晶圆承载装置、半导体加工设备的制作方法

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晶圆承载装置、半导体加工设备
1.本技术要求于2022年12月26日提交中国专利局、申请号为202223487441.8、申请名称为“晶圆承载装置、半导体加工设备”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本技术中。
技术领域
2.本实用新型涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种晶圆承载装置、半导体加工设备。


背景技术:

3.在薄片槽式蚀刻工艺中,需要采用到晶圆盒(cassette),晶圆(或称为晶片,为便于描述,统称为晶圆)插放在晶圆盒中的定位件(cassette pin)所形成的插槽内。
4.相关技术中,晶圆盒中的定位件构造为锥台型结构,以减少定位件与晶圆的接触面积。但是,受限于晶圆翘曲(wafer warpage)的影响,当晶圆在化学槽(chemical tank)内与化学药品(chemical)进行置换反应时,在晶圆翘曲(wafer warpage)较大时晶圆会贴附在定位件的侧壁上,即使采用震荡(agitation)功能,晶圆与定位件之间用于流通化学药品的面积仍然不足,导致化学药品(chemical)的置换效果不佳,从而降低了产品的外观良率。
5.鉴于上述技术问题的存在,本实用新型提供一种新的晶圆承载装置、半导体加工设备,以至少部分地解决上述问题。


技术实现要素:

6.在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型的实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
7.针对目前存在的问题,本实用新型一方面提供一种晶圆承载装置,包括:主体,所述主体内具有用于承载晶圆的容纳空间;所述容纳空间的侧壁包括多个沿第一方向间隔设置的支撑件,每个所述支撑件设置有沿第二方向间隔排列的多个定位件,相邻所述定位件之间形成有用于插放晶圆的插槽;其中,所述第一方向与所述第二方向垂直,所述定位件上用于形成所述插槽的侧壁为内凹面。
8.示例性地,所述定位件具有相对设置的第一表面和第二表面,所述定位件通过所述第一表面设置于所述支撑件,所述第二表面与所述定位件的侧壁的连接处构造为弧面或者倒角。
9.示例性地,所述第二表面沿所述第二方向的宽度小于所述第一表面沿所述第二方向的宽度。
10.示例性地,每个所述定位件包括第一部分和设置于所述第一部分上且与所述第一部分连接的第二部分,其中,位于同一侧的所述第二部分的侧壁与所述第一部分的侧壁连
接构成所述内凹面;所述定位件具有相对设置的第一表面和第二表面,所述定位件通过所述第一表面设置于所述支撑件,所述定位件的第二表面和所述第二部分的侧壁之间的夹角为73
°
~77
°

11.示例性地,所述容纳空间的侧壁包括第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁,所述第一侧壁和所述第二侧壁均设置有沿所述第一方向间隔设置的多个所述支撑件,沿所述第一方向,设置于所述第一侧壁的所述支撑件与所述第二侧壁之间的距离逐渐增大或先增大后减小,和/或,沿所述第一方向,设置于所述第二侧壁的所述支撑件与所述第一侧壁之间的距离逐渐增大或先增大后减小。
12.示例性地,所述第一侧壁上的支撑件和所述第二侧壁上的支撑件的数量相同,且每个所述支撑件上的定位件的数量相同或者不同,相邻所述定位件之间形成的所述插槽的尺寸相同。
13.示例性地,所述晶圆承载装置还包括顶部构件,所述顶部构件转动设置于主体的顶部,所述主体的顶部还设有与顶部构件相配合的凹槽。
14.示例性地,主体的顶部具有用于晶圆出入的开口,所述顶部构件包括与所述凹槽相配合的档杆,所述档杆的两端连接有连接构件,所述连接构件远离所述档杆的端部与所述主体连接,所述档杆被构造为能够在第一位置和第二位置之间切换,处于所述第一位置的所述档杆位于所述凹槽之外且位于所述开口的边缘区域,处于所述第二位置的部分所述档杆位于所述凹槽内,且所述档杆在所述第二方向上横跨所述开口。
15.示例性地,所述晶圆承载装置还包括:限位件,可转动地设置于所述主体且与所述主体之间具有旋转阻尼,用于当所述档杆处于所述第二位置时限制所述连接构件。
