一种封装结构的制作方法

1.本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种封装结构。


背景技术：

2.集成电路芯片正朝着微小化、高密度、高功率、高速的趋势发展。
3.但是，高功率运算会导致集成电路芯片产生较高的热量，微小化和高密度又会导致集成电路芯片的散热能力差，若集成电路芯片内温度过高，则集成电路芯片的性能会降低，以及使用寿命会缩短。


技术实现要素：

4.以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
5.本公开的第一方面，提供了一种封装结构，包括：
6.基板；
7.芯片结构，设置在所述基板上；
8.散热结构，设置在所述基板上；
9.塑封料，设置在所述基板上，且包覆所述芯片结构和所述散热结构；
10.其中，所述散热结构包括：
11.至少一个第一导热结构，设置在所述基板上，且竖直延伸至所述塑封料的顶部；
12.第二导热结构，设置在所述第一导热结构上，所述第二导热结构平行于所述基板，且所述第二导热结构位于所述塑封料内。
13.在一些实施例中，所述第一导热结构包括：
14.第一导热体，设置在所述基板上；
15.第二导热体，设置在所述第一导热体上，且延伸至所述塑封料的顶部；
16.其中，所述第一导热体的尺寸大于或等于所述第二导热体的尺寸。
17.在一些实施例中，所述第二导热结构上包括通孔，所述通孔的尺寸大于或等于所述第二导热体的尺寸。
18.在一些实施例中，所述第二导热结构位于所述芯片结构上，且所述通孔与所述芯片结构之间存在间隙。
19.在一些实施例中，所述通孔位于所述第一导热结构与所述第二导热结构的交接处。
20.在一些实施例中，所述第一导热结构包括多个所述第二导热体，多个所述第二导热体共用所述第二导热结构。
21.在一些实施例中，所述第一导热体插设和/或焊接在所述基板中。
22.在一些实施例中，所述第二导热结构的尺寸小于或等于所述第一导热体的尺寸。
23.在一些实施例中，所述芯片结构包括：
24.第一芯片，设置在所述基板上，通过第一引线电连接所述基板；
25.第二芯片，设置在所述第一芯片上，通过第二引线电连接所述基板；
26.其中，所述第二导热结构位于所述第一引线和所述第二引线之间，或者，所述第二导热结构位于所述第一引线或所述第二引线下方。
27.在一些实施例中，所述散热结构包括两个所述第一导热结构，两个所述第一导热结构横跨所述芯片结构，所述第一导热结构与所述芯片结构之间存在间隙。
28.本公开提供的封装结构中，将第一导热结构设置于基板并且第一导热结构竖直延伸至塑封料的顶部，利于基板以及芯片结构中的热量经过第一导热结构传导至塑封料外部；第二导热结构与第一导热结构相连且平行于基板设置，使得芯片结构产生的热量还能够依次通过第二导热结构和第一导热结构传递至塑封料外部，以降低封装结构的温度，减小功耗、提升性能。
29.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
30.并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
31.图1是根据是一示例性实施例示出的一种半导体封装结构的示意图。
32.图2是图1中a区域的放大图。
33.图3是根据是一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
34.图4是根据一示例性实施例示出的一种散热结构的示意图。
35.图5是根据另一示例性实施例示出的一种散热结构的示意图。
36.图6是根据又一示例性实施例示出的一种散热结构的示意图。
37.图7是根据一示例性实施例示出的一种初始封装结构的示意图。
38.图8是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
39.图9是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
40.图10是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
41.图11是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
42.图12是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
