一种大尺寸铜靶材及其制备方法和用途与流程

1.本发明属于靶材制备技术领域，涉及一种大尺寸铜靶材及其制备方法和用途。


背景技术：

2.随着人们生活水平的提高和经济的发展，对平面显示器的要求越来越高，主要表现在平面显示器的大型化方面和质量方面，这就要求溅射薄膜具有更高的均匀性以及更低的电阻率，因而寻找具有更高电导率和更好的抗电迁移特性的材料，成为未来发展的方向。与目前应用较为广泛的传统铝材料相比，铜具材料有更高的电导率和更好的抗电迁移特性，因此，铜靶代替铝靶是一种发展趋势，铜靶已成为平面显示器发展领域不可或缺的材料。
3.由于铜材料的硬度相对较小，铜靶材面积较大时，在磁控溅射过程中容易产生形变，从而导致铜镀膜品质下降，而大尺寸铜靶材对晶粒组织的均匀性要求较高，所以对靶坯的塑性变形热处理工艺有着较高的要求。目前，靶材的加工制备通常采用锻造、热轧、冷轧等加工方式，再经热处理及必要的机械加工，以制备出符合要求的靶材产品，但传统的操作步骤往往难以有效调节靶材内部的组织结构，难以控制靶材晶粒尺寸的均一性，从而无法保证溅射镀膜时薄膜的均匀性。因此，如何生产出组织均匀，晶粒细小，内部无缺陷的大尺寸铜靶材是生产的难点。
4.cn 112063976a公开了一种超高纯铜靶材及其晶粒控制方法，该方法包括：将超高纯铜制件进行热锻处理，冷却后进行结晶热处理；将处理后的铜制件进行冷锻处理，然后再次进行结晶热处理，再经轧制得到超高纯铜靶材。该方法通过对铜制件的热锻和冷锻处理，并在两次锻造后均进行再结晶，以控制超高纯铜靶材的晶粒尺寸，但该工艺主要针对于传统铜靶材的制备，不一定能够适用于大尺寸铜靶材的制备，两者对靶材的要求有所不同。
5.cn 111604651a公开了一种大尺寸高纯铜旋转靶材的制备方法，该方法包括：选择铸锭后进行加热、锻造，冷却后进行车削，将两端部车平，成为挤压用坯料，再加热后进行加压与拉伸，再结晶退火后精整，经检验得到合适的管材。该方法制备的旋转靶材为管状靶材，其形状与平面靶材不同，两者的制备工艺及需要控制的结构特征并不相同，不一定能够通用。
6.综上所述，对于大尺寸铜靶材的制备工艺，还需要根据靶材材质的特性、结构特征及应用需求，控制其工艺步骤，尤其是对工艺参数进行调控，以优化其内部组织结构，控制晶粒尺寸的大小及均匀性，提高后续镀膜性能的均匀稳定。


技术实现要素：

7.针对现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种大尺寸铜靶材及其制备方法和用途，所述方法根据靶材的材质选择合适的制备工艺，通过对热锻及热处理工艺的控制，优化靶材的内部组织结构，控制其再结晶过程及晶粒尺寸的均匀性，从而保证镀膜的均匀性。
8.为达此目的，本发明采用以下技术方案：
9.第一方面，本发明提供了一种大尺寸铜靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
10.将含铜锭材依次进行一次热锻和一次热处理，然后重复所述热锻、热处理过程至少一次，再经冷轧和退火处理，得到大尺寸铜靶材。
11.本发明中，对于含铜锭材，尤其是高纯铜锭，根据其材料特性，先进行一次热锻，细化粗大晶粒，得到致密的金属组织，提高金属的力学性能，然后进行一次热处理，主要消除锻造内应力，驱动晶粒进行再结晶，尤其是之后重复进行热锻、热处理过程，保证晶粒及组织结构的均匀性；之后进行冷轧处理，控制冷变形量，对铜锭进行成形，最后经过退火处理，完成最后的再结晶过程，保证靶材内部组织结构均匀、无缺陷，从而能够提高靶材溅射时镀膜的均匀性，提高镀膜的质量；所述方法操作简单，能够一体化制备大尺寸的铜靶材，所需成本较低，应用范围较广。
12.以下作为本发明优选的技术方案，但不作为本发明提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好地达到和实现本发明的技术目的和有益效果。
13.作为本发明优选的技术方案，所述含铜锭材包括高纯铜锭。
14.优选地，所述高纯铜锭的纯度为4n以上，例如4n、4n5、4n8、5n或5n5等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
15.作为本发明优选的技术方案，所述含铜锭材一次热锻前先进行加热。