16.示例性地,所述连接构件上具有限位凹槽,所述限位件包括转动部,所述转动部与所述主体之间具有旋转阻尼,所述转动部连接有与所述限位凹槽相配合的限位凸起部,所述限位凸起部构造为随着所述转动部的转动在限位位置和解锁位置之间切换,其中,处于所述限位位置的所述限位凸起部的一端位于所述限位凹槽内并与所述限位凹槽的侧壁相抵,处于所述解锁位置的所述限位凸起部离开所述限位凹槽。
17.示例性地,所述连接构件包括旋转部和连接部,所述连接部的两端分别连接所述旋转部和所述档杆,所述旋转部与所述主体转动连接,所述限位凹槽设于所述旋转部或者所述连接部;或者所述连接构件包括固定部和连接部,所述连接部的两端分别连接所述固定部和所述档杆,所述固定部固定设于所述主体,所述连接部与所述固定部转动连接,所述限位凹槽设于所述连接部。
18.本实用新型再一方面提供一种半导体加工设备,包括上述中任一项所述的晶圆承载装置。
19.本实用新型的晶圆承载装置、半导体加工设备,通过将定位件的侧壁构造为内凹面,在定位件的侧壁和晶圆之间形成供化学药品流通的空间,从而增加了化学药品的流通性,提高了化学药品的置换效果,提升了产品的外观良率。
附图说明
20.本实用新型的下列附图在此作为本实用新型的一部分用于理解本实用新型。附图中示出了本实用新型的实施例及其描述,用来解释本实用新型的原理。
21.附图中:
22.图1示出了相关技术中晶圆贴附在定位件上的结构示意图;
23.图2示出了另一相关技术中晶圆贴附在定位件上的结构示意图;
24.图3a示出了晶圆边缘卡在毛刺内的示意图;
25.图3b示出了晶圆翘曲过大内卷错位的示意图;
26.图4示出了本实用新型一个具体实施方式的晶圆承载装置的剖面示意图;
27.图5示出了本实用新型一个具体实施方式的晶圆承载装置的立体示意图;
28.图6示出了本实用新型一个具体实施方式的定位件的结构示意图;
29.图7示出了本实用新型一个具体实施方式的连接线与晶圆的中心线重合的示意图;
30.图8示出了本实用新型一个具体实施方式的晶圆承载装置的立体示意图;
31.图9示出了图8中晶圆承载装置的主视图。
具体实施方式
32.在下文的描述中,给出了大量具体的细节以便提供对本实用新型更为彻底的理解。然而,对于本领域技术人员而言显而易见的是,本实用新型可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中,为了避免与本实用新型发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
33.应当理解的是,本实用新型能够以不同形式实施,而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地,提供这些实施例将使公开彻底和完全,并且将本实用新型的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中,为了清楚,层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
34.应当明白,当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时,其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层,或者可以存在居间的元件或层。相反,当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时,则不存在居间的元件或层。应当明白,尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分,这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此,在不脱离本实用新型教导之下,下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
35.空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等,在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白,除了图中所示的取向以外,空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如,如果附图中的器件翻转,然后,描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此,示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
