反极性薄膜型AlGaInP的LED结构及其制备方法与流程

反极性薄膜型algainp的led结构及其制备方法
技术领域
1.本发明涉及半导体光电子领域，更具体地说，涉及一种反极性薄膜型algainp的led结构及其制备方法。


背景技术：

2.led(light emitting diode，发光二极管)被公认为是新一代照明光源，与砷化镓晶格匹配的algainp材料可覆盖560nm至650nm范围可见光，是制备绿色和红色发光二极管的理想材料，在rgb三色显示、交通信号灯和汽车车灯等领域有着广泛的应用前景。
3.近年来，algainp发光二极管外延生长技术取得长足进步，其内量子效率已达到90％，algainp发光二极管外延生长技术是以gaas为衬底，在gaas衬底上生长外延层，然而由于gaas衬底是吸光的，会导致光电效率低于10％；为了提高algainp发光二极管的光电效率，在制备过程中需要先在外延层背离gaas衬底的一侧制备反射镜层和键合层，通过衬底转移技术将外延层键合到基板上，使n面朝上，并将gaas衬底去除，从n面出光，这种反极性薄膜型algainp发光二极管结构可大幅提升algainp发光二极管的光电效率，使光电效率达到30％-60％。
4.现有的反极性薄膜型algainp发光二极管的反射镜层制备技术中，反射镜层是由绝缘介质层和反射金属层组合而成，通常反射金属层采用的是au基反射金属层，但是由于au的反射率较低，使得发光二极管的光电效率较低；并且由于反射金属层与绝缘介质层之间的粘附力较弱，还会导致芯片在制造和分选过程中电极局部脱落或者整体脱落，因此，如何既能提高发光二极管的光电效率，又能提高反射金属层与绝缘介质层的粘附力是本领域技术人员亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

5.有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种反极性薄膜型algainp的led结构及其制备方法，技术方案如下：
6.一种反极性薄膜型algainp的led结构，所述led结构包括：
7.第一衬底；
8.在第一方向上依次位于所述第一衬底一侧的反射金属层、绝缘介质层和外延层，所述第一方向垂直于所述第一衬底所在平面，且由所述第一衬底指向所述反射金属层；
9.其中，所述反射金属层为ag基反射金属层，所述绝缘介质层面向所述反射金属层一侧的表面为粗糙面。
10.优选的，在上述反极性薄膜型algainp的led结构中，所述粗糙面的粗糙度的取值范围为0.01μm-1μm。
11.优选的，在上述反极性薄膜型algainp的led结构中，所述绝缘介质层面向所述反射金属层一侧的表面具有多个微观单元。
12.优选的，在上述反极性薄膜型algainp的led结构中，在第二方向上，所述微观单元
的尺寸不变，所述第二方向垂直于所述第一衬底所在平面，且由所述反射金属层指向所述第一衬底；
13.或，在所述第二方向上，所述微观单元的尺寸逐渐减小。
14.优选的，在上述反极性薄膜型algainp的led结构中，所述ag基反射金属层为由ag反射金属层构成的单层结构，或所述ag基反射金属层为由ag反射金属层和ni反射金属层构成的叠层结构，或所述ag基反射金属层为由ag反射金属层和ti反射金属层构成的叠层结构。
15.本技术还提供了一种反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法，所述制备方法用于制备上述任一项所述的led结构，所述制备方法包括：
16.提供第一衬底和第二衬底；
17.依次在所述第二衬底的一侧形成外延层和绝缘介质层；
18.对所述绝缘介质层背离所述第二衬底一侧的表面进行处理，形成粗糙面；
19.依次在所述绝缘介质层背离所述第二衬底的一侧形成反射金属层和所述第一衬底，所述反射金属层为ag基反射金属层；
20.去除所述第二衬底。
21.优选的，在上述反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法中，所述对所述绝缘介质层背离所述第二衬底一侧的表面进行处理，形成粗糙面，包括：
