降低多核分布式压控振荡器Kvco的电路结构的制作方法

降低多核分布式压控振荡器kvco的电路结构
技术领域
1.本公开涉及射频技术领域，尤其涉及一种降低多核分布式压控振荡器kvco的电路结构。


背景技术：

2.压控振荡器是锁相环pll的重要组成部分，起着提供本振频率的作用，一般要求其频率稳定度好、调频范围宽、控制灵敏度高、压控增益小，此外，压控振荡器对锁相环的远端相位噪声影响较大，因此对压控振荡器的相位噪声要求也越来越高，压控振荡器的压控增益对锁相环的环路带宽也有一定的影响，随着射频通信技术的发展，对压控振荡器的设计要求越来越高。
3.系统级芯片soc的持续发展，使多核分布式压控振荡器的优势越来越明显，与传统多核振荡器相比，多核分布式压控振荡器的频率范围能达到70％-90％，多核振荡还可以改善分布式振荡器的相位噪声，理想情况下，n核耦合可以降低10logn db的相位噪声。
4.以往的具有电容开关结构的压控振荡器设计重点在优化相位噪声性能上，忽略了电容开关阵列结构对压控增益kvco的影响。传统的具有电容开关阵列结构的压控振荡器，存在以下问题：
5.过小的电容开关阵列，无法达到预期调谐范围；过大的电容开关阵列，电容odd模式与电容even模式之间的频率差距较大，需要较大的kvco来满足频率覆盖，这会引起am-pm调制，进而使相位噪声性能变差，因此如何降低kvco是一个值得思考的问题。


技术实现要素：

6.本公开提供了一种降低多核分布式压控振荡器kvco的电路结构。
7.根据本公开的第一方面，提供了一种降低多核分布式压控振荡器kvco的电路结构。该电路包括：
8.第一压控振荡器vco、第二压控振荡器vco、第三压控振荡器vco、第四压控振荡器vco、第一电容切换开关sw
c1
模块、第二电容切换开关sw
c2
模块、第一电感切换开关sw
l1
模块、第二电感切换开关sw
l2
模块、第一电容模式c
mode
模块、第二电容模式c
mode
模块、第三电容模式c
mode
模块、第四电容模式c
mode
模块，其中，
9.第一压控振荡器vco、第二压控振荡器vco、第三压控振荡器vco、第四压控振荡器vco沿顺时针方向依次排列；
10.第一压控振荡器vco包括：第一负阻-gm模块、第一可变电容c
var
模块、第一电容阵列c
tank
模块；
11.第二压控振荡器vco包括：第二负阻-gm模块、第二可变电容c
var
模块、第二电容阵列c
tank
模块；
12.第三压控振荡器vco包括：第三负阻-gm模块、第三可变电容c
var
模块、第三电容阵列c
tank
模块；
13.第四压控振荡器vco包括：第四负阻-gm模块、第四可变电容c
var
模块、第四电容阵列c
tank
模块；
14.第一负阻-gm模块通过第一电感切换开关sw
l1
模块与第二负阻-gm模块连接；
15.第二负阻-gm模块通过第二电容切换开关sw
c2
模块与第三负阻-gm模块连接；
16.第三负阻-gm模块通过第二电感切换开关sw
l2
模块与第四负阻-gm模块连接；
17.第四负阻-gm模块通过第一电容切换开关sw
c1
模块与第一负阻-gm模块连接；
18.第一电容模式c
mode
模块、第一电容切换开关sw
c1
模块、第二电容模式c
mode
模块由左至右依次并联；
19.第三电容模式c
mode
模块、第二电容切换开关sw
c2
模块、第四电容模式c
mode
模块由左至右依次并联。
20.在第一方面的一些可实现方式中，第一可变电容c
var
模块、第二可变电容c
var
模块、第三可变电容c
var
模块、第四可变电容c
var
模块，分别包括：
21.外部接入信号vtune、共模电压vcm信号、第一电阻r1、第二电阻r2、第一电容c1、第二电容c2、第一可变电容cvar1、第二可变电容cvar2；其中，
22.共模电压vcm信号连接第一电阻r1和第二电阻r2的一端；
23.外部接入信号vtune连接第一可变电容cvar1和第二可变电容cvar2的一端；
24.第一电阻r1的另一端连接第一电容c1的一端和第一可变电容cvar1的另一端；
25.第二电阻r2的另一端连接第二电容c2的一端和第二可变电容cvar2的另一端；