43.图13是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
44.图14是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
45.图15是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
46.图16是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
47.图17是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
48.图18是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
49.图19是根据一示例性实施例示出的一种封装结构的示意图。
50.附图标记：
51.100、散热结构；100a、散热结构一；100b、散热结构二；100c、散热结构三；
52.10、第一导热结构；10a、第一导热体；10b、第二导热体；11、顶部；12、底部；
53.20、第二导热结构；21、通孔；
54.30、平面板；31、第一区域；32、第二区域；33、切割线；
55.200、基板；40、安装孔；50、安装槽；
56.300、芯片结构；60、裸片；61、第一芯片；62、第二芯片；70、黏合膜；80、键合引线；81、第一引线；82、第二引线；
57.400、塑封料。
具体实施方式
58.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
59.为了解决相关技术中存在的问题，本公开实施例提供了一种封装结构，封装结构包括基板、芯片结构、散热结构和塑封料，散热结构包括至少一个第一导热结构，第一导热结构设置于基板上，且竖直延伸至塑封料的顶部，散热结构还包括第二导热结构，第二导热结构与第一导热结构相连，且第二导热结构平行于基板设置。本公开中，将第一导热结构设置于基板并且第一导热结构竖直延伸至塑封料的顶部，利于基板以及芯片结构中的热量经过第一导热结构传导至塑封料外部；第二导热结构与第一导热结构相连且平行于基板设置，使得芯片结构产生的热量还能够依次通过第二导热结构和第一导热结构传递至塑封料外部，以降低封装结构的温度，减小功耗、提升性能。
60.本公开示例性的实施例中，如图1至图3所示，本公开实施例提供了一种封装结构，封装结构比如动态随机存取存储器(dynamic random access memory，简称为dram)、静态随机存取存储器(static random access memory，简称为sram)。封装结构也可以为动态随机存取存储器与系统级芯片(system on chip，简称为soc)形成的叠层封装(package on package，简称为pop)结构。
61.如图1至图3所示，封装结构包括基板200(substrate)以及设置于基板200上的芯片结构300。基板200是一类用于承载芯片的线路板，具有高密度、高精度、高性能、小型化以及轻薄化的特点，用于对芯片结构300提供支撑、散热和保护作用，同时也可为芯片结构300提供电气连接。
62.参考图1，并结合图19，封装结构还包括设置于基板200上的塑封料400，塑封料400包覆芯片结构300，塑封料400能够抵抗外接环境的溶剂、湿气和物理冲击，以保护芯片结构300不受外界环境的影响，以及使得芯片结构300与外界环境电绝缘。其中，塑封料400可以采用模塑法(molding method)进行包装密封，模塑法可以包括传递模塑法(transfer molding)、真空模塑法(compression molding)和压缩模塑法。模塑法使用的材料通常为环氧树脂模塑料(epoxy molding compound，简称emc)，emc主要原料为树脂基材料，其余成份包括填料和硬化剂。粉末状环氧树脂熔化后，在175℃能够溶解成凝胶状态，凝胶状态下粘度会变小。当温度降低后，环氧树脂将进行固化，温度越低粘度越高。当温度降低到预设阈
值时硬度和粘度较高，从而环氧树脂能够与周围的印刷电路板(printed circuit board，简称pcb)、引线框(lead frame)、导线、晶片等牢固得粘结连接。其中，emc固化后，封装结构投入使用时，若封装结构,的温度波动，emc能够随着封装结构的内部器件一同膨胀和收缩。
