利用激光发光器件的基板热处理装置的制作方法

1.本发明涉及利用从激光发光器件照射的激光束来对平板基板进行热处理的利用激光发光器件的基板热处理装置。


背景技术：

2.半导体晶圆或平板显示装置用玻璃基板等平板基板可通过外延工艺、薄膜结晶化工艺、离子注入工艺或激活工艺等热处理工艺而被制成半导体或平板显示模块。
3.上述外延工艺为在半导体晶圆的表面生长所需薄膜的工艺。上述外延工艺通过向处于真空状态且维持600℃以上高温的工艺腔室的内部注入工艺气体来进行。上述半导体晶圆需要在工艺过程中均匀地维持整体温度，且需要减少因构成工艺腔室的外部壳体110的放射率所引起的影响。尤其，在上述外部壳体110的结构要素中，与半导体晶圆的上部面相向的结构要素或壁面的放射率对半导体晶圆的工艺温度产生影响，因此，需要维持规定的放射率。
4.另一方面，最近，开发一种利用垂直腔面发射激光器(vcsel，vertical cavity surface emitting laser)器件来对半导体晶圆进行加热的热处理工艺。上述热处理工艺为以覆盖大面积区域的方式配置多个垂直腔面发射激光器器件，从而利用照射激光束的照射模块来向半导体晶圆均匀地照射激光束并进行热处理的方式。上述垂直腔面发射激光器器件可以在微型发射器(micro-emitter)中释放激光束。上述照射模块可利用从垂直腔面发射激光器器件释放的激光束的发散(divergence)，并通过从相邻的垂直腔面发射激光器器件中释放的激光束的重叠(overlapping)均匀地加热半导体晶圆。上述照射模块构成包括多个垂直腔面发射激光器器件的子照射模块，多个子照射模块可配置到覆盖整个半导体晶圆的区域。
5.最近，随着半导体技术的微细化，上述热处理工艺需要极小的温度偏差和高的温度均匀度。但是，当前使用的热处理装置因面临多种限制而很难实现所需的温度均匀度。


技术实现要素：

6.技术问题
7.本发明的目的在于，提供利用激光发光器件的基板热处理装置，具备用于减少平板基板的温度偏差的冷却功能，从而可在热处理工艺中减少平板基板的温度偏差并增加温度均匀度。
8.技术方案
9.本发明的利用激光发光器件的基板热处理装置的特征在于，包括：工艺腔室，在内部置有待热处理的平板基板，包括位于上述平板基板的下部的光束照射板和位于上述平板基板的上部的红外线透射板；光束照射模块，通过上述光束照射板向上述平板基板的下部面照射激光束；以及气体循环冷却模块，向上述红外线透射板的上部面喷射冷却气体来进行冷却。
10.并且，上述工艺腔室可包括：侧壁，在内部放置上述平板基板；外部壳体，在上述侧壁的内部中的上述平板基板的上部设置有上述红外线透射板和上部板；以及内部壳体，在上述外部壳体的内侧位于上述平板基板的下部，在上部设置有上述光束照射板，上述光束照射模块在上述内部壳体的内部位于上述光束照射板的下部。
11.并且，上述气体循环冷却模块可包括：气体喷射板，位于上述上部板与上述红外线透射板之间，具备从上部面向下部面贯通的气体喷射孔，通过上述气体喷射孔向上述红外线透射板的上部面喷射上述冷却气体；气体供给管，向上述气体喷射板的上部供给上述冷却气体；以及气体排出管，排出向上述红外线透射板喷射的上述冷却气体。
12.并且，上述基板热处理装置还可包括气体循环冷却模块，冷却从上述气体排出管排出的上述冷却气体并将其供给到上述气体供给管。
13.并且，上述气体循环冷却模块可包括：第一冷却单元，与上述气体排出管相连接，冷却从上述气体排出管排出的上述冷却气体；鼓风机，与上述第一冷却单元相连接，吸入上述冷却气体来使其流入到第一冷却单元；以及过滤器单元，与上述鼓风机相连接，过滤上述冷却气体。
14.并且，上述气体循环冷却模块还可包括第二冷却单元，位于上述鼓风机与上述过滤器单元之间，冷却从上述鼓风机供给的上述冷却气体并将其供给到上述过滤器单元。
15.并且，上述红外线透射板可由透明石英形成。
