集成光学元件的LED器件扇出封装结构及制备方法

集成光学元件的led器件扇出封装结构及制备方法
技术领域
1.本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种集成光学元件的led器件扇出封装结构，还涉及一种集成光学元件的led器件扇出封装结构的制备方法。


背景技术：

2.随着电子设备的集成度越来越高，小型化、可穿戴化成为电子设备发展的趋势。显示屏是最重要的人机交互设备，由密集排列的led芯片组成。mini led、micro led的出现使其在体积上、分辨率上得到了很大的提高。有效缩小led芯片之间的排列间距，减小封装尺寸成为进一步提高分辨率、减小设备体积的关键方法。其中，扇出封装具有小型化、集成度高、成本低等优点，是最具有发展前景的封装方法，可以有效减小mini led、micro led芯片的封装体积。
3.led芯片大多具有朗伯光源的特点，即光线从芯片呈发散状发出。led芯片的朗伯光源的特点决定了它一般需要配置光学元件来适应各种应用场合。对于mini led、micro led芯片，尺寸上的微小和密集的排列使得在芯片阵列上单独制作适配的光学元件变得困难。在使用过程中，led芯片的发热、外力的影响都可能使光学元件损坏或从led芯片阵列上脱落，而对于需要发光一致性高的应用，这将直接导致报废，使用、维护成本居高不下。


技术实现要素：

4.本发明旨在至少在一定程度上解决现有技术中的上述技术问题之一。为此，本发明实施例提供一种集成光学元件的led器件扇出封装结构，解决mini led、micro led封装尺寸大、光学元件阵列容易被剥离的问题。
5.本发明实施例还提供一种集成光学元件的led器件扇出封装结构的制备方法。
6.根据本发明第一方面的实施例，提供一种集成光学元件的led器件扇出封装结构，包括光学元件层、led芯片、封装层、线路层、线路保护层，其中，所述光学元件层包括呈阵列相连排列或不规则相连排列的多个光学元件，所述光学元件具有第一出光面和与出光相对底面，所述光学元件之间通过侧向连接薄板相连组成所述光学元件层，相邻两个所述光学元件之间设置有通孔结构以及具有凹槽区域，相邻两个所述光学元件及两者之间的所述侧向连接薄板共同围成所述凹槽区域，所述通孔结构设置在所述侧向连接薄板上，以将所述凹槽区域和所述光学元件的出光相对底面连通；所述led芯片固定在所述光学元件的出光相对底面，所述led芯片具有第二出光面以及背离所述第二出光面的电极，所述led芯片的第二出光面朝向所述光学元件的出光相对底面；所述封装层包覆所述led芯片的侧面，并覆盖所述光学元件的出光相对底面；所述封装层完全填充所述通孔结构，部分填充或完全填充所述凹槽区域，以防止所述光学元件之间的出光串扰，且使所述led芯片和所述光学元件一体封装；所述线路层位于所述led芯片的电极一侧，所述线路层贴合于所述封装层，所述线路层与所述led芯片的电极电气连接；所述线路保护层贴合于所述线路层，并暴露出特定区域作为焊盘结构。
7.上述集成光学元件的led器件扇出封装结构，至少具有以下有益效果：本发明采用扇出封装方式对led芯片进行封装，可以将led芯片的间距做到很小，减小了led芯片的封装体积，提高显示设备的分辨率。若在封装好的led芯片的阵列上再对其中每一个led芯片制作光学元件进行安装，如此则需要精密复杂的工艺技术，成本较高；本发明将光学元件层引入到led芯片的扇出封装中，光学元件层可以先用比较成熟的大规模微光学元件阵列制造技术制造，再整体安装到芯片阵列上，只需现有的led芯片摆放技术即可将led芯片的位置和光学元件位置匹配，可降低制造难度和降低制造成本。由于led芯片在使用过程中会发热导致翘曲，还可能收到外力的作用，造成与其匹配的光学元件脱落或损坏，本发明通过在光学元件层上的通孔结构使封装层在包覆led芯片的同时，也能全部包覆或部分包覆光学元件层，led芯片和光学元件层一起被封在封装层中，可靠牢固，不易被剥离。
8.根据本发明第一方面的实施例，所述光学元件层上的通孔结构设置至少一个，所述通孔结构的截面形状为圆形或方形。
