显示基板及其制备方法和显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。


背景技术：

2.有机发光二级管(oled)显示面板由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、响应速度快、能耗小、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，被广泛应用于各种电子产品中。区别于手机屏幕的视网膜屏(分辨率在300～400ppi)，硅基oled显示面板的分辨率通常大于3000ppi。现有技术中常用的r/g/b模式的oled蒸镀工艺很难实现3000ppi以上的分辨率，兼具多个发光单元(r、g、b)的叠层oled(tandem-woled)可以实现3000ppi以上的分辨率。
3.但是对于叠层woled器件来说，由于激子复合后的能量中有很大一部分的能量是以光波导模式困在有机层和封装膜层中，真正能够出射的光只占总能量的约1/5，影响了发光效率。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种显示基板及其制备方法和显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
5.根据本技术实施例的第一方面，提供了一种显示基板，包括：
6.衬底基板；
7.第一像素界定层，设置在衬底基板的一侧，第一像素界定层设置有多个开口区；
8.凸起结构层，设置在衬底基板的朝向第一像素界定层的一侧，凸起结构层包括多个凸起结构，凸起结构位于开口区；
9.第一电极层，设置在凸起结构层和第一像素界定层的远离衬底基板的一侧，第一电极层包括第一电极，凸起结构在衬底基板上的正投影位于第一电极在衬底基板上的正投影内；
10.有机发光层，位于第一电极层和第一像素界定层的背离衬底基板的一侧；
11.第二电极层，位于有机发光层的背离衬底基板的一侧。
12.在一种实施方式中，凸起结构在垂直于衬底基板方向上的最大尺寸与凸起结构在衬底基板上的正投影的最大尺寸的比值范围为0.8～1.2。
13.在一种实施方式中，第一像素界定层在垂直于衬底基板方向上的最大尺寸大于或等于凸起结构在垂直于衬底基板方向上的最大尺寸。
14.在一种实施方式中，凸起结构在衬底基板上的正投影的面积大于开口区在衬底基板上的正投影的面积的二分之一。
15.在一种实施方式中，凸起结构的侧边与衬底基板所在平面的夹角为40
°‑
60
°
。
16.在一种实施方式中，第一像素界定层具有用于限定出开口区的侧壁，显示基板还包括围绕第一电极设置且位于侧壁表面的反射部，反射部位于第一像素界定层与有机发光
层之间。
17.在一种实施方式中，侧壁与衬底基板表面之间的角度为50
°
～90
°
。
18.在一种实施方式中，第一电极层设置在凸起结构层和第一像素界定层的远离衬底基板的一侧，第一电极层还包括反射部，显示基板还包括第二像素界定层，第二像素界定层位于第一电极层与有机发光层之间，第二像素界定层位于第一电极之外的区域，反射部在衬底基板上的正投影位于第二像素界定层在衬底基板上的正投影内。
19.根据本技术实施例的第二方面，提供了一种显示基板的制备方法，包括：
20.在衬底基板的一侧形成第一像素界定层和凸起结构层，第一像素界定层设置有多个开口区，凸起结构层包括多个凸起结构，凸起结构位于开口区；其中，第一像素界定层和凸起结构层采用一次掩膜工艺形成；
21.在凸起结构层的远离衬底基板的一侧形成第一电极层，第一电极层包括第一电极，凸起结构在衬底基板上的正投影位于第一电极在衬底基板上的正投影内；
22.在第一电极层和第一像素界定层的背离衬底基板的一侧形成有机发光层；
23.在有机发光层的背离衬底基板的一侧形成第二电极层。
24.根据本技术实施例的第三方面，提供了一种显示装置，包括上述第一方面提供的显示基板。
25.根据本技术实施例的显示基板及其制备方法和显示装置，适用于顶发光oled器件，通过凸起结构增大了阳极层的面积，使得正常发光时的等效电流密度减小，可以提升器件寿命参数。
26.进一步地，第一像素界定层和凸起结构层限定了阳极层的范围，有助于界定像素，改善像素间的漏电和串扰。
27.上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
28.在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本技术公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本技术范围的限制。
29.图1示出本公开一实施例的显示基板的剖面结构示意图。
30.图2示出本公开另一实施例的显示基板的剖面结构示意图。
31.图3示出本公开一实施例中显示基板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