26.第一电容c1的另一端和所述第二电容c2的另一端连接外部电路。
27.在第一方面的一些可实现方式中，第一电容阵列c
tank
模块、第二电容阵列c
tank
模块、第三电容阵列c
tank
模块、第四电容阵列c
tank
模块，分别包括：反相器、第三电阻r3、第四电阻r4、第三电容c3、第四电容c4、第三mos管m3；其中，
28.反相器的输入端连接第三电阻r3和第四电阻r4的一端；
29.反相器的输出端连接第三mos管m3的栅极；
30.第三电阻r3的另一端连接第三电容c3的一端和第三mos管m3的漏极；
31.第四电阻r4的另一端连接第四电容c4的一端和第三mos管m3的源极；
32.第三电容c3的另一端和所述第四电容c4的另一端连接外部电路。
33.在第一方面的一些可实现方式中，第一负阻-gm模块、第二负阻-gm模块、第三负阻-gm模块、第四负阻-gm模块，分别包括：电流源、第一mos管m1、第二mos管m2；其中，
34.电流源的正极连接第一mos管m1、第二mos管m2的源极；
35.电流源的负极连接地；
36.第一mos管m1的栅极连接第二mos管m2的漏极；
37.第一mos管m1的漏极连接第二mos管m2的栅极。
38.在第一方面的一些可实现方式中，第一电容模式c
mode
模块、第二电容模式c
mode
模块、第三电容模式c
mode
模块、第四电容模式c
mode
模块，分别包括：4bit电容阵列csw、切换开关sw、固定电容cf、第六电容c6；其中，
39.4bit电容阵列csw的一端连接切换开关sw的一端；
40.4bit电容阵列csw的另一端连接固定电容cf的一端；
41.固定电容cf的另一端连接第六电容c6的一端；
42.第六电容c6的另一端连接切换开关sw的另一端。
43.在第一方面的一些可实现方式中，第一电容切换开关sw
c1
模块包括四个电容切换开关sw
c1
1、sw
c1
2、sw
c1
3、sw
c1
4；
44.第二电容切换开关sw
c2
模块包括四个电容切换开关sw
c2
1、sw
c2
2、sw
c2
3、sw
c2
4；
45.进一步地，通过电容切换开关的选择，实现电容odd、even模式的切换；
46.第一电感切换开关sw
l1
模块包括四个电感切换开关sw
l1
1、sw
l1
2、sw
l1
3、sw
l1
4；
47.第二电感切换开关sw
l2
模块包括四个电感切换开关sw
l2
1、sw
l2
2、sw
l2
3、sw
l2
4；
48.进一步地，通过电感切换开关的选择，实现电感odd、even模式的切换。
49.在第一方面的一些可实现方式中，通过所述电容切换开关的选择，实现电容odd、even模式的切换，包括：
50.电容切换开关sw
c1
3、sw
c1
4、sw
c2
1、sw
c2
2工作，其他电容切换开关断开，实现电容odd模式；
51.电容切换开关sw
c1
1、sw
c1
2、sw
c2
3、sw
c2
4工作，其他电容切换开关断开，实现电容even模式；
52.通过所述电感切换开关的选择，实现电感odd、even模式的切换，包括：
53.电感切换开关sw
l1
3、sw
l1
4、sw
l2
1、sw
l2
2工作，其他电感切换开关断开，实现电感odd模式；
54.电感切换开关sw
l1
1、sw
l1
2、sw
l2
3、sw
l2
4工作，其他电感切换开关断开，实现电感even模式。
55.在本公开中，通过第一压控振荡器vco、第二压控振荡器vco、第三压控振荡器vco、第四压控振荡器vco振荡产生所需频段，选择电容切换开关和电感切换开关，实现电容odd、even模式与电感odd、even模式的切换，在电容odd模式下，电容模式c
mode
模块将覆盖频段划分为几个小频段，再利用电容阵列c
tank
模块将每个小频段进一步划分为更小的频段，这样可以降低压控增益kvco，进而减小由kvco过大而引起的am-pm调制效应，降低相位噪声，同时保证了振荡器的调谐范围，满足了锁相环的应用需求，可以更便捷的选择锁相环的环路带宽从而满足用户需求。
56.应当理解，发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。
附图说明