16.并且，上述工艺腔室还可包括用于支撑上述平板基板的外侧的基板支架，利用上述垂直腔面发射激光器的基板热处理装置还包括支撑上述基板支架并使其旋转的基板旋转模块。
17.并且，上述基板旋转模块可包括：内侧旋转部，呈n极和s极沿着圆周方向交替形成的环形状，在腔室下部空间的内部结合在基板支架的下部；以及外侧转动部，在上述外部壳体的外侧与上述内侧旋转部相向设置，通过产生磁力来使上述内侧旋转部旋转。
18.并且，上述光束照射模块可包括激光发光器件，上述激光发光器件可包括面发光激光器件或边缘发光激光器件。
19.并且，上述光束照射模块可包括激光发光器件，上述激光发光器件可包括垂直腔面发射激光器器件。
20.发明的效果
21.在本发明的利用激光发光器件的基板热处理装置中，可在与平板基板相向的外部壳体110的区域设置由透明石英形成的红外线透射板，从而可以向外部透射从平板基板产生的辐射能来均匀地维持平板基板的温度。
22.并且，在本发明的利用激光发光器件的基板热处理装置中，在热处理过程中向红外线透射板的外侧面供给冷却气体来减少工艺气体蒸镀在红外线透射板的内侧面，由此增加红外线透射板的放射率。
23.并且，在本发明的利用激光发光器件的基板热处理装置中，利用外部的气体循环冷却模块来冷却向红外线透射板的外侧面供给的冷却气体并重新供给，由此可减少冷却气体的使用量并降低工艺费用。
附图说明
24.图1为本发明一实施例的利用激光发光器件的基板热处理装置的结构图。
25.图2为图1的光束照射模块的部分立体图。
26.图3为图2中的a-a的垂直剖视图。
27.图4为图1的气体循环冷却模块的结构图。
具体实施方式
28.以下，参照附图，更加具体地说明本发明的利用激光发光器件的基板热处理装置。
29.首先，说明本发明一实施例的利用激光发光器件的基板热处理装置的结构。
30.图1为本发明一实施例的利用激光发光器件的基板热处理装置的结构图。图2为图1的光束照射模块的部分立体图。图3为图2中的a-a的垂直剖视图。图4为图1的气体循环冷却模块的结构图。
31.参照图1至图4，本发明一实施例的利用激光发光器件的基板热处理装置10可包括工艺腔室100、光束照射模块200、气体喷射模块300、气体循环冷却模块400及基板旋转模块500。
32.上述基板热处理装置10可以进行对于平板基板a的外延工艺、结晶化工艺、离子注入工艺或激活工艺等制作工艺。其中，上述平板基板a可以为半导体晶圆或玻璃基板。并且，上述平板基板a可以为树脂膜等柔性基板。并且，上述平板基板a可包括形成在表面或内部的多种器件或导电图案。
33.上述基板热处理装置10可在用于加热平板基板a的光束照射模块中使用激光发光器件作为热光源。上述激光发光器件可以为面发光激光器件或边缘发光激光器件。并且，上述激光发光器件可以为垂直腔面发射激光器器件。上述激光发光器件可以由照射单一波长的激光束的器件形成。例如，优选地，上述激光发光器件可以为照射大致940nm的单一波长的激光束的垂直腔面发射激光器器件。上述基板热处理装置10可向平板基板a照射从光束照射模块200生成的激光束来加热平板基板a。
34.上述工艺腔室100可包括外部壳体110、内部壳体120、光束照射板130、基板支架140及红外线透射板150。上述工艺腔室100可以提供在内部收容平板基板a并对其进行热处理的空间。上述平板基板a可在工艺腔室100的内部被基板支架140支撑。上述工艺腔室100使得从位于外部的光束照射模块200生成的激光束照射位于内部的平面基板的下部面。上述工艺腔室100使激光束穿过光束照射板130照射放置于基板支架140的平板基板a的下部面。
35.上述外部壳体110可呈内部为中空的筒形状，可具备侧壁111、上部板112及下部板113。上述外部壳体110可大致呈圆筒形状、四边筒形状、五边筒形状或六边筒形状。上述外部壳体110可呈具有比在内部热处理的平板基板a的面积大的水平剖面积的形状。