63.参考图1、图2和图19，本公开实施例提供的封装结构还包括散热结构100，散热结构100设置于基板200上且被塑封料400包覆。
64.参考图4至图6，散热结构100包括至少一个第一导热结构10，第一导热结构10设置于基板200上，且第一导热结构10竖直延伸至塑封料400的顶部。可以理解的是，封装结构处于工作状态时，基板200中将会产生热量从而形成高温区域，通过设置与基板200相连且能够延伸至塑封料400顶部的第一导热结构10，使得基板200中的热量能够通过第一导热结构10传导至塑封料400外部，散热结构100的导热系数相比于塑封料400更高，从而提高了封装结构内的降温效率。
65.继续参考图4至图6，散热结构100还包括第二导热结构20，第二导热结构20与第一导热结构10相连，并且第二导热结构20平行于基板200。可以理解的是，平行于基板200设置的第二导热结构20靠近芯片结构300的顶面，从而芯片结构300产生的热量能够依次通过第二导热结构20和第一导热结构10传导至塑封料400的外部，以快速降低芯片结构300的温度。
66.在一个示例中(附图未示出)，散热结构100包括一个第一导热结构10和一个第二导热结构20，第一导热结构10和第二导热结构20呈t型设置。
67.在另一个示例中，如图4至图6所示，散热结构100包括两个第一导热结构10和一个第二导热结构20，两个第一导热结构10分设于第二导热结构20的两端部。第一导热结构10与第二导热结构20可以采用焊接、卡接等方式形成连接，也可以为一体成型。其中，第一导热结构10和第二导热结构20的材质导热性能良好，包括但不限于铜(au)、银(ag)、金(au)、石墨烯、石墨、碳纤维等。
68.其中，参考图4至图6，两个第一导热结构10与第二导热结构20呈h型设置，第一导热结构10和第二导热结构20之间具有约90
°
的夹角，夹角比如可以具有
±5°
的误差允许范围。
69.本公开实施例中，将第一导热结构10设置于基板200并且第一导热结构10竖直延伸至塑封料400的顶部，利于基板200以及芯片结构300中的热量经过第一导热结构10传导至塑封料400外部；第二导热结构20与第一导热结构10相连且平行于基板200设置，使得芯片结构300产生的热量还能够依次通过第二导热结构20和第一导热结构10传递至塑封料400外部，以降低封装结构的温度，减小功耗、提升性能。
70.在一个示例性实施例中，如图1至图3所示，封装结构包括基板200、芯片结构300、散热结构100和塑封料400，散热结构100包括至少一个第一导热结构10，第一导热结构10设置于基板200上，且竖直延伸至塑封料400的顶部，散热结构100还包括第二导热结构20，第二导热结构20与第一导热结构10相连，且第二导热结构20平行于基板200设置。
71.本公开实施例中，如图4至图6所示，散热结构100的第一导热结构10包括第一导热体10a以及与第一导热体10a相连的第二导热体10b。装配状态下，第一导热体10a与基板200相连，第二导热体10b与第一导热体10a的远离基板200的一端相连，第二导热体10b的远离第一导热体10a的一端能够延伸至塑封料400的顶部。
72.第一导热体10a的尺寸大于或等于第二导热体10b的尺寸。参考图5，第一导热体10a的尺寸(图1中所示x方向)大于或等于第二导热体10b的尺寸，可以使得第一导热体10a与基板200和芯片结构300可以具有更大的正对面积，从而提升热传导效率。
73.参考图5和图6，第二导热结构20呈板状，且第二导热结构20上设置有尺寸大于或等于第二导热体10b的通孔21，通过在板状的第一导热结构10和第二导热结构20的连接位置处设置通孔21，比如，在对封装结构进行包装密封形成塑封料400时，可以使得用于形成塑封料400的凝胶状态的emc能够通过通孔21流动至散热结构100的下方，以便于完全填充封装结构的内部空间，避免散热结构100影响塑封料400的结构。
74.在一个可选地实施方式中，将第二导热结构20设置成与芯片结构300的顶部贴合以提高热传导效率时，可以将第二导热结构20的通孔21设置成与芯片结构300之间存在间隙，也就是说，通孔21在基板200上的投影与芯片结构300在基板200上的投影至少部分不重叠，从而emc能够通过通孔21到达第二导热结构20的下方，以提高塑封料400对芯片结构300的侧面覆盖率，提高塑封料400对芯片结构300的保护效果。
