多尔蒂放大器的制作方法

1.本发明涉及一种多尔蒂放大器。本发明还涉及能够用在该放大器中的经封装的放大器。


背景技术：

2.多尔蒂(doherty)放大器在本领域是已知的。已知的doherty放大器的示例包括印刷电路板。doherty分路器设置在印刷电路板上和/或至少部分地在印刷电路板中实现，并用于接收射频(rf)信号并将接收到的rf信号分成主rf信号和峰值rf信号。经封装的主放大器安装在印刷电路板上。经封装的主放大器包括：用于接收主rf信号的主输入引线，用于放大主rf信号的主功率晶体管和用于输出由主功率晶体管放大的主rf信号的主输出引线。此外，经封装的峰值放大器安装在印刷电路板上。经封装的峰值放大器包括：用于接收峰值rf信号的峰值输入引线组件，用于放大峰值rf信号的部分的第一峰值功率晶体管，用于放大峰值rf信号的剩余部分的第二峰值功率晶体管和峰值输出引线。峰值输出引线用于将由第一峰值功率晶体管放大的峰值rf信号的部分和由第二峰值功率晶体管放大的峰值rf信号的剩余部分组合成放大的峰值rf信号。
3.已知的多尔蒂放大器还包括多尔蒂组合器，该多尔蒂组合器设置在印刷电路板上和/或至少部分地在印刷电路板中实现，并用于将放大的主rf信号和放大的峰值rf信号组合成rf输出信号并输出rf输出信号。
4.得益于gan技术的高功率密度，基站rf功率放大器晶体管现在正朝着具有高功率能力的小型单封装发展。
5.为了提供足够的功率，高功率gan晶体管通常需要较大的栅极外围。例如，对于高于700w的器件，doherty放大器峰值路径所需的总栅极宽度甚至可以接近60mm。
6.集成了功率晶体管的gan半导体管芯具有大的栅极外围，通常在产品开发和工业化中引入许多挑战。例如，这种半导体管芯的成品率相对较低。双半导体管芯配置为该问题提供了解决方案。
7.使用大型外围的器件会带来不必要的振荡风险。此外，当使用双功率晶体管解决方案时，可能会出现推挽型振荡。


技术实现要素：

8.本发明提供了一种doherty放大器，解决了这些稳定性问题中的至少一个问题。为此，提供了权利要求1所述的doherty放大器。在根据本发明的doherty放大器中，峰值输出引线具有面向第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管的内边缘，以及与内边缘相对设置的外边缘。峰值输出引线包括从内边缘向外边缘延伸的槽，并且槽的长度对应于doherty放大器的工作频率处的波长的a倍，其中，a位于0.1至0.4之间的范围内。
9.槽将峰值输出引线分成第一部分、第二部分和公共部分。第一部分电连接到第一峰值功率晶体管。第二部分电连接到第二峰值功率晶体管。公共部分设置在外边缘与第一
部分和第二部分之间，并整体连接到第一部分和第二部分。
10.槽确保由第一峰值功率晶体管放大的峰值rf信号的部分与由第二峰值功率晶体管放大的峰值rf信号的部分在公共部分中组合。
11.槽优选的长度为工作频率处或接近工作频率处的波长的1/8至1/4倍之间。
12.申请人发现，通过使用该槽，推挽型振荡的风险可以被最小化或至少被降低。其部分原因是与从第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管的输出到峰值输出引线的公共部分的路径相关联的的电感增加了。该增加的电感使得包括第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管的电路的小信号环路增益降低，从而提高了doherty放大器的稳定性。
13.本技术特别涉及非对称doherty放大器，其工作在1ghz到5ghz之间的频率范围内并以超过100w，更优选300w的电平，输出功率。用峰值放大器的饱和输出功率和主放大器的饱和输出功率之间的比值表示的doherty放大器的非对称性优选超过1.5:1，更优选超过2：1。