36.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本实用新型的限制。在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式,除非上下文清楚指
出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”,当在该说明书中使用时,确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时,术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
37.为了彻底理解本实用新型,将在下列的描述中提出详细步骤和结构,以便阐释本实用新型提出的技术方案。本实用新型的较佳实施例详细描述如下,然而除了这些详细描述外,本实用新型还可以具有其他实施方式。
38.在一些相关技术中,如图1所示,在薄片槽式蚀刻工艺中,受限于晶圆翘曲的影响,当晶圆在化学槽内与化学药品进行置换反应时,在晶圆翘曲较大时晶圆110会贴附在定位件120的侧壁上,即使采用震荡功能,晶圆110与定位件120之间用于流通化学药品的面积仍然不足,导致化学药品的置换效果不佳,从而降低了产品的外观良率。
39.在另一些相关技术中,如图2所示,定位件220与晶圆210相接触的棱角为菱形结构,晶圆210的边缘容易与定位件220的棱角形成切割效应,在定位件220的表面形成毛刺230。如图3a所示,示出了一种晶圆边缘卡在毛刺内的情形,薄片槽式蚀刻工艺在化学槽中采取震荡功能时容易造成晶圆与晶圆盒的顶部构件发生碰撞,进而发生晶圆断裂(wafer broken)。或者,如图3b所示,示出了一种晶圆翘曲过大内卷错位的情形,当晶圆翘曲过大时,在发生内卷错位导致晶圆容易受到外力挤压,使得晶圆在外力挤压下发生断裂。
40.因此,鉴于前述技术问题的存在,本实用新型提出一种晶圆承载装置,包括:主体,所述主体内具有用于承载晶圆的容纳空间;所述容纳空间的侧壁包括多个沿第一方向间隔设置的支撑件,每个所述支撑件设置有沿第二方向间隔排列的多个定位件,相邻所述定位件之间形成有用于插放晶圆的插槽;其中,所述第一方向与所述第二方向垂直,所述定位件上用于形成所述插槽的侧壁为内凹面。
41.根据本技术的晶圆承载装置,通过将定位件的侧壁构造为内凹面,在定位件的侧壁和晶圆之间形成供化学药品流通的空间,从而增加了化学药品的流通性,提高了化学药品的置换效果,提升了产品的外观良率。
42.下面参考图4和图5描述根据本技术一个实施例的晶圆承载装置。如图4和图5所示,晶圆承载装置400包括:主体410,主体410内具有用于承载晶圆500的容纳空间;容纳空间的侧壁包括多个沿第一方向间隔设置的支撑件460,每个支撑件460设置有沿第二方向间隔排列的多个定位件420,相邻定位件420之间形成有用于插放晶圆500的插槽430;其中,第一方向与第二方向垂直,定位件420上用于形成插槽430的侧壁为内凹面。
43.示例性,图5中x所示方向为第一方向,y所示方向为第二方向。
44.本实施例中将容纳空间的侧壁设计为镂空式的结构,晶圆500插放于插槽430后,将晶圆承载装置400放置于化学槽内,化学槽内的化学药品通过支撑件460之间的空隙进入容纳空间,进而与容纳空间内的晶圆500发生反应。
45.基于晶圆承载装置400,通过将定位件420的侧壁构造为内凹面,在定位件420的侧壁和晶圆500之间形成供化学药品流通的空间,从而增加了化学药品的流通性,提高了化学药品的置换效果,提升了产品的外观良率。
46.在一个示例中,主体410采用耐高温、耐酸碱、耐磨损材料制成,进一步,构成主体410的材料还具有防静电功能。在一个实施例中,所述主体410采用半透明塑料材质,在不同
的半导体制程段可以采用不同颜色的晶圆承载装置400。
47.需要说明的是,本示例性实施例的晶圆承载装置400仅为镂空式的框架结构,以便于将整盒晶圆浸没在化学液体中进行化学处理或清洗,但这并不是限制性的,晶圆承载装置400还可以采用封闭式或半封闭式结构。