22.采用湿法刻蚀或干法刻蚀对所述绝缘介质层背离所述第二衬底一侧的表面进行处理，形成粗糙面。
23.优选的，在上述反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法中，所述采用湿法刻蚀对所述绝缘介质层背离所述第二衬底一侧的表面进行处理，包括：
24.制备弱酸性溶液或弱碱性溶液；
25.在所述弱酸性溶液或所述弱碱性溶液中，对所述绝缘介质层背离所述第二衬底一侧的表面进行处理。
26.优选的，在上述反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法中，所述弱酸性溶液的溶质与溶剂的比值的取值范围为1：2至1：10；
27.所述弱酸性溶液的溶质为醋酸或磷酸或稀盐酸。
28.优选的，在上述反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法中，所述弱碱性溶液的溶质与溶剂的比值的取值范围为1：2至1：10；
29.所述弱碱性溶液的溶质为氢氧化钾或氢氧化钠或双氧水。
30.相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：
31.本发明提供的一种反极性薄膜型algainp的led结构及其制备方法，所述led结构包括：第一衬底；在第一方向上依次位于所述第一衬底一侧的反射金属层、绝缘介质层和外延层，所述第一方向垂直于所述第一衬底所在平面，且由所述第一衬底指向所述反射金属层；其中，所述反射金属层为ag基反射金属层，所述绝缘介质层面向所述反射金属层一侧的表面为粗糙面。本发明提供的这种led结构采用ag基反射金属层，ag基反射金属层的反射率比au基反射金属层的反射率高，能够提高led结构的光电效率，且采用ag基反射金属层的成本更低；另外由于在本发明中，所述绝缘介质层面向所述ag基反射金属层一侧的表面为粗糙面，增大了ag基反射金属层与所述绝缘介质层之间的接触面积，从而提升了ag基反射金
属层与所述绝缘介质层之间的粘附力。
附图说明
32.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
33.图1为本发明实施例提供的一种反极性薄膜型algainp的led结构的示意图；
34.图2为本发明实施例提供的另一种反极性薄膜型algainp的led结构的示意图；
35.图3为本发明实施例提供的又一种反极性薄膜型algainp的led结构的示意图；
36.图4为本发明实施例提供的又一种反极性薄膜型algainp的led结构的示意图；
37.图5为本发明实施例提供的一种反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法的流程示意图；
38.图6为本发明实施例提供的另一种反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
39.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
40.基于背景技术记载的现有反极性薄膜型algainp发光二极管存在的技术问题，在此首先对该技术问题进行详细分析，具体如下：
41.通常algainp发光二极管外延生长是以gaas为衬底，在gaas衬底上外延生长缓冲层、gainp腐蚀截止层、n型gaas欧姆接触层、n型algainp主层、有源层和p型gap窗口层，然而由于gaas衬底是吸光的，不剥离gaas衬底会导致光电效率低于10％；为了提高algainp发光二极管的光电效率，在制备过程中需要在p型gap窗口层先制备反射镜层和键合层，然后通过衬底转移技术将外延层键合至基板上，使n面朝上，并将gaas衬底去除，在n型algainp主层上做粗化，从n面出光，从而可以大幅度提升algainp发光二极管的光电效率，使光电效率达到30％-60％。
