碳化硅晶体生长装置的制作方法

1.本实用新型涉及晶体生长领域，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长装置。


背景技术：

2.碳化硅长晶最常用的工艺为物理气相传输法(physical vapor transport),该方法通过感应线圈加热碳化硅粉，使其受热升华成碳化硅蒸气，并在温度梯度的驱动下向籽晶方向传输，并在籽晶表面沉积、生长。由于石墨件被侵蚀以及碳化硅粉中硅成分的流失，导致碳化硅晶体生长后期，碳含量较高，最终在晶体中形成碳包裹物，影响到晶体的品质。除此之外，长晶后期，碳化硅粉严重碳化也影响到碳化硅粉的装载量，最终导致碳化硅晶体的厚度无法增加。


技术实现要素：

3.本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型在于提出一种碳化硅晶体生长装置，不仅有利于减少碳化硅晶体中的碳包裹物，还有利于使碳化硅晶体的厚度增加。
4.根据本实用新型实施例的碳化硅晶体生长装置，包括：长晶坩埚，所述长晶坩埚包括长晶盖和长晶埚本体，所述长晶盖的底壁设有籽晶，所述长晶埚本体内设有第一碳化硅粉料，所述长晶盖适于打开或关闭所述长晶埚本体，所述长晶埚本体的周壁外绕有第一线圈；辅助坩埚，所述辅助坩埚与所述长晶坩埚间隔开设置，所述辅助坩埚包括辅助盖和辅助埚本体，所述辅助埚本体内设有第二碳化硅粉料，所述辅助盖适于打开或关闭所述辅助埚本体，所述辅助埚本体的周壁外绕有第二线圈，所述第二线圈和所述第一线圈独立控制；驱动机构，所述驱动机构适于将所述长晶盖和所述辅助盖的位置对调。
5.根据本实用新型实施例的碳化硅晶体生长装置，在第一长晶阶段，长晶盖盖设于长晶埚本体，辅助盖盖设于辅助埚本体，第一线圈加热，第二线圈预加热，第一碳化硅粉料升华，碳化硅晶体在长晶盖的籽晶处生长；在第二长晶阶段，驱动机构控制长晶盖和辅助盖的位置对调，长晶盖与辅助埚本体组合，辅助盖与长晶埚本体组合，所述第一线圈不加热，所述第二线圈加热，第二碳化硅粉料升华，在长晶盖出的碳化硅晶体进行新一轮长晶，从而不仅可以使得碳化硅晶体的厚度得到提升，也可以避免碳化硅粉的严重碳化，有利于减少碳化硅晶体中的碳包裹物，从而可以保证碳化硅晶体的品质。
6.在本实用新型的一些实施例中，所述驱动机构包括：旋转台，所述长晶坩埚和所述辅助坩埚均设于所述旋转台，所述旋转台用于带动所述长晶坩埚和所述辅助坩埚绕所述旋转台的中心轴线转动；升降单元，所述升降单元与所述长晶盖和所述辅助盖相连，所述升降单元适于带动所述长晶盖和所述辅助盖上下移动。
7.在本实用新型的一些实施例中，所述升降单元为一个，所述升降单元通过两个连接杆分别与所述长晶盖和所述辅助盖相连。
8.在本实用新型的一些实施例中，所述升降单元包括第一升降杆和第二升降杆，所
述第一升降杆与所述长晶盖相连以驱动所述长晶盖上下移动，所述第二升降杆与所述辅助盖相连以驱动所述辅助盖上下移动。
9.在本实用新型的一些实施例中，所述辅助坩埚为多个，多个所述辅助坩埚的形状和大小相同，多个所述辅助盖之间通过第一连接圆环相连，所述第二升降杆与所述第一连接圆环相连以带动多个所述辅助盖同步上下移动。
10.在本实用新型的一些实施例中，所述辅助坩埚为多个，多个所述辅助坩埚的形状和大小相同，所述长晶盖和多个所述辅助盖通过第二连接圆环相连，所述升降单元与所述第二连接圆环相连以带动所述长晶盖和多个所述辅助盖同步上下移动。
11.在本实用新型的一些实施例中，所述长晶埚本体和所述辅助埚本体通过第一支撑部与下法兰相连，所述驱动机构与所述长晶盖和所述辅助盖相连，所述驱动机构适于驱动所述长晶盖和所述辅助盖旋转且上下移动。
12.在本实用新型的一些实施例中，所述长晶盖和所述辅助盖通过第二支撑部与上法兰相连，所述长晶坩埚和所述辅助坩埚均设于所述驱动机构上，所述驱动机构适于驱动所述长晶坩埚和所述辅助坩埚旋转且上下移动。