32.在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本技术的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
33.在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
34.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
35.本技术实施例提供了一种显示基板及其制备方法和显示装置，下面将结合附图对本技术实施例提供的显示基板及其制备方法和显示装置进行详细说明。
36.如图1所示，本技术实施例的显示基板100包括衬底基板110、第一像素界定层120、凸起结构层130、第一电极层140、有机发光层150和第二电极层160。
37.示例性地，第一像素界定层120设置在衬底基板110的一侧，第一像素界定层120设置有多个开口区；凸起结构层130设置在衬底基板110的朝向第一像素界定层120的一侧，凸起结构层包括多个凸起结构131，凸起结构131位于开口区；第一电极层140设置在凸起结构层130的远离衬底基板110的一侧，第一电极层140包括第一电极141，凸起结构131在衬底基板110上的正投影位于第一电极141在衬底基板110上的正投影内；有机发光层150位于第一电极层140和第一像素界定层120的背离衬底基板110的一侧；第二电极层160位于有机发光层150的背离衬底基板110的一侧。
38.其中，本实施例中的oled显示装置为顶发光型oled，光线直接从器件上方发出，图1中示出的凸起结构层130中的多个凸起结构131的剖面形状为半球形仅为一种示例，其还可以为梯形、三角形或矩形等以构成不同的立体凸起结构131。
39.第一电极层140包括叠层设置的反射金属层和透明导电层。反射金属层的材质可以包括具有反射性质的金属，例如银；透明导电层的材质可以包括氧化铟锡(ito)或氧化铟锡等透明导电材料。凸起结构层130和第一像素界定层120可以为同一种光刻胶，也可以为同一种无机物质，例如氧化硅、氮化硅等透明、容易刻蚀或者成形的材质，第二电极层160可以为阴极层。
40.如图1所示，凸起结构131在衬底基板110上的正投影位于第一电极在衬底基板110上的正投影内，可以理解为第一电极覆盖了凸起结构131的表面。示例性地，第一电极还可以覆盖开口区中凸起结构131之外的至少部分区域，从而，第一电极中也形成了与凸起结构131形状相适应的阳极凸起。
41.本公开实施例通过在开口区中设置凸起结构131，凸起结构131在衬底基板110上的正投影位于第一电极在衬底基板110上的正投影内，使得第一电极中也形成了对应的第一电极凸起。相较于水平设置的平坦的第一电极，本公开实施例中，第一电极具有与凸起结构131相适配的第一电极凸起，当发光材料在有机发光层150中发光后，由于顶发射的微腔效应，光线在第一电极和第二电极层之间多次反射，第一电极凸起增加了光在第一电极表面的漫反射，从而增强了顶发射oled器件的微腔效应，提高了光的取出效果，提高了光取出量。并且，第一电极凸起增大了第一电极的面积，能够降低等效的电流密度，提高使用电流驱动的oled器件的使用寿命。
42.在一个实施例中，凸起结构131与开口区一一对应，凸起结构131位于对应的开口
区内。
43.在一个实施例中，第一像素界定层120与凸起结构131可以采用一次掩膜工艺形成，或者，第一像素界定层120与凸起结构131可以采用两次掩膜工艺形成。在第一像素界定层120与凸起结构131采用两次掩膜工艺分别形成时，第一电极与第一像素界定层120的形成顺序不做限定，只要第一电极位于凸起结构层的远离衬底基板110的一侧，并且第一电极覆盖凸起结构131的表面均可。
44.示例性地，凸起结构131在垂直于衬底基板110方向上的最大尺寸h1与凸起结构131在衬底基板110上的正投影的最大尺寸l1的比值范围为0.8～1.2。示例性地，h1与l1的比值范围可以为0.8、1、1.2中的一个。将h1与l1的比值范围设置为0.8～1.2，能够使得凸起结构131的表面积较大，从而提高了与凸起结构131形状相适应的第一电机层中第一电极的面积，也即增大了阳极层面积，进一步增大了oled器件的光取出量。
45.在一个实施例中，凸起结构131在衬底基板110上的正投影可以为圆形、椭圆形或者多边形等形状。当凸起结构131在衬底基板110上的正投影为圆形时，l1可以为圆形的直径；当凸起结构131在衬底基板110上的正投影为椭圆形时，l1可以为椭圆形长轴的尺寸；当凸起结构131在衬底基板110上的正投影为多边形时，l1可以为多边形外接圆的直径，等。
46.示例性地，凸起结构131在衬底基板110上的正投影的面积大于开口区在衬底基板110上的正投影的面积的二分之一。凸起结构131在衬底基板110上的正投影的面积大于开口区在衬底基板110上的正投影的面积的二分之一，可以理解为，凸起结构131在衬底基板110上的正投影的面积大于开口区底部面积的二分之一。这样的设置方式可以尽可能地增大第一电极的面积。