14.典型地，经封装的主放大器和经封装的峰值放大器中的每一个可以包括衬底。主功率晶体管、第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管安装在衬底上。典型地，这些衬底是导电的并且还作为散热器。各种引线相对于衬底固定。这可以使用设置在衬底和引线之间的隔离器来实现。替代性地，固化模塑化合物的主体使得引线和衬底间隔开。此外，经封装的主放大器和经封装的峰值放大器中的每一个可以包括遮盖物以保护封装内部的各种组件。该遮盖物还可以包括固化模塑化合物。在一些封装中，用于遮盖物的模塑化合物与固定引线和衬底的模塑化合物是相同的模塑化合物。此外，在一些实施例中，封装中存在围绕功率晶体管的空腔。替代性地，在一些实施例中，模塑化合物将所有部件封装在封装内。
15.在一个实施例中，经封装的主放大器与经封装的峰值放大器分开封装。然而，在其他实施例中，主功率晶体管、第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管组合在单个封装中。
16.第一峰值功率晶体管可以集成在第一半导体管芯上，第二峰值功率晶体管可以集成在与第一半导体管芯分离的第二半导体管芯上。然而，本发明不排除第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管集成在同一半导体管芯上的实施例。在一些实施例中，第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管是设置在单个半导体管芯上的大功率晶体管的不同部分。此外，主功率晶体管可以集成在与第一半导体管芯和第二半导体管芯分离的第三半导体管芯上。
17.经封装的主放大器可以包括设置在主输入引线和主功率晶体管之间的输入匹配网络，和/或设置在主功率晶体管和主输出引线之间的输出匹配网络。输入匹配网络可以包括一个或多个阻抗匹配级，其中，主功率晶体管的相对低的输入阻抗被转换成在主输入引线处看到的更高的阻抗。输出匹配网络还可以包括阻抗匹配级，其将相对较低的输出阻抗转换成在主输出引线处看到的更高的电平。输出匹配网络替代性地或附加地包括分流网络，分流网络包括电感器和电容器的串联组合。后一个网络可以被配置成在doherty放大器的工作频率处或在接近该工作频率的频率处与主功率晶体管的输出电容谐振。
18.类似地，经封装的峰值放大器可以包括设置在峰值输入引线组件和第一峰值功率晶体管之间的第一输入匹配网络，和/或设置在第一峰值功率晶体管和峰值输出引线之间的第一输出匹配网络。替代性地或可选地，经封装的峰值放大器可以包括设置在峰值输入
引线组件和第二峰值功率晶体管之间的第二输入匹配网络，和/或设置在第二峰值功率晶体管和峰值输出引线之间的第二输出匹配网络。
19.第一输入匹配网络和第二输入匹配网络中的每一个可以具有与经封装的主放大器的输入匹配网络相同的功能。类似地，第一输出匹配网络和第二输出匹配网络中的每一个可以具有与经封装的主放大器的输出匹配网络相同的功能。
20.doherty放大器还可以包括多个第一键合线和/或多个第二键合线。多个第一键合线直接或经由输入匹配网络将主功率晶体管的输入端连接到主输入引线。多个第二键合线直接或经由输出匹配网络将主功率晶体管的输出端连接到主输出引线。类似地，doherty放大器还可以包括多个第三键合线和/或多个第四键合线。多个第三键合线直接或经由第一输入匹配网络将第一峰值功率晶体管的输入端连接到峰值输入引线组件。多个第四键合线直接或经由第二输入匹配网络将第二峰值功率晶体管的输入端连接到峰值输入引线组件。类似地，doherty放大器可以包括多个第五键合线和/或多个第六键合线。多个第五键合线直接或经由第一输出匹配网络将第一峰值功率晶体管的输出端连接到峰值输出引线的第一部分。多个第六键合线直接或经由第二输出匹配网络将第二峰值功率晶体管的输出端连接到峰值输出引线的第二部分。
