一种GIS绝缘件的局部放电检测方法与流程

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一种gis绝缘件的局部放电检测方法
技术领域
1.本发明涉及局部放电检测技术领域,具体为一种gis绝缘件的局部放电检测方法。


背景技术:

2.目前,针对gis绝缘件缺陷的准确模拟,如侧重550kv、1100kvgis,针对gis绝缘件裂纹、气泡、毛刺、异物等缺陷,开展gis绝缘件典型缺陷模拟试验,开展超声波、特高频等带电检测技术研究,必须结合制造厂家生产制造工艺、结合实际运行工况;但由于恒压下放电发展过程十分缓慢,因此试验检测工作量巨大,检测效率低。
3.所以,如何设计一种gis绝缘件的局部放电检测方法,成为我们当前需要解决的问题。


技术实现要素:

4.针对现有技术的不足,本发明提供了一种gis绝缘件的局部放电检测方法,解决了恒压下放电发展过程十分缓慢,导致试验检测工作量巨大,检测效率低的问题。
5.为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种gis绝缘件的局部放电检测方法,包括以下步骤:
6.搭建gis实验室实体平台,基于放电缺陷类型,构建放电模型;
7.通过阶梯升压法采集gis绝缘件局部放电的特高频放电信号和超声波信号;
8.对所述特高频放电信号和超声波信号进行放电信号特征分析处理,获得放电谱图,通过所述放电谱图显示gis绝缘件的局部放电检测结果。
9.进一步的,所述搭建gis实验室实体平台的过程为:
10.将交流电源经自耦调压器调压输出后接入电源滤波器,之后输出到实验变压器,经过保护电阻和耦合电容后,接入到单相gis套管;所述电源滤波器、实验变压器、耦合电容及其单向gis套管的外壳均可靠接地,所述单相gis套管下接一个三通腔体,三通腔体的一侧通过转接腔体后接2:1缩比实验腔体,实验腔体外侧设有观察窗,观察窗外侧固定有uhf传感器和超声传感器,uhf传感器和超声传感器的信号线穿出后接入后续信号采集装置,信号采集装置通过网线与pc机相连,实验过程中,pc机用于统计控制各个信号采集装置的同步动作和数据存储。
11.进一步的,基于放电缺陷类型,构建放电模型的过程为:
12.基于起始放电电压及相关的放电特征,获取放电缺陷故障因素,基于所述放电缺陷故障因素构造放电模型,其中,放电缺陷故障因素包括gis绝缘件的材料、位置、与电场方向关系、尺寸大小、相互位置关系、数目、绝缘介质和气压;放电模型包括gis绝缘件气隙类放电模型、固定金属颗粒类放电模型、自由金属颗粒模型、金属尖刺故障模型和金属悬浮体放电模型。
13.进一步的,通过阶梯升压法采集gis绝缘件局部放电的特高频放电信号和超声波信号的过程为:
14.将特高频传感器嵌入安装在实验腔体的上安装孔处,用于输出检波信号进行特高频放电信号的数据分析,特高频传感器包括宽带天线和特高频放大器,宽带天线所在面敞开用于接收特高频放电信号,其余面均采用金属屏蔽;特高频放大器包括放大器、高通滤波器、检波器、耦合器和屏蔽外壳,检波器用于将放大器输出的信号进行调制,仅保留信号的幅值和相位信号后进行后续的信号处理操作。
15.进一步的,通过阶梯升压法采集gis绝缘件局部放电的特高频放电信号和超声波信号的过程还包括:
16.将超声波传感器通过有机硅胶作为耦合剂吸附式安装在实验腔体的下安装孔处,通过超声波传感器采集超声波信号,超声波传感器包括超声波探头和后置放大器。
17.进一步的,对所述特高频放电信号和超声波信号进行放电信号特征分析处理的过程为:
18.基于gis设备典型放电过程产生的原始数据和分析参数进行原始放电脉冲提取、放电特征值生成和放电能量转化,获得放电谱图;所述放电谱图包括各参量任意时间段的数据统计图、趋势图、散点图、柱状图、灰度图、三维谱图、放电点趋势图和qnt图。
19.进一步的,获得趋势图的过程为:
20.以实验过程中每t时间段内的数据作为统计对象,通过公式依次计算该时间段内局部放电次数n
t