36.上述侧壁111可呈内部为中空的圆筒形状、四边筒形状、五边筒形状或六边筒形状。上述侧壁111在内部形成进行热处理待热处理的腔室上部空间100a。并且，上述侧壁111在内部形成收容光束照射模块200和基板旋转模块500的一部分的空间。
37.上述上部板112可呈与侧壁111的上端平面形状对应的板状。上述上部板112可结合在侧壁111的上端并密封侧壁111的上部。
38.上述下部板113与侧壁111的下部平面形状对应，在内侧形成下部贯通孔113。上述下部板113可呈具有规定宽度的圆形环或四边环。上述下部板113可根据腔室下部空间100b的下侧平面形状呈多种形状。上述下部板113结合在侧壁111的下部并遮蔽下部侧壁111的外侧。在上述下部板113的贯通孔的外侧可以结合以下说明的内部壳体120的下部。
39.上述内部壳体120可呈内部为中空的筒形状，可以形成为圆筒形状、四边筒形状、五边筒形状或六边筒形状。上述内部壳体120可以由比外部壳体110的内径或内侧宽度小的外径或外侧宽度形成。并且，上述内部壳体120的高度小于外部壳体110的高度。并且，上述内部壳体120能够以上侧位于平板基板a的下部的高度形成，上述平板基板a放置于工艺腔室100的内部。并且，上述内部壳体120可以由比位于上部的平板基板a的直径或宽度大的直径或宽度形成。并且，上述内部壳体120可具有比平板基板a大的水平面积。因此，在上述内部壳体120的上部形成放置平板基板a的腔室上部空间100a。即，上述腔室上部空间100a在外部壳体110的内侧形成在内部壳体120的上部，并形成有放置平板基板a的空间。上述平板基板a可位于腔室上部空间100a，以在从内部壳体120的下部观察时露出待热处理的区域的下部面。
40.并且，上述内部壳体120以使下侧位于与外部壳体110的下侧大致相同的高度的方式结合。上述内部壳体120的下端可结合在下部板113的内侧。因此，上述内部壳体120的外侧与外部壳体110的内侧之间的空间可被下部板113密封。在上述内部壳体120的外侧面与外部壳体110的内侧面之间可形成腔室下部空间100b。上述腔室上部空间100a和腔室下部空间100b可通过外部壳体110、内部壳体120及下部板113与外部隔绝并维持真空或工艺气体环境。
41.上述光束照射板130可结合在内部壳体120的上部并位于平板基板a的下部。上述光束照射板130可由石英、玻璃等透射激光束的透明板形成。上述光束照射板130使得激光束透射并照射平板基板a的下部面。更具体地，上述光束照射板130使得在内部壳体120的内侧通过下部面入射的激光束照射平板基板a的下部面。上述光束照射板130的面积可大于平板基板a的面积。例如，上述光束照射板130的直径或宽度可大于平板基板a的直径或宽度。优选地，上述光束照射板130的直径或宽度可以为平板基板a的直径或宽度的1.1倍以上。在此情况下，上述光束照射板130可以使激光束照射平板基板a的整个下部面。
42.上述基板支架140可包括上部支架141及连接支架142。上述基板支架140可位于内部壳体120的上部，以露出平板基板a的下部面的方式支撑平板基板a的下部外侧。并且，上述基板支架140可向腔室下部空间100b延伸并与基板旋转模块500结合。上述基板支架140可通过基板旋转模块500的作用来使平板基板a旋转。
43.上述上部支架141可在内侧具备基板露出孔141a，可呈具有规定宽度的环形状。上述上部支架141可露出平板基板a的下部面并支撑平板基板a的下部外侧。上述上部支架141的直径或宽度可大于平板基板a的直径或宽度。
44.上述基板露出孔141a可在上部支架141的中心贯通上部面和下部面。上述基板露出孔141a能够以规定面积形成，以在平板基板a的下部面露出需要进行热处理的整个区域。
45.上述连接支架142可大致呈上部和下部开放的筒形状，可形成为与内部壳体120的形状对应的形状。例如，在内部壳体120呈圆筒形状的情况下，上述下部支架与此对应地呈圆筒形状。上述连接支架142可位于整个腔室上部空间100a和腔室下部空间100b。上述连接
