卤化物固态电解质的制备方法、卤化物固态电解质及其应用

1.本发明涉及固态电解质技术领域，具体涉及一种卤化物固态电解质的制备方法、卤化物固态电解质及其应用。


背景技术：

2.全固态电池与传统的液态锂电池相比，由于其在安全性和能量密度方面的显着提高而引起了巨大的研究兴趣。固态电解质在过去的几十年中得到了快速发展。在各种固态电解质中，氧化物固态电解质具有高离子电导率和宽电化学窗口但机械变形性差。因此，在材料合成和电池制造过程中需要高温烧结使固态颗粒间紧密接触以提高离子传输速率，但这也可能导致不利的界面反应。相比之下，硫化物固态电解质表现出良好的延展性，可以通过简单的冷压实现超高离子电导率。然而，硫化物固态电解质的空气稳定性较差。暴露在环境空气中会导致硫化物固态电解质的结构退化并释放有毒的硫化氢气体。硫化物固态电解质面临的另一个严峻挑战是与高压氧化物正极材料不可避免的破坏性副反应。最近，卤化物固态电解质重新受到了广泛关注，因为它们具有超过10-3
s/cm的高离子电导率，良好的延展性，可实现紧密的固-固接触，以及对高压氧化物正极的优异界面相容性，使其对具有高安全性和高能量密度的全固态电池具有吸引力和可行性。
3.实际上，早期报道的卤化物固态电解质通常具有相对较低的离子电导率。直到最近几年，使用高能球磨加退火工艺制备出了具有高离子电导率的四方相li3ycl6和单斜相li3ybr6。然而，值得注意的是，高能球磨制备的四方相li3ycl6、li3ercl6以及li2zrcl6的结构不稳定，离子电导率将逐渐降低，且高温退火后电导率降低至少一个数量级。这对于运行中的全固态电池将造成较大的危害，使电池内阻增大，严重影响电池的使用寿命。
4.因此，需要一种制备具有更高离子电导率的卤化物固态电解质的方法。


技术实现要素：

5.本发明的目的是为了克服现有技术制备的卤化物固态电解质材料结构不稳定，室温或高温下离子电导率下降快，严重影响全固态电池使用寿命的问题，提供一种卤化物固态电解质的制备方法、卤化物固态电解质及其应用，该制备方法可以提高制备得到的卤化物固态电解质的结构稳定性，使制得的卤化物固态电解质在室温或高温条件下仍保持较高的离子电导率。
6.为了实现上述目的，本发明第一方面提供一种卤化物固态电解质的制备方法，其中，包括以下步骤：
7.(1)在保护性气氛下，在溶剂存在下，将第一金属卤化物mx
1n
和第二金属卤化物amx
2m
进行球磨，得到混合料；
8.(2)对混合料进行烘干和退火，得到卤化物固态电解质；
9.在步骤(1)中所述第一金属卤化物mx
1n
和第二金属卤化物amx
2m
不溶于所述溶剂；
10.其中，所述第一金属卤化物mx
1n
中m元素选自y、yb、er、ho、tb、tm、dy、nb、hf和ta中
的至少一种；
11.n使得第一金属卤化物mx
1n
为电中性；
12.其中，第二金属卤化物amx
2m
中am元素选自li、na、k、mg和zn中的至少一种；
13.m使得第二金属卤化物amx
2m
为电中性；
14.其中，x1和x2各自独立地为卤族元素。
15.优选地，所述有机溶剂选自己烷、庚烷、辛烷、煤油、甲苯、对二甲苯、乙苯、二硫化碳、四氯化碳、氯丙烷、溴己烷、三氯甲烷和二氯甲烷及上述物质同分异构体中的至少一种。
16.本发明第二方面提供一种由前述的制备方法制备得到的卤化物固态电解质。
17.优选地，所述卤化物固态电解质的电导率达到1
×
10-4
s/cm以上。
18.本发明第三方面提供一种前述卤化物固态电解质在全固态电池领域中的应用。
19.通过上述技术方案，本发明所取得的有益效果如下：
20.通过本发明的制备方法采用两种不同的金属卤化物配合，并在球磨过程中添加特定溶剂，可以提高制得的卤化物固态电解质的结构稳定性，退火处理后，卤化物固态电解质晶体结构变化小，保持较低的结晶性，得到的卤化物固态电解质应用于全固态电池时，在室温或高温条件下仍能保持较高的离子电导率。
附图说明
21.图1是实施例1湿法球磨制备的li3hocl6样品的xrd图谱以及退火后样品的xrd图谱；
