一种硅麦克风的制作方法

1.本实用新型涉及电声产品技术领域，尤其涉及一种硅麦克风。


背景技术：

2.硅麦克风又称mems麦克风，是基于mems技术制造的麦克风。mems麦克风是由mems传感器、asic放大器、声腔及具有rf抑制电路的电路板成。mems传感器芯片是一个由硅振膜和硅背极板构成的微型电容器，能将声压变化转化为电容变化，然后由asic芯片降电容变化转化为电信号，实现"声—电"转换。
3.硅麦克风包括基板和金属外壳，金属外壳通过锡膏设在基板的上面，基板为pcb，基板和金属外壳之间封装了mems芯片和asic芯片。在焊接金属外壳时，经常发生熔融的锡膏沿金属外壳内侧壁，流淌至顶端聚集，容易与基板上的线路、mems芯片或asic芯片发生短路，严重影响了硅麦克风的声学性能，存在安全隐患。
4.针对上述技术问题，本领域技术人员急需设计一种硅麦克风，解决锡膏流淌集聚带来的问题。


技术实现要素：

5.针对上述不足，本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种金属外壳内壁设置疏水涂层的硅麦克风，使金属外壳在焊接过程中，疏水涂层阻止熔融的锡向上扩散，达到改善金属外壳内侧锡聚集的目的。
6.为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：
7.一种硅麦克风，包括基板及设在所述基板上的金属外壳，所述金属外壳的内至少壁设有一层疏水涂层，每层所述疏水涂层的外边缘均与所述金属外壳的外边缘之间留有间距。
8.优选方式为，每层所述疏水涂层的外边缘与所述金属外壳的外边缘之间的间距不大于所述金属外壳厚度的三分之一。
9.优选方式为，每层所述疏水涂层均为复合涂层。
10.优选方式为，所述基板的上面设有mems芯片和asic芯片，所述mems芯片和所述asic芯片电连接，所述asic芯片与所述基板电连接。
11.优选方式为，所述mems芯片和所述asic芯片正装在所述基板的上面。
12.优选方式为，所述mems芯片和所述asic芯片、所述asic芯片与所述基板分别通过金线电连接。
13.优选方式为，所述mems芯片和所述asic芯片倒装在所述基板的上面。
14.优选方式为，所述mems芯片和所述asic芯片分别粘在所述基板的上面。
15.优选方式为，所述基板上设置有音孔，所述音孔与所述mems芯片的背腔连通。
16.采用上述技术方案后，本实用新型的有益效果是：
17.由于本实用新型的硅麦克风，包括基板及设在所述基板上的金属外壳，所述金属
外壳的内壁至少设有一层疏水涂层，每层所述疏水涂层的外边缘均与所述金属外壳的外边缘之间留有间距。因金属外壳内壁设置了疏水涂层，在焊接时，融化的锡膏被疏水涂层阻断，不会在顶端集聚，从而避免与基板、mems芯片或asic芯片发生短路，进而保证了硅麦克风的声学性能，提高了安全性，且结构简单，易实现。
18.由于每层所述疏水涂层的外边缘与所述金属外壳的外边缘之间的间距不大于所述金属外壳厚度的三分之一，该间距使基板上可焊接asic芯片等。
19.由于每层所述疏水涂层均为复合涂层，提高疏水性能，可靠地防止锡膏沿金属外壳内侧壁流淌至顶端聚集。
20.综上，本实用新型解决了现有技术中硅麦克风容易发生熔融锡膏沿金属外壳内侧壁流淌至顶端聚集，影响麦克风声学性能和导致短路的技术问题；本实用新型在金属外壳内侧设置了疏水涂层，通过疏水涂层来防止锡膏沿金属外壳侧壁流淌，进而避免发生了短路的情况，保证了麦克风的声学性能，且结构简单，易实现。
附图说明
21.图1是本实用新型中硅麦克风的结构示意图；
22.图中：1-金属外壳，2-基板，3-疏水涂层，4-mems芯片，5-asic芯片，6-金线，7-音孔。
具体实施方式
23.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，且不用于限定本实用新型。