21.峰值输入引线组件可以包括第一峰值输入引线和与第一峰值输入引线间隔开的第二峰值输入引线。第一峰值输入引线使用多个第三键合线连接到第一峰值功率晶体管的输入端，第二峰值输入引线使用多个第四键合线连接到第二峰值功率晶体管的输入端。使用多个第三键合线和多个第四键合线的连接可以是直接连接，或例如分别经由上述第一输入匹配网络和第二输入匹配网络的间接连接。
22.此外，doherty分路器可以包括用于接收rf信号的输入端，用于输出主rf信号的主输出端和用于输出峰值rf信号的峰值输出端。在这种情况下，doherty放大器可以包括设置在峰值输出端和第一峰值输入引线之间的第一传输线和设置在峰值输出端和第二峰值输入引线之间的第二传输线。第一传输线和第二传输线各自的电长度对应于与所述多尔蒂放大器的工作频率对应的波长的b倍，其中，b位于0.4至0.6之间的范围内。优选地，第一传输线和第二传输线各自的电长度对应于工作频率一半处或接近工作频率一半处的四分之一波长。
23.申请人发现，通过使用第一传输线和第二传输线，与第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管的电压相关输入电容相关联的次谐波振荡可以被至少部分地抑制。通过使电阻器电连接在第一峰值输入引线和第二峰值输入引线之间，可以进一步增强这种抑制。
24.doherty组合器可以包括设置在主功率晶体管的输出端与doherty组合器的组合节点之间的阻抗反相器。阻抗反相器可以由对应于工作频率或工作频率的电等效物的四分之一波长传输线形成。在工作频率处，第一峰值功率晶体管的输出端与组合节点之间的相位延迟可以基本上等于180度的n1倍，并且在工作频率处，第二峰值功率晶体管的输出端与组合节点之间的相位延迟可以基本上等于180度的n2倍，其中n1和n2各自是大于零的整数。
25.doherty放大器可以包括设置在doherty分路器和峰值输入引线组件之间的相位延迟。相位延迟用于确保放大的主rf信号和放大的峰值rf信号在doherty组合器的组合节点处同相组合。
26.根据第二方面，本发明提供一种经封装的放大器。经封装的放大器被配置为安装
在印刷电路板上并且包括：用于接收rf信号的输入引线组件，用于放大rf信号的部分的第一功率晶体管，用于放大rf信号的剩余部分的第二功率晶体管，和输出引线。输出引线用于将由第一功率晶体管放大的rf信号的部分和被第二功率晶体管放大的rf信号的剩余部分组合成放大的rf信号。输出引线具有面向第一功率晶体管和第二功率晶体管的内边缘，以及与内边缘相对设置的外边缘。输出引线包括从内边缘向外边缘延伸的槽。槽的长度对应于与经封装的放大器的工作频率对应的波长的a倍，其中，a位于0.1至0.4之间的范围内。
27.槽将输出引线分成第一部分、第二部分和公共部分。其中，第一部分电连接到第一功率晶体管，第二部分电连接到第二功率晶体管，公共部分设置在外边缘与第一部分和第二部分之间并且整体连接到第一部分和第二部分。槽确保由第一晶体管放大的rf信号的部分与由第二晶体管放大的rf信号的部分在公共部分中组合。优选地，槽的长度为工作频率处或接近工作频率处的波长的1/8至1/4倍之间。
28.第一功率晶体管可以集成在第一半导体管芯上，第二功率晶体管可以集成在与第一半导体管芯分离的第二半导体管芯上。
29.根据第三方面，本发明提供一种经封装的放大器。经封装的放大器被配置为安装在印刷电路板上并且包括：用于接收主rf信号的主输入引线的主放大器，用于放大主rf信号的主功率晶体管和用于输出主功率晶体管放大的主rf信号的主输出引线。经封装的放大器还包括峰值放大器。峰值放大器包括：用于接收峰值rf信号的峰值输入引线组件，用于放大峰值rf信号的部分的第一峰值功率晶体管、用于放大峰值rf信号的剩余部分的第二峰值功率晶体管，和峰值输出引线。峰值输出引线用于将由第一峰值功率晶体管放大的峰值rf信号的部分和由第二峰值功率晶体管放大的峰值rf信号的剩余部分组合成放大的峰值rf信号。
