。不同增益调节单元的阻抗不同，因而采用不同增益调节单元对信号进行衰减的程度亦不同。逻辑控制单元30通过控制不同的增益调节单元的工作状态，对信号进行不同程度的衰减，以实现不同增益模式或增益档位的调节。例如，当第一增益调节单元41导通时，信号通过第一增益单元调节单元41实现第一增益档处理；当第二增益单元调节单元42导通时，信号通过第二增益调节单元42实现第二增益档处理；当第三增益调节单元43导通时，信号通过第三增益调节单元43实现第三增益档处理；当第四增益调节单元44导通时，信号通过第四增益调节单元44实现第四增益档处理。如此，本实施例的低噪声放大器在提高增益覆盖范围的同时，实现了多个增益档位的调节，大大提高了其增益档位的调节范围。
72.参考图8和图9，在一可选实施方式中，衰减器40包括开关组件和至少一个衰减网络，开关组件用于在逻辑控制单元30的控制下控制衰减网络的工作状态，以选择所述衰减
器的增益档位，从而实现不同增益档位的调节。可选的，衰减网络包括π型衰减网络或t型衰减网络。
73.图8a和图8b示出了衰减器40包括开关组件和一个衰减网络的可能的实施例，其具有两个增益档位，通过控制开关组件的导通与否控制衰减网络是否工作，从而实现两个增益模式的选择。首先参考图8a，开关组件包括第三十一晶体管m41。m41构成第一增益调节单元。衰减网络采用t型衰减网络，包括第三十一电阻r41、第三十二电阻r42和第三十三电阻r43。r41和r42串联后，连接在衰减器40的信号输入端401和信号输出端402之间。r43的一端连接在r41和r42之间，r43的另一端接射频地gndrfx。m41的源极连接衰减器40的信号输入端401，m41的漏极连接衰减器40的信号输出端402。r41、r42和r43构成第二增益调节单元。m41的栅极通过控制信号s1输入端接收逻辑控制单元30的导通控制信号。
74.参考图8b，衰减网络采用π型衰减网络，包括第三十四电阻r44、第三十五电阻r45和第三十六电阻r46。r45连接在r44的一端和r46的一端之间。r44的另一端和r44的另一端接射频地gndrfx。m41的源极连接衰减器40的信号输入端401，m41的漏极连接衰减器40的信号输出端402。r44、r45和r46构成第二增益调节单元。m41的栅极通过控制信号s1输入端接收逻辑控制单元30的导通控制信号。
75.当m41接收到的导通控制信号电平大于m41的导通电压时，m41导通，信号从信号输入端401流经m41的源极和漏极，从信号输出端402输出。此时信号不衰减，为衰减器40的第一增益档位，增益为零。当m41接收到的导通控制信号电平小于m41的导通电压时，m41不导通，信号从信号输入端401流经由r41、r42和r43构成的t型衰减网络和/或由r44、r45和第六电阻r46构成的π型衰减网络而被衰减，从信号输出端402输出。此时为衰减器40的第二增益档位，信号被衰减。第二增益档位的增益值可通过r41、r42和r43的阻值进行设置。
76.在另一种可能的实施方式中，第一开关组件包括第一晶体管m41、第二晶体管m42和第三晶体管m43，分别与上述衰减网络的三个电阻并联，用于控制衰减网络的工作状态。以图8a的t型衰减网络为例，参见图8c，m41的源极和漏极分别连接在r41的两端，m42的源极和漏极分别连接在r42的两端，m43的源极和漏极分别连接在r43的两端。m41、m42和m43的栅极用于分别接收控制信号s1、s2和s3。当s1、s2和s3电平为高电平，高于m41、m42和m43的导通电压时，衰减网络处于不工作，此时信号不衰减，为衰减器40的第一增益档位；当s1、s2和s3电平为低电平，低于m41、m42和m43的导通电压时，衰减网络工作，对信号进行衰减，为衰减器40的第二增益档位。对于衰减网络为π型衰减网络的情形，三个晶体管的连接方式与下文图9相同。
77.图9示出了衰减器包括两个衰减网络的一种可能的实施例，包括第一衰减网络和第二衰减网络，具有四个增益档位。第一衰减网络包括第三十一电阻r41、第三十二电阻r42和第三十三电阻r43。r42连接在r41的一端和r43的一端之间。r41的另一端和r43的另一端接射频地gndrfx。第二衰减网络包括第三十四电阻r44、第三十五电阻r45和第三十六电阻r46。r45连接在r44的一端和r46的一端之间。r44的另一端和r46的另一端接射频地gndrfx。r42和r45串联连接在衰减器40的信号输入端401和信号输出端402之间。
78.图9示出了第一衰减网络和第二衰减网络均采用π型衰减网络。可选的，第一衰减网络和第二衰减网络可均采用t型衰减网络；或者第一衰减网络采用t型衰减网络，第二衰减网络采用π型衰减网络；或者第一衰减网络采用π型衰减网络，第二衰减网络采用t型衰减