、总放电量q
tota1t
、最大放电量q
maxt
、平均放电量q
avet
,然后做出n
t
、q
totalt
、q
maxt
和q
avet
随实验时间变化的趋势即可获得n、q
total
、q
max
、q
ave
参数的趋势图,所述公式为:
[0021][0022][0023]qavet
=q
totalt
/n
t
[0024]
其中,根据检测手段的不同,qi为t时间段内第i次放电脉冲的视在放电量、放电幅值、光通量信息;n、q
total
、q
max
、q
ave
参数的趋势图用于反映一定时间段内,局部放电的放电次数、总放电量、最大放电量、平均放电量随时间变化的趋势。
[0025]
进一步的,获得所述柱状图的过程为:
[0026]
将一个工频周期等分为若干个相位窗每个相位窗内的放电次数nj为:
[0027][0028]
其中,m为检测的工频周期总数,n
js
为第s个周期在相位窗内的放电次数,将n视作的函数,并以柱状图表示,获得柱状图,所述柱状图用于反应放电次数随相位的分布规律。
[0029]
进一步的,获得所述三维谱图的过程为:
[0030]
将平面划分为个小格,每个小格的中心为统计在该小格中的单位时间内局部放电脉冲的个数,获得放电重复频率,所述放电重复频率为放电脉冲的放电量和放电相位的函数,其函数为:
[0031][0032]
其中,是发生在以为中心的小格中局部放电的放电重复率,m为对局放信号进行检测的工频周期数,是第s个检测周期内在小格内放电脉冲的个数,s=1,2

,m;三维谱图用于反映放电量在一定范围内的局部放电的重复率对相位窗的分布情况。
[0033]
进一步的,获得所述灰度图的过程为:
[0034]
将工频相位划分为个小区间,将视在放电量划分成nq个小区间,平面被划分成个小格,依次统计各小格内的放电重复频率,放电重复频率的不同反映在灰度图像上就是图像的颜色不同,定义放电重复频率与图像颜色的映射关系后,然后根据小格内放电重复频率的最小值和最大值分别对应于最小灰度级和最大灰度级的原则,构造出局部放电灰度图像;平面上每一个小格代表灰度图中的一个象素,该小格内的放电重复频率正比于象素的灰度值,各像素点的灰度级计算函数为:
[0035][0036]
其中,m
ij
为图像像素点灰度,n
ij
为各小格内的放电重复频率,n
max
为各小格内的最大放电重复频率。
[0037]
与现有的技术相比,本发明具备以下有益效果:通过研究gis绝缘件典型缺陷局放特征,基于gis绝缘件缺陷放电故障案例库和典型缺陷局放特征数据库,侧重550kv、1100kvgis,通过多种检测技术协同,实现精准判别gis绝缘件缺陷的类型和位置的技术效果。
附图说明
[0038]
图1为本发明的方法流程图。
[0039]
图2为本发明的电模型的放电缺陷故障因素示意图。
[0040]
图3为本发明的gis实验室实体平台的结构示意图图。
[0041]
图4为本发明的信号特征分析处理示意图。
具体实施方式
[0042]
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
[0043]
如图1-图2所示,本发明提供一种gis绝缘件的局部放电检测方法,包括以下步骤:
[0044]
搭建gis实验室实体平台,针对较为常见的放电缺陷,设计gis绝缘件气隙类放电模型、固定金属颗粒类放电模型、自由金属颗粒模型、金属尖刺故障模型和金属悬浮体放电模型五中典型缺陷模型,并综合考虑gis绝缘件的材料、位置、与电场方向关系、尺寸大小、相互位置关系、数目、绝缘介质和气压等影响因素对缺陷模型进行多样品设计;通过阶梯升压法采集gis绝缘件局部放电的特高频放电信号和超声波信号;对所述特高频放电信号和超声波信号进行放电信号特征分析处理,获得放电谱图,通过所述放电谱图显示gis绝缘件
的局部放电检测结果。
[0045]
其中,所述搭建gis实验室实体平台的过程为:
[0046]