48.在本技术的一个实施例中,如图6所示,每个定位件420包括第一部分421和设置于第一部分421上且与第一部分421连接的第二部分422,其中,位于同一侧的第二部分422的侧壁与第一部分421的侧壁连接构成内凹面。具体而言,以图5所示为例,第一部分421的侧壁向上方内侧收缩,第二部分422的侧壁向下方内侧收缩,二者收缩于同一处,连接后通过二者的侧壁共同形成内凹面。
49.在本技术的一个实施例中,如图6所示,定位件420具有相对设置的第一表面4201和第二表面4202,定位件420通过第一表面4201设置于支撑件460。其中,第一表面4201也可以称为定位件420的底面,第二表面4202也可以称为定位件420的顶面,定位件420上第一表面4201和第二表面4202之间且用于形成插槽430的侧面称为定位件420的侧壁。为便于描述,下文中将定位件420的底面统称为第一表面4201,将定位件420的顶面统称为第二表面4202。
50.在本技术的一个实施例中,第一部分421的侧壁向上方内侧收缩后,第一表面4201和第一部分421的侧壁之间形成锐角;第二部分422的侧壁向下方内侧收缩后,第二表面4202和第二部分422的侧壁之间也形成锐角。由此,使得第一部分421的侧壁和第二部分422的侧壁之间形成钝角结构的内凹面。
51.在一个示例中,第二表面4202和第二部分422的侧壁之间的夹角为73
°
~77
°
。示例性地,可以将第二表面4202和第二部分422的侧壁之间的夹角构造为75
°

52.在本技术的一个实施例中,第二表面4202沿第二方向的宽度小于第一表面4201沿第二方向的宽度。具体而言,定位件420整体仍然呈下宽上窄的台状结构,以在相邻的定位件420之间形成下窄上宽的插槽430,从而方便晶圆500无阻碍地插放于插槽430内,或者方便晶圆500无阻碍地从插槽430内取出。
53.在本技术的一个实施例中,如图6所示,第二表面4202与定位件420的侧壁的连接处构造为弧面。通过将定位件420与晶圆500相接触的棱角改为弧面,可以减小第二表面4202和定位件420侧壁的连接处的斜度,防止晶圆500的边缘与定位件420形成切割效应,避免在定位件420上形成毛刺和因毛刺造成的晶圆500断裂,减小晶圆500的报废率。而且,通过将定位件420与晶圆500相接触的棱角改为弧面,可以使得晶圆500与定位件420之间的接触由面接触改为点接触,从而进一步增加化学药品的流通性,提高化学药品的置换效果和产品的外观良率。
54.在本技术的一个实施例中,第二表面4202和定位件420的侧壁的连接处呈倒角。通过将定位件420与晶圆500相接触的棱角加工成倒角,从而在第二表面4202和定位件420侧壁的连接处构造出新的斜面,通过构造出的新的斜面减小第二表面4202和定位件420侧壁的连接处的斜度,防止晶圆500的边缘与定位件420形成切割效应,避免在定位件420上形成毛刺和因毛刺造成的晶圆500断裂,减小晶圆500的报废率。
55.在本技术的一个实施例中,容纳空间的侧壁包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁(由于侧壁是镂空式的结构,附图中未示出第一侧壁和第二侧壁),其中两件支撑件
460分别相对地设置于第一侧壁和第二侧壁,当晶圆500插放于插槽430内后,分别设置于所述两件支撑件460且相对的两个定位件420之间的连接线与晶圆500的中心线之间的距离小于第一预定距离,且连接线与晶圆500的中心线平行,其中,晶圆500的中心线与第一方向垂直,且与第二方向垂直,以及晶圆500的中心线经过晶圆500的圆心,也即晶圆500的中心线是指的晶圆500的一个直径,且该直径大体与第一侧壁所在的面或第二侧壁所在的面垂直。本实施例中,对定位件420的位置进行了重新分配。示例性地,如图4所示,对定位件420位置的重新分配体现在以下两点,其一是在第一侧壁和第二侧壁设置了对称的两件支撑件460,其二是两件支撑件460上存在至少两个相对设置的定位件4210和定位件4220,定位件4210和定位件4220分别位于所述两件支撑件460上,且定位件4210和定位件4220之间的连接线(可以参照图7)与晶圆500的中心线之间的距离都小于第一预定距离,从而将定位件4210和定位件4220分配在晶圆500的中心线上或者附近的位置,从而可以通过定位件4210和定位件4220对晶圆500翘曲部位提供支撑,即使晶圆500发生内卷,定位件4210和定位件4220与晶圆500相接触,仍能防止产生错位,从而避免晶圆500在外力挤压下发生断裂,减小晶圆500的报废率。