网络。可选的，衰减网络的数量为三个以上，例如还包括第三衰减网络和/或第四衰减网络等等，根据需要进行选择。衰减网络的拓扑结构采用t型或π型均可。
79.开关组件包括第三十一晶体管m41、第三十二晶体管m42、第三十三晶体管m43、第三十四晶体管m44、第三十五晶体管m45、第三十六晶体管m46和第三十七晶体管m47。m41的源极通过信号输入端401连接第二级放大电路的信号输出端；m41的漏极通过信号输出端402连接第一信号输出端02；m42的源极通过信号输入端401连接第二级放大电路的信号输出端；m42的漏极连接m45的源极；m45的漏极连接第一信号输出端02；r41连接在m42的源极和漏极之间。m43的漏极通过r42连接m42的源极，m43的源极接射频地gndrfx。m44的漏极通过r43连接m42的漏极，m44的源极接射频地gndrfx。r45连接在m45的源极和漏极之间。m46的漏极通过r44连接m45的源极，m46的源极接射频地gndrfx；m47的漏极通过r46连接m45的漏极，m47的源极接射频地gndrfx。m41的栅极、m42的栅极、m43的栅极、m44的栅极、m45的栅极、m46的栅极和m47的栅极分别用于接收逻辑控制单元30的导通控制信号。
80.m41的栅极接收逻辑控制单元30的导通控制信号s1。m42的栅极接收逻辑控制单元30的导通控制信号s2_inv。m43的栅极和m44的栅极接收逻辑控制单元30的导通控制信号s2。m45的栅极接收逻辑控制单元30的导通控制信号s3_inv。m46的栅极和m47的栅极接收逻辑控制单元30的导通控制信号s3。可选的，s2_inv与s2反向，当s2_inv为高电平时，s2为低电平；当s2_inv为低电平时，s2为高电平。s3_inv与s3相反，当s3_inv为高电平时，s3为低电平；当s3_inv为低电平时，s3为高电平。
81.m41构成第一增益调节单元41。m42、m43、m44、r41、r42、r43构成第二增益调节单元42。m45、m46、m47、r44、r45、r46构成第三增益调节单元43。m42、m43、m44、m45、m46、m47、r41、r42、r43、r44、r45、r46构成第四增益调节单元44。
82.可选的，m41的栅极通过第十五电阻r411连接控制信号s1输入端。m42的栅极通过第十六电阻r421连接控制信号s2_inv输入端。m43的栅极通过第十七电阻r424连接控制信号s2输入端。m44的栅极通过第十八电阻r426连接控制信号s2输入端。m45的栅极通过第十九电阻r431连接控制信号s3_inv输入端。m46的栅极通过第二十电阻r434连接控制信号s3输入端。m47的栅极通过第二十一电阻r435连接控制信号s3输入端。r411、r421、r424、r426、r431、r434和r435一方面可以防止m41、m42、m43、m44、m45、m46和m47由于充放电电流过大而烧坏；另一方面可以调节晶体管的充放电速度。栅极电阻的等效时间常数决定了晶体管开关的转换时间。当栅极电阻增大时，晶体管开关切换速度变慢。通过选择合适的栅极电阻值加快充放电速度。
83.衰减器40工作过程如下：第一增益档位下，s1为高电平，高于m41的导通电压，m41导通，第一增益调节单元41导通，信号从信号输入端401流入，经m41的源极和漏极后，从信号输出端402输出，衰减器40不对信号进行衰减，如此实现对信号的第一增益档处理。
84.第二增益档位下，s1为低电平、s2为高电平、s2_inv为低电平且s3为低电平，s3_inv为高电平第一增益调节单元41不导通，m42、m43、m44和m45导通，第二增益调节单元42处于工作状态，第三增益调节单元43不工作。信号从信号输入端401经m42的源极和漏极后，经由r41、r42和r43形成的衰减网络从信号输出端402输出。经第二增益调节单元42的衰减实现对信号的第二增益档处理。可选的，第二增益档的增益例如是-3db。
85.第三增益档位下，s1为低电平、s2为低电平、s2_inv为高电平且s3为高电平，s3_
inv为低电平，第一增益调节单元41不导通，m42、m45、m46和m47导通，第三增益调节单元43处于工作状态，第二增益调节单元42不工作。信号从信号输入端401经m42的源极和漏极后，经由r44、r45和r46形成的衰减网络从信号输出端402输出。经第三增益调节单元43的衰减实现对信号的第三增益档处理。第三增益档的增益与第二增益档的增益不同。可选的，第三增益档的增益例如是-6db。
86.第四增益档位下，s1为低电平、s2为高电平、s3为高电平，s2_inv和s3_inv为低电平，第二增益调节单元42和第三增益调节单元43处于工作状态。信号从信号输入端401依次经r41、r42和r43形成的衰减网络，和r44、r45和r46形成的衰减网络，从信号输出端402输出。经第二增益调节单元42和第三增益调节单元43的衰减，实现对信号的第四增益档处理。可选的，第四增益档位的增益例如是-9db。