16.优选地，所述加热在电阻式加热炉中进行。
17.优选地，所述加热的温度为600～900℃，例如600℃、650℃、700℃、750℃、800℃、850℃或900℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
18.优选地，所述加热后的保温时间为30～120min，例如30min、40min、50min、60min、80min、100min或120min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
19.本发明中，锭材锻造前进行加热，主要是为了方便锭材发生变形，降低锻造的难度，而加热的温度的选择，主要是基于铜的性质和加热原理，针对铜制品的热加工温度一般需要在500℃以上。
20.优选地，所述保温结束后进行锻造，所述锻造的重复次数为2次以上，例如2次、3次或4次等。
21.优选地，每次锻造的锻造比为1.0～2.5，例如1.0、1.2、1.5、1.8、2.0、2.2或2.5等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
22.本发明中，所述锻造一次是指镦粗后再拔长的一个完整过程，所述锻造比是锻造时金属变形程度的一种表示方法，是指锻造拔长或镦粗前后长度方向或横截面方向的比值。
23.优选地，所述一次热锻完成后冷却降温至常温，所述冷却的方式为水冷。
24.作为本发明优选的技术方案，所述一次热处理的温度为350～550℃，例如350℃、375℃、400℃、420℃、450℃、480℃、500℃、520℃、或550℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
25.优选地，所述一次热处理的保温时间为90～150min，例如90min、100min、110min、
120min、130min、140min或150min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
26.优选地，所述一次热处理保温结束后冷却降温至常温，所述常温通常是指20～30℃范围，例如20℃、22℃、25℃、27℃或30℃等，所述冷却的方式为水冷。
27.作为本发明优选的技术方案，所述热锻、热处理过程重复的次数为1次或2次。
28.优选地，所述热锻、热处理过程重复1次时，依次进行二次热锻和二次热处理。
29.优选地，所述热锻、热处理过程重复2次时，依次进行二次热锻、二次热处理、三次锻造和三次热处理。
30.优选地，所述热锻、热处理过程重复进行时的工艺与一次热锻和一次热处理相同。
31.作为本发明优选的技术方案，所述冷轧的总变形量为冷轧前厚度的65～85％，例如65％、68％、70％、72％、75％、78％、80％、82％或85％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
32.优选地，每道次冷轧的变形量为5～15％，例如5％、6％、8％、10％、12％、14％或15％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
33.本发明中，在常温条件下进行锭材的轧制，根据铜的材质选择，控制单道次下压量，若单道次下压量过大，则会导致产品开裂，存在报废风险；若单道次下压量过小，则会由于变形量不够，晶粒尺寸无法达到要求，且轧制效率降低。
34.优选地，所述冷轧后得到的铜坯料的长度为1700～2600mm，例如1700mm、1800mm、1900mm、2000mm、2100mm、2200mm、2300mm、2400mm、2500mm或2600mm等，宽度为1500～2000mm，例如1500mm、1600mm、1700mm、1800mm、1900mm或2000mm等，厚度为15～25mm，例如15mm、16mm、18mm、20mm、22mm、24mm或25mm等，但并不仅限于所列举的数值，在各自数值范围内其他未列举的数值同样适用。