56.需要说明的是,上述仅描述了存在两件对称设置于第一侧壁和第二侧壁的支撑件460的情况,对于第一侧壁和第二侧壁上其他的支撑件460,可以对称设置,也可以不对称设置,对此不进行限定。
57.此外,上述两件对称设置的支撑件460上可以存在多对定位件4210和定位件4220,上述仅描述了两件支撑件460上存在至少一对定位件4210和定位件4220的情况。对于两件支撑件460上其他的定位件420,可以类比定位件4210和定位件4220进行设置,也可以按照其他情况进行设置,但按照其他情况进行设置时,由于未分配在晶圆500的中心线上或者附近的位置,因此无法起到对晶圆500翘曲部位提供支撑的作用。
58.在一个示例中,第一预定距离可以小于晶圆直径的1/20,或者还可以是其他适合的数值。
59.在一个示例中,如图7所示,连接线与晶圆500的中心线重合。也即,连接线与晶圆500的中心线之间不存在预定距离。
60.值得注意的是,连接线与晶圆500的中心线可以是严格的平行,但由于客观的事实因素,连接线与晶圆500的中心线也可以是非严格的平行。当连接线与晶圆500的中心线之间的夹角在一个可接受的范围内时,都可以认为二者是平行的。
61.在本技术的一个实施例中,如图5所示,晶圆承载装置400还包括:顶部构件440,顶部构件440转动设置于主体410的顶部,主体410的顶部还设有与顶部构件440相配合的凹槽450。晶圆承载装置400的顶部具有开口470,晶圆500通过开口470插放于晶圆承载装置400内后,转动顶部构件440,使顶部构件440由主体410顶部的一侧位置转动到主体顶部的凹槽450内,从而避免晶圆500在晶圆承载装置400内向上浮动,为晶圆500提供保护。
62.在本技术的一个实施例中,容纳空间的侧壁包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁,第一侧壁和第二侧壁均设置有沿第一方向间隔设置的多个支撑件,沿第一方向,设置于第一侧壁的支撑件460与第二侧壁之间的距离逐渐增大或先增大后减小,和/或,沿所述第一方向,设置于第二侧壁的支撑件460与第一侧壁之间的距离逐渐增大或先增大后减小。由于晶圆500呈圆形结构,为了保证主体内所插放晶圆500的稳定性,可以根据晶圆500
的形状设计容纳空间的结构。具体而言,从容纳空间的底部到容纳空间的上部,第一侧壁上的支撑件460到对面第二侧壁的距离逐渐增加或先增大后减小,第二侧壁上的支撑件460到对面第一侧壁的距离逐渐增加或先增大后减小,与晶圆500的尺寸相适应。
63.需要说明的是,上述仅限定了从容纳空间的底部到容纳空间的上部,第一侧壁上的支撑件460到对面第二侧壁的距离逐渐增加或先增大后减小,第二侧壁上的支撑件460到对面第一侧壁的距离逐渐增加或先增大后减小,但并不限定第一侧壁和第二侧壁上的支撑件460是否对称。
64.在本技术的一个实施例中,第一侧壁上的支撑件460和第二侧壁上的支撑件460的数量相同,且每个支撑件460上的定位件420的数量相同,相邻定位件420之间形成的插槽430的尺寸相同。需要说明的是,由于产品实际制造过程中所存在的误差,相邻定位件420之间形成的插槽430的尺寸并不一定相同,但只要在误差运行的范围内,都可以认为是相同的。
65.除此以外,也可以存在第一侧壁上的支撑件460和第二侧壁上的支撑件460的数量不相同、每个支撑件460上的定位件的数量不相同、相邻定位件之间形成的插槽的尺寸不相同等情况,本技术并不排除对这些例外情况的保护。
66.在一些相关技术中,在对晶圆进行收纳时,通常是将晶圆放置在晶圆盒中。当需要对晶圆进行电镀等化学处理或进行清洗时,可以将整个晶圆盒置于化学液体中。然而,随着半导体技术的发展,晶圆的厚度逐渐减薄,质量也随之减小,当将收纳超薄晶圆的晶圆盒置于化学液体中时,超薄晶圆会浮起或被化学液体冲起,进而导致晶圆撞击破片或是斜插报废。
67.在本技术的一个实施例中,如图8所示,所述主体410的顶部具有用于晶圆500出入的开口470,所述顶部构件440包括与所述凹槽450相配合的档杆441,所述档杆441的两端连接有连接构件442,所述连接构件442远离所述档杆441的端部与所述主体410连接,所述档杆441被构造为能够在第一位置和第二位置之间切换,处于所述第一位置的所述档杆441位于所述凹槽450之外且位于所述开口470的边缘区域,处于所述第二位置的部分所述档杆441位于所述凹槽450内,且所述档杆441在所述第二方向上横跨所述开口470。
