一种应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程的制作方法

一种应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程
技术领域
1.本发明属于oled技术领域，尤其涉及一种应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程。


背景技术：

2.在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
3.现有oled rgb图案化工艺方式大致分为两大技术方向，透过两种工艺模式将rgb像素图案化至目标基板上。其中shadow mask工艺应用将rgb像素图案化，而黄光工艺应用将rgb像素图案化。现行以黄光工艺将rgb像素图案化方式多为使用1层光阻架构，但由于使用此种黄光工艺，每做一种颜色都需执行一次上光阻/曝光/显影流程，之后再将颜色器件制作上去，再执行剥离材料将所有光阻进行剥离，因此执行三种颜色就需进行三次所有光阻剥离。但剥离材料特性只会对光阻有反应并将其剥离如图，但却不对器件材料产生影响.所以一旦器件材料在制作过程中如全覆盖至光阻，那将产生无法顺利剥离现象发生，如此将产生不良率。因此为防止因无法剥离光阻异常现象发生，一般工艺做法是在进行上光阻/曝光/显影流程中将光阻成形时设计为有一倒角形状，避免发光器件成膜时将光阻全覆盖，造成后制程进行时剥离溶剂无法剥离光阻现象发生。这种单层光阻设计方式是目前解决剥离光阻异常现象发生方式，但因真正执行时往往取决仅一次上光阻/曝光/显影流程去制作出光阻成形的倒角模式，如没制作此一形状将难以再透过后续流程再进行倒角形状，因此失败机会仍是存在，所以在工艺容错率将是非常低的(process window小)。
4.cn101288172a-将oled器件电极和光学材料图案化，公开了一种制造具有多个oled器件的oled显示器的方法，包括在基板上提供多个oled器件，这些oled器件分享共用透光电极；在该共用透光电极上形成图案化导电层结构以限定与一个或多个oled器件的发射区域对准的孔；并在一个或多个孔中提供光学材料。也无法解决上述技术问题。