22.图2是对比例1干法球磨制备的li3hocl6样品的xrd图谱以及退火后样品的xrd图谱；
23.图3是实施例2湿法和对比例2干法球磨制备的li3ercl6样品的xrd图谱以及退火后样品的xrd图谱；
24.图4是实施例1湿法球磨制备的li3hocl6样品在80℃下随放置时间的交流阻抗变化；
25.图5是实施例1湿法球磨制备的li3hocl6样品和高温退火后样品的交流阻抗谱；
26.图6是对比例1干法球磨制备的li3hocl6样品在80℃下随放置时间的交流阻抗变化；
27.图7是对比例1干法球磨制备的li3hocl6样品和高温退火后样品的交流阻抗谱；
28.图8是实施例2湿法球磨制备的li3ercl6样品和高温退火后样品的交流阻抗谱；
29.图9是对比例2干法球磨制备的li3ercl6样品和高温退火后样品的交流阻抗谱。
具体实施方式
30.在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
31.本发明第一方面提供一种卤化物固态电解质的制备方法，其中，包括以下步骤：
32.(1)在保护性气氛下，在溶剂存在下，将第一金属卤化物mx
1n
和第二金属卤化物
amx
2m
进行球磨，得到混合料；
33.(2)对混合料进行烘干和退火，得到卤化物固态电解质；
34.在步骤(1)中所述第一金属卤化物mx
1n
和第二金属卤化物amx
2m
不溶于所述溶剂；
35.其中，所述第一金属卤化物mx
1n
中m元素选自y、yb、er、ho、tb、tm、dy、nb、hf和ta中的至少一种；
36.n使得第一金属卤化物mx
1n
为电中性；
37.其中，第二金属卤化物amx
2m
中am元素选自li、na、k、mg和zn中的至少一种；
38.m使得第二金属卤化物amx
2m
为电中性；
39.其中，x1和x2各自独立地为卤族元素。
40.本发明中，在步骤(1)中所述第一金属卤化物mx
1n
和第二金属卤化物amx
2m
不溶于所述溶剂，使得制备得到的卤化物固态电解质的结构更稳定，进一步在室温或高温下，将卤化物固态电解质用于全固态电池，能获得更高的离子电导率。
41.本发明中，所述第一金属卤化物mx
1n
中，m元素为金属元素，x1为卤族元素。
42.根据本发明，优选地，所述第一金属卤化物mx
1n
中，m元素选自y、er和ho中的至少一种。
43.根据本发明，优选地，x1选自f、cl、br和i中的至少一种。
44.根据本发明，优选地，n为1-6的整数，进一步优选n为3-6的整数。
45.本发明中，优选地，第二金属卤化物amx
2m
中，am元素选自li、na和k中的至少一种，x2为卤族元素。
46.根据本发明，优选地，x2选自f、cl、br和i中的至少一种。
47.根据本发明，优选地，m为1或2的整数。
48.本发明中，所述保护性气氛选自氮气、氦气、氩气和氖气中的至少一种，优选为氮气和/或氩气。
49.根据本发明，所述溶剂为有机溶剂，优选地，所述有机溶剂选自己烷、庚烷、辛烷、煤油、甲苯、对二甲苯、乙苯、二硫化碳、四氯化碳、氯丙烷、溴己烷、三氯甲烷和二氯甲烷及上述物质同分异构体中的至少一种，优选选自正己烷、正庚烷、煤油、对二甲苯和四氯化碳中的至少一种。
50.采用该种优选实施方式更有利于分散球磨粉料，并降低粉料表面能、吸收球磨时产生的热量，从而可以提高制备得到的卤化物固态电解质的结构稳定性，使其在室温或高温条件下仍保持较高的离子电导率。当溶剂加入量太少时，浆料易结块，不利于充分球磨，也难以充分吸收粉料表面能。当溶剂加入量太多时，浆料过于分散，粉料对球磨珠的附着性较差，球磨效率降低。
51.根据本发明，优选地，步骤(1)中，所述第一金属卤化物mx
1n
和所述第二金属卤化物amx
2m
的摩尔比为1:1-6，例如为1:1、1:2、1:3、1:4、1:5、1:6，或者任意二者之间的范围，优选为1:2-4。采用上述优选范围配合得到的卤化物固态电解质的结构稳定性更好，具有更高的离子电导率。