支架142的上部可结合在上部支架141的外侧，下部向腔室下部空间100b延伸并与基板旋转模块500相结合。因此，上述连接支架142可通过基板旋转模块500旋转并使上部支架141和平板基板a旋转。
46.上述红外线透射板150可呈与侧壁111上部的平面形状对应的板状。上述红外线透射板150可由透明石英形成。上述红外线透射板150可在侧壁11上部位于上部板112与基板支架140之间。上述红外线透射板150可将外部壳体110的腔室上部空间100a分离成热处理空间100c和冷却气体空间100d。上述热处理空间为设置平板基板a并进行热处理的空间。上述冷却气体空间为流入用于冷却红外线透射板150的冷却气体的空间，位于热处理空间的上部。上述红外线透射板150的下部面在平板基板a的上部可以与平板基板a的上部面相向设置。另一方面，上述红外线透射板150可形成外部壳体110的上部面，红外线透射板150的上部的侧壁111和上部板112单独形成并结合在红外线透射板150的上部。
47.上述红外线透射板150可由透明石英形成，从而可向外部透射在热处理工艺中从平板基板a产生的辐射能。尤其，上述红外线透射板150可向外部透射包括红外线的波长的辐射能。并且，上述红外线透射板150可维持400℃以下的温度，优选地，可维持300～400℃的温度。上述红外线透射板150维持300～400℃的温度，因此，可防止因工艺气体引起的化学蒸镀，从而防止蒸镀所引起的放射率增加。其中，上述工艺气体可根据热处理工艺的种类改变。例如，在上述外延工艺中，工艺气体可以使用sih4、sih2cl2、sihcl3或sicl4等气体。
48.在温度为400℃以下的情况下，上述冷却气体可以显著减少化学蒸镀。并且，上述红外线透射板150不会因热处理工艺的次数而增加放射率，因此，可以减少进行工艺的平板基板a之间的工艺温差。
49.上述光束照射模块200可包括器件排列板210及子照射模块220。上述光束照射模块200可位于工艺腔室100的外侧下部，通过光束照射板130向平板基板a的下部面照射激光束。上述光束照射模块200可在内部壳体120的内侧位于光束照射板130的下部。
50.在上述光束照射模块200中，多个子照射模块220能够以格子形态排列在器件排列板210的上部面。参照图2，上述子照射模块220沿着x方向和y方向排列在器件排列板210的上部面并排列成格子形态。
51.上述器件排列板210可呈具有规定面积和厚度的板状。优选地，上述器件排列板210可以与平板基板a的形状和面积对应。上述器件排列板210可以由具有热传导性的陶瓷材质或金属材质形成。上述器件排列板210可起到对激光发光器件产生的热量进行散热的作用。
52.上述子照射模块220可包括器件基板221、激光发光器件222、电极端子223及冷却块224。多个上述子照射模块220沿着格子方向排列并设置在器件排列板210。上述子照射模块220可在器件排列板210的表面排列在向平板基板a的照射区域照射激光束所需要的区域。上述器件基板221可通过额外的粘结剂层226结合在冷却块224。
53.上述子照射模块220由多个激光发光器件222沿着x轴方向和y轴方向排列而成。虽然并未具体示出，但上述子照射模块220可具备用于固定激光发光器件222的发光框架(未图示)和用于向激光发光器件222供电的电力线(未图示)。上述子照射模块220可向整个激光发光器件222施加相同电力。并且，上述子照射模块220可向每个激光发光器件222施加不同的电力。
54.上述器件基板221可以由用于安装电子器件的一般的基板形成。上述器件基板221可分为安装激光发光器件222的器件区域221a及安装端子的端子区域221b。在上述器件区域221a中，多个激光发光器件222以格子形状排列并安装。上述端子区域221b可接触并设置在器件区域221a并安装多个端子。