75.其中，第二导热结构20上的通孔21可以设置于第一导热结构10与第二导热结构20的交接处，从而散热结构100的制作方法比如可以包括如下步骤：
76.首先，提供一个平面板30，平面板30包括第一区域31，以及分设于第一区域31的两侧的两个第二区域32，第一区域31与第二区域32的连接位置处设置有切割线33，每个切割线33可以呈u型，且u型切割线33的开口朝向第二区域32。然后，可以将平面板30的第二区域32相对第一区域31进行翻折，翻折方向参考图5和图6中所示a方向以及b方向，翻折角度比如85
°
～95
°
。翻折过程中，u型切割线33围住的结构将会跟随第二区域32一起进行翻折，可以确定的是，翻折完成后，被u型切割线33围住的结构位于第一区域31的上方(图5中所示z方向)，第二区域32位于第一区域31的下方，也就是说，第一区域31构成第二导热结构20，被u型切割线33围住的结构构成第二导热体10b(后文有详细介绍)，第二区域32构成第一导热体10a(后文有详细介绍)，第一导热体10a和第二导热体10b构成第一导热结构10。
77.由上可知，通过在第二导热结构20上设置通孔21，从而可以制作一体成型的平面板30，再对平面板30进行翻折以得到h型的散热结构100100，简化了散热结构100100的制作流程、降低了工艺难度，并且，一体成型的工艺生产效率高、良品率高。
78.在一个示例性实施例中，如图1至图3所示，封装结构包括基板200、芯片结构300、散热结构100和塑封料400，散热结构100包括至少一个第一导热结构10，第一导热结构10设置于基板200上，且竖直延伸至塑封料400的顶部，散热结构100还包括第二导热结构20，第二导热结构20与第一导热结构10相连，且第二导热结构20平行于基板200设置。
79.第一导热结构10包括第一导热体10a和第二导热体10b。
80.参考图4至图6，第一导热结构10包括多个第二导热体10b，多个第二导热体10b与同一个第二导热结构20相连，也即，多个第二导热体10b共用第二导热结构20。通过增加第二导热体10b的数量，可以使得散热结构100与外界环境之间具有更大的接触面积，利于提高散热结构100与外界环境之间的热交换效率。
81.参考图1和图3，第一导热结构10的第一导热体10a可以采用插设或焊接的方式与基板200形成连接。
82.在一个示例中，参考图1和图3，基板200的顶面设置有安装孔40，安装孔40比如可
以为盲孔，盲孔沿基板200的厚度方向(图3中所示z方向)向基板200中凹陷，当第一导热体10a呈柱状时，第一导热体10a的底部能够伸入至盲孔中，散热结构100通过插设的方式与基板200形成连接。
83.在另一个示例中，参考图1和图3，基板200的顶面设置有安装槽50，安装槽50沿基板200的厚度方向(图3中所示z方向)向基板200中凹陷，当第一导热体10a呈板状时，第一导热体10a的底部能够伸入至安装槽50中，散热结构100通过插设的方式与基板200形成连接。
84.在又一个示例中，参考图1和图3，第一导热体10a的底部可以通过焊接的方式与基板200形成连接。比如，第一导热体10a可以直接与基板200焊接连接，又比如，第一导热体10a也可以插设于基板200的安装孔40或安装槽50的同时进行焊接，以提高安装可靠性和准确性。
85.其中，在图1中所示x方向上，第二导热结构20的尺寸小于或等于第一导热体10a的尺寸。可以理解的是，在第二导热结构20对芯片结构300的顶面进行散热的同时，第二导热结构20也会对塑封料400的填充产生阻挡，比如导致第二芯片62芯片结构300的侧面、第二导热结构20的下方未被塑封料400完全填充，因此，可以适当减小第二导热结构20的尺寸，以减小或避免第二导热结构20的下方未被塑封料400填充，利于提高塑封效果。
86.在一个示例性实施例中，如图1至图3所示，封装结构包括基板200、芯片结构300、散热结构100和塑封料400，散热结构100包括至少一个第一导热结构10，第一导热结构10设置于基板200上，且竖直延伸至塑封料400的顶部，散热结构100还包括第二导热结构20，第二导热结构20与第一导热结构10相连，且第二导热结构20平行于基板200设置。
87.本公开实施例提供的封装结构可以包括上述各个实施例提供的任意结构。