35.本发明中，所述大尺寸铜靶材是相对于目前市场上常用的铜靶材而言的，其尺寸参数通常为长度2600～3000mm，宽度200～250mm，厚度20～25mm，基本呈长条形，而根据本发明中铜坯料的尺寸，其宽度明显大于常规的铜靶材，趋近于正方形，整体尺寸较大，称之为大尺寸铜靶材。
36.作为本发明优选的技术方案，所述退火处理的温度为200～350℃，例如200℃、220℃、250℃、270℃、300℃、320℃或350℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
37.优选地，所述退火处理的保温时间为30～120min，例如30min、40min、50min、60min、80min、100min或120min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
38.优选地，所述退火处理保温结束后冷却降温至常温，所述冷却的方式为水冷。
39.作为本发明优选的技术方案，所述退火处理后再进行机械加工。
40.优选地，所述机械加工包括铣削加工。
41.优选地，所述机械加工将铜靶材加工至要求的形状及尺寸。
42.作为本发明优选的技术方案，所述制备方法包括以下步骤：
43.将含铜锭材依次进行一次热锻和一次热处理，所述含铜锭材包括高纯铜锭，其纯度在4n以上，所述含铜锭材一次热锻前先进行加热，所述加热的温度为600～900℃，加热后
的保温时间为30～120min；所述保温结束后进行锻造，所述锻造的重复次数为2次以上，每次锻造的锻造比为1.0～2.5，一次热锻完成后水冷降温至常温；
44.所述一次热处理的温度为350～550℃，保温时间为90～150min，保温结束后水冷降温至常温；然后重复所述热锻、热处理过程，重复的次数为1～2次，重复进行时的工艺与一次热锻和一次热处理相同；
45.再经冷轧和退火处理，所述冷轧的总变形量为冷轧前厚度的65～85％，每道次冷轧的下压量为5～15％，所述冷轧后得到的铜坯料的长度为1700～2600mm，宽度为1500～2000mm，厚度为15～25mm；所述退火处理的温度为200～350℃，保温时间为30～120min，保温结束后水冷降温至常温；再进行机械加工，所述机械加工包括铣削加工，得到大尺寸铜靶材。
46.第二方面，本发明提供了一种采用上述制备方法得到的大尺寸铜靶材，所述大尺寸铜靶材的晶粒尺寸为50μm以下，例如50μm、45μm、40μm、35μm、32μm、30μm、28μm、25μm或20μm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为25～35μm。
47.优选地，所述大尺寸铜靶材的纯度为4n以上，例如4n、4n5、4n8、5n或5n5等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
48.第三方面，本发明提供了上述大尺寸铜靶材的用途，所述大尺寸铜靶材用于lcd面板的制作。
49.与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
50.(1)本发明所述方法根据靶材材质的选择及结构尺寸的要求，选择合适的制备工艺，通过对热锻及热处理工艺的控制，尤其是重复进行热锻、热处理过程，优化靶材的内部组织结构，控制其再结晶过程及晶粒尺寸的均匀性，晶粒尺寸可控制在50μm以下，从而能够提高靶材溅射时镀膜的均匀性，提高镀膜的质量；
51.(2)本发明所述方法操作简单，可有效解决一体式大尺寸铜靶材的制造问题，所需成本较低，应用范围较广。
具体实施方式
52.为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，下面对本发明进一步详细说明。但下述的实施例仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明保护范围以权利要求书为准。
53.本发明具体实施方式部分提供了一种大尺寸铜靶材及其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：
54.将含铜锭材依次进行一次热锻和一次热处理，然后重复所述热锻、热处理过程至少一次，再经冷轧和退火处理，得到大尺寸铜靶材。
55.以下为本发明典型但非限制性实施例：
56.实施例1：