9.根据本发明第一方面的实施例，所述光学元件层设置至少两层，前一级所述光学元件层的第一出光面朝向后一级所述光学元件层的出光相对底面。
10.根据本发明第一方面的实施例，所述光学元件包括光栅、透镜、反射镜、增透膜、滤光片、荧光转换层中的其中一种或几种；所述光学元件具有光学透过性、光学散射、衍射、波导、光谱转换、水氧隔离的其中一种或几种功能。
11.根据本发明第一方面的实施例，位于在所述光学元件的出光相对底面的所述led芯片设置至少一个，所述led芯片的发光颜色为红光、蓝光、绿光的其中一种，所述led芯片的芯片结构为倒装芯片或正装芯片。
12.根据本发明第二方面的实施例，提供一种集成光学元件的led器件扇出封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
13.s1，提供一层光学元件层，所述光学元件层具有多个光学元件，相邻两个所述光学元件之间设置有通孔结构以及具有凹槽区域；
14.s2，将led芯片固定于所述光学元件，使用封装材料对所述光学元件层和所述led芯片一体封装形成封装层，所述封装层包覆所述led芯片的侧面，所述封装层完全填充所述通孔结构，部分填充或完全填充所述凹槽区域；
15.s3，通过机加工或特种加工方法中的一种或两种，对所述封装层进行加工，使所述led芯片的电极从所述封装层的表面暴露出来；
16.s4，在暴露出电极的所述封装层表面和所述led芯片的电极表面制作线路层，形成电极表面引出线路；
17.s5，在所述线路层表面的非焊盘区域制备线路保护层，暴露出部分线路层以作焊盘结构，从而将所述led芯片的电性引出。
18.上述集成光学元件的led器件扇出封装结构的制备方法，至少具有以下有益效果：本发明将光学元件层引入扇出封装工艺步骤，光学元件层可以先用比较成熟的大规模微光学元件阵列制造技术制造，再整体安装到芯片阵列上，只需现有的led芯片摆放技术即可将led芯片的位置和光学元件位置匹配，可降低制造难度和降低制造成本。使用封装材料对光学元件层和led芯片一体封装形成封装层，在光学元件层上的通孔结构使封装层在包覆led芯片的同时，也能全部包覆或部分包覆光学元件层，led芯片和光学元件层一起被封在封装
层中，保证光学元件层可靠牢固，不易被剥离。
19.根据本发明第二方面的实施例，所述步骤s2中，所述封装层采用的封装材料为环氧塑封料、有机硅、聚酰亚胺、陶瓷、金属材料中的其中一种或几种；所述封装层的封装方法包括传递模塑成型、真空膜压、注塑成型、刮涂中的其中一种或几种。
20.根据本发明第二方面的实施例，所述步骤s4中，所述线路层的制备方法包括以下步骤：
21.s4-1，在暴露出电极的所述封装层表面和所述led芯片的电极表面上覆盖一层光刻胶层，采用掩膜板曝光或无掩膜板曝光的方法在光刻胶层形成线路图案，线路图案包括固定焊盘和固定线路；
22.s4-2，对线路图案进行金属化，形成线路层；金属化的制备方法包括磁控溅射、蒸镀、电镀、化学镀、印刷、刻蚀中的其中一种或几种；所述线路层的成分包括金属和/或导电聚合物。
23.根据本发明第二方面的实施例，在所述步骤s5中，所述线路保护层的制备方法包括以下步骤：
24.s5-1，采用包括电镀、化学镀至少一种镀膜工艺在所述线路层镀上镍、钯、金、银中的其中一种或几种，以形成所述线路保护层；或者，采用喷涂、旋涂、刮涂、3d打印、印刷的其中一种或几种方法在所述线路层覆盖聚合物薄膜，以形成所述线路保护层；
25.s5-2，在所述线路保护层开窗，露出部分线路层，以作焊盘结构。
26.根据本发明第二方面的实施例，通过所述步骤s1至s5，制作出集成光学元件的led器件扇出封装结构，将其进行切割成独立的器件单元，一个所述器件单元包括至少一个led芯片和至少一个光学元件。
附图说明
27.下面结合附图和实施例对本发明进一步地说明；
28.图1是本发明实施例集成光学元件的led器件扇出封装结构的透视图，其中，局部采用剖切视角进行表示；
29.图2是本发明实施例中光学元件层的剖视图，其中，未标识剖切线；