42.现有反极性薄膜型algainp发光二极管的反射镜层制备技术中，反射镜层是由绝缘介质层和反射金属层组合而成，首先在p型gap窗口层上制备绝缘介质层，其成分通常为sio2或者mg2f等，通过蒸镀或者气相沉积等方式，在绝缘介质层上开孔使反射金属层与p型gap窗口层形成欧姆接触，现有的反射镜制备技术中通常会采用au或者auzn或者aube作为反射金属层，但是由于au的反射率较低，使得发光二极管的光电效率较低；并且由于反射金属层与绝缘介质层之间的粘附力较弱，还会导致芯片在制造和分选过程中电极局部脱落或者整体脱落，因此，如何既能提高发光二极管的光电效率，又能提高反射金属层与绝缘介质层的粘附力是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
43.基于此，本技术提供了一种反极性薄膜型algainp的led结构及其制备方法，既能
够提高发光二极管的光电效率，又能提高反射金属层与绝缘介质层之间的粘附力。
44.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
45.本发明实施例提供了一种反极性薄膜型algainp的led结构，参考图1，图1为本发明实施例提供的一种反极性薄膜型algainp的led结构的示意图，结合图1，所述led结构包括：
46.第一衬底1；在第一方向a上依次位于所述第一衬底1一侧的反射金属层2、绝缘介质层3和外延层4，所述第一方向a垂直于所述第一衬底1所在平面，且由所述第一衬底1指向所述反射金属层2；其中，所述反射金属层2为ag基反射金属层，所述绝缘介质层3面向所述反射金属层2一侧的表面为粗糙面。
47.具体的，在本发明实施例中，所述ag基反射金属层可以是由ag反射金属层构成的单层结构，或所述ag基反射金属层也可以是由ag反射金属层和ni反射金属层构成的叠层结构，或所述ag基反射金属层还可以是由ag反射金属层和ti反射金属层构成的叠层结构；所述ag反射金属层在所述第一方向a上的厚度可以在50nm-500nm的范围取值，例如，所述ag反射金属层在所述第一方向a上的厚度可以为50nm、350nm、500nm等；所述ni反射金属层在所述第一方向a上的厚度可以在0.1nm-10nm的范围取值，例如，所述ni反射金属层在所述第一方向a上的厚度可以为0.1nm、5nm、10nm等；所述ti反射金属层在所述第一方向a上的厚度可以在0.1nm-10nm的范围取值，例如，所述ti反射金属层在所述第一方向a上的厚度可以为0.1nm、5nm、10nm等。
48.通过上述描述可知，本发明实施例提供的一种反极性薄膜型algainp的led结构，所述led结构包括：第一衬底1；在第一方向a上依次位于所述第一衬底1一侧的反射金属层2、绝缘介质层3和外延层4，所述第一方向a垂直于所述第一衬底1所在平面，且由所述第一衬底1指向所述反射金属层2；其中，所述反射金属层2为ag基反射金属层，所述绝缘介质层3面向所述反射金属层2一侧的表面为粗糙面。本发明提供的这种led结构采用ag基反射金属层，ag基反射金属层的反射率比au基反射金属层的反射率高，能够提高led结构的光电效率，且采用ag基反射金属层的成本更低；另外由于在本发明中，所述绝缘介质层3面向所述ag基反射金属层一侧的表面为粗糙面，增大了ag基反射金属层与所述绝缘介质层3之间的接触面积，从而提升了ag基反射金属层与所述绝缘介质层3之间的粘附力。
49.可选的，在本发明提供的另一实施例中，对上述反极性薄膜型algainp的led结构中的绝缘介质层3进行进一步说明，详细介绍如下：
50.所述绝缘介质层3的折射率的取值范围为1-2.5；所述粗糙面的粗糙度的取值范围为0.01μm-1μm。
51.具体的，在本发明实施例中，所述绝缘介质层3的折射率可以在1-2.5的范围取任意值，例如，所述绝缘介质层3的折射率可以为1、2、2.5等；所述粗糙面的粗糙度可以在0.01μm-1μm的范围取任意值，例如，所述粗糙面的粗糙度可以为0.01μm、0.5μm、1μm等；所述绝缘介质层3为高阻半导体层，所述绝缘介质层3的材料包括但不限定为低掺杂或不掺杂或n型掺杂的任意一种半导体材料；所述绝缘介质层3在所述第一方向a上的厚度可以在10nm-500nm的范围取任意值，例如所述绝缘介质层3在所述第一方向a上的厚度可以为10nm、150nm、500nm等。