30.所述峰值输出引线具有面向所述第一峰值功率晶体管和所述第二峰值功率晶体管的内边缘，以及与内边缘相对设置的外边缘。峰值输出引线包括从内边缘向外边缘延伸的槽。槽的长度对应于与经封装的峰值放大器的工作频率对应的波长的a倍，其中，a位于0.1至0.4的范围内。
31.所述槽将所述输出引线划分为第一部分、第二部分和公共部分，其中第一部分电连接到第一功率晶体管，第二部分电连接到第二功率晶体管，公共部分设置在外边缘与第一部分和第二部分之间并且整体连接到第一部分和第二部分。槽确保由第一功率晶体管放大的rf信号的部分与由第二功率晶体管放大的峰值rf信号的部分在公共部分中组合。槽优选的长度为工作频率处或接近工作频率处的波长的1/8至1/4倍之间。
32.第一峰值功率晶体管可以集成在第一半导体管芯上，第二峰值功率晶体管可以集成在与第一半导体管芯分离的第二半导体管芯上，主功率晶体管可以集成在与第一半导体管芯和第二半导体管芯分离的第三半导体管芯上。
33.根据本发明第二方面和第三方面的经封装的放大器能够用在上述doherty放大器中。因此，结合doherty放大器描述的任何特征可以同样地应用于根据本发明的第二方面和第三方面的经封装的放大器。
附图说明
34.接下来，将参照附图描述本发明，其中，使用相同的附图标记来表示相同或相似的
部件。
35.图1示出了根据本发明的的实施例，在该doherty放大器中使用了根据本发明第二方面的经封装的放大器。
36.图2示出了根据本发明的doherty放大器的实施例，在该doherty放大器中使用了根据本发明第二方面的经封装的放大器。
具体实施方式
37.图1示出了根据本发明的doherty放大器1。doherty放大器1包括均安装在印刷电路板300上的经封装的主放大器100和经封装的峰值放大器200。doherty放大器1包括doherty分路器2，doherty分路器2接收rf输入信号rfin(rf
输入
)并将该信号分成主rf信号和峰值rf信号。doherty分路器2在本领域中是已知的，例如可以是混合耦合器，和/或可以包括多个传输线段和/或集总电元件。
38.doherty分路器2具有主输出端和峰值输出端。主输出端连接到经封装的主放大器100的主输入引线101；以及峰值输出端经由具有特征阻抗z1和电长度th1的传输线连接到经封装的放大器200的第一峰值输入引线201a，并经由具有特征阻抗z2和电长度th2的传输线连接到经封装的峰值放大器200的第二峰值输入引线201b。替代性地，doherty分路器2具有用于使用上述传输线分别连接到第一峰值输入引线201a和第二峰值输入引线201b的两个专用峰值输出端。
39.传输线在印刷电路板300中实现。替代性地，使用集总等效物实现传输线，例如在一半的工作频率处具有类似的性能的l-c-l或c-l-c网络。电长度th1和th2优选地对应于一半的工作频率处的四分之一波长。阻抗z1和z2可以在40至70欧姆之间的范围内。
40.doherty放大器1还包括安装在第一峰值输入引线201a和第二峰值输入引线201b之间的电阻器，例如表面贴装器件(surface mount device，smd)电阻器203。
41.经封装的主放大器100包括半导体管芯110。主功率晶体管集成在半导体管芯110上。类似地，经封装的峰值放大器200包括第一半导体管芯210和第二半导体管芯220。第一峰值功率晶体管集成在第一半导体管芯210上。第二峰值功率晶体管集成在第二半导体管芯220上。经封装的主放大器100还可以包括衬底130，并且经封装的峰值放大器200也可以包括衬底230。衬底130和230可以例如包括铜散热器等，并且可以在工作期间用作电接地。