30.图3是本发明实施例中光学元件层的透视图，其中，局部采用剖切视角进行表示；
31.图4是本发明实施例集成光学元件的led器件扇出封装结构的制备方法的步骤流程图；
32.图5是本发明实施例中提供光学元件层的结构示意图；
33.图6是本发明实施例中固定led芯片的结构示意图；
34.图7是本发明实施例中制作封装层的结构示意图；
35.图8是本发明实施例中减薄封装层的结构示意图；
36.图9是本发明实施例中制作线路层的结构示意图；
37.图10是本发明实施例中制作线路保护层的结构示意图；
38.图11是本发明实施例中加厚焊盘的结构示意图；
39.图12是本发明实施例集成多级光学元件的led器件扇出封装结构的剖视图；
40.图13是本发明实施例中器件单元的示意图。
具体实施方式
41.本部分将详细描述本发明的具体实施例，本发明之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本发明的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本发明保护范围的限制。
42.在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
43.在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
44.本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。
45.下面参照图1至图11，描述一种集成光学元件的led器件扇出封装结构，其中，包括光学元件层10、led芯片21、封装层31、线路层41、线路保护层51。
46.如图2和图3所示，光学元件层10包括呈阵列相连排列或不规则相连排列的多个光学元件11，光学元件11具有第一出光面和与出光相对底面，光学元件11之间通过侧向连接薄板12相连组成光学元件层10，相邻两个光学元件11之间设置有通孔结构13以及具有凹槽区域14，相邻两个光学元件11及两者之间的侧向连接薄板12共同围成凹槽区域14，通孔结构13设置在侧向连接薄板12上，以将凹槽区域14和光学元件11的出光相对底面连通。
47.结合图10，led芯片21固定在光学元件11的出光相对底面，led芯片21具有第二出光面以及背离第二出光面的电极，led芯片21的第二出光面朝向光学元件11的出光相对底面。
48.封装层31包覆led芯片21的侧面，并覆盖光学元件11的出光相对底面；封装层31完全填充通孔结构13，部分填充或完全填充凹槽区域14，以防止光学元件11之间的出光串扰，且使led芯片21和光学元件11一体封装。本实施例中，封装层31通过通孔结构13部分填充凹槽区域14，如图11所示，封装层31将led芯片21和光学元件层10一体封装，光学元件11不易被剥离，即使led芯片在使用过程中会发热导致翘曲，或者是收到外力的作用，也不会导致led芯片与匹配的光学元件脱落或损坏。
49.如图10，线路层41位于led芯片21的电极一侧，线路层41贴合于封装层31，线路层41与led芯片的电极电气连接。线路保护层51贴合于线路层41，并暴露出特定区域作为焊盘结构。线路层41是具有焊盘结构的，线路保护层51贴合与线路层41的非焊盘区域，另外，可参照图11，对焊盘结构进行增厚，可便于后续连接外部线路。
50.参照图4，本实施例还提供一种集成光学元件的led器件扇出封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
51.s1，参照图5，提供一层光学元件层10，光学元件层10具有多个光学元件11，相邻两个光学元件11之间设置有通孔结构13以及具有凹槽区域14。
52.作为示例，光学元件层10包括呈阵列相连排列的多个光学元件11，光学元件11之间通过侧向连接薄板12相连组成光学元件层10，相邻两个光学元件11之间设置有通孔结构13以及具有凹槽区域14。其中，光学元件层10上的通孔结构设置至少一个，通孔结构的截面形状为圆形或方形，但不限于圆形或方形，本领域技术人员还可以设置其它形状截面的通孔结构。