88.参考图1至图3，芯片结构300包括堆叠设置的多个裸片60(die)，裸片60又称裸晶，其是以半导体材料制作而成未经封装的一小块集成电路的本体，该集成电路能够实现既定功能。相邻的裸片60之间，以及裸片60与封装基板200之间设置有黏合膜70，黏合膜70比如可以为daf(die attach film)膜，采用daf膜将裸片60粘接连接，利于实现半导体封装结构积层化和薄型化。
89.本公开实施例中，参考图1至图3，示例性地示出了芯片结构300包括第一芯片61和第二芯片62，第一芯片61设置在基板200上，第一芯片61与基板200之间通过第一引线81形成电连接，第二芯片62设置于第一芯片61上，第二芯片62与基板200之间通过第二引线82形成电连接。
90.其中，键合引线80(包括第一引线81和第二引线82)中传输信号时，部分能量会以电磁波的形式向外辐射从而对周围的键合引线80的信号质量。在芯片结构300的厚度方向上，散热结构100的第二导热结构20可以设置于相邻的两个键合引线80(第一引线81和第二引线82)之间，以将键合引线80向外辐射的能量吸收掉，从而减小键合引线80之间产生干扰，提高了键合引线80之间的隔离度，利于改善s(scatter)参数。例如，封装结构的工作频率为6400mhz时，其1/4波长约为11.7mm，因此，可以将第二导热结构20的长度设置成约11.7mm。
91.在此，需要说明的是，需要使用导电金属材料制作第一导热结构10，以使得第一导热结构10具有吸收辐射能量的功能。
92.在一个实施例中，参考图7，当散热结构100设置于基板200的键合引线80区域时，
散热结构100在y方向上的尺寸可以设置成小于芯片结构300在y方向上的尺寸，以减小封装结构在y方向上的尺寸，利于后续封装。
93.在一些实施例中，参考图1和图4，第一导热结构10和第二导热结构20可以均呈柱状。
94.参考图1示出了一种散热结构100，可以理解的是，由柱状的第一导热结构10和第二导热结构20构成的散热结构100尺寸(图1中所示x方向)较小，因此，装配状态下，可以沿图1中所示x方向间隔排布多个散热结构100，以使得散热结构100能够与芯片结构300的大部分区域正对，从而提高对芯片结构300的降温效果。
95.在另一些实施例中，参考图5和图6，第一导热结构10和第二导热结构20可以均呈板状。
96.参考图5，示出了一种具有板状第一导热结构10和板状第二导热结构20的散热结构100，第一导热结构10和第二导热结构20在第一方向(图1中所示x方向)上的尺寸较小，板状的散热结构100设置于半导体封装结构的键合引线80对应的区域时，可以参考图5中所示柱状的散热结构100的设置方式以及设置数量。散热结构100设置于半导体封装结构的芯片结构300对应的区域时，多个散热结构100可以沿第一方向间隔排布，以覆盖芯片结构300的大部分区域，从而对芯片结构300提供可靠的散热。
97.参考图6，示出了另一种具有板状第一导热结构10和板状第二导热结构20的散热结构100，第一导热结构10和第二导热结构20在第一方向(图1中所示x方向)上的尺寸较大，比如，第一导热结构10与芯片结构300在第一方向上的尺寸相近，从而仅设置一个散热结构100即可对芯片结构300提供可靠散热。
98.在一些实施例中，参考图4至图6，并结合图19，散热结构100还包括绝缘层(附图未示出)，绝缘层包覆第一导热结构10和第二导热结构20的表面。绝缘层的材质可以包括导热硅脂、导热硅胶等。通过在第一导热结构10和第二导热结构20的表面设置绝缘层，能够避免散热结构100与键合引线80、焊盘等结构形成电连接，提升了散热结构100的可靠性。
99.在一个示例中，参考图4至图6，并结合图19，散热结构100的第一导热结构10的顶部11未被绝缘层包覆，绝缘层将会降低第一导热结构10的热交换效率，而第一导热结构10的顶部需要与外界环境接触，通过将绝缘层设置成不对第一导热结构10的顶部11进行包覆，以提高散热结构100与外界环境之间的热交换效率。
100.在另一个示例中，参考图4至图6，并结合图19，散热结构100100的第一导热结构10的底部12未被绝缘层包覆，第一导热结构10的底部12与半导体封装结构的基板200相连，通过将绝缘层设置成不对第一导热结构10的底部12进行包覆，以提高散热结构100与基板200之间的热交换效率。
101.在又一个示例中，参考图4至图6，散热结构100的第二导热结构20的顶部11和底部12可以均未被绝缘层包覆。
102.根据本公开一示例性实施例，如图8至图19所示，本公开实施例还提供了半导体封装结构的制作方法。