47.如图1所示，凸起结构131的侧边与衬底基板110所在平面的夹角θ为40
°‑
60
°
。例如，θ可以为40
°
、45
°
、50
°
、55
°
或60
°
。将θ设置为40
°‑
60
°
，可以使得凸起结构131的外表面呈凸起的透镜状，进而使得覆盖在凸起结构131外表面的第一电极具有相适配的形状，可以进一步提高oled器件经由第一电极反射出的光线量，进一步提高oled器件的光取出量。
48.可以理解的是，凸起结构131的侧边与衬底基板110所在平面的夹角θ为40
°‑
60
°
，如果凸起结构131为类半球形，在其侧边为弧形边的情况下，弧形边的切线与衬底基板110所在平面的夹角为40
°‑
60
°
。
49.在一个实施例中，凸起结构131与开口区的边缘之间的距离小于开口区底部尺寸的1/5。如图1所示，在开口区和凸起结构131的底部均呈圆形时，凸起结构131底部边缘与开口区底部边缘之间的距离小于开口区底部直径的1/5。在开口区和凸起结构131的底部为椭圆形或多边形时，凸起结构131底部边缘与开口区底部边缘之间的距离小于开口区底部对应尺寸的1/5，例如，开口区和凸起结构131的底部为椭圆形时，沿椭圆形长轴方向，凸起结构131底部边缘与开口区底部边缘之间的距离小于开口区底部长轴尺寸的1/5；沿椭圆形短轴方向，凸起结构131底部边缘与开口区底部边缘之间的距离小于开口区底部短轴尺寸的1/5。
50.本公开实施例进一步地对凸起结构131的尺寸做出限定，保障了阳极凸起在oled器件中的尺寸，当发光材料在有机发光层150中发光后，由于顶发射的微腔效应，光线在阳极和阴极间多次反射，而凸起结构131增加了光在阳极表面的漫反射，从而增强了顶发射oled器件的微腔效应，提高了光的取出效果，提高了光取出量。
51.图2示出本公开另一实施例的显示基板的剖面结构示意图。在一个实施例中，如图2所示，第一像素界定层120具有用于限定出所述开口区的侧壁121，所述显示基板还包括围绕所述第一电极141设置且位于所述侧壁121表面的反射部142，所述反射部142位于所述第一像素界定层120与所述有机发光层150之间。
52.当发光材料在有机发光层150中发光后，第一电极凸起会使得光线向外发散，导致大角度光线射向临近的oled器件，导致像素间串扰。通过设置反射部，反射部可以反射光线，反射部可以将向外发射的光线进行反射，使得光线反射后从开口区向外出射，降低由于全反射导致的光线损失，防止了大角度光线射向临近oled器件，阻挡了像素间串扰，进一步提高了oled器件的光取出效率。
53.示例性地，侧壁121与衬底基板110表面之间的角度β为50
°
～90
°
。示例性地，β为50
°
、60
°
、70
°
、80
°
或90
°
。将β设置为50
°
～90
°
，可以更好地将由第一电极凸起向外发散的光线反射会开口区，进一步提高光取出效率。
54.在一个实施例中，反射部可以单独形成，例如，在形成第一像素界定层120后，在侧壁121表面形成反射部142。
55.在一个实施例中，如图2所示，第一电极层140设置在所述凸起结构层130和所述第一像素界定层120的远离所述衬底基板110的一侧，所述第一电极层还包括所述反射部142。也就是说，第一电极在衬底基板110上的正投影大于开口区的底部，第一电极在衬底基板110上的正投影超出开口区底部的部分位于第一像素界定层120的侧壁121上并形成反射部142。
56.在一种实施方式中，如图2所示，显示基板还包括第二像素界定层170，第二像素界定层170位于第一电极层140与有机发光层之间。所述第二像素界定层位于所述第一电极之外的区域，所述反射部在所述衬底基板110上的正投影位于所述第二像素界定层在所述衬底基板110上的正投影内。从而，第二像素界定层可以将反射部142覆盖，避免反射部142与对应的阴极之间的有机发光层发光，使得反射部142可以反射光线但无法起到阳极的效果。
57.反射部142可以反射光线但无法起到阳极的效果，因此，反射部142对应的有机发光层不会发出光线，从而，反射部142可以起到将相邻两个oled器件隔离的效果，避免像素间串扰。
58.在一种实施方式中，第一像素界定层120在垂直于衬底基板110方向上的最大尺寸h2大于或等于凸起结构131在垂直于衬底基板110方向上的最大尺寸h1。也即第一像素界定层120的侧壁121在垂直于衬底基板110方向上的最大高度大于或等于凸起结构131在垂直于衬底基板110方向上的最大高度。从而，当在侧壁121上形成反射部142时，反射部142相对于衬底基板110的最大高度可以大于h1，从而，反射部142可以将更多的由第一电极凸起反射的光线反射回开口区。
59.示例性地，凸起结构131在垂直于衬底基板110方向上的最大尺寸h1可以为第一像素界定层120在垂直于衬底基板110方向上的最大尺寸h2的2/3至3/4。
60.在一种实施方式中，如图2所示，显示基板还可以包括封装层180，封装层180位于第二电极层160远离衬底基板110的一侧。第一像素界定层120中侧壁121与凸起结构131之间形成凹陷，封装层180在该凹陷位置形成了类凸透镜结构。当光线通过封装层180时，该类凸透镜结构可以进一步将光线进行汇聚，提高正向出光效率，降低光串扰。