13.在本实用新型的一些实施例中，所述长晶盖的底面设有第一凸台，所述第一凸台与所述长晶埚本体的内周壁卡接配合，所述辅助盖的底面设有第二凸台，所述第二凸台与所述辅助埚本体的内周壁卡接配合。
14.在本实用新型的一些实施例中，第一线圈的直径为d1，所述长晶埚本体的直径为d2，d1、d2满足5mm≤d1-d2≤10mm，所述第二线圈的直径为d3，所述辅助埚本体的直径为d4，d3、d4满足：5mm≤d3-d4≤10mm。
15.本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
16.图1是根据本实用新型实施例一的碳化硅晶体生长装置的结构示意图，其中，长晶盖关闭长晶埚本体，辅助盖关闭辅助埚本体；
17.图2是根据本实用新型实施例一的碳化硅晶体生长装置的结构示意图，其中，长晶盖打开长晶埚本体，辅助盖打开辅助埚本体；
18.图3是根据本实用新型实施例二的碳化硅晶体生长装置的结构示意图，其中，长晶盖关闭长晶埚本体，辅助盖关闭辅助埚本体；
19.图4是根据本实用新型实施例二的碳化硅晶体生长装置的结构示意图，其中，长晶盖打开长晶埚本体，辅助盖打开辅助埚本体；
20.图5是根据本实用新型实施例三的碳化硅晶体生长装置的结构示意图，其中，长晶埚本体和辅助埚本体固定；
21.图6是根据本实用新型实施例四的碳化硅晶体生长装置的结构示意图，其中，长晶盖和辅助盖固定；
22.图7是根据本实用新型实施例五的碳化硅晶体生长装置的结构示意图，其中，第一升降杆与长晶盖相连，第二升降杆与多个辅助盖相连；
23.图8是根据本实用新型实施例五的第二升降杆与多个辅助盖的连接示意图；
24.图9是根据本实用新型实施例六的碳化硅晶体生长装置的结构示意图，其中，升降单元同时与长晶盖和多个辅助盖相连；
25.图10是根据本实用新型实施例六的升降单元与长晶盖和多个辅助盖的连接示意图。
26.附图标记：
27.碳化硅晶体生长装置100；
28.长晶坩埚10；长晶盖11；长晶埚本体12；籽晶13；第一线圈14；第一凸台15；
29.辅助坩埚20；辅助盖21；辅助埚本体22；第二线圈23；第二凸台24；
30.驱动机构30；旋转台31；支撑杆311；升降单元32；第一升降杆321；第二升降杆322；连接杆323；
31.第一连接圆环40；
32.第二连接圆环50；
33.第一支撑部61；第二支撑部62；
34.石英罩70。
具体实施方式
35.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
36.下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。
37.下面参考图1-图10描述根据本实用新型实施例的碳化硅晶体生长装置100。
38.参照图1和图2所示，根据本实用新型实施例的碳化硅晶体生长装置100，可以包括：长晶坩埚10、辅助坩埚20和驱动机构30。
39.参照图1和图2所示，长晶坩埚10包括长晶盖11和长晶埚本体12，长晶盖11的底壁设有籽晶13，长晶埚本体12内设有第一碳化硅粉料，长晶盖11适于打开或关闭长晶埚本体12，长晶埚本体12的周壁外绕有第一线圈14。
40.参照图1和图2所示，辅助坩埚20与长晶坩埚10间隔开设置，辅助坩埚20包括辅助盖21和辅助埚本体22，辅助埚本体22内设有第二碳化硅粉料，其中，第二碳化硅粉料的成分和数量可以与第一碳化硅粉料相同，辅助盖21适于打开或关闭辅助埚本体22，辅助埚本体22的周壁外绕有第二线圈23，第二线圈23和第一线圈14独立控制，需要说明的是，长晶盖11和辅助盖21的形状和大小相同，长晶埚本体12与辅助埚本体22的形状和大小相同，长晶坩埚10与辅助坩埚20的区别仅在于，长晶盖11的底壁设有籽晶13。
41.参照图1和图2所示，驱动机构30适于将长晶盖11和辅助盖21的位置对调。例如，长