57.本实施例提供了一种大尺寸铜靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
58.将含铜锭材依次进行一次热锻和一次热处理，所述含铜锭材为高纯铜锭，其纯度为4n，所述含铜锭材一次热锻前先进行加热，所述加热的温度为750℃，加热后的保温时间
为80min；所述保温结束后进行锻造，所述锻造的重复次数为2次，每次锻造的锻造比为1.8，一次热锻完成后水冷降温至常温；
59.所述一次热处理的温度为450℃，保温时间为120min，保温结束后水冷降温至常温；然后重复所述热锻、热处理过程，重复的次数为1次，重复进行时的工艺与一次热锻和一次热处理相同；
60.再经冷轧和退火处理，所述冷轧的总变形量为冷轧前厚度的75％，每道次冷轧的下压量为10％，所述冷轧后得到的铜坯料的长度为2100mm，宽度为1800mm，厚度为20mm；所述退火处理的温度为300℃，保温时间为60min，保温结束后水冷降温至常温；再进行机械加工，所述机械加工为铣削加工，得到大尺寸铜靶材。
61.本实施例中，采用上述方法制备大尺寸铜靶材，所得靶材组织结构均匀无缺陷，晶粒大小分布均匀，其尺寸控制在25～35μm范围内，有助于控制镀膜的均匀性，保证膜性能均匀稳定。
62.实施例2：
63.本实施例提供了一种大尺寸铜靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
64.将含铜锭材依次进行一次热锻和一次热处理，所述含铜锭材为高纯铜锭，其纯度为4n5，所述含铜锭材一次热锻前先进行加热，所述加热的温度为600℃，加热后的保温时间为120min；所述保温结束后进行锻造，所述锻造的重复次数为3次，每次锻造的锻造比为1.2，一次热锻完成后水冷降温至常温；
65.所述一次热处理的温度为350℃，保温时间为150min，保温结束后水冷降温至常温；然后重复所述热锻、热处理过程，重复的次数为2次，重复进行时的工艺与一次热锻和一次热处理相同；
66.再经冷轧和退火处理，所述冷轧的总变形量为冷轧前厚度的85％，每道次冷轧的下压量为15％，所述冷轧后得到的铜坯料的长度为2600mm，宽度为2000mm，厚度为15mm；所述退火处理的温度为200℃，保温时间为120min，保温结束后水冷降温至常温；再进行机械加工，所述机械加工为铣削加工，得到大尺寸铜靶材。
67.本实施例中，采用上述方法制备大尺寸铜靶材，所得靶材组织结构均匀无缺陷，晶粒大小分布均匀，其尺寸控制在30～40μm范围内，有助于控制镀膜的均匀性，保证膜性能均匀稳定。
68.实施例3：
69.本实施例提供了一种大尺寸铜靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
70.将含铜锭材依次进行一次热锻和一次热处理，所述含铜锭材为高纯铜锭，其纯度为4n，所述含铜锭材一次热锻前先进行加热，所述加热的温度为900℃，加热后的保温时间为30min；所述保温结束后进行锻造，所述锻造的重复次数为2次，每次锻造的锻造比为2.5，一次锻造完成后水冷降温至常温；
71.所述一次热处理的温度为550℃，保温时间为90min，保温结束后水冷降温至常温；然后重复所述热锻、热处理过程，重复的次数为1次，重复进行时的工艺与一次热锻和一次热处理相同；
72.再经冷轧和退火处理，所述冷轧的总变形量为冷轧前厚度的65％，每道次冷轧的下压量为5％，所述冷轧后得到的铜坯料的长度为1700mm，宽度为1500mm，厚度为25mm；所述
退火处理的温度为350℃，保温时间为30min，保温结束后水冷降温至常温；再进行机械加工，所述机械加工为铣削加工，得到大尺寸铜靶材。
73.本实施例中，采用上述方法制备大尺寸铜靶材，所得靶材组织结构均匀无缺陷，晶粒大小分布均匀，其尺寸控制在25～35μm范围内，有助于控制镀膜的均匀性，保证膜性能均匀稳定。
74.实施例4：
75.本实施例提供了一种大尺寸铜靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
76.将含铜锭材依次进行一次热锻和一次热处理，所述含铜锭材为高纯铜锭，其纯度为5n，所述含铜锭材一次热锻前先进行加热，所述加热的温度为700℃，加热后的保温时间为90min；所述保温结束后进行锻造，所述锻造的重复次数为2次，每次锻造的锻造比为2.0，一次锻造完成后水冷降温至常温；