42.经封装的主放大器100包括主输出引线102。经封装的峰值放大器200包括峰值输出引线202。如图所示，峰值输出引线202包括第一部分202a、通过槽202c与第一部分202a间隔开的第二部分202b、以及整体连接到第一部分202a和第二部分202b的公共部分202d。部分202a、202b和公共部分202d之间的边界使用短划线表示。
43.槽202c的长度l1位于doherty放大器工作频率处的波长的0.1到0.4倍之间。该长度典型地对应于doherty放大器工作频率处的波长的1/8至1/4倍。例如，当工作在2ghz左右时，优选地，槽的长度为5至6毫米，宽度在0.5至1毫米之间。
44.主功率晶体管以及第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管可以各自基于氮化镓场效应晶体管(field-effect transistors，fets)或基于硅的横向扩散金属氧化物半导体晶体管(laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistors，ldmos)，不排除其它晶体管类型和/或半导体材料系统。此外，工作频率的典型范围从1ghz延伸到
5ghz。
45.经封装的主放大器100包括设置在主输入引线101和半导体管芯110之间的无源半导体管芯140a。更具体地，无源半导体管芯140a可以包括一个或多个电容器，电容器与键合线一起形成阻抗匹配级。该键合线形成在图1中用直线表示的多个第一键合线的部分。一些键合线在主输入引线101和无源半导体管芯140a之间延伸，一些键合线在无源半导体管芯140a和主功率晶体管的输入端之间延伸。
46.类似地，经封装的主放大器100包括设置在半导体管芯110和主输出引线102之间的无源半导体管芯140b。该管芯可以包括接地电容器，经由键合线接地电容器的非接地端子连接到半导体管芯110上的主功率晶体管的输出端。以这种方式，形成包括电感器和电容器的串联组合的分流网络。在工作频率处，分流网络表现为与主功率晶体管的输出电容谐振的电感。如图所示，主功率晶体管的输出端还使用形成多个第二键合线的部分键合线直接连接到主输出引线102。不排除其它拓扑，例如其中无源半导体管芯140b包括附加电容器的拓扑，其中，附加电容器用于与键合线一起在主功率晶体管的输出端和主输出引线102之间形成一个或多个阻抗匹配级。通常，主功率晶体管的输出端和主输出引线102之间的电路被称为输出匹配网络。
47.如图所示，使用无源半导体管芯240a、240b、241a、241b在经封装的峰值放大器200中提供类似的网络。然而，在这种情况下，与设置在半导体管芯210上的第一峰值功率晶体管相对应的一些键合线连接到峰值输出引线202的第一部分202a，而与设置在半导体管芯220上的第二峰值功率晶体管相对应的一些键合线连接到峰值输出引线202的第二部分202b。
48.峰值输出引线202和主输出引线102使用doherty组合器3连接，doherty组合器3将从主输出引线102接收的放大的主信号和从峰值输出引线202接收的放大的峰值信号组合成rf输出信号。例如，doherty组合器3可以包括设置在主功率晶体管的输出端和如图2所示的组合节点c之间的阻抗反相器。阻抗反相器可以使用印刷电路板300上的四分之一波长传输线来实现。替代性地，阻抗反相器使用设置在印刷电路板300上的分立元件来实现。在更进一步的实施例中，阻抗反相器的形成考虑了键合线和封装的寄生效应。
49.典型地，doherty组合器3在第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管的输出端和组合节点c之间提供180度的整数倍的相位延迟。这种相位延迟可以使用印刷电路板300上的传输线部分地实现。