87.如上所述，通过采用衰减器40实现了多个增益档的调节，在实现高增益放大的同时，扩大了增益可调节档位和调节范围。通过控制逻辑控制单元30直接调节增益挡位而无需改变偏置电路的参考电流，简单直接控制衰减器40来调节增益挡位，简化了增益挡位的调节，提高了增益挡位调节的灵活性。通过对衰减器40的控制可实现-3db～-9db的增益调节，例如-3db、-6db和-9db的增益衰减。可选的，通过设置各个增益调节单元的衰减网络的阻抗，以设置各个增益调节单元或不同增益档位的增益值。可选的，通过调节开关组件的尺寸以减小衰减器40对第一级放大单元11和第二级放大单元12性能的影响。
88.本技术实施例的增益档位的可能的调节方式包括：逻辑控制单元30控制第一放大电路10处于工作状态，而第二放大电路20处于非工作状态，此时由第一放大电路10进行第一增益模式(高增益模式)的放大。逻辑控制单元30控制第二放大电路20处于工作状态，而第一放大电路10处于非工作状态，此时由第二放大电路20进行第二增益模式(低增益模式)的放大。
89.在第一增益模式和第二增益模式中，逻辑控制单元30通过调节不同的参考电流以调节输出至第一级放大单元11、第二级放大单元12和第三放大单元21的偏置电压，从而实现不同增益档位的调节。采用两个寄存器各三位控制字控制电流源电路，可输出3路8种电流值，进而改变偏置电路的参考电流，改变偏置电路提供给第一放大电路10和第二放大电路20的工作电压，以实现不同增益档位的调节。
90.在另一种可能的方式中，逻辑控制单元30通过先设定参考电流以输出预定的偏置电压，然后通过控制衰减器40的不同增益调节单元的工作状态实现不同增益档位的调节。在另一种可能的方式中，逻辑控制单元30通过调节偏置电流，例如减小偏置电流，结合控制衰减器40的不同增益调节单元的工作状态实现不同增益的调节。可选的，前三个增益档可直接通过控制衰减器40实现增益的递减，后几个增益档的调节通过减小偏置电流值搭配衰减器40实现。
91.可选的，参考电流为10～20ma，例如15.5ma。可选的，第一偏置电路的参考电流为10ma，第二偏置电路的参考电流为6ma，实现了高增益，以及提高噪声可调空间。可选的，r155和r165的阻值为10kω～30kω，例如20kω。
92.可选的，本技术实施例的低噪声放大器的最低档位增益达-7db，输入输出匹配良好，几乎无功耗，1db压缩点达-1dbm，输入三阶交调截取点(iip3)达4.4dbm。
93.参考图2和图3，在一可选实施方式中，第一级放大电路10和第一信号输入端01之
间设置有输入匹配网络50。输入匹配网络24包括输入匹配调节电路，用于有效调节低增益挡位的输入匹配。可选的，低增益挡位为除了最高增益档位外的其他增益档位。输入匹配调节电路包括串联连接的第六晶体管m51和第三电容c51。m51的源极连接m11的栅极，m51的漏极通过c51连接m11的源极，m51的栅极用于接收逻辑控制单元30的导通控制信号。
94.在输入匹配网络50中引入一个逻辑控制位，m51在逻辑控制单元30的控制下导通，将c51接入m11的栅极和源极之间，m11的栅极和源极之间的电容增大，可以有效调节低噪声放大器中间增益档位的输入匹配。可选的，在除最高增益档位的其他较低增益档位，控制输入匹配调节电路进行输入匹配调节。
95.输入匹配网络50还包括第二电感l52和第四电容c53。l52和c53依次串联在第一信号输入端01和m11的栅极之间。可选的，第二电感l22放在片外(die外)，用于减小噪声。可选的，l22采用贴片电感。可选的，采用q值较高的电感，例如3nh。
96.参考图2和图3，在一可选实施方式中，第二级放大单元12和第一信号输出端02之间设置有输出匹配网络60，包括第四电感l61、第五电感l62和第六电容c61。l61连接于m12漏极和电压vdd之间。l62连接于m22和电压vdd之间。c61连接于第二级放大单元12的信号输出端222与第一信号输出端02之间。或者c61连接于第二级放大单元12的信号输出端222与衰减器40之间。c61还连接于m35的漏极与第一信号输出端02之间。或者c61还连接于m35的漏极与衰减器40之间。
97.参考图2和图3，在一可选实施方式中，第一级放大单元11和第二级放大单元12之间设置有级间匹配电路13，用于实现第一级放大单元11和第二级放大单元12之间的阻抗匹配。级间匹配电路13包括第一电容c11，设置于m12的漏极与m21的栅极之间。级间匹配电路13和第二级放大单元12的信号输出端222之间设置有补偿电路14，用于调节低噪声放大电路的输出匹配，以及高频增益。可选的，补偿电路14包括密勒补偿单元，其包括第二电容c12。可选的，密勒补偿单元还包括第二十二电阻r11，其与第二电容c12相互串联。