68.在一个示例中,当档杆441处于第二位置时,档杆441与晶圆500的顶端接触。这样,晶圆500的底部受到底部的支撑件460的支撑,顶部受到档杆441的阻挡,两侧分别受到两侧的支撑件460的阻挡,前后受到定位件420的阻挡,晶圆500位于晶圆承载装置内,并且晶圆500在上、下、前、后、左、右方向上均无法移动,避免了晶圆移动、晶圆碰撞以及晶圆斜插。
69.在一个示例中,当档杆441处于第一位置时,,档杆441可以位于凹槽450之外且位于所述开口470的边缘区域,此时可以使晶圆500放入所述插槽430或从所述插槽430中取出。
70.基于本实施例的档杆441,避免了将收纳超薄晶圆的晶圆承载装置400置于化学液体中时,超薄晶圆会浮起或被化学液体冲起,进而避免了晶圆500撞击破片或是斜插报废,提高了晶圆500生产的良品率。
71.在本技术的一个实施例中,如图8和图9所示,晶圆承载装置400还包括:限位件443,可转动地设置于所述主体410且与所述主体410之间具有旋转阻尼,用于当所述档杆441处于所述第二位置时限制所述连接构件442。
72.在一个示例中,在连接构件442带动档杆441处于第二位置后,通过限位件443可以对连接构件442进行限位,以使档杆441稳定地位于凹槽450内,从而对晶圆承载装置400内的晶圆500起到稳定的限制作用,避免晶圆500浮起或被化学液体冲起。且限位件443与主体410之间具有旋转阻尼,可以避免晶圆500受到的浮力或冲力作用于限位件443后,造成限位件443反向运动,无法继续对连接构件442进行限位的情况。
73.在本技术的一个实施例中,所述连接构件442上具有限位凹槽,所述限位件443包括转动部,所述转动部与所述主体410之间具有旋转阻尼,所述转动部连接有与所述限位凹槽相配合的限位凸起部,所述限位凸起部构造为随着所述转动部的转动在限位位置和解锁位置之间切换,其中,处于所述限位位置的所述限位凸起部的一端位于所述限位凹槽内并与所述限位凹槽的侧壁相抵,处于所述解锁位置的所述限位凸起部离开所述限位凹槽。
74.在一个示例中,当限位凸起部处于解锁位置时,限位凸起部与所述限位凹槽不接触,连接构件442能够带动档杆441发生转动,以使档杆441在第一位置和第二位置之间实现切换。
75.在一个示例中,当限位凸起部处于限位位置时,限位凸起部与所述限位凹槽接触,连接构件442被限位凸起部限制,无法带动档杆441转动,可以使档杆441被限制在第二位置或第一位置。
76.在一个示例中,限位凹槽和限位凸起包括但不限于方形、三角形、半圆形,本技术对此不做限制。
77.在本技术的一个实施例中,所述连接构件442包括旋转部和连接部,所述连接部的两端分别连接所述旋转部和所述档杆441,所述旋转部与所述主体410转动连接,所述限位凹槽设于所述旋转部或者所述连接部;或者所述连接构件442包括固定部和连接部,所述连接部的两端分别连接所述固定部和所述档杆441,所述固定部固定设于所述主体410,所述连接部与所述固定部转动连接,所述限位凹槽设于所述连接部。
78.在一个示例中,限位凹槽可以设置在旋转部或者连接部,旋转部和连接部固定连接,限位凸起部与不与限位凹槽接触时,通过旋转部带动连接部,进而带动档杆441发生转动,以使档杆441可以在第一位置和第二位置之间实现切换;限位凸起部与限位凹槽接触时,对连接构件442进行限位,进而可以将档杆限制在第二位置或第一位置。
79.在一个示例中,限位凹槽设置在固定部,限位凸起部与不与限位凹槽接触时,通过连接部带动档杆441发生转动,以使档杆441可以在第一位置和第二位置之间实现切换;限位凸起部与限位凹槽接触时,对连接构件442进行限位,进而可以将档杆限制在第二位置或第一位置。
80.在一个示例中,本技术提供的晶圆承载装置400的操作过程,可以如下:为了使档杆441处于第二位置,可以通过连接构件442带动档杆441转动到凹槽450之内,接下来转动限位件443以使限位凸起部卡住连接构件442的限位凹槽,从而使连接构件442无法继续带动档杆441转动,则档杆441被限位在第二位置,例如,如图9所示,在主体410上设置挡位部480,当档杆441转动到第二位置时,连接构件442接触挡位部480,挡位部480阻挡连接构件442继续带动档杆441向下运动,将档杆441限位在第二位置,以避免向下运动损伤置于晶圆承载装置400的晶圆500。为了使档杆441切换至第一位置,转动所述限位件443以使限位凸起部从连接构件442的限位凹槽脱出,限位凸起部与限位凹槽不再接触,连接构件442能够