50.组合节点c可以连接到负载zl，可选地通过一个或多个阻抗反相器和/或其它阻抗匹配级，该组合接节点c形成doherty放大器1的输出端或者连接到doherty放大器1的输出端。
51.doherty分路器2引入适当的相位延迟，使得在工作频率处，由主功率晶体管和由第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管放大的信号在组合节点c处同相相加。
52.在图1中，示出了两个独立的封装100和200。在图2所示的doherty放大器10中，主功率晶体管、第一峰值功率晶体管和第二峰值功率晶体管被组合在单个封装400中。在图2的实施例中同样使用图1所示的组件，除了已经被单个衬底430取代的多个衬底。
53.此外，doherty组合器3由阻抗反相器z1、阻抗反相器z3和偏移线z2表示。典型地，这些组件至少部分地在印刷电路板上实现。如上所述，doherty工作所需的相位延迟可至少
部分地在封装400内实现。
54.各种doherty配置在本领域是已知的。需要注意的是，本发明不限于特定的配置。例如，本发明同样涉及常规的doherty配置、倒置的doherty配置或平行的doherty配置。这些配置的主要区别在于doherty组合器3的实现方式。
55.综上，已经使用本发明的详细实施例描述了本发明。然而，本发明不限于这些实施例。相反，在不偏离本技术的范围的情况下，各种修改是可能的，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：
1.一种多尔蒂放大器，包括：经封装的主放大器，所述经封装的主放大器包括：用于接收主射频信号的主输入引线，用于放大所述主射频信号的主功率晶体管和用于输出由所述主功率晶体管放大的主射频信号的主输出引线；经封装的峰值放大器，所述经封装的峰值放大器包括：用于接收峰值射频信号的峰值输入引线组件，用于放大所述峰值射频信号的部分的第一峰值功率晶体管，用于放大所述峰值射频信号的剩余部分的第二峰值功率晶体管，和峰值输出引线，所述峰值输出引线用于将由所述第一峰值功率晶体管放大的所述峰值射频信号的部分和由所述第二峰值功率晶体管放大的所述峰值射频信号的剩余部分组合成放大的峰值射频信号；以及多尔蒂组合器，所述多尔蒂组合器用于将所述放大的主射频信号和所述放大的峰值射频信号组合成射频输出信号，并输出所述射频输出信号；其中，所述峰值输出引线具有面向所述第一峰值功率晶体管和所述第二峰值功率晶体管的内边缘，以及与所述内边缘相对设置的外边缘，所述峰值输出引线包括从所述内边缘向所述外边缘延伸的槽，所述槽的长度对应于所述多尔蒂放大器的工作频率处的波长的a倍，其中，a位于0.1至0.4之间的范围内，其中，所述槽将所述峰值输出引线分成第一部分、第二部分和公共部分，其中，所述第一部分电连接到所述第一峰值功率晶体管，其中，所述第二部分电连接到所述第二峰值功率晶体管，并且其中，所述公共部分设置在所述外边缘与所述第一部分和所述第二部分之间并且整体连接到所述第一部分和所述第二部分，其中，所述槽确保由所述第一峰值功率晶体管放大的所述峰值射频信号的部分与由所述第二峰值功率晶体管放大的所述峰值射频信号的部分在所述公共部分中组合。2.根据权利要求1所述的多尔蒂放大器，包括：印刷电路板，所述印刷电路板上安装有所述经封装的主放大器和所述经封装的峰值放大器；以及多尔蒂分路器，所述多尔蒂分路器设置在所述印刷电路板上和/或至少部分地在所述印刷电路板中实现，并用于接收射频信号并将接收到的射频信号分成所述主射频信号和所述峰值射频信号；其中，所述多尔蒂组合器设置在所述印刷电路板上和/或至少部分地在所述印刷电路板中实现。3.根据权利要求1所述的多尔蒂放大器，其中，所述主功率晶体管、所述第一峰值功率晶体管和所述第二峰值功率晶体管组合在单个封装中。4.