98.第二方面，本技术实施例提供了一种射频前端模组，包括上述任意一方面所述的低噪声放大器。可选的，该射频前端fem芯片还可包括功率放大器(pa)、单刀双掷开关(spdt)。可选的，该射频前端模组芯片采用global foundry soi工艺实现。
99.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
100.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：第一信号输入端、第一信号输出端、逻辑控制单元以及第一信号输入端和第一信号输出端之间并联连接的第一放大电路和第二放大电路；其中，所述第一信号输入端用于接收信号；所述第一信号输出端用于输出信号；所述第一放大电路用于对所述信号进行第一增益模式的放大；所述第一放大电路包括二级放大单元，用于对所述信号进行两级放大；所述第一放大电路包括：第一级放大单元和第二级放大单元；所述第二放大电路用于对所述信号进行第二增益模式的放大；所述第二放大电路包括一级放大单元，用于对所述信号进行一级放大；所述第二增益模式的增益小于所述第一增益模式的增益；所述第二放大电路包括第三放大单元；所述逻辑控制单元用于控制所述第一放大电路或所述第二放大电路导通，以选择所述第一增益模式或所述第二增益模式对所述信号进行放大。2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大单元包括第一共源管、第一共栅管和第一晶体管；所述第二级放大单元包括第二共源管、第二共栅管和第二晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号，以分别控制所述第一级放大单元和所述第二级放大单元导通与否。3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一共源管的漏极连接所述第一共栅管的源极，所述第一共源管的源极连接所述第一晶体管的漏极，所述第一共源管的栅极连接所述第一信号输入端；所述第一晶体管的源极接地；所述第一共栅管的漏极连接电源；所述第二共源管的漏极连接所述第二共栅管的源极，所述第二共源管的源极连接所述第二晶体管的漏极；所述第二共源管的漏极连接所述第一信号输出端；所述第二共源管的栅极连接所述第一共栅管的漏极；所述第二晶体管的源极接地；所述第二共栅管的漏极连接电源；所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号。4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第三放大单元包括第三共源管、第三共栅管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管；所述第三共源管的漏极连接所述第三共栅管源极，所述第三共源管的栅极连接所述第三晶体管的漏极，所述第三晶体管的源极连接所述第四晶体管的漏极；所述第三晶体管的源极连接所述第一信号输入端；所述第四晶体管的源极接地；所述第三共栅管的漏极连接所述第五晶体管的源极；所述第五晶体管的漏极分别连接电源和所述第一信号输出端；所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号，以控制所述第三放大单元导通与否。5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大电路还包括偏置电路，所述偏置电路用于向所述第一级放大单元、所述第二级放大单元和/或所述第三放大单元输出工作电压；所述偏置电路用于在所述逻辑控制单元的控制下改变所述工作电压，以调节所述第一增益模式和/或第二增益模式的增益档位。6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大电路还包括衰减器，用于在所述逻辑控制单元的控制下调节所述低噪声放大电路的增益档位；所述衰减器