带动档杆441转动到凹槽450外部且位于开口470的边缘区域,从而可以将晶圆500放入插槽430或从所述插槽430中取出。
81.根据本技术的又一方面,还提供了一种半导体加工设备,半导体加工设备包括晶圆承载装置。
82.其中,晶圆承载装置可以实现为前文所述的晶圆承载装置,可以参考上文中的描述,在此不做赘述。
83.综上所述,根据本技术实施例的晶圆承载装置、半导体加工设备,通过将定位件的侧壁构造为内凹面,在定位件的侧壁和晶圆之间形成供化学药品流通的空间,从而增加了化学药品的流通性,提高了化学药品的置换效果,提升了产品的外观良率。此外,通过将定位件的顶面与定位件的侧壁的连接处构造为弧面,可以使得晶圆与定位件之间的接触由面接触改为点接触,从而进一步增加化学药品的流通性,提高化学药品的置换效果和产品的外观良率。而且,通过将定位件的顶面与定位件的侧壁的连接处构造为弧面,可以防止晶圆的边缘与定位件形成切割效应,避免在定位件上形成毛刺和因毛刺造成的晶圆断裂,减小晶圆的报废率。此外,通过在晶圆的中心线上或者附近的位置分配有定位件,即使晶圆发生内卷也能防止产生错位,从而避免晶圆在外力挤压下发生断裂,进一步减小晶圆的报废率。
84.尽管这里已经参考附图描述了示例实施例,应理解上述示例实施例仅仅是示例性的,并且不意图将本技术的范围限制于此。本领域普通技术人员可以在其中进行各种改变和修改,而不偏离本技术的范围和精神。所有这些改变和修改意在被包括在所附权利要求所要求的本技术的范围之内。
85.类似地,应当理解,为了精简本技术并帮助理解各个申请方面中的一个或多个,在对本技术的示例性实施例的描述中,本技术的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而,并不应将该本技术的方法解释成反映如下意图:即所要求保护的本技术要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说,如相应的权利要求书所反映的那样,其申请点在于可以用少于某个公开的单个实施例的所有特征的特征来解决相应的技术问题。因此,遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式,其中每个权利要求本身都作为本技术的单独实施例。
86.此外,本领域的技术人员能够理解,尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征,但是不同实施例的特征的组合意味着处于本技术的范围之内并且形成不同的实施例。例如,在权利要求书中,所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
87.应该注意的是上述实施例对本技术进行说明而不是对本技术进行限制,并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中,不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

技术特征:
1.一种晶圆承载装置,其特征在于,包括:主体,所述主体内具有用于承载晶圆的容纳空间;所述容纳空间的侧壁包括多个沿第一方向间隔设置的支撑件,每个所述支撑件设置有沿第二方向间隔排列的多个定位件,相邻所述定位件之间形成有用于插放晶圆的插槽;其中,所述第一方向与所述第二方向垂直,所述定位件上用于形成所述插槽的侧壁为内凹面。2.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述定位件具有相对设置的第一表面和第二表面,所述定位件通过所述第一表面设置于所述支撑件,所述第二表面与所述定位件的侧壁的连接处构造为弧面或者倒角。3.如权利要求2所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第二表面的沿所述第二方向的宽度小于所述第一表面沿所述第二方向的宽度。4.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,每个所述定位件包括第一部分和设置于所述第一部分上且与所述第一部分连接的第二部分,其中,位于同一侧的所述第二部分的侧壁与所述第一部分的侧壁连接构成所述内凹面;所述定位件具有相对设置的第一表面和第二表面,所述定位件通过所述第一表面设置于所述支撑件,所述定位件的第二表面和所述第二部分的侧壁之间的夹角为73