根据权利要求1所述的多尔蒂放大器，其中，所述第一峰值功率晶体管集成在第一半导体管芯上，所述第二峰值功率晶体管集成在与所述第一半导体管芯分离的第二半导体管芯上。5.根据权利要求4所述的多尔蒂放大器，其中，所述主功率晶体管集成在与所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯分离的第三半导体管芯上。6.根据权利要求1所述的多尔蒂放大器，其中，所述经封装的主放大器包括设置在所述主输入引线和所述主功率晶体管之间的输入匹配网络，和/或设置在所述主功率晶体管和所述主输出引线之间的输出匹配网络。
7.根据权利要求1所述的多尔蒂放大器，其中，所述经封装的峰值放大器包括设置在所述峰值输入引线组件和所述第一峰值功率晶体管之间的第一输入匹配网络，和/或设置在所述第一峰值功率晶体管和所述峰值输出引线之间的第一输出匹配网络；和/或其中，所述经封装的峰值放大器包括设置在所述峰值输入引线组件和所述第二峰值功率晶体管之间的第二输入匹配网络，和/或设置在所述第二峰值功率晶体管和所述峰值输出引线之间的第二输出匹配网络。8.根据权利要求1所述的多尔蒂放大器，还包括：多个第一键合线，所述多个第一键合线直接或经由所述输入匹配网络将所述主功率晶体管的输入端连接到所述主输入引线；以及多个第二键合线，所述多个第二键合线直接或经由所述输出匹配网络将所述主功率晶体管的输出端连接到所述主输出引线。9.根据权利要求1所述的多尔蒂放大器，还包括：多个第三键合线，所述多个第三键合线直接或经由所述第一输入匹配网络将所述第一峰值功率晶体管的输入端连接到所述峰值输入引线组件；多个第四键合线，所述多个第四键合线直接或经由所述第二输入匹配网络将所述第二峰值功率晶体管的输入端连接到所述峰值输入引线组件；多个第五键合线，所述多个第五键合线直接或经由所述第一输出匹配网络将所述第一峰值功率晶体管的输出端连接到所述峰值输出引线的第一部分；以及多个第六键合线，所述多个第六键合线直接或经由所述第二输出匹配网络将所述第二峰值功率晶体管的输出端连接到所述峰值输出引线的第二部分。10.根据权利要求9所述的多尔蒂放大器，其中，所述峰值输入引线组件包括第一峰值输入引线和与所述第一峰值输入引线间隔开的第二峰值输入引线，其中，所述第一峰值输入引线使用所述多个第三键合线连接到所述第一峰值功率晶体管的输入端，所述第二峰值输入引线使用所述多个第四键合线连接到所述第二峰值功率晶体管的输入端。11.根据权利要求10所述的多尔蒂放大器，其中，所述多尔蒂分路器包括用于接收所述射频信号的输入端、用于输出所述主射频信号的主输出端和用于输出所述峰值射频信号的峰值输出端；其中，所述多尔蒂放大器包括设置在所述峰值输出端和所述第一峰值输入引线之间的第一传输线，和设置在所述峰值输出端和所述第二峰值输入引线之间的第二传输线，其中，所述第一传输线和所述第二传输线各自的电长度对应于与所述多尔蒂放大器的工作频率对应的波长的b倍，其中，b位于0.4至0.6之间的范围内。12.根据权利要求10所述的多尔蒂放大器，还包括电连接在所述第一峰值输入引线和所述第二峰值输入引线之间的电阻器。13.根据权利要求1所述的多尔蒂放大器，其中，所述多尔蒂组合器包括设置在所述主功率晶体管的输出端与所述多尔蒂组合器的组合节点之间的阻抗反相器，其中，所述阻抗反相器由对应于所述工作频率或所述工作频率的电等效物的四分之一波长传输线形成。14.根据权利要求13所述的多尔蒂放大器，其中，在所述工作频率处，所述第一峰值功率晶体管的输出端与所述组合节点之间的相位延迟基本上等于180度的n1倍，并且其中，在所述工作频率处，所述第二峰值功率晶体管的输出端与所述组合节点之间的相位延迟基本