61.在一种实施方式中，如图3所示，本技术还提供了一种显示基板的制备方法，用以制备本技术实施例中通过改变阳极层结构以提高顶发光oled器件的光取出效率的显示基板，该显示基板的制备方法具体包括：
62.步骤s310：在衬底基板的一侧形成第一像素界定层和凸起结构层，第一像素界定层设置有多个开口区，凸起结构层包括多个凸起结构，凸起结构位于开口区；其中，第一像素界定层和凸起结构层采用一次掩膜工艺形成；
63.步骤s320：在凸起结构层的远离衬底基板的一侧形成第一电极层，第一电极层包括第一电极，凸起结构在衬底基板上的正投影位于第一电极在衬底基板上的正投影内；
64.步骤s330：在第一电极层和第一像素界定层的背离衬底基板的一侧形成有机发光层；
65.步骤s340：在有机发光层的背离衬底基板的一侧形成第二电极层。
66.其中，在步骤s310中，第一像素界定层和凸起结构层也可以采用一次掩膜工艺同时形成，两者可以为同一种光刻胶，也可以为同一种无机物质，例如氧化硅、氮化硅等透明、容易刻蚀或者成形的材质，也可以先制备第一像素界定层，通过第一像素界定层在衬底基板上限定出多个开口区后，再分别于各开口区中制备与其一一对应的凸起结构，以形成包括多个凸起结构的凸起结构层。
67.在步骤s320中，第一像素界定层和凸起结构层制备完成后，可以在两者远离衬底基板的一侧制备第一电极层(阳极层)，第一电极层中同样包括与凸起结构层中各凸起结构一一对应的多个第一电极，且凸起结构在衬底基板上的正投影位于第一电极在衬底基板上的正投影内，从而使得与每个凸起结构对应的第一电极中形成了与凸起结构形状相适应的阳极凸起，第一电极层中也包含了多个分别与凸起结构层中凸起结构相对应的阳极凸起，增大了阳极层的面积，使得正常发光时的等效电流密度减小，可以提升器件寿命参数。
68.在一种实施方式中，步骤s310中制备的第一像素界定层邻近开口区的侧壁与衬底基板表面之间的角度为50
°
～90
°
，第一电极层包括位于开口区的第一电极以及位于第一像素界定层的侧壁上的反射部。
69.在步骤s320中制备第一电极层后，还包括制备能够覆盖反射部的第二像素界定层，第二像素界定层可以由与第一像素界定层和凸起结构层相同的材料制备而成，第二像素界定层将反射部完全覆盖，以使得被覆盖的反射部可以反射光线而不会起到阳极的作用，反射部可以将由于凸起结构而形成的凸起部分的有机发光层发出的较大角度的光反射，从而降低了全反射的发生概率，提高了光的提取效率，同时，反射部和第二像素界定层能够起到阻隔效果，避免像素间互相串扰。
70.下面通过图2实施例中显示基板的制备过程进一步说明本公开实施例的技术方案。可以理解的是，本文中所说的“图案化”，当图案化的材质为无机材质或金属时，“图案化”包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺，当图案化的材质为有机材质时，“图案化”包括掩模曝光、显影等工艺，本文中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
71.如图2所示，在衬底基板的一侧涂覆有机材料层，采用灰色调掩膜对有机材料层进行曝光并显影，形成第一像素界定层和凸起结构层。第一像素界定层设置有多个开口区，凸起结构层包括多个凸起结构，凸起结构位于对应的开口区内。第一像素界定层具有用于限
定开口区的侧壁121。
72.如图2所示，在凸起结构层和第一像素界定层的远离衬底基板的一侧形成第一电极层，第一电极层包括第一电极和位于第一电极外围的反射部。凸起结构在衬底基板上的正投影位于第一电极在衬底基板上的正投影内，反射部位于侧壁121上。反射部与第一电极可以连接，或者，反射部与第一电极可以断开。
73.如图2所示，在第一电极层的背离衬底基板的一侧形成有机发光层。
74.在有机发光层的背离衬底基板的一侧形成第二电极层。
75.在第二电极层的背离衬底基板的一侧形成封装层。
76.在一个实施例中，本公开实施例中的oled器件可以包括叠层设置的r-oled、g-oled和b-oled，也就是说，该oled为tandem-woled，该oled发出白光。在其他实施例中，本公开实施例中的oled器件可以为单个oled，可以发出红、绿或蓝光。
77.本技术实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括上述中任一实施例的显示基板100。
78.本技术实施例中，显示装置包括上述任一实施例中的显示基板。其中，显示装置包括但不限于手机、平板电脑、显示器、电视机、画屏、广告屏、电子纸等。由于显示装置包括上述显示基板，因此显示装置具有上述显示基板所具有的全部优点。
79.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
80.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