52.根据本发明，优选地，相对于10ml所述溶剂，所述第一金属卤化物mx
1n
和第二金属卤化物amx
2m
的总用量为1-10g，例如为1g、2g、3g、4g、5g、6g、7g、8g、9g、10g，或者任意二者之间的范围，优选为2-7g。
53.根据本发明，优选地，步骤(1)中球磨过程还加入球磨珠，所述球磨珠为本领域常规选择，球料比为10-80:1，例如为10:1、20:1、30:1、40:1、50:1、60:1、70:1、80:1，或者任意二者之间的范围，优选为20-50:1。本发明中，所述“球料比”具有本领域常规释义，所述“球料比”指的是研磨载体中球磨珠和球磨物料质量之比。
54.本发明中，所述球磨的设备不做特别限定，本领域技术人员可以根据需要进行适应性调整，优选地，将球磨物料放入球磨罐中密封，在高能球磨机中进行球磨。
55.根据本发明，优选地，所述步骤(1)中，球磨的转速为200-1000转/分，例如200转/分、300转/分、400转/分、500转/分、600转/分、700转/分、800转/分、900转/分、1000转/分，或者任意二者之间的范围，优选为300-800转/分。球磨的速度过快，材料会发生反应；球磨的速度过慢，需要更长时间混合。
56.根据本发明，优选地，所述步骤(1)中，球磨的时间为5-100h，例如5h、10h、20h、30h、40h、50h、60h、70h、80h、90h、100h，或者任意二者之间的范围，优选为10-60h。
57.在本发明的一些优选实施方式中，所述干燥在真空条件下进行，这种方式可以避免水分进入。
58.在本发明的一些优选实施方式中，所述真空条件的真空度为10-1-10-2
pa。
59.根据本发明，优选地，所述步骤(2)中的烘干条件为：烘干温度40-120℃，优选为60-100℃。
60.根据本发明，优选地，步骤(2)中，所述退火的条件包括：在保护性气氛下，升温速率为1-10℃/分，优选为2-6℃/分，退火温度为100-300℃，优选为150-250℃；退火时间为1-20h，优选为4-12h。
61.本发明中，优选地，在上述条件下进行退火，可以使控制样品中的玻璃-陶瓷相比例，提高电解质离子电导率。退火温度过高，卤化物固态电解质中陶瓷相比例过高，电导率下降，甚至会发生分解；退火温度过低，陶瓷相比例过低，电导率也会下降。
62.根据本发明一种特别优选的实施方式，所述第一金属卤化物mx
1n
选自hocl3、ycl3和ercl3中的至少一种，所述第二金属卤化物amx
2m
为licl和/或nacl，所述溶剂为正己烷和/或对二甲苯；
63.所述第一金属卤化物mx
1n
和所述第二金属卤化物amx
2m
的摩尔比为1：2-4；
64.相对于10ml所述溶剂，所述第一金属卤化物mx
1n
和第二金属卤化物amx
2m
的总用量为3-6g。采用该种最优选实施方式更有利于使原料均匀混合，制备得到结构更稳定，电导率更高的卤化物固态电解质。
65.本发明第二方面提供一种由前述的制备方法制备得到的卤化物固态电解质。
66.根据本发明，优选地，所述卤化物固态电解质的电导率达到1
×
10-4
s/cm以上，优选为1
×
10-4
ꢀ‑1×
10-2
s/cm，进一步优选为1
×
10-4
ꢀ‑5×
10-3
s/cm。
67.根据本发明，优选地，所述卤化物固态电解质的x射线衍射谱图在2θ度数为40
°
处不具有特征峰。相较于球磨过程中不使用溶剂，通过本发明提供的制备方法制得的卤化物固态电解质结构稳定，在室温或高温条件下仍保持较高的离子电导率。
68.本发明中，优选地，所述卤化物固态电解质结晶性较低，是一种玻璃陶瓷，高温热处理后仍然可以保持玻璃陶瓷态，但可以一定程度提高陶瓷态(结晶性)。所述“玻璃陶瓷态”具有本领域的常规释义，无机固态电解质从物质结构上可分为晶体(又称为陶瓷电解
质)和非晶体(又称为玻璃态电解质)两种类型，玻璃态电解质经过热处理后具有一种介于玻璃态和陶瓷态之间的中间相混合结构，即玻璃-陶瓷态。