晶过程中，炉腔压力控制在选25-40mbar，在第一长晶阶段，长晶盖11盖设于长晶埚本体12，辅助盖21盖设于辅助埚本体22，第一线圈14加热以使得长晶坩埚10在8小时升到2350℃，长晶时间设置为70小时，可以理解的是，在长晶坩埚10的长晶过程中，第一碳化硅粉料升华，碳化硅晶体在长晶盖11的籽晶13处生长，当长晶坩埚10长晶62小时，对第二线圈23预加热，使得辅助坩埚20在8小时升温到2350℃；在第二长晶阶段，驱动机构30控制长晶盖11和辅助盖21的位置对调，长晶盖11与辅助埚本体22组合，辅助盖21与长晶埚本体12组合，第一线圈14不加热，第二线圈23加热并使得长晶盖11与辅助埚本体22组成的坩埚在2350℃保持70小时，第二碳化硅粉料升华，在长晶盖11的碳化硅晶体继续进行新一轮长晶，有利于减少碳化硅晶体中的碳包裹物，从而可以保证碳化硅晶体的品质，当长晶盖11与辅助埚本体22组合的坩埚长晶结束后进入冷却阶段，使温度12h降温至室温，之后取出长晶盖11与辅助埚本体22组合的坩埚并打开，取出碳化硅晶体。由此相比传统的碳化硅晶体生长装置，不仅可以使得碳化硅晶体的厚度得到提升，还可以避免碳化硅粉的严重碳化，有利于提高碳化硅晶体的质量。
42.具体地，参照图1和图2所示，在一些实验中，本实用新型实施例的碳化硅晶体生长装置100生长的碳化硅晶体的厚度可以达到23mm，而对比例的传统的碳化硅晶体生长装置最多只能生长出厚度为11mm的碳化硅晶体,且本实施例生长出的碳化硅晶体的表面光滑，无宏观缺陷，质量较高。如下表，本实用新型实施例的碳化硅晶体的微管密度和总缺陷密度远低于对比例，尤其是贯穿性缺陷(微管、螺旋位错和刃型位错)，本实用新型实施例的碳化硅晶体的优势明显。
[0043][0044]
有鉴于此，根据本实用新型实施例的碳化硅晶体生长装置100，通过在第一长晶阶段，长晶盖11盖设于长晶埚本体12，辅助盖21盖设于辅助埚本体22，第一线圈14加热，第二线圈23预加热，第一碳化硅粉料升华，碳化硅晶体在长晶盖11的籽晶13处生长；在第二长晶阶段，驱动机构30控制长晶盖11和辅助盖21的位置对调，长晶盖11与辅助埚本体22组合，辅助盖21与长晶埚本体12组合，第一线圈14不加热，第二线圈23加热，第二碳化硅粉料升华，在长晶盖11的碳化硅晶体进行新一轮长晶，从而不仅可以使得最终碳化硅晶体的厚度得到提升，还可以避免碳化硅粉的严重碳化，有利于减少碳化硅晶体中的碳包裹物，保证碳化硅晶体的品质。
[0045]
可选地，参照图1和图2所示，在一些示例中，第一线圈14的设置高度为第一碳化硅粉料的装载高度的1-1.5倍，第二线圈23的设置高度为第二碳化硅粉料的装载高度的1-1.5倍，从而有利于保证碳化硅粉料的高效加热升华。
[0046]
在本实用新型的一些实施例中，参照图1和图2所示，驱动机构30包括：旋转台31和升降单元32，长晶坩埚10和辅助坩埚20均设于旋转台31，旋转台31用于带动长晶坩埚10和辅助坩埚20绕旋转台31的中心轴线转动，升降单元32与长晶盖11和辅助盖21相连，升降单元32适于带动长晶盖11和辅助盖21上下移动。具体地，旋转台31和升降单元32为耐高温的金属单质或金属化合物，如钽、铌、碳化钽、碳化铌等。
[0047]
例如，参照图1和图2所示，长晶坩埚10、辅助坩埚20和旋转台31均设于石英罩70内，旋转台31的底部通过支撑杆311与转动电机(图未示出)相连，转动电机带动支撑杆311转动，长晶坩埚10和辅助坩埚20关于旋转台31的中心轴线对称设置，支撑杆311带动长晶坩埚10和辅助坩埚20绕旋转台31的中心轴线转动，升降单元32可带动长晶盖11和辅助盖21上下移动，在长晶盖11打开长晶埚本体12，以及辅助盖21打开辅助埚本体22后，转动电机控制旋转台31旋转180
°
，然后升降单元32控制长晶盖11以及辅助盖21下降，使得长晶盖11与辅助埚本体22组合，辅助盖21与长晶埚本体12组合，即实现了长晶盖11和辅助盖21位置的对调。由此，结构简单，且便于控制。