103.在一个实施例中，如图8至图14所示，示出了在封装结构的键合引线区域设置散热结构100，具体可以包括以下步骤：
104.步骤s101、提供初始封装结构。
105.该步骤中，参考图8，初始封装结构包括基板，以及设置于封装基板上的芯片结构。其中，基板的与芯片结构的边缘对应的区域设置有安装孔(参考图3)。
106.步骤s102、依次形成散热结构一和第一引线。
107.该步骤中，参考图9和图10，散热结构一100a的第一导热结构10的底部12伸入至基板200上的安装孔中，以与基板200形成连接。第一引线81用于电连接基板200与芯片结构300中位于最底层的第一芯片61。
108.其中，散热结构一100a的第二导热结构20的高度(图10中所示z方向)低于第一引线81。
109.步骤s103、依次形成散热结构二和第二引线。
110.第二引线82用于电连接基板200与芯片结构300中的第二芯片62。
111.该步骤中，参考图11和图12，可以采用如步骤s102中所示的方式依次形成散热结构二和第二引线。
112.其中，散热结构二100b的第二导热结构20的高度(图12中所示z方向)高于第一引线81的高度，并且，散热结构二100b的第二导热结构20的高度低于第二引线82的高度。
113.根据芯片结构中裸片的数量，可以依次更多数量的散热结构和键合引线，不过多赘述。
114.步骤s104、形成塑封料。
115.该步骤中，参考图11和图13，比如可以采用模塑法形成塑封料400，塑封料400包覆芯片结构300的侧面和顶面，以及包覆多条键合引线80和多个散热结构100。塑封料400的材质比如环氧树脂模塑料(epoxy molding compound，简称emc)。
116.其中，参考图13，塑封料的顶面高于散热结构的第一导热结构10的顶部11。
117.步骤s105、去除塑封料的部分结构，以暴露出导热结构的顶面。
118.该步骤中，参考图14，可以采用研磨(grinding)或切割等工艺去除塑封料400的部分结构，通过降低塑封料400的厚度，以暴露出导热结构100的顶面。
119.可以理解的是，通过将第一导热结构的顶面暴露出来，可以使得第一导热结构能够直接与大气环境(低温区域)接触，利于将封装结构主体内的热量传导至大气环境中，提高了热传导效率。
120.本实施例中，通过在封装结构中与键合引线对应的区域设置散热结构，散热结构能够吸收键合引线向外辐射的能量，从而避免多条键合引线之间产生相互干扰，提升了信号质量。
121.在另一个实施例中，如图15至图18所示，示出了在封装结构的芯片结构区域设置散热结构，具体可以包括以下步骤：
122.步骤s201、提供封装结构。
123.该步骤中与前述实施例中步骤s101的实现方式和原理相同，此处不再赘述。
124.其中，参考图3，基板的顶面设置有安装槽。
125.步骤s202、形成散热结构三。
126.该步骤中，参考图16，将散热结构三100c的第一导热结构10插入至安装槽中，以与基板形成连接。
127.步骤s203、形成塑封料。
128.参考图17，该步骤与前述实施例中步骤s104的实现方式和原理相同，此处不再赘述。
129.步骤s204、去除密封结构的部分结构，以暴露出导热结构的顶面。
130.参考图18，该步骤与前述实施例中步骤s105的实现方式和原理相同，此处不再赘述。
131.本实施例中，通过在半导体封装结构中与芯片结构对应的区域设置散热结构，芯片结构中的裸片产生的热量能够经由散热结构传导至塑封料的顶面。
132.在又一个实施例中，参考图19，半导体封装结构的与芯片结构对应的区域，以及与键合引线对应的区域均可以设置散热结构。
133.本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
134.在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“示例性的实施例”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施方式或示例中。
135.在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
136.在本公开的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