试验总体测试回路由工频加压系统、gis主腔体、转接腔体6、模型腔体、特高频局放仪和超声检测装置几个主要部分组成,如图3所示,试验平台总体测试回路为:将交流电源经自耦调压器调压输出后接入电源滤波器,之后输出到实验变压器1,经过保护电阻2和耦合电容3后,接入到单相gis套管4;所述电源滤波器、实验变压器1、耦合电容3及其单向gis套管4的外壳均可靠接地,所述单相gis套管4下接一个三通腔体5,三通腔体5的一侧通过转接腔体6后接2:1缩比实验腔体7,实验腔体7外侧设有观察窗8,观察窗8外侧固定有uhf传感器9和ae超声传感器10,uhf传感器9和ae超声传感器10的信号线穿出后接入后续信号采集装置11,信号采集装置11通过网线与pc机12相连,实验过程中,pc机12用于统计控制各个信号采集装置11的同步动作和数据存储。
[0047]
其中,基于放电缺陷类型,构建放电模型的过程为:
[0048]
基于起始放电电压及相关的放电特征,获取放电缺陷故障因素,基于所述放电缺陷故障因素构造放电模型,其中,放电缺陷故障因素包括gis绝缘件的材料、位置、与电场方向关系、尺寸大小、相互位置关系、数目、绝缘介质和气压;放电模型包括gis绝缘件气隙类放电模型、固定金属颗粒类放电模型、自由金属颗粒模型、金属尖刺故障模型和金属悬浮体放电模型。
[0049]
其中,因gis设备的放电是由绝缘缺陷引起的,绝缘缺陷不同,造成局部放电也不同。为使放电模型不仅突出gis设备典型放电发展过程的特征,而且尽量符合gis设备的实际运行情况,本实施例通过保持一个因素不变,按照顺序依次改变其余因素,寻找最具典型意义的gis设备典型局部放电的放电故障模型,将经常出现的故障因素具体化,并考虑了试验模拟的难度,所以设计出绝缘件气隙类放电模型、固定金属颗粒类放电模型、自由金属颗粒模型、金属尖刺故障模型和金属悬浮体放电模型五种典型的放电模型
[0050]
其中,通过阶梯升压法采集gis绝缘件局部放电的特高频放电信号和超声波信号的过程为:
[0051]
特高频放电信号检测:
[0052]
将特高频传感器嵌入安装在实验腔体的上安装孔处,用于输出检波信号进行特高频放电信号的数据分析,通过嵌入式的安装方法,既保证了特高频检测系统的灵敏度,也不会改变试验腔体内的电场分布;特高频放电信号的检测采用自制的特高频传感器,该特高频传感器由宽带天线和特高频放大器组成,宽带天线采用等臂阿基米德平面螺旋天线[133],工作带宽为300mhz~2000mhz,宽带天线所在面敞开用于接收特高频放电信号,其余面均采用金属屏蔽,以提高天线的抗干扰性能;特高频放大器由放大器、高通滤波器、检波器、耦合器和屏蔽外壳组成,放大器的工作带宽为300mhz~1500mhz,增益为40db,噪声系数nf≤3db,检波器用于将放大器输出的信号进行调制,仅保留信号的幅值和相位信号,大大降低了数据采集设备采样率的要求,同时减少了数据量,便于后续的信号处理工作,因此本实施例采用特高频放大器输出的检波信号进行特高频放电信号的数据分析;由于特高频放电信号目前无法实现视在放电量的标定,因此使用检波信号的幅值来等效的描述放电量的大小,其单位表示为v;通过实际检验测试,本实施例所采用的特高频放大器的最小检测局放量<3pc。
[0053]
超声波信号检测:
[0054]
超声波信号的检测采用超声波传感器,该超声波传感器主要由超声波探头与后置放大器组成,超声波探头采用sr40m型谐振式传感器,工作带宽为15khz~70khz,谐振频率40khz,灵敏度峰值>-65db,后置放大器采用pai型宽带放大器,工作带宽为10khz~2mhz,增益为40db[134],由于超声波信号目前也无法实现视在放电量的标定,因此用超声波信号的幅值来等效的描述放电量的大小,单位为v。
[0055]
将超声波传感器通过有机硅胶作为耦合剂吸附式安装在实验腔体的下安装孔处,耦合剂的采用可以增强超声波传感器的探头与实验腔体之间的接触程度,以提高超声波检测装置的灵敏度;经过实际检验测试,本实施例所采用的超声波传感器检测到的背景噪声有效值为0.00135v。
[0056]