[0048]
在本实用新型的一些实施例中，参照图3和图4所示，升降单元32为一个，升降单元32通过两个连接杆323分别与长晶盖11和辅助盖21相连。可以理解的是，通过一个升降单元32控制长晶盖11和辅助盖21上下移动，有利于进一步降低成本。可选地，升降单元32的升降速率可以选择为0-1000mm/h，旋转台31的旋转速率可以为0-10rad/s。
[0049]
在本实用新型的另一些实施例中，参照图1和图2所示，升降单元32包括第一升降杆321和第二升降杆322，第一升降杆321与长晶盖11相连以驱动长晶盖11上下移动，第二升降杆322与辅助盖21相连以驱动辅助盖21上下移动。可以理解的是，通过独立控制长晶盖11和辅助盖21的运动，有利于减少长晶盖11和辅助盖21之间的温度传递，有利于保证晶体生长的质量。
[0050]
在本实用新型的另一些实施例中，参照图7和图8所示，辅助坩埚20为多个，多个辅助坩埚20的形状和大小相同，多个辅助盖21之间通过第一连接圆环40相连，第二升降杆322与第一连接圆环40相连以带动多个辅助盖21同步上下移动。例如，参照图7所示，辅助坩埚20为三个，三个辅助坩埚20的形状和大小相同，三个辅助盖21之间通过第一连接圆环40相连，第二升降杆322与第一连接圆环40相连以带动三个辅助盖21同步上下移动。
[0051]
具体地，参照图7和图8所示，三个辅助埚本体22依次称为第一辅助埚本体、第二辅助埚本体和第三辅助埚本体，在长晶盖11与长晶埚本体12配合长晶第一预设时间(例如70个小时)后，驱动机构30带动长晶盖11和多个辅助盖21向上移动，旋转台31转动90
°
，此时第一辅助埚本体与长晶盖11正对，第二辅助埚本体与第一辅助盖正对，第三辅助埚本体与第二辅助盖正对，长晶埚本体12与第三辅助盖正对，接着驱动机构30带动长晶盖11和多个辅助盖21向下移动到原位置，长晶盖11与第一辅助埚本体配合长晶第二预设时间(例如70个小时)，接着驱动机构30带动长晶盖11和多个辅助盖21向上移动，旋转台31转动90
°
后，驱动机构30带动长晶盖11和多个辅助盖21向下移动到原位置，长晶盖11与第二辅助埚本体配合长晶第三预设时间(例如70个小时)，最后，驱动机构30带动长晶盖11和三个辅助盖21向上移动，旋转台31转动90
°
后，驱动机构30带动长晶盖11和多个辅助盖21向下移动到原位置，长晶盖11与第三辅助埚本体配合长晶第三预设时间(例如70个小时)，由此，可实现碳化硅晶体的四轮长晶，可进一步增大碳化硅晶体的长晶厚度。
[0052]
可以理解的是，通过使得辅助坩埚20为多个，辅助盖21依次与多个辅助埚本体22配合，可以在长晶盖11的籽晶13上实现多轮长晶，有利于进一步增大碳化硅晶体的生长厚度，同时有利于避免长晶时碳化硅粉料碳化严重，有利于避免碳包裹进入晶体内。
[0053]
在本实用新型的一些可选的实施例中，参照图9和图10所示，辅助坩埚20为多个，多个辅助坩埚20的形状和大小相同，长晶盖11和多个辅助盖21通过第二连接圆环50相连，
升降单元32与第二连接圆环50相连以带动长晶盖11和多个辅助盖21同步上下移动。可以理解的是，长晶盖11和多个辅助盖21通过第二连接圆环50相连，只需一个升降单元32就可以实现长晶盖11和多个辅助盖21的同步升降，结构简单，控制成本低。
[0054]
在本实用新型的一些可选的实施例中，参照图5所示，长晶埚本体12和辅助埚本体22通过第一支撑部61与下法兰(图未示出)相连，其中，下法兰位于石英罩70的下方，第一支撑部61向下穿出石英罩70与下法兰相连，驱动机构30与长晶盖11和辅助盖21相连，驱动机构30适于驱动长晶盖11和辅助盖21旋转且上下移动。可以理解的是，在碳化硅晶体生长装置100工作时，长晶埚本体12和辅助埚本体22固定，驱动机构30可驱动长晶盖11和辅助盖21旋转且上下移动以实现长晶盖11和辅助盖21的位置对调，有利于降低控制成本。