55.上述激光发光器件222可以由照射激光束的多种发光器件形成。例如，上述多种发光器件222可以由面发光激光器件或边缘发光激光器件形成。并且，优选地，上述激光发光器件222可由垂直腔面发射激光器器件形成。上述垂直腔面发射激光器器件可照射940nm的单一波长的激光束。上述垂直腔面发射激光器器件可呈四边形状，优选地，可呈正方形或宽度和长度的比例不大于1：2的矩形形状。上述垂直腔面发射激光器器件被制成六面体形状的芯片，在一面，高输出的激光束发生振荡。上述垂直腔面发射激光器器件使高输出的激光束发生振荡，因此，与现有的卤素灯相比，可以增加平板基板a的温度上升率，且寿命也相对较长。
56.多个上述激光发光器件222可在器件基板221的上部面沿着x方向和y方向排列在器件区域221a并以格子形状排列。上述激光发光器件222可根据器件区域221a的面积和向平板基板a照射的激光束的能量的量以适当的数量和适当的间隔形成。并且，当发光的激光束与相邻的激光发光器件222的激光束重叠时，上述激光发光器件222可按能够照射均匀的能量的间隔设置。在此情况下，上述激光发光器件222以使侧面与相邻的激光发光器件222相接触而不存在隔开距离的方式设置。
57.上述电极端子223可在器件基板221的端子区域221b形成多个。上述电极端子223可包括+端子和-端子，可以电连接在激光发光器件222。虽然并未具体示出，但上述电极端子223可通过多种方式电连接在激光发光器件222。上述电极端子223可供给激光发光器件222的驱动所需要的电源。
58.上述冷却块224能够以与器件基板221的平面形状对应的平面形状和规定高度形成。上述冷却块224可以由具有热传导性的陶瓷材质或金属材质形成。上述冷却块224可通过单独的粘结剂层结合在器件基板221的下部面。上述冷却块224可以向下部释放从安装在器件基板221的表面的激光发光器件222产生的热量。因此，上述冷却块224可以冷却器件基板221和激光发光器件222。
59.上述冷却块224可在内部形成使冷却水流动的冷却流路224a。上述冷却流路224a可在下部面形成流入口和流出口，在冷却块224的内部可形成多种形态的流路。
60.上述气体喷射模块300可包括气体喷射板310、气体供给管320及气体排出管330。上述气体喷射模块300可向红外线透射板150的上部面喷射冷却气体来冷却红外线透射板150。上述冷却气体可以为氮气、氩气或压缩冷却空气。
61.上述气体喷射板310可呈板状，具备从上部面向外部面贯通的气体喷射孔311。在外部壳体110的上部，上述气体喷射板310以与红外线透射板150平行的方式位于上部板112与红外线透射板150之间。上述气体喷射板310可将气体喷射空间分为上部气体空间和下部气体空间。
62.上述气体喷射孔311从气体喷射板310的上部面向下部面贯通形成。即，上述气体喷射孔311可以连接上部气体空间与下部气体空间。上述气体喷射孔311可向下部气体空间喷射从外部向上述气体喷射空间流入的冷却气体。
63.多个上述气体喷射孔311可在气体喷射板310整体隔开形成。上述气体喷射孔311可向下部气体空间更加均匀地喷射向上部气体空间供给的冷却气体。因此，上述气体喷射板310可以更加均匀地冷却下部的红外线透射板150。
64.上述气体供给管320可呈两侧开放的管形状，以从外部壳体110的上部板112向外部壳体110的内侧贯通的方式结合。即，上述气体供给管320在外部贯通上部板112并贯通到上部气体空间。上述气体供给管320可根据上部板112的面积形成多个。上述气体供给管320可以与外部的冷却气体供给装置相连接并接收冷却气体。并且，上述气体供给管320可以与气体循环冷却模块400连接并接收冷却气体。