57.结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。附图用于更好地理解本方案，不构成对本公开的限定在附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素，其中：
58.图1示出了根据本公开实施例提供的一种降低多核分布式压控振荡器kvco的电路结构的电路图；
59.图2示出了根据本公开实施例提供的电容模式c
mode
模块的改进结构框图；
60.图3示出了根据本公开实施例提供的多核分布式压控振荡器的各个工作模式的切换框图。
具体实施方式
61.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的全部其他实施例，都属于本公开保护的范围。
62.另外，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
63.针对背景技术中提到的问题，本公开实施例提供了一种降低多核分布式压控振荡器kvco的电路结构。具体地，通过第一压控振荡器vco、第二压控振荡器vco、第三压控振荡器vco、第四压控振荡器vco振荡产生所需频段，选择电容切换开关和电感切换开关，实现电容odd、even模式与电感odd、even模式的切换，在电容odd模式下，电容模式c
mode
模块将覆盖频段划分为几个小频段，再利用电容阵列c
tank
模块将每个小频段进一步划分为更小的频段，这样可以降低压控增益kvco，进而减小由kvco过大而引起的am-pm调制效应，降低相位噪声，同时保证了振荡器的调谐范围，满足了锁相环的应用需求，可以更便捷的选择锁相环的环路带宽从而满足用户需求。
64.下面结合附图，通过具体的实施例对本公开实施例提供的一种降低多核分布式压控振荡器kvco的电路结构进行详细地说明。
65.图1示出了根据本公开实施例提供的一种降低多核分布式压控振荡器kvco的电路结构的电路图。
66.如图1所示，本公开实施例提供的压控振荡器的电路结构包括：
67.第一压控振荡器vco、第二压控振荡器vco、第三压控振荡器vco、第四压控振荡器vco、第一电容切换开关sw
c1
模块、第二电容切换开关sw
c2
模块、第一电感切换开关sw
l1
模块、第二电感切换开关sw
l2
模块、第一电容模式c
mode
模块、第二电容模式c
mode
模块、第三电容模式c
mode
模块、第四电容模式c
mode
模块，其中，
68.第一压控振荡器vco、第二压控振荡器vco、第三压控振荡器vco、第四压控振荡器vco沿顺时针方向依次排列；
69.第一压控振荡器vco包括：第一负阻-gm模块、第一可变电容c
var
模块、第一电容阵列c
tank
模块；
70.第二压控振荡器vco包括：第二负阻-gm模块、第二可变电容c
var
模块、第二电容阵列c
tank
模块；
71.第三压控振荡器vco包括：第三负阻-gm模块、第三可变电容c
var
模块、第三电容阵列c
tank
模块；
72.第四压控振荡器vco包括：第四负阻-gm模块、第四可变电容c
var
模块、第四电容阵列c
tank
模块；
73.第一负阻-gm模块通过第一电感切换开关sw
l1
模块与第二负阻-gm模块连接；
74.第二负阻-gm模块通过第二电容切换开关sw
c2
模块与第三负阻-gm模块连接；
75.第三负阻-gm模块通过第二电感切换开关sw
l2
模块与第四负阻-gm模块连接；
76.第四负阻-gm模块通过第一电容切换开关sw
c1
模块与第一负阻-gm模块连接；
77.第一电容模式c
mode
模块、第一电容切换开关sw
c1
模块、第二电容模式c
mode
模块由左至右依次并联；
78.第三电容模式c
mode
模块、第二电容切换开关sw
c2
模块、第四电容模式c
mode
模块由左至右依次并联。
79.在一些实施例中，第一可变电容c
var
模块、第二可变电容c
var
模块、第三可变电容c
var
模块、第四可变电容c
var
模块，分别包括：
80.外部接入信号vtune、共模电压vcm信号、第一电阻r1、第二电阻r2、第一电容c1、第二电容c2、第一可变电容cvar1、第二可变电容cvar2；具体地，