53.在其中的一些实施例中，光学元件层10材质包括玻璃、聚合物、半导体、金属中的一种；光学元件11包括光栅、透镜、反射镜、增透膜、滤光片、荧光转换层中的一种或几种；光学元件11具有光学透过性、光学散射、衍射、波导、光谱转换、水氧隔离的一种或几种功能。
54.在本实施例中，光学元件层10材质选用为玻璃，成本较低；光学元件11为凸透镜；通孔结构13的截面形状为圆形。
55.s2，参照图6，将led芯片21固定于光学元件11。
56.位于在光学元件11的出光相对底面的led芯片21设置至少一个，led芯片21的发光颜色为红光、蓝光、绿光的其中一种，led芯片21的芯片结构为倒装芯片或正装芯片。作为示例，led芯片21包括rgb三色芯片。在本实施例中，led芯片21固定方式为第二出光面朝向光学元件11，背离第二出光面的电极则远离光学元件11的一侧，一个光学元件11配置一个led芯片21，可依据发光点阵的需求选择合适的配置方式，并不限于此处所举的示例。
57.参照图7，使用封装材料对光学元件层10和led芯片21一体封装形成封装层31，封装层31包覆led芯片21的侧面，封装层31完全填充通孔结构13，部分填充或完全填充凹槽区域14。
58.作为示例，封装层31采用的封装材料为环氧塑封料、有机硅、聚酰亚胺、陶瓷、金属材料中的其中一种或几种。封装层31一体封装光学元件层10和led芯片21的封装方法包括传递模塑成型、真空膜压、注塑成型、刮涂中的其中一种或几种。在制备封装层31时，封装层31的封装材料可以通过光学元件层10上的侧向连接薄板12上的通孔结构13，同时部分包覆led芯片21和光学元件层10，使led芯片21和光学元件层10一体地、可靠地封装在封装层31中，使二者不容易剥离。在本实施例中，封装层31的封装材料选为环氧塑封料，进一步的，在环氧塑封料中加入吸光材料以达到光学元件之间的光隔离效果。
59.s3，参照图8，通过机加工或特种加工方法中的一种或两种，对封装层31进行加工，即减薄封装层31，使led芯片21的电极从封装层31的表面暴露出来。机加工方法可采用研磨工艺，特种加工方法可采用激光烧蚀工艺。
60.s4，参照图9，在暴露出电极的封装层31表面和led芯片21的电极表面制作线路层，形成电极表面引出线路，具体的是：
61.s4-1，在暴露出电极的封装层31表面和led芯片21的电极表面上覆盖一层光刻胶层，采用掩膜板曝光激光或无掩模板曝光的方法在光刻胶层形成线路图案，线路图案包括固定焊盘和固定线路。
62.作为示例，线路层41为依据电性引出要求布置的由若干层金属布线层组成的层，线路层可以将原本尺寸很小的led芯片21的电极放大和引出，可以缩小led芯片21之间的间距，缩小封装尺寸的同时极大提高分辨率。其中，线路层41具有焊盘结构，刻蚀出来的线路图案是包括固定焊盘和固定线路。
63.无掩模板曝光的方法可以采用激光直写、dmd等方式。
64.s4-2，对线路图案进行金属化，形成线路层41；金属化的制备方法包括磁控溅射、蒸镀、电镀、化学镀、印刷、刻蚀中的其中一种或几种；线路层41的成分包括金属和/或导电聚合物。在本实施例中，制备线路层41的线路图案的方法为光刻法，线路层41的材料为铜。
65.s5，参照图10，在线路层41表面的非焊盘区域制备线路保护层51，暴露出部分线路层以作焊盘结构，从而将led芯片21的电性引出，具体的是：
66.s5-1，采用包括电镀、化学镀至少一种镀膜工艺在线路层41镀上镍、钯、金、银中的其中一种或几种，以形成线路保护层51；或者，采用喷涂、旋涂、刮涂、3d打印、印刷的其中一种或几种方法在线路层41覆盖聚合物薄膜，以形成线路保护层51。
67.其中，线路保护层51的材料包括镍、钯、金、银、环氧树脂、硅胶、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合。线路保护层51的材料可以选用为pi(聚酰亚胺)，以进一步降低工艺难度以及工艺成本。