65.上述气体排出管330可呈两侧开放的管形状，以从下部气体空间向外侧贯通的方式结合在外部壳体110的侧壁111。即，上述气体排出管330在外部贯通侧壁111并贯通到下部气体空间。上述气体排出管330可根据上部板112的面积形成多个。上述气体排出管330可向外部排出向下部气体空间流入的冷却气体。并且，上述气体排出管330可以与气体循环冷却模块400连接并排出冷却气体。
66.上述气体循环冷却模块400可重新冷却从气体喷射模块300的气体排出管330排出的冷却气体并将其供给到气体供给管320。从气体喷射板310喷射的上述冷却气体可以接触到红外线透射板150来冷却红外线透射板150并提升温度。因此，上述气体循环冷却模块400可重新冷却被加热的冷却气体并供给。上述气体循环冷却模块400可将从气体排出管330排出的冷却气体冷却到比作为红外线透射板150的冷却温度的300℃低的温度并供给。
67.上述气体循环冷却模块400可包括第一冷却单元410、鼓风机420及过滤器单元430。并且，上述气体循环冷却模块400还可包括第二冷却单元440。虽然说明成上述气体循环冷却模块400分别包括一个第一冷却单元410、鼓风机420、过滤器单元430及第二冷却单元440，但可根据所使用的冷却气体的量分别形成2个以上。
68.在上述气体循环冷却模块400中，鼓风机420进行工作并吸入从气体排出管330排出的高温的冷却气体，第一冷却模块对其进行冷却并在过滤器模块中对其进行过滤之后重新将其供给到气体供给管320。上述气体循环冷却模块400与气体供给管320、外部壳体110的冷却气体空间及气体排出管330一同形成使冷却气体流动的密封路径。因此，上述冷却气体有可能在循环过程中不向外部流出。只是，在上述冷却气体向外部部分流出的情况下可以补充单独的路径。
69.上述第一冷却单元410的一侧连接在气体排出管330，另一侧连接在鼓风机420。即，以冷却气体的流动为基准，上述第一冷却单元410位于气体排出管330与鼓风机420之间。上述第一冷却单元410冷却从气体排出管330供给并使用的工艺气体来向鼓风机420供给。因此，上述第一冷却单元410冷却相对高温的冷却气体并将冷却后的冷却气体供给到鼓风机420。并且，上述第一冷却单元410防止鼓风机420因高温的冷却气体而损伤。
70.上述第一冷却单元410可以由用于冷却气体的一般的冷却模块形成。例如，虽然并未具体示出，但上述第一冷却单元410可包括冷却壳体、冷却管及散热板。上述冷却壳体的内部为中空，在一侧和另一侧形成流入口和流出口。并且，上述冷却管横穿冷却壳体的长度方向或宽度方向来贯通，以使冷却水等冷却介质在内部流动的方式形成。并且，上述散热板呈板状，以沿着垂直于冷却管的外周面的方向排列的方式结合。上述散热板通过在冷却罐的内部流动的冷却介质被冷却，并冷却向冷却壳体的内部流入并接触的气体。因此，在上述
第一冷却单元410中，通过在冷却管流动的冷却介质冷却散热板，可以使通过冷却壳体的流入口流入的冷却气体接触到散热板来进行冷却。
71.并且，上述第一冷却单元410可以由利用珀耳帖器件的冷却单元形成。虽然并未具体示出，例如，上述第一冷却单元410可包括冷却壳体、散热板及珀耳帖器件。上述冷却壳体的内部为中空，在一侧和另一侧形成流入口和流出口。并且，上述散热板从冷却壳体的一侧面向内部延伸。上述珀耳帖器件以在冷却壳体的一侧面与散热板接触的方式相结合。因此，上述第一冷却单元410通过珀耳帖器件冷却散热板，使通过冷却壳体的流入口流入的冷却气体接触到散热板来对冷却气体进行冷却。
72.上述鼓风机420的一侧与第一冷却单元410相连接，另一侧与过滤器单元430相连接。即，以冷却气体的流动为基准，上述鼓风机420位于第一冷却单元410的后端与过滤器单元430的前端之间。并且，当在另一侧形成第二冷却单元440时，上述鼓风机420可连接在第二冷却单元440。上述鼓风机420吸入通过气体排出管330排出的冷却气体来使其流入到第一冷却单元410。上述鼓风机420可吸入从气体排出管330排出的温度相对高的冷却气体并吸收通过第一冷却单元410的冷却气体，因此不会因热量而损伤。