81.共模电压vcm信号连接第一电阻r1和第二电阻r2的一端；
82.外部接入信号vtune连接第一可变电容cvar1和第二可变电容cvar2的一端；
83.第一电阻r1的另一端连接第一电容c1的一端和第一可变电容cvar1的另一端；
84.第二电阻r2的另一端连接第二电容c2的一端和第二可变电容cvar2的另一端；
85.第一电容c1的另一端和所述第二电容c2的另一端连接外部电路；
86.进一步地，x2模块包括多组可变电容c
var
模块。
87.在一些实施例中，第一电容阵列c
tank
模块、第二电容阵列c
tank
模块、第三电容阵列c
tank
模块、第四电容阵列c
tank
模块，分别包括：反相器、第三电阻r3、第四电阻r4、第三电容c3、第四电容c4、第三mos管m3；具体地，
88.反相器的输入端连接第三电阻r3和第四电阻r4的一端；
89.反相器的输出端连接第三mos管m3的栅极；
90.第三电阻r3的另一端连接第三电容c3的一端和第三mos管m3的漏极；
91.第四电阻r4的另一端连接第四电容c4的一端和第三mos管m3的源极；
92.第三电容c3的另一端和所述第四电容c4的另一端连接外部电路；
93.进一步地，x7模块包括多组电容阵列c
tank
模块。
94.在一些实施例中，第一负阻-gm模块、第二负阻-gm模块、第三负阻-gm模块、第四负阻-gm模块，分别包括：电流源、第一mos管m1、第二mos管m2；具体地，
95.电流源的正极连接第一mos管m1、第二mos管m2的源极；
96.电流源的负极连接地；
97.第一mos管m1的栅极连接第二mos管m2的漏极；
98.第一mos管m1的漏极连接第二mos管m2的栅极。
99.在一些实施例中，第一电容模式c
mode
模块、第二电容模式c
mode
模块、第三电容模式c
mode
模块、第四电容模式c
mode
模块，分别包括：4bit电容阵列csw、切换开关sw、固定电容cf、第六电容c6。
100.在一些实施例中，第一电容切换开关sw
c1
模块包括四个电容切换开关sw
c1
1、sw
c1
2、sw
c1
3、sw
c1
4；
101.第二电容切换开关sw
c2
模块包括四个电容切换开关sw
c2
1、sw
c2
2、sw
c2
3、sw
c2
4；
102.第一电感切换开关sw
l1
模块包括四个电感切换开关sw
l1
1、sw
l1
2、sw
l1
3、sw
l1
4；
103.第二电感切换开关sw
l2
模块包括四个电感切换开关sw
l2
1、sw
l2
2、sw
l2
3、sw
l2
4；
104.具体地，电感切换开关sw
l1
1的一端连接第一负阻-gm模块、电容切换开关sw
c1
3和sw
c1
2的一端，另一端连接第二负阻-gm模块、电容切换开关sw
c2
2和sw
c2
3的一端；
105.电感切换开关sw
l1
2的一端连接第一负阻-gm模块、电容切换开关sw
c1
4和sw
c1
1的一端，另一端连接第二负阻-gm模块、电容切换开关sw
c2
1和sw
c2
4的一端；
106.电感切换开关sw
l1
3的一端连接第二负阻-gm模块、电容切换开关sw
c2
2和sw
c2
3的一端，另一端连接第一负阻-gm模块、电容切换开关sw
c1
4和sw
c1
1的一端；
107.电感切换开关sw
l1
4的一端连接第二负阻-gm模块、电容切换开关sw
c2
1和sw
c2
4的一端，另一端连接第一负阻-gm模块、电容切换开关sw
c1
3和sw
c1
2的一端；
108.电容切换开关sw
c1
1的另一端连接第四负阻-gm模块、电感切换开关sw
l2
4和sw
l2
1的一端；
109.电容切换开关sw
c1
2的另一端连接第四负阻-gm模块、电感切换开关sw
l2
3和sw
l2
2的一端；
110.电容切换开关sw
c1
3的另一端连接第四负阻-gm模块、电感切换开关sw
l2
4和sw
l2
1的一端；
111.电容切换开关sw
c1
4的另一端连接第四负阻-gm模块、电感切换开关sw
l2
3和sw
l2
2的一端；
112.电感切换开关sw
l2
1的另一端连接第三负阻-gm模块、电容切换开关sw
c2
1和sw
c2
3的另一端；