68.s5-2，在线路保护层51开窗，露出部分线路层，以作焊盘结构，提供阻焊作用的同时并实现将led芯片的电性引出。
69.可以理解的是，若在封装好的led芯片的阵列上再对其中每一个led芯片制作光学元件进行安装，如此则需要精密复杂的工艺技术，成本较高，而本发明将光学元件层10引入到led芯片21的扇出封装中，光学元件层10可以先用比较成熟的大规模微光学元件阵列制造技术制造，再整体安装到芯片阵列上，只需现有的led芯片摆放技术即可将led芯片的位置和光学元件位置匹配，可降低制造难度和降低制造成本。
70.本发明还通过在光学元件层10上的通孔结构13使封装层31在包覆led芯片的同时，也能全部包覆或部分包覆光学元件层10，led芯片21和光学元件层10一起被封在封装层31中，可靠牢固，不易被剥离。
71.在其它一些实施例中，光学元件层10设置至少两层，前一级光学元件层10的第一出光面朝向后一级光学元件层10的出光相对底面。
72.示例的，参照图12，本实施例还出示了集成多级光学元件的led器件扇出封装结构，具体的是，光学元件层10设置两层，分别为第一光学元件层101和第二光学元件层102，第一光学元件层101选用为微透镜阵列，第二光学元件层102选用为色转换层。第二光学元件层102的第一出光面朝向第一光学元件层101的出光相对底面，led芯片21固定并朝向于第二光学元件层102的出光相对底面。封装层31通过第一光学元件层101和第二光学元件层102的通孔结构一体包覆第一光学元件层101、第二光学元件层102以及led芯片21。线路层41和线路保护层51位于led芯片21的电极一侧，具体结构与上述集成光学元件的led器件扇出封装结构相同。
73.另外，通过上述步骤s1至s5，制作出集成光学元件的led器件扇出封装结构。后续还可以将其进行切割成独立的器件单元，如图13所示，一个器件单元包括至少一个led芯片和至少一个光学元件。
74.上面结合附图对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在所述技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

技术特征：
1.一种集成光学元件的led器件扇出封装结构，其特征在于：包括光学元件层、led芯片、封装层、线路层、线路保护层，其中，所述光学元件层包括呈阵列相连排列或不规则相连排列的多个光学元件，所述光学元件具有第一出光面和与出光相对底面，所述光学元件之间通过侧向连接薄板相连组成所述光学元件层，相邻两个所述光学元件之间设置有通孔结构以及具有凹槽区域，相邻两个所述光学元件及两者之间的所述侧向连接薄板共同围成所述凹槽区域，所述通孔结构设置在所述侧向连接薄板上，以将所述凹槽区域和所述光学元件的出光相对底面连通；所述led芯片固定在所述光学元件的出光相对底面，所述led芯片具有第二出光面以及背离所述第二出光面的电极，所述led芯片的第二出光面朝向所述光学元件的出光相对底面；所述封装层包覆所述led芯片的侧面，并覆盖所述光学元件的出光相对底面；所述封装层完全填充所述通孔结构，部分填充或完全填充所述凹槽区域，以防止所述光学元件之间的出光串扰，且使所述led芯片和所述光学元件一体封装；所述线路层位于所述led芯片的电极一侧，所述线路层贴合于所述封装层，所述线路层与所述led芯片的电极电气连接；所述线路保护层贴合于所述线路层，并暴露出特定区域作为焊盘结构。2.根据权利要求1所述的集成光学元件的led器件扇出封装结构，其特征在于：所述光学元件层上的通孔结构设置至少一个，所述通孔结构的截面形状为圆形或方形。3.根据权利要求1所述的集成光学元件的led器件扇出封装结构，其特征在于：所述光学元件层设置至少两层，前一级所述光学元件层的第一出光面朝向后一级所述光学元件层的出光相对底面。4.根据权利要求1所述的集成光学元件的led器件扇出封装结构，其特征在于：所述光学元件包括光栅、透镜、反射镜、增透膜、滤光片、荧光转换层中的其中一种或几种；所述光学元件具有光学透过性、光学散射、衍射、波导、光谱转换、水氧隔离的其中一种或几种功能。5.