因gis设备典型放电发展过程研究的试验时间较长,会产生大量的原始数据,如果这些数据仅仅靠人工进行分析,无疑将耗费大量的时间,并且分析结果的客观性和科学性也难以得到保证。
[0057]
如图4所示,本实施例对特高频放电信号的数据采用数据分析软件逐步分析的方法进行分析,按照软件工程的规范要求进行设计,实现结构层次化、功能模块化,大大增强了软件的可读性、可扩展性和可靠性;软件的主要功能模块包括:原始放电脉冲提取、放电特征值生成、放电能量转化、各参量任意时间段数据统计图生成、趋势图生成、散点图生成、柱状图生成、灰度图生成、三维图生成、放电点趋势图生成、qnt图生成等十多个功能模块。
[0058]
统计放电次数n、视在放电量q(或放电幅值v,或光通量l,或放电能量p,以下均以视在放电量q代表)及其所在相位,可以得到多种放电谱图,考虑到局部放电的基本参数具有较强的统计分散性,通常将多工频周期检测所得到的局部放电参数折算到一个工频周期内,以突出它们的统计规律性,本实施例采用的放电信号特征的分析方法如下:
[0059]
其中,获得趋势图的过程为:
[0060]
以实验过程中每t时间段内的数据作为统计对象,通过公式依次计算该时间段内局部放电次数nt、总放电量q
totalt
、最大放电量q
maxt
、平均放电量q
avet
,然后做出nt、q
totalt
、q
maxt
和q
avet
随实验时间变化的趋势即可获得n、qtotal、qmax、qave参数的趋势图,所述公式为:
[0061][0062][0063]qavet
=q
totalt
/n
t
[0064]
其中,根据检测手段的不同,qi为t时间段内第i次放电脉冲的视在放电量、放电幅值、光通量信息;n、qtotal、qmax、qave参数的趋势图用于反映一定时间段内,局部放电的放电次数、总放电量、最大放电量、平均放电量随时间变化的趋势。
[0065]
其中,获得所述柱状图的过程为:
[0066]
将一个工频周期(360
°
)等分为若干个相位窗每个相位窗内的放电次数nj为:
[0067]
[0068]
其中,m为检测的工频周期总数,n
js
为第s个周期在相位窗内的放电次数,将n视作的函数,并以柱状图表示,获得柱状图,所述柱状图可以反应放电次数随相位的分布规律,即反应放电次数对相位的分布情况。
[0069]
其中,获得所述三维谱图的过程为:
[0070]
局部放电的三维谱图可以看成是n-q谱图和谱图的合成,它反映了单位时间内,发生在一定相位窗内具有一定放电量的局部放电脉冲的数目,即放电重复频率随相位和放电量的分布特性;三维谱图可以比较全面的反映局部放电脉冲的统计特性,是最为常见的放电模式的描述方式;放电重复频率可以视为放电脉冲的放电量和放电相位的函数,将平面划分为个小格,每个小格的中心为统计在该小格中的单位时间内局部放电脉冲的个数,获得放电重复频率,所述放电重复频率为放电脉冲的放电量和放电相位的函数,其函数为:
[0071][0072]
其中,是发生在以为中心的小格中局部放电的放电重复率,m为对局放信号进行检测的工频周期数,是第s个检测周期内在小格内放电脉冲的个数,s=1,2

,m;因此三维谱图反映了放电量在一定范围内的局部放电的重复率对相位窗的分布情况。
[0073]
本实施例中,为全面的表现局部放电脉冲的统计特性,取nq=100,将平面划分为360
×
100=36000个小格,即相位分辨率为1
°
,幅值分辨率为1%。
[0074]
其中,获得所述灰度图的过程为:
[0075]
灰度图是将放电重复频率n随放电量q与放电相位的分布情况以二维图像的方式表示出来,可以看成是三维谱图向平面的投影,并且将放电重复频率n值的大小转化为灰度值(n值越大,灰度值越大)而得到的,是三维谱图的平面化描述,也反映的是放电量在一定范围内的局部放电的重复率对相位窗的分布情况。
[0076]