113.电感切换开关sw
l2
2的另一端连接第三负阻-gm模块、电容切换开关sw
c2
2和sw
c2
4的另一端；
114.电感切换开关sw
l2
3的另一端连接第三负阻-gm模块、电容切换开关sw
c2
1和sw
c2
3的另一端；
115.电感切换开关sw
l2
4的另一端连接第三负阻-gm模块、电容切换开关sw
c2
2和sw
c2
4的另一端；
116.进一步地，通过电容切换开关的选择，实现电容odd、even模式的切换；通过电感切换开关的选择，实现电感odd、even模式的切换。
117.图2示出了根据本公开实施例提供的电容模式c
mode
模块的改进结构框图。
118.如图2所示，电容模式c
mode
模块由一个固定电容c5改进为4bit电容阵列csw、切换开关sw、固定电容cf、第六电容c6组成的结构，具体地，
119.4bit电容阵列csw的一端连接切换开关sw的一端；
120.4bit电容阵列csw的另一端连接固定电容cf的一端；
121.固定电容cf的另一端连接第六电容c6的一端；
122.第六电容c6的另一端连接切换开关sw的另一端；
123.进一步地，改进后的电容模式c
mode
模块中，多个层叠的矩形框包括多组4bit电容阵列csw。
124.在一些实施例中，改进后的电容模式c
mode
模块可以进行可配置的频段划分。
125.图3示出了根据本公开实施例提供的多核分布式压控振荡器的各个工作模式的切换框图。
126.如图3所示，多核分布式压控振荡器的工作模式包括：电容odd、电感even模式，电容even、电感even模式，电容odd、电感odd模式，电容even、电感odd模式；其中，
127.电容odd、电感even模式包括：
128.电感切换开关sw
l1
1、sw
l1
2、sw
l2
3、sw
l2
4和电容切换开关sw
c1
3、sw
c1
4、sw
c2
1、sw
c2
2工作，其他电感切换开关和电容切换开关断开；
129.电容even、电感even模式包括：
130.电感切换开关sw
l1
1、sw
l1
2、sw
l2
3、sw
l2
4和电容切换开关sw
c1
1、sw
c1
2、sw
c2
3、sw
c2
4工作，其他电感切换开关和电容切换开关断开；
131.电容odd、电感odd模式包括：
132.电感切换开关sw
l1
3、sw
l1
4、sw
l2
1、sw
l2
2和电容切换开关sw
c1
3、sw
c1
4、sw
c2
1、sw
c2
2工作，其他电感切换开关和电容切换开关断开；
133.电容even、电感odd模式包括：
134.电感切换开关sw
l1
3、sw
l1
4、sw
l2
1、sw
l2
2和电容切换开关sw
c1
1、sw
c1
2、sw
c2
3、sw
c2
4工作，其他电感切换开关和电容切换开关断开。
135.在一些实施例中，电容模式c
mode
模块为一个固定电容c5时，各模式下振荡器谐振点的计算公式如下：
136.电容odd、电感even模式：
137.电容even、电感even模式：
138.电容odd、电感odd模式：
139.电容even、电感odd模式：
140.所述振荡器采用改进后的电容模式c
mode
模块后，各模式下振荡器谐振点的计算公式如公式(5)(6)(7)(8)所示，
141.电容odd、电感even模式：
142.电容even、电感even模式：
143.电容odd、电感odd模式：
144.电容even、电感odd模式：
145.电容even模式下，c
mode
模块被短路，因此所述振荡器工作在电容odd模式，在此模式下，频带被4bit电容阵列c
sw
划分为5段，每一段可由振荡器电容阵列c
tank
[6:0]进行覆盖，从而减小了kvco和由kvco过大产生非线性引起的am-pm调制效应。
[0146]
根据本公开的实施例，实现了以下技术效果：
[0147]
通过第一压控振荡器vco、第二压控振荡器vco、第三压控振荡器vco、第四压控振荡器vco振荡产生所需频段，选择电容切换开关和电感切换开关，实现电容odd、even模式与电感odd、even模式的切换，在电容odd模式下，电容模式c
mode
模块将覆盖频段划分为几个小频段，再利用电容阵列c