52.所述绝缘介质层3面向所述反射金属层2一侧的表面具有多个微观单元5；在第二方向b上，所述微观单元5的尺寸不变，所述第二方向b垂直于所述第一衬底1所在平面，且由所述反射金属层2指向所述第一衬底1；或，在所述第二方向b上，所述微观单元5的尺寸逐渐减小。
53.具体的，在本发明实施例中，在所述第二方向b上，所述微观单元5的尺寸逐渐减小，例如，可以是如图1所示，所述微观单元5为锥体结构，该锥体结构的截面为等腰三角形，也可以是如图2所示，图2为本发明实施例提供的另一种反极性薄膜型algainp的led结构的示意图，图2中所述微观单元5也为锥体结构，该锥体结构的截面为斜三角形；在所述第二方向b上，所述微观单元5的尺寸不变，例如，如图3所示，图3为本发明实施例提供的又一种反极性薄膜型algainp的led结构的示意图，图3中所述微观单元5为柱状结构；更进一步的，所述微观单元5的表面也可以是粗糙面，从而进一步增加绝缘介质层3和反射金属层2之间的粘附力。
54.可选的，在本发明提供的另一实施例中，对上述一种反极性薄膜型algainp的led结构进行进一步说明，参考图4，图4为本发明实施例提供的又一种反极性薄膜型algainp的led结构的示意图，结合图4，详细介绍如下：
55.所述外延层4包括：在所述第一方向a上，依次位于所述绝缘介质层3背离所述反射金属层2一侧的p型gap窗口层41、有源层42、n型algainp主层43和n型gaas欧姆接触层44。
56.所述led结构还包括：在所述第一方向a上贯穿所述绝缘介质层3的多个通孔6，所述反射金属层2填充多个所述通孔6，所述反射金属层2通过多个所述通孔6与所述p型gap窗口层41连通；位于所述n型gaas欧姆接触层44背离所述n型algainp主层43一侧的n电极7；位于所述反射金属层2与所述第一衬底1之间的金属键合层8；位于所述第一衬底1背离所述反射金属层2一侧的p电极9。
57.可选的，基于本发明上述实施例，在本发明另一实施例中还提供了一种反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法，所述制备方法用于制备上述实施例所述的led结构，参考图5，图5为本发明实施例提供的一种反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法的流程示意图，结合图5，所述制备方法包括：
58.s100：提供第一衬底1和第二衬底10。
59.具体的，在该步骤s100中，所述第二衬底10的材料包括但不限定为gaas材料。
60.s200：依次在所述第二衬底10的一侧形成外延层4和绝缘介质层3。
61.具体的，在该步骤s200中，在所述第二衬底10的一侧形成外延层4包括：在所述第二衬底10的一侧依次形成外延生长缓冲层、gainp腐蚀截止层、n型gaas欧姆接触层44、n型algainp主层43、有源层42和p型gap窗口层41；在所述p型gap窗口层41背离所述有源层42的一侧形成所述绝缘介质层3，所述绝缘介质层3的材料包括但不限定为低掺杂或不掺杂或n型掺杂的任意一种半导体材料，所述绝缘介质层3在所述第一方向a上的厚度可以在10nm-500nm的范围取任意值。
62.s300：对所述绝缘介质层3背离所述第二衬底10一侧的表面进行处理，形成粗糙面。
63.具体的，在该步骤s300中，对所述绝缘介质层3背离所述第二衬底10一侧的表面进行微刻蚀处理，形成多个微观单元5；在第二方向b上，所述微观单元5的尺寸不变，所述第二
方向b垂直于所述第一衬底1所在平面，且由所述反射金属层2指向所述第一衬底1；或，在所述第二方向b上，所述微观单元5的尺寸逐渐减小；在形成粗糙面之后，包括但不限定于采用光刻蚀技术对所述绝缘介质层3进行处理，形成贯穿所述绝缘介质层3的多个通孔6，所述通孔6暴露出所述p型gap窗口层41背离所述第二衬底10一侧的部分表面。
64.s400：依次在所述绝缘介质层3背离所述第二衬底10的一侧形成反射金属层2和所述第一衬底1，所述反射金属层2为ag基反射金属层。
65.具体的，在该步骤s400中，由于在步骤s300中形成多个通孔6，在所述绝缘介质层3背离所述第二衬底10的一侧形成反射金属层2时，需要将所述反射金属层2填充所述通孔6；另外，在所述反射金属层2背离所述绝缘介质层3的一侧形成第一衬底1时，包括但不限定于通过金属键合层8来连接所述反射金属层2和所述第一衬底1，需要在所述反射金属层2背离所述绝缘介质层3的一侧形成第一金属键合层，在所述第一衬底1的一侧形成第二金属键合层，最后包括但不限定于采用晶圆热压的方式将第一金属键合层和第二金属键合层键合在一起。