上等于180度的n2倍，其中，n1和n2各自是大于零的整数。15.根据权利要求13所述的多尔蒂放大器，还包括：多尔蒂分路器，所述多尔蒂分路器用于接收射频信号并将所述接收到的射频信号分成所述主射频信号和所述峰值射频信号，以及相位延迟，所述相位延迟设置在所述多尔蒂分路器和所述峰值输入引线组件之间，所述相位延迟用于确保所述放大的主射频信号和所述放大的峰值射频信号在所述多尔蒂组合器的组合节点处同相组合。16.一种经封装的放大器，被配置为安装在印刷电路板上并且包括：用于接收射频信号的输入引线组件，用于放大所述射频信号的部分的第一功率晶体管，用于放大所述射频信号的剩余部分的第二功率晶体管，和输出引线，所述输出引线用于将由所述第一功率晶体管放大的所述射频信号的部分和由所述第二功率晶体管放大的所述射频信号的剩余部分组合成放大的射频信号，其中，所述输出引线具有面向所述第一功率晶体管和第二功率晶体管的内边缘，以及与所述内边缘相对设置的外边缘，所述输出引线包括从所述内边缘向所述外边缘延伸的槽，所述槽的长度对应于与所述经封装的放大器的工作频率对应的波长的a倍，其中，a位于0.1至0.4之间的范围内，其中，所述槽将所述输出引线分成第一部分、第二部分和公共部分，其中，所述第一部分电连接到所述第一功率晶体管，其中，所述第二部分电连接到所述第二功率晶体管，并且其中，所述公共部分设置在所述外边缘与所述第一部分和第二部分之间并且整体连接到所述第一部分和所述第二部分，其中，所述槽确保由所述第一晶体管放大的所述射频信号的部分与由所述第二晶体管放大的所述射频信号的部分在所述公共部分中组合。17.根据权利要求16所述的经封装的放大器，其中，所述第一功率晶体管集成在第一半导体管芯上，所述第二功率晶体管集成在与所述第一半导体管芯分离的第二半导体管芯上。18.一种经封装的放大器，被配置为安装在印刷电路板上并且包括：主放大器，所述主放大器包括：用于接收主射频信号的主输入引线，用于放大所述主射频信号的主功率晶体管和用于输出由所述主功率晶体管放大的主射频信号的主输出引线，峰值放大器，所述峰值放大器包括：用于接收峰值射频信号的峰值输入引线组件，用于放大所述峰值射频信号的部分的第一峰值功率晶体管，用于放大所述峰值射频信号的剩余部分的第二峰值功率晶体管，和峰值输出引线，所述峰值输出引线用于将由所述第一峰值功率晶体管放大的所述峰值射频信号的部分和由所述第二峰值功率晶体管放大的所述峰值射频信号的剩余部分组合成放大的峰值射频信号，其中，所述峰值输出引线具有面向所述第一峰值功率晶体管和所述第二峰值功率晶体管的内边缘以及与所述内边缘相对设置的外边缘，所述峰值输出引线包括从所述内边缘向所述外边缘延伸的槽，所述槽的长度对应于与所述经封装的放大器的工作频率对应的波长的a倍，其中，a位于0.1至0.4之间的范围内，其中，所述槽将所述峰值输出引线分成第一部分、第二部分和公共部分，其中，所述第一部分电连接到所述第一峰值功率晶体管，其中，所述第二部分电连接到所述第二峰值功
率晶体管，并且其中，所述公共部分设置在所述外边缘与所述第一部分和第二部分之间并且整体连接到所述第一部分和所述第二部分，其中，所述槽确保由所述第一峰值功率晶体管放大的所述峰值射频信号的部分与由所述第二峰值功率晶体管放大的所述峰值射频信号的部分在所述公共部分中组合。19.根据权利要求18所述的经封装的放大器，其中，所述第一峰值功率晶体管集成在第一半导体管芯上，所述第二峰值功率晶体管集成在与所述第一半导体管芯分离的第二半导体管芯上，所述主功率晶体管集成在与所述第一半导体管芯和第二半导体管芯分离的第三半导体管芯上。

技术总结
本发明涉及一种多尔蒂放大器。本发明还涉及能够用在该放大器中的经封装的放大器。本发明提出使用形成在单个输出引线中的槽，该槽与包括在单个封装中的两个峰值功率晶体管相关联。该槽抑制双峰值功率晶体管解决方案中常见的推挽型振荡。的推挽型振荡。的推挽型振荡。


技术研发人员：耿知 诸毅
受保护的技术使用者：安普林荷兰有限公司
技术研发日：2023.03.01
技术公布日：2023/9/7