tank
模块将每个小频段进一步划分为更小的频段，这样可以降低压
控增益kvco，进而减小由kvco过大而引起的am-pm调制效应，降低相位噪声，同时保证了振荡器的调谐范围，满足了锁相环的应用需求，可以更便捷的选择锁相环的环路带宽从而满足用户需求。
[0148]
需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本公开并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本公开，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于可选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本公开所必须的。
[0149]
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本公开中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本公开公开的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
[0150]
上述具体实施方式，并不构成对本公开保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本公开的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本公开保护范围之内。

技术特征：
1.一种降低多核分布式压控振荡器kvco的电路结构，其特征在于，包括：第一压控振荡器vco、第二压控振荡器vco、第三压控振荡器vco、第四压控振荡器vco、第一电容切换开关sw
c1
模块、第二电容切换开关sw
c2
模块、第一电感切换开关sw
l1
模块、第二电感切换开关sw
l2
模块、第一电容模式c
mode
模块、第二电容模式c
mode
模块、第三电容模式c
mode
模块、第四电容模式c
mode
模块；所述第一压控振荡器vco、第二压控振荡器vco、第三压控振荡器vco、第四压控振荡器vco沿顺时针方向依次排列；所述第一压控振荡器vco包括：第一负阻-g
m
模块、第一可变电容c
var
模块、第一电容阵列c
tank
模块；所述第二压控振荡器vco包括：第二负阻-g
m
模块、第二可变电容c
var
模块、第二电容阵列c
tank
模块；所述第三压控振荡器vco包括：第三负阻-g
m
模块、第三可变电容c
var
模块、第三电容阵列c
tank
模块；所述第四压控振荡器vco包括：第四负阻-g
m
模块、第四可变电容c
var
模块、第四电容阵列c
tank
模块；所述第一负阻-g
m
模块通过第一电感切换开关sw
l1
模块与第二负阻-g
m
模块连接；所述第二负阻-g
m
模块通过第二电容切换开关sw
c2
模块与第三负阻-g
m
模块连接；所述第三负阻-g
m
模块通过第二电感切换开关sw
l2
模块与第四负阻-g
m
模块连接；所述第四负阻-g
m
模块通过第一电容切换开关sw
c1
模块与第一负阻-g
m
模块连接；所述第一电容模式c
mode
模块、第一电容切换开关sw
c1
模块、第二电容模式c
mode
模块由左至右依次并联；所述第三电容模式c
mode
模块、第二电容切换开关sw
c2
模块、第四电容模式c
mode
模块由左至右依次并联。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一可变电容c
var
模块、第二可变电容c
var
模块、第三可变电容c
var
模块、第四可变电容c
var
模块，分别包括：外部接入信号vtune、共模电压vcm信号、第一电阻r1、第二电阻r2、第一电容c1、第二电容c2、第一可变电容cvar1、第二可变电容cvar2；所述共模电压vcm信号连接第一电阻r1和第二电阻r2的一端；所述外部接入信号vtune连接第一可变电容cvar1和第二可变电容cvar2的一端；所述第一电阻r1的另一端连接第一电容c1的一端和第一可变电容cvar1的另一端；所述第二电阻r2的另一端连接第二电容c2的一端和第二可变电容cvar2的另一端；所述第一电容c1的另一端和所述第二电容c2的另一端连接外部电路。3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一电容阵列c