81.上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
82.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

技术特征：
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板；第一像素界定层，设置在所述衬底基板的一侧，所述第一像素界定层设置有多个开口区；凸起结构层，设置在所述衬底基板的朝向所述第一像素界定层的一侧，所述凸起结构层包括多个凸起结构，所述凸起结构位于所述开口区；第一电极层，设置在所述凸起结构层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层包括第一电极，所述凸起结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影内；有机发光层，位于所述第一电极层和所述第一像素界定层的背离所述衬底基板的一侧；第二电极层，位于所述有机发光层的背离所述衬底基板的一侧。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的最大尺寸与所述凸起结构在所述衬底基板上的正投影的最大尺寸的比值范围为0.8～1.2。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素界定层在垂直于所述衬底基板方向上的最大尺寸大于或等于所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的最大尺寸。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凸起结构在所述衬底基板上的正投影的面积大于所述开口区在所述衬底基板上的正投影的面积的二分之一。5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凸起结构的侧边与所述衬底基板所在平面的夹角为40
°‑
60
°
。6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素界定层具有用于限定出所述开口区的侧壁，所述显示基板还包括围绕所述第一电极设置且位于所述侧壁表面的反射部，所述反射部位于所述第一像素界定层与所述有机发光层之间。7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述侧壁与所述衬底基板表面之间的角度为50
°
～90
°
。8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极层设置在所述凸起结构层和所述第一像素界定层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层还包括所述反射部，所述显示基板还包括第二像素界定层，所述第二像素界定层位于所述第一电极层与所述有机发光层之间，所述第二像素界定层位于所述第一电极之外的区域，所述反射部在所述衬底基板上的正投影位于所述第二像素界定层在所述衬底基板上的正投影内。9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板的一侧形成第一像素界定层和凸起结构层，所述第一像素界定层设置有多个开口区，所述凸起结构层包括多个凸起结构，所述凸起结构位于所述开口区；其中，所述第一像素界定层和所述凸起结构层采用一次掩膜工艺形成；在所述凸起结构层的远离所述衬底基板的一侧形成第一电极层，所述第一电极层包括第一电极，所述凸起结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影内；
在所述第一电极层和所述第一像素界定层的背离所述衬底基板的一侧形成有机发光层；在所述有机发光层的背离所述衬底基板的一侧形成第二电极层。10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的显示基板。

技术总结
本申请实施例提供一种显示基板及其制备方法和显示装置，该显示基板包括衬底基板；第一像素界定层，设置在衬底基板的一侧，第一像素界定层设置有多个开口区；凸起结构层，设置在衬底基板的朝向第一像素界定层的一侧，凸起结构层包括多个凸起结构，凸起结构位于开口区；第一电极层，设置在凸起结构层和第一像素界定层的远离衬底基板的一侧，第一电极层包括第一电极，凸起结构在衬底基板上的正投影位于第一电极在衬底基板上的正投影内；有机发光层，位于第一电极层和第一像素界定层的背离衬底基板的一侧；第二电极层，位于有机发光层的背离衬底基板的一侧。根据本申请的技术，使得正常发光时的等效电流密度减小，改善像素间的漏电和串扰。漏电和串扰。漏电和串扰。


技术研发人员：申永奇 尤娟娟 许程 周丹丹
受保护的技术使用者：北京京东方技术开发有限公司
技术研发日：2023.06.27
技术公布日：2023/9/7