73.优选地，上述鼓风机420由吸气口(未图示)和排气口(未图示)之间与外部密封的鼓风机420形成。例如，上述鼓风机420可以由环形鼓风机或涡轮鼓风机形成。并且，上述鼓风机420可以由旋转泵或增压泵形成。上述环形鼓风机和涡轮鼓风机在具体机构中存在差异，但从吸气口到排气口之间与外部密封，从而不会在中间流出通过吸气口吸入的气体，而是全部向排气口排出。因此，上述鼓风机420防止所吸入的冷却气体向外部流出。上述环形鼓风机和涡轮鼓风机为一般使用的装置，因此在此省略对其的具体说明。另一方面，在吸气口(未图示)与排气口(未图示)之间无需与外部密封的情况下，上述鼓风机420一般可以使用送风机。
74.上述过滤器单元430的一侧连接在鼓风机420，另一侧与气体供给管320相连接。即，以冷却气体的流动为基准，上述过滤器单元430位于鼓风机420的后端与气体供给管320的前端之间。并且，当在一侧形成有第二冷却单元440时，上述过滤器单元430可连接在第二冷却单元440。
75.上述过滤器单元430过滤从鼓风机420供给的冷却气体来向气体供给管320供给。上述过滤器单元430可包括高效过滤器(hepa filter)、超高效过滤器、碳过滤器或网状过滤器等过滤器。上述过滤器为在半导体工艺或平板显示装置制作工艺中普遍使用的过滤器，因此，在此省略对其的具体说明。
76.上述第二冷却单元440的一侧连接在鼓风机420，另一侧连接在过滤器单元430。即，以冷却气体的流动为基准，上述第二冷却单元440位于鼓风机420与过滤器单元430之间。
77.上述第二冷却单元440可重新冷却通过鼓风机420供给的冷却气体来向过滤器单元430供给。在通过鼓风机420送风的过程中，上述冷却气体因与鼓风机420的叶片或风扇发生摩擦而提升温度。因此，上述第二冷却单元440可冷却通过鼓风机420的冷却气体来向过滤器单元430供给，因此可以向过滤器单元430供给更低温的冷却气体。上述第二冷却单元440的结构可以与第一冷却单元410相同。
78.上述基板旋转模块500可包括内侧旋转部510及外侧转动部520。上述基板旋转模
块500以非接触方式使基板支架140向水平方向旋转。更具体地，上述内侧旋转部510可以在工艺腔室100的腔室下部空间100b中结合在基板支架140的下部。并且，上述外侧转动部520可以在工艺腔室100的外侧与内侧旋转部510相向设置。上述外侧转动部520可利用磁力来以非接触方式使内侧旋转部510旋转。
79.上述内侧旋转部510可以形成为马达的转子等结构。例如，上述内侧旋转部510整体上可呈环形状，可以为n极和s极沿着圆周方向交替形成的磁铁结构。上述内侧旋转部510可结合在基板支架140的下部，即，结合在连接支架142。在此情况下，上述内侧旋转部510可以在下部板113的上部向上侧隔开设置。另一方面，虽然并未具体示出，但上述内侧旋转部510可以被单独的支撑单元支撑，以在旋转时防止振动或者使其顺畅地旋转。例如，上述内侧旋转部510的下部可被支撑轴承或辊支撑。
80.上述外侧转动部520可以形成为马达的定子等结构。例如，上述外侧转动部520可包括成环形态的铁芯和卷绕在铁芯的导线。上述外侧转动部520可通过向导线供给的电源产生的磁力来使内侧旋转部510旋转。上述外侧转动部520可位于外部壳体110的外部，以便以外部壳体110为基准与内侧旋转部510相向。即，上述外侧转动部520能够在与内侧旋转部510相同的高度以外部壳体110为基准位于外侧。
81.在本说明书中公开的实施例仅在多个可实施的例中选择了帮助本发明所属技术领域的普通技术人员理解的最优选实施例来揭示，本发明的技术思想并不限定或限制于这些实施例，在不超出本发明的技术思想的范围内可以进行多种变化、添加及变更，也可以存在等同的其他实施例。

技术特征：