137.可以理解的是，本公开所使用的术语“第一”、“第二”等可在本公开中用于描述各种结构，但这些结构不受这些术语的限制。这些术语仅用于将第一个结构与另一个结构区分。
138.在一个或多个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的多个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的结构。在下文中描述了本公开的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本公开。但正如本领域技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本公开。
139.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。

技术特征：
1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板；芯片结构，设置在所述基板上；散热结构，设置在所述基板上；塑封料，设置在所述基板上，且包覆所述芯片结构和所述散热结构；其中，所述散热结构包括：至少一个第一导热结构，设置在所述基板上，且竖直延伸至所述塑封料的顶部；第二导热结构，设置在所述第一导热结构上，所述第二导热结构平行于所述基板，且所述第二导热结构位于所述塑封料内。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一导热结构包括：第一导热体，设置在所述基板上；第二导热体，设置在所述第一导热体上，且延伸至所述塑封料的顶部；其中，所述第一导热体的尺寸大于或等于所述第二导热体的尺寸。3.根据权利要求1-2任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第二导热结构上包括通孔，所述通孔的尺寸大于或等于所述第二导热体的尺寸。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第二导热结构位于所述芯片结构上，且所述通孔与所述芯片结构之间存在间隙。5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述通孔位于所述第一导热结构与所述第二导热结构的交接处。6.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一导热结构包括多个所述第二导热体，多个所述第二导热体共用所述第二导热结构。7.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一导热体插设和/或焊接在所述基板中。8.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二导热结构的尺寸小于或等于所述第一导热体的尺寸。9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片结构包括：第一芯片，设置在所述基板上，通过第一引线电连接所述基板；第二芯片，设置在所述第一芯片上，通过第二引线电连接所述基板；其中，所述第二导热结构位于所述第一引线和所述第二引线之间，或者，所述第二导热结构位于所述第一引线或所述第二引线下方。10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热结构包括两个所述第一导热结构，两个所述第一导热结构横跨所述芯片结构，所述第一导热结构与所述芯片结构之间存在间隙。

技术总结
本公开提供了一种封装结构，封装结构包括基板、芯片结构、散热结构和塑封料，散热结构包括至少一个第一导热结构，第一导热结构设置于基板上，且竖直延伸至塑封料的顶部，散热结构还包括第二导热结构，第二导热结构与第一导热结构相连，且第二导热结构平行于基板设置。本公开中，将第一导热结构设置于基板并且第一导热结构竖直延伸至塑封料的顶部，利于基板以及芯片结构中的热量经过第一导热结构传导至塑封料外部；第二导热结构与第一导热结构相连且平行于基板设置，使得芯片结构产生的热量还能够依次通过第二导热结构和第一导热结构传递至塑封料外部，以降低封装结构的温度，减小功耗、提升性能。提升性能。提升性能。


技术研发人员：潘涛 任振徽
受保护的技术使用者：长鑫科技集团股份有限公司
技术研发日：2023.07.21
技术公布日：2023/9/9