77.所述一次热处理的温度为500℃，保温时间为100min，保温结束后水冷降温至常温；然后重复所述热锻、热处理过程，重复的次数为2次，重复进行时的工艺与一次热锻和一次热处理相同；
78.再经冷轧和退火处理，所述冷轧的总变形量为冷轧前厚度的70％，每道次冷轧的下压量为7％，所述冷轧后得到的铜坯料的长度为2000mm，宽度为1600mm，厚度为22mm；所述退火处理的温度为250℃，保温时间为90min，保温结束后水冷降温至常温；再进行机械加工，所述机械加工为铣削加工，得到大尺寸铜靶材。
79.本实施例中，采用上述方法制备大尺寸铜靶材，所得靶材组织结构均匀无缺陷，晶粒大小分布均匀，其尺寸控制在25～40μm范围内，有助于控制镀膜的均匀性，保证膜性能均匀稳定。
80.实施例5：
81.本实施例提供了一种大尺寸铜靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
82.将含铜锭材依次进行一次热锻和一次热处理，所述含铜锭材为高纯铜锭，其纯度为4n，所述含铜锭材一次热锻前先进行加热，所述加热的温度为800℃，加热后的保温时间为60min；所述保温结束后进行锻造，所述锻造的重复次数为3次，每次锻造的锻造比为1.5，一次锻造完成后水冷降温至常温；
83.所述一次热处理的温度为400℃，保温时间为135min，保温结束后水冷降温至常温；然后重复所述热锻、热处理过程，重复的次数为1次，重复进行时的工艺与一次热锻和一次热处理相同；
84.再经冷轧和退火处理，所述冷轧的总变形量为冷轧前厚度的78％，每道次冷轧的下压量为13％，所述冷轧后得到的铜坯料的长度为2400mm，宽度为1900mm，厚度为18mm；所述退火处理的温度为270℃，保温时间为75min，保温结束后水冷降温至常温；再进行机械加工，所述机械加工为铣削加工，得到大尺寸铜靶材。
85.本实施例中，采用上述方法制备大尺寸铜靶材，所得靶材组织结构均匀无缺陷，晶粒大小分布均匀，其尺寸控制在28～36μm范围内，有助于控制镀膜的均匀性，保证膜性能均匀稳定。
86.对比例1：
87.本对比例提供了一种大尺寸铜靶材的制备方法，所述制备方法参照实施例1中的
方法，区别仅在于：含铜锭材只经过一次热锻和一次热处理，未再重复进行热锻、热处理，之后直接进行冷轧和退火处理。
88.本对比例中，由于铜的材料特性，只经过一次热锻和一次热处理，材料内部变形不充分，晶粒组织未完全破碎，造成内部组织结构和晶粒的均匀性较差，此时的晶粒尺寸范围可达到30～80μm，用于磁控溅射时镀膜的均匀性较差，且由于晶粒不均匀，轧制过程中容易开裂。
89.综合上述实施例和对比例可以看出，本发明所述方法根据靶材材质的选择及结构尺寸的要求，选择合适的制备工艺，通过对热锻及热处理工艺的控制，尤其是重复进行热锻、热处理过程，优化靶材的内部组织结构，控制其再结晶过程及晶粒尺寸的均匀性，晶粒尺寸控制在50μm以下，从而能够提高靶材溅射时镀膜的均匀性，提高镀膜的质量；所述方法操作简单，可有效解决一体式大尺寸铜靶材的制造问题，所需成本较低，应用范围较广。
90.本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明方法的等效替换及辅助步骤的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

技术特征：
1.一种大尺寸铜靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：将含铜锭材依次进行一次热锻和一次热处理，然后重复所述热锻、热处理过程至少一次，再经冷轧和退火处理，得到大尺寸铜靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含铜锭材包括高纯铜锭；优选地，所述高纯铜锭的纯度为4n以上。