设置于所述第二放大电路与所述第一信号输出端之间，和/或所述第一放大电路与所述第一信号输出端之间。7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述衰减器包括至少两个增益调节单元，所述至少两个增益调节单元包括不同的增益档位；所述逻辑控制单元用于控制所述衰减器的工作状态，以调节所述低噪声放大器的增益档位。8.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述衰减器包括开关组件和至少一个衰减网络，所述开关组件用于在所述逻辑控制器的控制下控制所述至少一个衰减网络的工作状态，以调节所述衰减器的增益档位。9.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个衰减网络包括：t型衰减网络，包括第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻和所述第二电阻串联，所述第三电阻的一端连接在所述第一电阻和所述第二电阻之间，所述第三电阻的另一端接射频地；或，所述至少一个衰减网络包括：π型衰减网络，包括第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第五电阻连接在所述第四电阻的一端和所述第六电阻的一端之间，所述第四电阻的另一端和所述第六电阻的另一端接射频地。10.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个衰减网络包括第一衰减网络和第二衰减网络；所述第一衰减网络包括第三十一电阻、第三十二电阻和第三十三电阻；所述第三十一电阻的一端和所述第三十三电阻的一端之间连接所述第三十二电阻，所述第三十一电阻的另一端和所述第三十三电阻的另一端接射频地；所述第二衰减网络包括第三十四电阻、第三十五电阻和第三十六电阻；所述第三十五电阻连接在所述第三十四电阻的一端和所述第三十六电阻的一端之间，所述第三十四电阻的另一端和所述第三十六电阻的另一端接射频地；所述第三十二电阻和所述第三十五电阻串联连接在所述第二级放大电路的信号输出端和所述第一信号输出端之间。11.根据权利要求10所述的低噪声放大器，其特征在于，所述开关组件包括第三十一晶体管、第三十二晶体管、第三十三晶体管、第三十四晶体管、第三十五晶体管、第三十六晶体管和第三十七晶体管；所述第三十一晶体管的源极连接所述第二级放大电路的信号输出端；所述第三十一晶体管的漏极连接所述第一信号输出端；所述第三十二晶体管的源极连接所述第二级放大电路的信号输出端；所述第三十二晶体管的漏极连接所述第三十五晶体管的源极；所述第三十五晶体管的漏极连接所述第一信号输出端；所述第三十一电阻连接在所述第三十二晶体管的源极和漏极之间；所述第三十三晶体管的漏极通过所述第三十二电阻连接所述第三十二晶体管的源极，所述第三十三晶体管的源极接射频地；所述第三十四晶体管的漏极通过所述第三十三电阻连接所述第三十二晶体管的漏极，所述第三十四晶体管的源极接射频地；所述第三十五电阻连接在所述第三十五晶体管的源极和漏极之间；所述第三十六晶体管的漏极通过所述第三十四电阻连接所述第三十五晶体管的源极，所述第三十六晶体管的源极接射频地；所述第三十七晶体管的漏极通过所述第三十六电阻连接所述第三十五晶体管的漏极，所述第三十七晶体管的源极接射频地；所述第三十一晶体管的栅极、所述第三十二晶体管的栅极、所述第三十三晶体管的栅极、所述第三十四晶体管的栅极、所述第三十五晶体管的栅极、所述第三十六晶体管的栅极和所述第三十七晶体管的
栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号。12.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大单元和所述第一信号输入端之间设置有输入匹配网络，所述输入匹配网络包括输入匹配调节电路，用于调节所述第一增益模式的输入阻抗。13.根据权利要求12所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配调节电路包括第六晶体管和第三电容，所述第六晶体管的源极连接所述第一级放大单元的共源管的栅极，所述第六晶体管的漏极通过所述第三电容连接所述第一级放大单元的共源管的源极，所述第六晶体管的栅极用于接收所述逻辑控制单元的导通控制信号。14.一种射频前端模组，包括权利要求1-13任意一项所述的低噪声放大器。

技术总结
本申请实施例提供一种低噪声放大器以及射频前端模组，低噪声放大器包括：第一信号输入端、第一信号输出端、逻辑控制单元以及第一信号输入端和第一信号输出端之间并联连接的第一放大电路和第二放大电路；第一放大电路用于对信号进行第一增益模式的放大；第一放大电路包括二级放大单元，用于对所述信号进行两级放大；第二放大电路用于对信号进行第二增益模式的放大；第二增益模式的增益小于第一增益模式的增益；第二放大电路包括第三放大单元；逻辑控制单元用于控制第一放大电路或第二放大电路导通，以选择第一增益模式或第二增益模式对信号进行放大。既保证了低噪声放大器的增益范围，又能改善低增益档位的线性度。又能改善低增益档位的线性度。又能改善低增益档位的线性度。


技术研发人员：赖志国 杨清华
受保护的技术使用者：苏州汉天下电子有限公司
技术研发日：2023.06.26
技术公布日：2023/8/24