69.本发明第三方面提供一种前述卤化物固态电解质在全固态电池领域中的应用。
70.以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
71.以下实施例和对比例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购途径获得的常规产品；
72.手套箱为苏州威格手套箱。
73.实施例1
74.(1)在氩气保护的手套箱中，按摩尔比1：3分别称取hocl3(2.713g)和licl原料，放入80ml的二氧化锆球磨罐，同时加入100g的8mm直径二氧化锆球磨珠和10ml的正己烷；球磨罐密封放入高能球磨机中进行球磨，转速为400转/分钟，共转12小时；
75.(2)于手套箱中打开球磨罐，取出球磨样品，并于80℃真空烘干，得到li3hocl6湿磨干燥样品s-1。在氩气保护下，以3℃/分钟升温至200℃并保温5小时，随炉冷却，得到li3hocl6湿磨退火样品st-1。
76.实施例2
77.(1)在氩气保护的手套箱中，按摩尔比1：3分别称取ercl3(2.737g)和licl原料，放入80ml的二氧化锆球磨罐，同时加入100g的8mm直径二氧化锆球磨珠和10ml的对二甲苯；球磨罐密封放入高能球磨机中进行球磨，转速为400转/分钟，共转12小时；
78.(2)于手套箱中打开球磨罐，取出球磨样品，并于80℃真空烘干，得到li3hocl6湿磨干燥样品s-2。在氩气保护下，以3℃/分钟升温至200℃并保温5小时，随炉冷却，得到li3ercl6湿磨退火样品st-2。
79.实施例3
80.(1)在氩气保护的手套箱中，按摩尔比1：3分别称取ybcl3(2.794g)和licl原料，放入80ml的二氧化锆球磨罐，同时加入100g的8mm直径二氧化锆球磨珠和10ml的正己烷；球磨罐密封放入高能球磨机中进行球磨，转速为400转/分钟，共转12小时；
81.(2)于手套箱中打开球磨罐，取出球磨样品，并于80℃真空烘干，得到li3ybcl3湿磨干燥样品s-3。在氩气保护下，以3℃/分钟升温至200℃并保温5小时，随炉冷却，得到li3ybcl3湿磨退火样品st-3。
82.实施例4
83.按照实施例1的方法制备卤化物固态电解质，不同的是，溶剂为氯丙烷，用量为5ml，得到li3hocl6湿磨退火样品st-4。
84.实施例5
85.按照实施例1的方法制备卤化物固态电解质，不同的是，球磨转速为200转/分，球磨时间为5h，得到li3hocl6湿磨退火样品st-5。
86.对比例1
87.按照实施例1的方法制备卤化物固态电解质，不同的是，步骤(1)中不加入溶剂，得到li3hocl6干磨样品d-1，采用与实施例1相同的条件进行退火处理，得到li3hocl6干磨退火样品dt-1。
88.对比例2
89.按照实施例2的方法制备卤化物固态电解质，不同的是，步骤(1)中不加入溶剂，得到li3ercl6干磨样品d-2，采用与实施例2相同的条件进行退火处理，得到li3ercl6干磨退火样品dt-2。
90.对比例3
91.按照实施例1的方法制备卤化物固态电解质，不同的是，步骤(1)中以乙醇替换等体积的正己烷，得到湿磨退火样品dt-3。
92.对比例4
93.(1)在氩气保护的手套箱中，按摩尔比1：3分别称取p2s5(2.223g)和li2s原料，放入80ml的二氧化锆球磨罐，同时加入90g的8mm直径二氧化锆球磨珠和10ml的正己烷；球磨罐密封放入高能球磨机中进行球磨，转速为400转/分钟，共转12小时；
94.(2)于手套箱中打开球磨罐，取出球磨样品，并于80℃真空烘干，得到li3ps4湿磨干燥样品。在氩气保护下，以3℃/分钟升温至200℃并保温5小时，随炉冷却，得到li3ps4湿磨退火样品dt-4。
95.对比例5
96.按照实施例1的方法制备卤化物固态电解质，不同的是，原料为3g的licl，得到licl湿磨退火样品dt-5。
97.测试例1