[0055]
在本实用新型的一些可选的实施例中，参照图6所示，长晶盖11和辅助盖21通过第二支撑部62与上法兰(图未示出)相连，其中，上法兰位于石英罩70的上方，第二支撑部62向上穿出石英罩70与上法兰相连，长晶坩埚10和辅助坩埚20均设于驱动机构30上，驱动机构30适于驱动长晶坩埚10和辅助坩埚20旋转且上下移动。可以理解的是，在碳化硅晶体生长装置100工作时，长晶盖11和辅助盖21固定，驱动机构30可驱动长晶坩埚10和辅助坩埚20旋转且上下移动以实现长晶盖11和辅助盖21的位置对调，有利于降低控制成本。
[0056]
在本实用新型的一些可选的实施例中，参照图1和图2所示，长晶盖11的底面设有第一凸台15，第一凸台15与长晶埚本体12的内周壁卡接配合，辅助盖21的底面设有第二凸台24，第二凸台24与辅助埚本体22的内周壁卡接配合。可以理解的是，通过设置第一凸台15和第二凸台24，可以实现长晶盖11与长晶埚本体12在上下方向上内嵌式卡接配合，辅助盖21与辅助埚本体22在上下方向上内嵌式卡接配合，有利于保证在位置对调后，长晶埚本体12与辅助盖21可靠对接组装，辅助埚本体22与长晶盖11可靠对接组装。
[0057]
在本实用新型的一些可选的实施例中，参照图1和图2所示，第一线圈14的直径为d1，长晶埚本体12的直径为d2，d1、d2满足5mm≤d1-d2≤10mm，例如，d1-d2可以为5mm、6mm、7mm、8mm、9mm、10mm等。由此，一方面有利于保证长晶埚本体12与第一线圈14之间的可靠组装，另一方面，有利于保证第一线圈14对长晶埚本体12的加热效果。
[0058]
参照图1和图2所示，第二线圈23的直径为d3，辅助埚本体22的直径为d4，d3、d4满足：5mm≤d3-d4≤10mm。例如，d3-d4可以为5mm、6mm、7mm、8mm、9mm、10mm等。由此，一方面有利于保证辅助埚本体22与第二线圈23之间的可靠组装，另一方面，有利于保证第二线圈23对辅助埚本体22的加热效果。
[0059]
根据本实用新型实施例的碳化硅晶体生长装置100的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。
[0060]
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
[0061]
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者
隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0062]
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
[0063]
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0064]
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0065]
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

技术特征：
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：长晶坩埚，所述长晶坩埚包括长晶盖和长晶埚本体，所述长晶盖的底壁设有籽晶，所述长晶埚本体内设有第一碳化硅粉料，所述长晶盖适于打开或关闭所述长晶埚本体，所述长晶埚本体的周壁外绕有第一线圈；辅助坩埚，所述辅助坩埚与所述长晶坩埚间隔开设置，所述辅助坩埚包括辅助盖和辅助埚本体，所述辅助埚本体内设有第二碳化硅粉料，所述辅助盖适于打开或关闭所述辅助埚本体，所述辅助埚本体的周壁外绕有第二线圈，所述第二线圈和所述第一线圈独立控制；驱动机构，所述驱动机构适于将所述长晶盖和所述辅助盖的位置对调。