根据权利要求1所述的集成光学元件的led器件扇出封装结构，其特征在于：位于在所述光学元件的出光相对底面的所述led芯片设置至少一个，所述led芯片的发光颜色为红光、蓝光、绿光的其中一种，所述led芯片的芯片结构为倒装芯片或正装芯片。6.一种集成光学元件的led器件扇出封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1，提供一层光学元件层，所述光学元件层具有多个光学元件，相邻两个所述光学元件之间设置有通孔结构以及具有凹槽区域；s2，将led芯片固定于所述光学元件，使用封装材料对所述光学元件层和所述led芯片一体封装形成封装层，所述封装层包覆所述led芯片的侧面，所述封装层完全填充所述通孔结构，部分填充或完全填充所述凹槽区域；s3，通过机加工或特种加工方法中的一种或两种，对所述封装层进行加工，使所述led芯片的电极从所述封装层的表面暴露出来；s4，在暴露出电极的所述封装层表面和所述led芯片的电极表面制作线路层，形成电极表面引出线路；
s5，在所述线路层表面的非焊盘区域制备线路保护层，暴露出部分线路层以作焊盘结构，从而将所述led芯片的电性引出。7.根据权利要求6所述的集成光学元件的led器件扇出封装结构的制备方法，其特征在于：所述步骤s2中，所述封装层采用的封装材料为环氧塑封料、有机硅、聚酰亚胺、陶瓷、金属材料中的其中一种或几种；所述封装层的封装方法包括传递模塑成型、真空膜压、注塑成型、刮涂中的其中一种或几种。8.根据权利要求6所述的集成光学元件的led器件扇出封装结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤s4中，所述线路层的制备方法包括以下步骤：s4-1，在暴露出电极的所述封装层表面和所述led芯片的电极表面上覆盖一层光刻胶层，采用掩膜板曝光激光或无掩模板曝光的方法在光刻胶层形成线路图案，线路图案包括固定焊盘和固定线路；s4-2，对线路图案进行金属化，形成线路层；金属化的制备方法包括磁控溅射、蒸镀、电镀、化学镀、印刷、刻蚀中的其中一种或几种；所述线路层的成分包括金属和/或导电聚合物。9.根据权利要求6所述的集成光学元件的led器件扇出封装结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤s5中，所述线路保护层的制备方法包括以下步骤：s5-1，采用包括电镀、化学镀至少一种镀膜工艺在所述线路层镀上镍、钯、金、银中的其中一种或几种，以形成所述线路保护层；或者，采用喷涂、旋涂、刮涂、3d打印、印刷的其中一种或几种方法在所述线路层覆盖聚合物薄膜，以形成所述线路保护层；s5-2，在所述线路保护层开窗，露出部分线路层，以作焊盘结构。10.根据权利要求6所述的集成光学元件的led器件扇出封装结构的制备方法，其特征在于：通过所述步骤s1至s5，制作出集成光学元件的led器件扇出封装结构，将其进行切割成独立的器件单元，一个所述器件单元包括至少一个led芯片和至少一个光学元件。

技术总结
本发明公开了集成光学元件的LED器件扇出封装结构及制备方法，涉及半导体封装技术领域，其中，集成光学元件的LED器件扇出封装结构，包括光学元件层、LED芯片、封装层、线路层、线路保护层，其中，光学元件层包括呈阵列相连排列或不规则相连排列的多个光学元件，相邻两个光学元件之间设置有通孔结构以及具有凹槽区域，相邻两个光学元件及两者之间的侧向连接薄板共同围成凹槽区域；LED芯片固定在光学元件的出光相对底面，LED芯片的第二出光面朝向光学元件的出光相对底面；封装层包覆LED芯片的侧面，并覆盖光学元件的出光相对底面，封装层完全填充通孔结构，部分填充或完全填充凹槽区域。本发明能解决LED芯片封装尺寸大、光学元件阵列容易被剥离的问题。件阵列容易被剥离的问题。件阵列容易被剥离的问题。


技术研发人员：李宗涛 唐颂 丁鑫锐 李家声 余彬海
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2023.05.08
技术公布日：2023/9/5