tank
模块、第二电容阵列c
tank
模块、第三电容阵列c
tank
模块、第四电容阵列c
tank
模块，分别包括：反相器、第三电阻r3、第四电阻r4、第三电容c3、第四电容c4、第三mos管m3；所述反相器的输入端连接第三电阻r3和第四电阻r4的一端；所述反相器的输出端连接第三mos管m3的栅极；所述第三电阻r3的另一端连接第三电容c3的一端和第三mos管m3的漏极；所述第四电阻r4的另一端连接第四电容c4的一端和第三mos管m3的源极；
所述第三电容c3的另一端和所述第四电容c4的另一端连接外部电路。4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一负阻-g
m
模块、第二负阻-g
m
模块、第三负阻-g
m
模块、第四负阻-g
m
模块，分别包括：电流源、第一mos管m1、第二mos管m2；所述电流源的正极连接第一mos管m1、第二mos管m2的源极；所述电流源的负极连接地；所述第一mos管m1的栅极连接第二mos管m2的漏极；所述第一mos管m1的漏极连接第二mos管m2的栅极。5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一电容模式c
mode
模块、第二电容模式c
mode
模块、第三电容模式c
mode
模块、第四电容模式c
mode
模块，分别包括：4bit电容阵列csw、切换开关sw、固定电容cf、第六电容c6；所述4bit电容阵列csw的一端连接切换开关sw的一端；所述4bit电容阵列csw的另一端连接固定电容cf的一端；所述固定电容cf的另一端连接第六电容c6的一端；所述第六电容c6的另一端连接切换开关sw的另一端。6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一电容切换开关sw
c1
模块包括四个电容切换开关sw
c1
1、sw
c1
2、sw
c1
3、sw
c1
4；所述第二电容切换开关sw
c2
模块包括四个电容切换开关sw
c2
1、sw
c2
2、sw
c2
3、sw
c2
4；通过所述电容切换开关的选择，实现电容odd、even模式的切换；所述第一电感切换开关sw
l1
模块包括四个电感切换开关sw
l1
1、sw
l1
2、sw
l1
3、sw
l1
4；所述第二电感切换开关sw
l2
模块包括四个电感切换开关sw
l2
1、sw
l2
2、sw
l2
3、sw
l2
4；通过所述电感切换开关的选择，实现电感odd、even模式的切换。7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，通过所述电容切换开关的选择，实现电容odd、even模式的切换，包括：电容切换开关sw
c1
3、sw
c1
4、sw
c2
1、sw
c2
2工作，其他电容切换开关断开，实现电容odd模式；电容切换开关sw
c1
1、sw
c1
2、sw
c2
3、sw
c2
4工作，其他电容切换开关断开，实现电容even模式；通过所述电感切换开关的选择，实现电感odd、even模式的切换，包括：电感切换开关sw
l1
3、sw
l1
4、sw
l2
1、sw
l2
2工作，其他电感切换开关断开，实现电感odd模式；电感切换开关sw
l1
1、sw
l1
2、sw
l2
3、sw
l2
4工作，其他电感切换开关断开，实现电感even模式。

技术总结
本公开的实施例提供了一种降低多核分布式压控振荡器Kvco的电路结构；应用于射频技术领域。所述压控振荡器包括第一压控振荡器vco、第二压控振荡器vco、第三压控振荡器vco、第四压控振荡器vco、第一电容切换开关SW


技术研发人员：侯瀚林 刘志哲 刘晓东 孙迪 武海璐
受保护的技术使用者：拓维电子科技（上海）有限公司
技术研发日：2023.04.12
技术公布日：2023/9/11