98.通过xrd分析实施例和对比例所制备的卤化物固态电解质的晶体结构。x射线衍射谱图测试条件：铜靶，电压45kv，电流40ma，扫描速度10
°
/分钟，扫描范围：10-90
°
，xrd衍射仪型号为荷兰帕帕纳科锐影。
99.(1)实施例1和对比例1所制备的卤化物固态电解质的晶体结构。
100.实施例1制得的li3hocl6湿磨样品s-1和li3hocl6湿磨退火样品st-1的xrd图谱如图1所示，从图1中可以看出，湿法球磨制备的li3hocl6湿磨样品为单斜相，xrd峰宽较宽，峰强较弱，结晶性较差，在高温退火后峰强稍有提高，结晶性仍然较低，说明湿磨法制备的结构稳定性较好。
101.对比例1制得的li3hocl6干磨样品d-1和li3hocl6干磨退火样品dt-1的xrd图谱如图2所示，从图2中可以看出，li3hocl6干磨样品d-1为四方相，xrd峰宽较宽，峰强较弱，说明结晶性较差，高温退火后样品dt-1的峰强明显增强，结晶性较好，说明干磨法制备的结构稳定性较差。
102.(2)实施例2和对比例2中所制备的卤化物固态电解质的晶体结构。
103.实施例2制得的li3ercl6湿磨样品s-2和li3ercl6湿磨退火样品st-2的xrd图谱如图3所示，从图3中可以看出，湿法球磨制备的li3ercl6湿磨样品s-2为四方相，xrd峰宽较宽，峰强较弱，结晶性较差，在高温退火后样品st-2峰强稍有提高，但结晶性仍然较低。说明湿磨法制备的结构稳定性较好。
104.对比例2制得的li3ercl6干磨样品d-2和li3ercl6干磨退火样品dt-2的xrd图谱如图3所示，从图3中可以看出，li3ercl6干磨样品d-2为四方相，xrd峰宽较宽，峰强较弱，说明结晶性较差，高温退火后样品dt-1的峰强明显增强，结晶性较好。说明干磨法制备的结构稳定性较差。
105.测试例2
106.将实施例1-5和对比例1-5中所制备的卤化物固态电解质制成固态电解质片，测试离子电导率。结果见表1。
107.制备固态电解质片的方法：取一定质量电解质粉体，充分研磨后平铺在压片机磨具中，用300mpa压力进行压片，保压5min后取出，压片完成，得到固态电解质片。将固态电解质片打磨光滑后双面喷金制备阻塞电极。
108.离子电导率的测试方法如下：使用电化学阻抗谱(eis)测试固态电解质的阻抗图，测试在电化学工作站上进行。频率范围：1mhz-1hz，振幅：10mv。
109.表1
[0110][0111][0112]
通过表1的结果可以看出，采用本发明制备方法制得的实施例1-5，得到的卤化物固态电解质，结构更稳定，具有较高的离子电导率。
[0113]
实施例1湿磨样品s-1在80℃下以及随放置时间的交流阻抗变化如图4所示，从图4中可以看出，实施例1的样品s-1随着在80℃下放置时间的增长，阻抗值逐渐降低，离子电导率逐渐提高。图5为实施例1湿法球磨制备的li3hocl6样品和高温退火后样品的交流阻抗谱，通过图5可以看出，实施例1湿法球磨制备的li3hocl6样品在高温退火后离子电导率有所提高。
[0114]
对比例1干磨样品d-1在80℃下以及随放置时间的交流阻抗变化如图6所示，从图6中可以看出，对比例1的样品d-1随着在80℃下放置时间的增长，阻抗值逐渐增大，离子电导率逐渐降低。图7是对比例1干法球磨制备的li3hocl6样品d-1和高温退火后样品dt-1的交流
阻抗谱，图7显示高温退火后，样品dt-1的室温阻抗值显著增大，离子电导率下降了一个数量级。
[0115]
图8为实施例2湿法球磨制备的li3ercl6样品和高温退火后样品的交流阻抗谱，通过图8可以看出，实施例2湿法球磨制备的li3ercl6样品在高温退火后，样品st-2的阻抗值不变，离子电导率不变。
[0116]
图9是对比例2干法球磨制备的li3ercl6样品d-2和高温退火后样品dt-2的交流阻抗谱，图9显示高温退火后，样品dt-2的室温阻抗值显著增大，离子电导率下降了一个数量级。
[0117]