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述驱动机构包括：旋转台，所述长晶坩埚和所述辅助坩埚均设于所述旋转台，所述旋转台用于带动所述长晶坩埚和所述辅助坩埚绕所述旋转台的中心轴线转动；升降单元，所述升降单元与所述长晶盖和所述辅助盖相连，所述升降单元适于带动所述长晶盖和所述辅助盖上下移动。3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述升降单元为一个，所述升降单元通过两个连接杆分别与所述长晶盖和所述辅助盖相连。4.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述升降单元包括第一升降杆和第二升降杆，所述第一升降杆与所述长晶盖相连以驱动所述长晶盖上下移动，所述第二升降杆与所述辅助盖相连以驱动所述辅助盖上下移动。5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述辅助坩埚为多个，多个所述辅助坩埚的形状和大小相同，多个所述辅助盖之间通过第一连接圆环相连，所述第二升降杆与所述第一连接圆环相连以带动多个所述辅助盖同步上下移动。6.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述辅助坩埚为多个，多个所述辅助坩埚的形状和大小相同，所述长晶盖和多个所述辅助盖通过第二连接圆环相连，所述升降单元与所述第二连接圆环相连以带动所述长晶盖和多个所述辅助盖同步上下移动。7.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述长晶埚本体和所述辅助埚本体通过第一支撑部与下法兰相连，所述驱动机构与所述长晶盖和所述辅助盖相连，所述驱动机构适于驱动所述长晶盖和所述辅助盖旋转且上下移动。8.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述长晶盖和所述辅助盖通过第二支撑部与上法兰相连，所述长晶坩埚和所述辅助坩埚均设于所述驱动机构上，所述驱动机构适于驱动所述长晶坩埚和所述辅助坩埚旋转且上下移动。9.根据权利要求1-8中任一项所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述长晶盖的底面设有第一凸台，所述第一凸台与所述长晶埚本体的内周壁卡接配合，所述辅助盖的底面设有第二凸台，所述第二凸台与所述辅助埚本体的内周壁卡接配合。10.根据权利要求1-8中任一项所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，第一线圈的直径为d1，所述长晶埚本体的直径为d2，d1、d2满足5mm≤d1-d2≤10mm，所述第二线圈的直径为d3，所述辅助埚本体的直径为d4，d3、d4满足：5mm≤d3-d4≤10mm。

技术总结
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：长晶坩埚，长晶坩埚包括长晶盖和长晶埚本体，长晶盖的底壁设有籽晶，长晶埚本体内设有第一碳化硅粉料，长晶盖适于打开或关闭长晶埚本体，长晶埚本体的周壁外绕有第一线圈；辅助坩埚，辅助坩埚与长晶坩埚间隔开设置，辅助坩埚包括辅助盖和辅助埚本体，辅助埚本体内设有第二碳化硅粉料，辅助盖适于打开或关闭辅助埚本体，辅助埚本体的周壁外绕有第二线圈，第二线圈和第一线圈独立控制；驱动机构，驱动机构适于将长晶盖和辅助盖的位置对调。根据本实用新型的碳化硅晶体生长装置，不仅有利于减少碳化硅晶体中的碳包裹物，还有利于使碳化硅晶体的厚度增加。晶体的厚度增加。晶体的厚度增加。


技术研发人员：燕靖 吴建
受保护的技术使用者：江苏集芯先进材料有限公司
技术研发日：2023.02.08
技术公布日：2023/9/1