66.s500：去除所述第二衬底10。
67.具体的，由于在步骤s200形成外延层4时，在所述第二衬底10的一侧依次形成了外延生长缓冲层、gainp腐蚀截止层，在该步骤s500中，在去除所述第二衬底10的同时，还要去除掉外延生长缓冲层和gainp腐蚀截止层，以暴露出所述n型gaas欧姆接触层44背离所述n型algainp主层43一侧的表面。
68.可选的，在本发明提供的另一实施例中，对上述一种反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法中的步骤s300，对所述绝缘介质层3背离所述第二衬底10一侧的表面进行处理，形成粗糙面这一实施过程进行进一步说明，具体如下：
69.所述对所述绝缘介质层3背离所述第二衬底10一侧的表面进行处理，形成粗糙面，包括：采用湿法刻蚀或干法刻蚀对所述绝缘介质层3背离所述第二衬底10一侧的表面进行处理，形成粗糙面。
70.所述采用湿法刻蚀对所述绝缘介质层3背离所述第二衬底10一侧的表面进行处理，包括：制备弱酸性溶液或弱碱性溶液；在所述弱酸性溶液或所述弱碱性溶液中，对所述绝缘介质层3背离所述第二衬底10一侧的表面进行处理。
71.具体的，在本发明实施例中，在所述弱酸性溶液或所述弱碱性溶液中刻蚀的时间可以在2s-60s的范围取任意值，例如，在所述弱酸性溶液或所述弱碱性溶液中刻蚀的时间可以为2s、30s、60s等；所述弱酸性溶液或所述弱碱性溶液的温度可以在50℃-100℃的范围取任意值，例如，所述弱酸性溶液或所述弱碱性溶液的温度可以为50℃、75℃、100℃等；所述弱酸性溶液的溶质与溶剂的比值可以在1：2至1：10的范围取任意值，所述弱酸性溶液的溶质包括但不限定为醋酸或磷酸或稀盐酸，所述弱酸性溶液的溶剂包括但不限定为水；所述弱碱性溶液的溶质与溶剂的比值可以在1：2至1：10的范围取任意值，所述弱碱性溶液的溶质包括但不限定为氢氧化钾或氢氧化钠或双氧水，所述弱碱性溶液的溶剂包括但不限定为水。
72.具体的，在本发明实施例中，采用干法刻蚀对所述绝缘介质层3背离所述第二衬底10一侧的表面进行处理，包括但不限定于采用icp刻蚀等方法，利用ar等惰性气体对所述绝缘介质层3面向所述反射金属层2一侧的表面进行轰击形成粗糙面
73.可选的，在本发明的另一实施例中，对上述一种反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法进行进一步说明，参考图6，图6为本发明实施例提供的另一种反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法的流程示意图，结合图6，所述制备方法还包括：
74.s600：在所述外延层4背离所述绝缘介质层3的一侧形成n电极7。
75.具体的，在完成步骤s500去除所述第二衬底10后暴露出所述n型gaas欧姆接触层44，在该步骤s600中，包括但不限定于利用光刻蚀技术对所述n型gaas欧姆接触层44进行处理，暴露出n型algainp主层43背离所述有源层42一侧的部分表面；在处理好的所述n型gaas欧姆接触层44背离所述n型algainp主层43一侧的表面形成n电极7；另外，还需要对暴露出的n型algainp主层43背离所述有源层42一侧的部分表面进行粗化处理，以改善外量子效率，进一步提高led结构的出光效率
76.s700：在所述第一衬底1背离所述反射金属层2的一侧形成p电极9。
77.以上对本发明所提供的一种反极性薄膜型algainp的led结构及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
78.需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
79.还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