°
~77
°
。5.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述容纳空间的侧壁包括第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁,所述第一侧壁和所述第二侧壁均设置有沿所述第一方向间隔设置的多个所述支撑件;沿所述第一方向,设置于所述第一侧壁的所述支撑件与所述第二侧壁之间的距离逐渐增大或先增大后减小,和/或,沿所述第一方向,设置于所述第二侧壁的所述支撑件与所述第一侧壁之间的距离逐渐增大或先增大后减小。6.如权利要求5所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一侧壁上的支撑件和所述第二侧壁上的支撑件的数量相同或者不同,且每个所述支撑件上的定位件的数量相同,相邻所述定位件之间形成的所述插槽的尺寸相同。7.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述晶圆承载装置还包括顶部构件,所述顶部构件转动设置于主体的顶部,所述主体的顶部还设有与顶部构件相配合的凹槽。8.如权利要求7所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述主体的顶部具有用于晶圆出入的开口,所述顶部构件包括与所述凹槽相配合的档杆,所述档杆的两端连接有连接构件,所述连接构件远离所述档杆的端部与所述主体连接,所述档杆被构造为能够在第一位置和第二位置之间切换,处于所述第一位置的所述档杆位于所述凹槽之外且位于所述开口的边缘区域,处于所述第二位置的部分所述档杆位于所述凹槽内,且所述档杆在所述第二方向上横跨所述开口。9.如权利要求8所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述晶圆承载装置还包括:限位件,可转动地设置于所述主体且与所述主体之间具有旋转阻尼,用于当所述档杆处于所述第二位置时限制所述连接构件。10.如权利要求9所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述连接构件上具有限位凹槽,所述限位件包括转动部,所述转动部与所述主体之间具有旋转阻尼,所述转动部连接有与所述限位凹槽相配合的限位凸起部,所述限位凸起部构造为随着所述转动部的转动在限位位
置和解锁位置之间切换,其中,处于所述限位位置的所述限位凸起部的一端位于所述限位凹槽内并与所述限位凹槽的侧壁相抵,处于所述解锁位置的所述限位凸起部离开所述限位凹槽。11.如权利要求10所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述连接构件包括旋转部和连接部,所述连接部的两端分别连接所述旋转部和所述档杆,所述旋转部与所述主体转动连接,所述限位凹槽设于所述旋转部或者所述连接部;或者所述连接构件包括固定部和连接部,所述连接部的两端分别连接所述固定部和所述档杆,所述固定部固定设于所述主体,所述连接部与所述固定部转动连接,所述限位凹槽设于所述连接部。12.一种半导体加工设备,其特征在于,包括如权利要求1至11中任一项所述的晶圆承载装置。

技术总结
本实用新型提供一种晶圆承载装置、半导体加工设备,晶圆承载装置包括:主体,所述主体内具有用于承载晶圆的容纳空间;所述容纳空间的侧壁包括多个沿第一方向间隔设置的支撑件,每个所述支撑件设置有沿第二方向间隔排列的多个定位件,相邻所述定位件之间形成有用于插放晶圆的插槽;其中,所述第一方向与所述第二方向垂直,所述定位件上用于形成所述插槽的侧壁为内凹面。本申请通过将定位件的侧壁构造为内凹面,在定位件的侧壁和晶圆之间形成供化学药品流通的空间,从而增加了化学药品的流通性,提高了化学药品的置换效果,提升了产品的外观良率。良率。良率。


技术研发人员:屈文晶
受保护的技术使用者:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
技术研发日:2023.03.09
技术公布日:2023/9/1
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