技术实现要素：

5.本发明所要解决的技术问题是提供一种应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，将进行结构设计将现行单层光阻设计成至少2层光阻设计，此种结构设计将大幅减低剥离光阻异常现象，工艺容错率将提高许多。
6.为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，包括如下步骤：
7.1)架构基板；
8.2)利用旋涂机旋涂第一层光阻成膜；
9.3)利用旋涂机旋涂第二层光阻成膜；
10.4)利用曝光机将欲开孔区域进行曝光；
11.5)利用显影设备将欲开孔区域进行开孔；
12.6)利用蒸镀成膜设备将发光材料进行成膜；
13.7)利用剥离材料将所有光阻进行剥离；
14.8)重复上述1)～8)步骤工艺；
15.9)完成rgb三颜色器件成膜。
16.上述第2)步中，旋涂机转速：1000ppm/s，旋转时间：30sec。
17.上述第2)步中，第一层光阻成膜厚度0.5～2um。
18.上述第3)步中，旋涂机转速：1000ppm/s，旋转时间：30sec。
19.上述第3)步中，第二层光阻成膜厚度0.5～2um。
20.上述第4)步中，曝光机能量密度为270mj/cm2，曝光时间4sec。
21.上述第5)步中，开孔时间为30sec。
22.上述第7)步中，剥离材料浸润时间为5～10min。
23.上述第3)步中，旋涂机能够旋涂多于2层的光阻成膜。
24.上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果，将进行结构设计将现行单层光阻设计成至少2层光阻设计，此种结构设计将大幅减低剥离光阻异常现象，工艺容错率将提高许多。
附图说明
25.图1为本发明实施例中提供的应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程图；
26.图2为图1的应用于oled超高解析图案化黄光工艺的原理图；
具体实施方式
27.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
28.参见图1～2，一种应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，包括如下步骤：
29.(1)基板架构。可使用玻璃系基板或硅基型基板.
30.(2)将基板置入旋涂机,并于基板上注入光阻材料
31.利用旋涂机(转速：1000ppm/s，旋转时间：30sec)；
32.将约1um厚第一层光阻成膜上去。
33.优点：可利用定义成膜区。
34.(3)将基板置入旋涂机,并于基板上注入光阻材料
35.利用旋涂机(转速：1000ppm/旋转时间：30sec)；
36.将约1um厚第二层光阻成膜上去；
37.目的：第二层光阻涂布；
38.优点：可利用定义成膜区；
39.(4)将基板置入曝光机
40.利用曝光机270(mj/cm2)/4sec将欲开孔区域进行曝光；
41.目的：进行光阻曝光定型；
42.优点：可利用定义成膜区。
43.(5)将基板置入显影设备
44.利用显影设备将欲开孔区域进行注入显影材料dipping 30sec进行开孔；
45.目的：进行欲成膜区光阻剥离；
46.优点：可利用开出成膜区；
47.(6)将基板置入蒸镀设备
48.利用蒸镀成膜设备将发光材料利用热蒸着方式使其气化进行成膜；
49.目的：进行发光器件材料成膜；
50.优点：可利用开出成膜区，制作出发光器件。
51.(7)将基板置入stripper设备
52.利用剥离材料将所有光阻进行剥离；
53.dipping over 5～10min直至表面光阻剥离干净
54.目的：将所有光阻进行剥离；
55.优点：可利用剥离材料将光阻进行剥离，进行后续工艺。
56.(8)重复上述步骤工艺；
57.(9)完成rgb三颜色器件成膜。
58.本方案之所以大幅降低剥离溶剂剥离光阻失败几率在于当第一层光阻倒角设计如因工艺过程中因控制不当造成失败，但第二层光阻倒角设计如可成形依然能顺利使剥离溶剂剥离光阻，如图2所示。因此利用多层光阻结构将大幅提升剥离光阻工序process window，增加良品率。
59.技术关键点为多层光阻结构设计，光阻不局限2层设计，可》2层。
60.本专利将针对此点，将进行结构设计将现行单层光阻设计成至少2层光阻设计，此种结构设计将大幅减低剥离光阻异常现象，工艺容错率将提高许多。
61.因本发明设计并非以单层光阻结构设计而是采用多层光阻结构设计，发明设计技术估计将比原有技术在剥离光阻工序成功率提升约9倍以上。单层光阻结构设计剥离光阻工序成功率约10％；双层光阻结构设计剥离光阻工序成功率约90％。
62.采用上述的方案后，将进行结构设计将现行单层光阻设计成至少2层光阻设计，此种结构设计将大幅减低剥离光阻异常现象，工艺容错率将提高许多。
63.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“同轴”、“底部”、“一端”、“顶部”、“中部”、“另一端”、“上”、“一侧”、“顶部”、“内”、“前部”、“中央”、“两端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
64.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“连接”、“固定”、“旋接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
65.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换
和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：
1.一种应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，包括如下步骤：1)架构基板；2)利用旋涂机旋涂第一层光阻成膜；3)利用旋涂机旋涂第二层光阻成膜；4)利用曝光机将欲开孔区域进行曝光；5)利用显影设备将欲开孔区域进行开孔；6)利用蒸镀成膜设备将发光材料进行成膜；7)利用剥离材料将所有光阻进行剥离；8)重复上述1)～8)步骤工艺；9)完成rgb三颜色器件成膜。2.如权利要求1所述的应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第2)步中，旋涂机转速：1000ppm/s，旋转时间：30sec。3.如权利要求1所述的应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第2)步中，第一层光阻成膜厚度0.5～2um。4.如权利要求1所述的应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第3)步中，旋涂机转速：1000ppm/s，旋转时间：30sec。5.如权利要求1所述的应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第3)步中，第二层光阻成膜厚度0.5～2um。6.如权利要求1所述的应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第4)步中，曝光机能量密度为270mj/cm2，曝光时间4sec。7.如权利要求1所述的应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第5)步中，开孔时间为30sec。8.如权利要求1所述的应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第7)步中，剥离材料浸润时间为5～10min。9.如权利要求1所述的应用于oled超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第3)步中，旋涂机能够旋涂多于2层的光阻成膜。

技术总结
本发明公开了一种应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，包括如下步骤：1)架构基板；2)利用旋涂机旋涂第一层光阻成膜；3)利用旋涂机旋涂第二层光阻成膜；4)利用曝光机将欲开孔区域进行曝光；5)利用显影设备将欲开孔区域进行开孔；6)利用蒸镀成膜设备将发光材料进行成膜；7)利用剥离材料将所有光阻进行剥离；8)重复上述1)～8)步骤工艺；9)完成RGB三颜色器件成膜，将进行结构设计将现行单层光阻设计成至少2层光阻设计，此种结构设计将大幅减低剥离光阻异常现象，工艺容错率将提高许多。工艺容错率将提高许多。工艺容错率将提高许多。


技术研发人员：林进志 曹绪文 晋芳铭 张良睿 郭瑞
受保护的技术使用者：深圳市芯视佳半导体科技有限公司
技术研发日：2023.06.25
技术公布日：2023/8/31