因此局部放电灰度图像的构造方法与三维谱图的构造方法类似,首先将工频相位划分为个小区间,将视在放电量划分成nq个小区间,因此平面被划分成平面被划分成个小格,依次统计各小格内的放电重复频率,放电重复频率的不同反映在灰度图像上就是图像的颜色不同,定义放电重复频率与图像颜色的映射关系后,然后根据小格内放电重复频率的最小值和最大值分别对应于最小灰度级和最大灰度级的原则,构造出局部放电灰度图像,因此平面上每一个小格代表灰度图中的一个象素,该小格内的放电重复频率正比于象素的灰度值;由于在计算机图像处理中,每一个象素用一个字节来表示,每个字节的变化范围为0~255,因此灰度图中灰度级的变化范围为0~255,各像素点的灰度级计算函数为:
[0077]
[0078]
其中,m
ij
为图像像素点灰度,n
ij
为各小格内的放电重复频率,n
max
为各小格内的最大放电重复频率;考虑灰度图的计算机实现方法,nq通常取2的整数次幂,为全面的表现局部放电脉冲的统计特性并实现与三维谱图的比较,本实施例取nq=128,即将平面划分为256
×
128=32768个小格,即灰度图的分辨率为256
×
128。
[0079]
由于试验中施加电压以及放电阶段的不同,造成放电的特征会有所不同,并且对于局部放电的检测来说,由于传感器的频带宽度、检测频率、安放位置、灵敏度等多种因素的影响,同一局部放电严重程度下放电脉冲的幅值在不同的检测条件下也会有所波动,因此本实施例采用数据归一化的方法对放电信号的脉冲幅值进行数据预处理,使其在0~1之间。
[0080]
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征:
1.一种gis绝缘件的局部放电检测方法,其特征在于包括以下步骤:搭建gis实验室实体平台,基于放电缺陷类型,构建放电模型;通过阶梯升压法采集gis绝缘件局部放电的特高频放电信号和超声波信号;对所述特高频放电信号和超声波信号进行放电信号特征分析处理,获得放电谱图,通过所述放电谱图显示gis绝缘件的局部放电检测结果。2.根据权利要求1所述的一种gis绝缘件的局部放电检测方法,其特征在于:所述搭建gis实验室实体平台的过程为:将交流电源经自耦调压器调压输出后接入电源滤波器,之后输出到实验变压器,经过保护电阻和耦合电容后,接入到单相gis套管;所述电源滤波器、实验变压器、耦合电容及其单向gis套管的外壳均可靠接地,所述单相gis套管下接一个三通腔体,三通腔体5的一侧通过转接腔体后接比例缩比实验腔体,实验腔体外侧设有观察窗,观察窗外侧固定有uhf传感器和超声传感器,uhf传感器和超声传感器的信号线穿出后接入后续信号采集装置,信号采集装置通过网线与pc机相连,实验过程中,pc机用于统计控制各个信号采集装置的同步动作和数据存储。3.根据权利要求1所述的一种gis绝缘件的局部放电检测方法,其特征在于:基于放电缺陷类型,构建放电模型的过程为:基于起始放电电压及相关的放电特征,获取放电缺陷故障因素,基于所述放电缺陷故障因素构造放电模型,其中,放电缺陷故障因素包括gis绝缘件的材料、位置、与电场方向关系、尺寸大小、相互位置关系、数目、绝缘介质和气压;放电模型包括gis绝缘件气隙类放电模型、固定金属颗粒类放电模型、自由金属颗粒模型、金属尖刺故障模型和金属悬浮体放电模型。4.根据权利要求3所述的一种gis绝缘件的局部放电检测方法,其特征在于:通过阶梯升压法采集gis绝缘件局部放电的特高频放电信号的过程为:将特高频传感器嵌入安装在实验腔体的上安装孔处,用于输出检波信号进行特高频放电信号的数据分析,特高频传感器包括宽带天线和特高频放大器,宽带天线所在面敞开用于接收特高频放电信号,其余面均采用金属屏蔽;特高频放大器包括放大器、高通滤波器、检波器、耦合器和屏蔽外壳,检波器用于将放大器输出的信号进行调制,仅保留信号的幅值和相位信号后进行后续的信号处理操作。5.根据权利要求4所述的一种gis绝缘件的局部放电检测方法,其特征在于:通过阶梯升压法采集gis绝缘件局部放电的超声波信号过程包括:将超声波传感器通过有机硅胶作为耦合剂吸附式安装在实验腔体的下安装孔处,通过超声波传感器采集超声波信号,超声波传感器包括超声波探头和后置放大器。