1.一种基板热处理装置，其特征在于，包括：工艺腔室，在内部置有待热处理的平板基板，包括位于上述平板基板的下部的光束照射板和位于上述平板基板的上部的红外线透射板；光束照射模块，通过上述光束照射板向上述平板基板的下部面照射激光束；以及气体循环冷却模块，向上述红外线透射板的上部面喷射冷却气体来进行冷却。2.根据权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，上述工艺腔室包括：侧壁，在内部放置上述平板基板；外部壳体，在上述侧壁的内部中的上述平板基板的上部设置有上述红外线透射板和上部板；以及内部壳体，在上述外部壳体的内侧位于上述平板基板的下部，在上部设置有上述光束照射板，上述光束照射模块在上述内部壳体的内部位于上述光束照射板的下部。3.根据权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，上述气体循环冷却模块包括：气体喷射板，位于上述上部板与上述红外线透射板之间，具备从上部面向下部面贯通的气体喷射孔，通过上述气体喷射孔向上述红外线透射板的上部面喷射上述冷却气体；气体供给管，向上述气体喷射板的上部供给上述冷却气体；以及气体排出管，排出向上述红外线透射板喷射的上述冷却气体。4.根据权利要求3所述的基板热处理装置，其特征在于，还包括气体循环冷却模块，冷却从上述气体排出管排出的上述冷却气体并将其供给到上述气体供给管。5.根据权利要求4所述的基板热处理装置，其特征在于，其为利用垂直腔面发射激光器的基板热处理装置，上述气体循环冷却模块包括：第一冷却单元，与上述气体排出管相连接，冷却从上述气体排出管排出的上述冷却气体；鼓风机，与上述第一冷却单元相连接，吸入上述冷却气体来使其流入到第一冷却单元；以及过滤器单元，与上述鼓风机相连接，过滤上述冷却气体。6.根据权利要求5所述的基板热处理装置，其特征在于，还包括第二冷却单元，位于上述鼓风机与上述过滤器单元之间，冷却从上述鼓风机供给的上述冷却气体并将其供给到上述过滤器单元。7.根据权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，上述红外线透射板由透明石英形成。8.根据权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，上述工艺腔室还包括用于支撑上述平板基板的外侧的基板支架，利用垂直腔面发射激光器的上述基板热处理装置还包括支撑上述基板支架并使其旋转的基板旋转模块。9.根据权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，上述基板旋转模块包括：内侧旋转部，呈n极和s极沿着圆周方向交替形成的环形状，在腔室下部空间的内部结
合在基板支架的下部；以及外侧转动部，在上述外部壳体的外侧与上述内侧旋转部相向设置，通过产生磁力来使上述内侧旋转部旋转。10.根据权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，上述光束照射模块包括激光发光器件，上述激光发光器件包括面发光激光器件或边缘发光激光器件。11.根据权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，上述光束照射模块包括激光发光器件，上述激光发光器件包括垂直腔面发射激光器器件。

技术总结
本发明公开基板热处理装置，其包括：工艺腔室，在内部置有待热处理的平板基板，包括位于平板基板的下部的光束照射板和位于平板基板的上部的红外线透射板；光束照射模块，通过光束照射板向平板基板的下部面照射激光束；以及气体循环冷却模块，向红外线透射板的上部面喷射冷却气体来进行冷却。喷射冷却气体来进行冷却。喷射冷却气体来进行冷却。


技术研发人员：金亨骏 金炳局 朴旺濬 权五成 李进弘 李南天
受保护的技术使用者：微传科技有限公司
技术研发日：2021.12.23
技术公布日：2023/9/7