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种卤化物固态电解质的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在保护性气氛下，在溶剂存在下，将第一金属卤化物mx
1n
和第二金属卤化物amx
2m
进行球磨，得到混合料；(2)对混合料进行烘干和退火，得到卤化物固态电解质；在步骤(1)中所述第一金属卤化物mx
1n
和第二金属卤化物amx
2m
不溶于所述溶剂；其中，所述第一金属卤化物mx
1n
中m元素选自y、yb、er、ho、tb、tm、dy、nb、hf和ta中的至少一种；n使得第一金属卤化物mx
1n
为电中性；其中，第二金属卤化物amx
2m
中am元素选自li、na、k、mg和zn中的至少一种；m使得第二金属卤化物amx
2m
为电中性；其中，x1和x2各自独立地为卤族元素。2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述第一金属卤化物mx
1n
中，m元素选自y、er和ho中的至少一种；优选地，x1选自f、cl、br和i中的至少一种；优选地，n为1-6的整数，优选n为3-6的整数。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中，第二金属卤化物amx
2m
中，am元素选自li、na和k中的至少一种；优选地，x2选自f、cl、br和i中的至少一种；优选地，m为1或2的整数。4.根据权利要求1-3中任意一项所述的制备方法，其中，所述溶剂为有机溶剂；优选地，所述有机溶剂选自己烷、庚烷、辛烷、煤油、甲苯、对二甲苯、乙苯、二硫化碳、四氯化碳、氯丙烷、溴己烷、三氯甲烷和二氯甲烷及上述物质同分异构体中的至少一种，优选选自正己烷、正庚烷、煤油、对二甲苯和四氯化碳中的至少一种。5.根据权利要求1-4中任意一项所述的制备方法，其中，步骤(1)中，所述第一金属卤化物mx
1n
和所述第二金属卤化物amx
2m
的摩尔比为1:1-6，优选为1:2-4；优选地，相对于10ml所述溶剂，所述第一金属卤化物mx
1n
和第二金属卤化物amx
2m
的总用量为1-10g，优选为2-7g。6.根据权利要求1-5中任意一项所述的制备方法，其中，步骤(1)中球磨过程还加入球磨珠，球料比为10-80:1，优选为20-50:1；优选地，所述步骤(1)中，球磨的转速为200-1000转/分，优选为300-800转/分，球磨的时间为5-100h，优选为10-60h。7.根据权利要求1-6中任意一项所述的制备方法，其中，所述步骤(2)中的烘干条件包括：真空条件下，烘干温度40-120℃，优选为60-100℃；优选地，步骤(2)中，所述退火的条件包括：在保护性气氛下，升温速率为1-10℃/分，优选为2-6℃/分，退火温度为100-300℃，优选为150-250℃；退火时间为1-20h，优选为4-12h。8.根据权利要求1-7中任意一项所述的制备方法，其中，所述第一金属卤化物mx
1n
选自hocl3、ycl3和ercl3中的至少一种，所述第二金属卤化物amx
2m
为licl和/或nacl，所述溶剂为正己烷和/或对二甲苯；所述第一金属卤化物mx
1n
和所述第二金属卤化物amx
2m
的摩尔比为1：2-4；
相对于10ml所述溶剂，所述第一金属卤化物mx
1n
和第二金属卤化物amx
2m
的总用量为3-6g。9.一种权利要求1-8中任意一项所述的制备方法制备得到的卤化物固态电解质；优选地，所述卤化物固态电解质的电导率达到1
×
10-4
s/cm以上。10.权利要求9所述的卤化物固态电解质在全固态电池领域中的应用。

技术总结
本发明涉及锂电池技术领域，公开了一种卤化物固态电解质的制备方法、卤化物固态电解质及其应用，该方法包括以下步骤：(1)在保护性气氛下，在溶剂存在下，将第一金属卤化物MX


技术研发人员：李帅 邓志
受保护的技术使用者：南方科技大学
技术研发日：2023.05.19
技术公布日：2023/9/6