6.根据权利要求5所述的一种gis绝缘件的局部放电检测方法,其特征在于:对所述特高频放电信号和超声波信号进行放电信号特征分析处理的过程为:基于gis设备典型放电过程产生的原始数据和分析参数进行原始放电脉冲提取、放电特征值生成和放电能量转化,获得放电谱图;所述放电谱图包括各参量任意时间段的数据统计图、趋势图、散点图、柱状图、灰度图、三维谱图、放电点趋势图和qnt图。7.根据权利要求6所述的一种gis绝缘件的局部放电检测方法,其特征在于:获得趋势图的过程为:以实验过程中每t时间段内的数据作为统计对象,通过公式依次计算该时间段内局部
放电次数n
t
、总放电量q
tota1t
、最大放电量q
maxt
、平均放电量q
avet
,然后做出n
t
、q
totalt
、q
maxt
和q
avet
随实验时间变化的趋势即可获得n、q
total
、q
max
、q
ave
参数的趋势图,所述公式为:参数的趋势图,所述公式为:q
avet
=q
totalt
/n
t
其中,根据检测手段的不同,q
i
为t时间段内第i次放电脉冲的视在放电量、放电幅值、光通量信息;n、q
total
、q
max
、q
ave
参数的趋势图用于反映一定时间段内,局部放电的放电次数、总放电量、最大放电量、平均放电量随时间变化的趋势。8.根据权利要求6所述的一种gis绝缘件的局部放电检测方法,其特征在于:获得所述柱状图的过程为:将一个工频周期等分为若干个相位窗每个相位窗内的放电次数n
j
为:其中,m为检测的工频周期总数,n
js
为第s个周期在相位窗内的放电次数,将n视作的函数,并以柱状图表示,获得柱状图,所述柱状图用于反应放电次数随相位的分布规律。9.根据权利要求6所述的一种gis绝缘件的局部放电检测方法,其特征在于:获得所述三维谱图的过程为:将平面划分为个小格,每个小格的中心为统计在该小格中的单位时间内局部放电脉冲的个数,获得放电重复频率,所述放电重复频率为放电脉冲的放电量和放电相位的函数,其函数为:其中,是发生在以为中心的小格中局部放电的放电重复率,m为对局放信号进行检测的工频周期数,是第s个检测周期内在小格内放电脉冲的个数,s=1,2

,m;三维谱图用于反映放电量在一定范围内的局部放电的重复率对相位窗的分布情况。10.根据权利要求6所述的一种gis绝缘件的局部放电检测方法,其特征在于:获得所述灰度图的过程为:将工频相位划分为个小区间,将视在放电量划分成n
q
个小区间,平面被划分成个小格,依次统计各小格内的放电重复频率,放电重复频率的不同反映在灰度图像上就是图像的颜色不同,定义放电重复频率与图像颜色的映射关系后,然后根据小格内放电重复频率的最小值和最大值分别对应于最小灰度级和最大灰度级的原则,构造出局部放电灰度图像;平面上每一个小格代表灰度图中的一个象素,该小格内的放电重复频率
正比于象素的灰度值,各像素点的灰度级计算函数为:其中,m
ij
为图像像素点灰度,n
ij
为各小格内的放电重复频率,n
max
为各小格内的最大放电重复频率。

技术总结
本发明公开了一种GIS绝缘件的局部放电检测方法,包括,搭建GIS实验室实体平台,基于放电缺陷类型,构建放电模型;通过阶梯升压法采集GIS绝缘件局部放电的特高频放电信号和超声波信号;对所述特高频放电信号和超声波信号进行放电信号特征分析处理,获得放电谱图,通过所述放电谱图显示GIS绝缘件的局部放电检测结果,本发明通过研究GIS绝缘件典型缺陷局放特征,基于GIS绝缘件缺陷放电故障案例库和典型缺陷局放特征数据库,侧重550kV、1100kVGIS,通过多种检测技术协同,实现精准判别GIS绝缘件缺陷的类型和位置的技术效果。缺陷的类型和位置的技术效果。缺陷的类型和位置的技术效果。


技术研发人员:陈田 胡睿智 刘衍 邹阳 李唐兵
受保护的技术使用者:国家电网有限公司
技术研发日:2023.05.15
技术公布日:2023/8/24
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