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述含铜锭材一次热锻前先进行加热；优选地，所述加热在电阻式加热炉中进行；优选地，所述加热的温度为600～900℃；优选地，所述加热后的保温时间为30～120min；优选地，所述保温结束后进行锻造，所述锻造的重复次数为2次以上；优选地，每次锻造的锻造比为1.0～2.5；优选地，所述一次热锻完成后冷却降温至常温，所述冷却的方式为水冷。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述一次热处理的温度为350～550℃；优选地，所述一次热处理的保温时间为90～150min；优选地，所述一次热处理保温结束后冷却降温至常温，所述冷却的方式为水冷。5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述热锻、热处理过程重复的次数为1～2次；优选地，所述热锻、热处理过程重复1次时，依次进行二次热锻和二次热处理；优选地，所述热锻、热处理过程重复2次时，依次进行二次热锻、二次热处理、三次热锻和三次热处理；优选地，所述热锻、热处理过程重复进行时的工艺与一次热锻和一次热处理相同。6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述冷轧的总变形量为冷轧前厚度的65～85％；优选地，每道次冷轧的变形量为5～15％；优选地，所述冷轧后得到的铜坯料的长度为1700～2600mm，宽度为1500～2000mm，厚度为15～25mm。7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为200～350℃；优选地，所述退火处理的保温时间为30～120min；优选地，所述退火处理保温结束后冷却降温至常温，所述冷却的方式为水冷；优选地，所述退火处理后再进行机械加工；优选地，所述机械加工包括铣削加工；优选地，所述机械加工将铜靶材加工至要求的形状及尺寸。8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：将含铜锭材依次进行一次热锻和一次热处理，所述含铜锭材包括高纯铜锭，其纯度在4n以上，所述含铜锭材一次热锻前先进行加热，所述加热的温度为600～900℃，加热后的保
温时间为30～120min；所述保温结束后进行锻造，所述锻造的重复次数为2次以上，每次锻造的锻造比为1.0～2.5，一次热锻完成后水冷降温至常温；所述一次热处理的温度为350～550℃，保温时间为90～150min，保温结束后水冷降温至常温；然后重复所述热锻、热处理过程，重复的次数为1～2次，重复进行时的工艺与一次热锻和一次热处理相同；再经冷轧和退火处理，所述冷轧的总变形量为冷轧前厚度的65～85％，每道次冷轧的下压量为5～15％，所述冷轧后得到的铜坯料的长度为1700～2600mm，宽度为1500～2000mm，厚度为15～25mm；所述退火处理的温度为200～350℃，保温时间为30～120min，保温结束后水冷降温至常温；再进行机械加工，所述机械加工包括铣削加工，得到大尺寸铜靶材。9.一种根据权利要求1-8任一项所述的制备方法得到的大尺寸铜靶材，其特征在于，所述大尺寸铜靶材的晶粒尺寸为50μm以下，优选为25～35μm；优选地，所述大尺寸铜靶材的纯度为4n以上。10.根据权利要求9所述的大尺寸铜靶材的用途，其特征在于，所述大尺寸铜靶材用于lcd面板的制作。

技术总结
本发明提供了一种大尺寸铜靶材及其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：将含铜锭材依次进行一次热锻和一次热处理，然后重复所述热锻、热处理过程至少一次，再经冷轧和退火处理，得到大尺寸铜靶材。本发明所述方法根据靶材材质的选择及结构尺寸的要求，选择合适的制备工艺，通过对热锻及热处理工艺的控制，尤其是重复进行热锻、热处理过程，优化靶材的内部组织结构，控制其再结晶过程及晶粒尺寸的均匀性，晶粒尺寸可控制在50μm以下，从而能够提高靶材溅射时镀膜的均匀性，提高镀膜的质量；所述方法操作简单，可有效解决一体式大尺寸铜靶材的制造问题，所需成本较低，应用范围较广。较广。


技术研发人员：姚力军 潘杰 周友平 陈勇军 余婷
受保护的技术使用者：宁波江丰电子材料股份有限公司
技术研发日：2023.06.30
技术公布日：2023/9/9