80.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：
1.一种反极性薄膜型algainp的led结构，其特征在于，所述led结构包括：第一衬底；在第一方向上依次位于所述第一衬底一侧的反射金属层、绝缘介质层和外延层，所述第一方向垂直于所述第一衬底所在平面，且由所述第一衬底指向所述反射金属层；其中，所述反射金属层为ag基反射金属层，所述绝缘介质层面向所述反射金属层一侧的表面为粗糙面。2.根据权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述粗糙面的粗糙度的取值范围为0.01μm-1μm。3.根据权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述绝缘介质层面向所述反射金属层一侧的表面具有多个微观单元。4.根据权利要求3所述的led结构，其特征在于，在第二方向上，所述微观单元的尺寸不变，所述第二方向垂直于所述第一衬底所在平面，且由所述反射金属层指向所述第一衬底；或，在所述第二方向上，所述微观单元的尺寸逐渐减小。5.根据权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述ag基反射金属层为由ag反射金属层构成的单层结构，或所述ag基反射金属层为由ag反射金属层和ni反射金属层构成的叠层结构，或所述ag基反射金属层为由ag反射金属层和ti反射金属层构成的叠层结构。6.一种反极性薄膜型algainp的led结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求1-5任一项所述的led结构，所述制备方法包括：提供第一衬底和第二衬底；依次在所述第二衬底的一侧形成外延层和绝缘介质层；对所述绝缘介质层背离所述第二衬底一侧的表面进行处理，形成粗糙面；依次在所述绝缘介质层背离所述第二衬底的一侧形成反射金属层和所述第一衬底，所述反射金属层为ag基反射金属层；去除所述第二衬底。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述对所述绝缘介质层背离所述第二衬底一侧的表面进行处理，形成粗糙面，包括：采用湿法刻蚀或干法刻蚀对所述绝缘介质层背离所述第二衬底一侧的表面进行处理，形成粗糙面。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述采用湿法刻蚀对所述绝缘介质层背离所述第二衬底一侧的表面进行处理，包括：制备弱酸性溶液或弱碱性溶液；在所述弱酸性溶液或所述弱碱性溶液中，对所述绝缘介质层背离所述第二衬底一侧的表面进行处理。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述弱酸性溶液的溶质与溶剂的比值的取值范围为1：2至1：10；所述弱酸性溶液的溶质为醋酸或磷酸或稀盐酸。10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述弱碱性溶液的溶质与溶剂的比值的取值范围为1：2至1：10；所述弱碱性溶液的溶质为氢氧化钾或氢氧化钠或双氧水。

技术总结
本发明提供了一种反极性薄膜型AlGaInP的LED结构及其制备方法，所述LED结构包括：第一衬底、反射金属层、绝缘介质层和外延层；其中，所述反射金属层为Ag基反射金属层，所述绝缘介质层面向所述反射金属层一侧的表面为粗糙面。本发明提供的这种LED结构采用Ag基反射金属层，Ag基反射金属层的反射率比Au基反射金属层的反射率高，能够提高LED结构的光电效率，且采用Ag基反射金属层的成本更低；另外由于在本发明中，所述绝缘介质层面向所述Ag基反射金属层一侧的表面为粗糙面，增大了Ag基反射金属层与所述绝缘介质层之间的接触面积，从而提升了Ag基反射金属层与所述绝缘介质层之间的粘附力。基反射金属层与所述绝缘介质层之间的粘附力。基反射金属层与所述绝缘介质层之间的粘附力。


技术研发人员：梅松 霍丽艳 崔晓慧 林继宏 刘兆
受保护的技术使用者：江西乾照光电有限公司
技术研发日：2023.06.09
技术公布日：2023/8/9