24.如图1所示，一种硅麦克风，包括基板2及设在所述基板2上的金属外壳1，基板2为pcb，金属外壳1通过锡膏设在的基板2上面，所述金属外壳1的内壁至少设有一层疏水涂层3，本实施例中设置了一层疏水涂层3，具体层数可根据实际需要设置，每层所述疏水涂层3的外边缘均与所述金属外壳1的外边缘之间留有间距a，此间距a给焊接操作预留了空间。一种优选方式为，每层所述疏水涂层3的外边缘与所述金属外壳1的外边缘之间的间距a不大于所述金属外壳1厚度b的三分之一。
25.在金属外壳1的内侧增加疏水涂层3，该疏水涂层3能够在金属外壳1在焊接过程中，阻止熔融的锡向上扩散，避免了锡膏在顶端聚集，从而避免发生短路的情况，达到改善金属外壳1内侧锡聚集的目的，保证了硅麦克风的声学性能，且结构简单，易实现。
26.本实施例中每层所述疏水涂层3均为复合涂层，复合涂层包括p、ni、c、f、o、ba、s、mg中的两种或两种以上元素。
27.如图1所示，本实施例中基板2的上面设有mems芯片4和asic芯片5，所述mems芯片4和所述asic芯片5电连接，所述asic芯片5与所述基板2电连接；所述基板2上设置有音孔7，所述音孔7与所述mems芯片4的背腔连通。
28.mems芯片4用于将声波转换为电容变化，电学芯片也成为asic芯片用于将电容变化转化为电信号，实现"声—电"转换。
29.如图1所示，本实用新型中的mems芯片4和asic芯片5，可正装在所述基板2的上面，
此时所述mems芯片4通过胶粘在基板2的上面，所述asic芯片5亦通过胶粘在所述基板2的上面，加工方便，粘接牢固。
30.正装时，所述mems芯片4和所述asic芯片5通过金线6电连接，所述asic芯片5与所述基板2分别通过另外的金线6电连接。
31.本实用新型的硅麦克风，其mems芯片4和asic芯片5可倒装在所述基板2的上面，此时mems芯片4可通过锡球焊接在基板2上，asic芯片5亦可通过锡球焊接在基板2的上面。
32.基板2的内部或表面可设置导电结构，导电结构可为导电件或印刷线路，mems芯片4通过导电结构与asic芯片5电连接，asic芯片5也通过另外的导电结构与基板2电连接。另外，导电结构可贯穿基板2，此时能够将asic芯片5的信号输出至基板2的外侧。
33.以上仅为所述本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同一种硅麦克风的改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种硅麦克风，包括基板及设在所述基板上的金属外壳，其特征在于，所述金属外壳的内壁至少设有一层疏水涂层，每层所述疏水涂层的外边缘均与所述金属外壳的外边缘之间留有间距。2.根据权利要求1所述的硅麦克风，其特征在于，每层所述疏水涂层的外边缘与所述金属外壳的外边缘之间的间距不大于所述金属外壳厚度的三分之一。3.根据权利要求1所述的硅麦克风，其特征在于，每层所述疏水涂层均为复合涂层。4.根据权利要求1至3任一项所述的硅麦克风，其特征在于，所述基板的上面设有mems芯片和asic芯片，所述mems芯片和所述asic芯片电连接，所述asic芯片与所述基板电连接。5.根据权利要求4所述的硅麦克风，其特征在于，所述mems芯片和所述asic芯片正装在所述基板的上面。6.根据权利要求5所述的硅麦克风，其特征在于，所述mems芯片和所述asic芯片、所述asic芯片与所述基板分别通过金线电连接。7.根据权利要求4所述的硅麦克风，其特征在于，所述mems芯片和所述asic芯片倒装在所述基板的上面。8.根据权利要求5所述的硅麦克风，其特征在于，所述mems芯片和所述asic芯片分别粘在所述基板的上面。9.根据权利要求4所述的硅麦克风，其特征在于，所述基板上设置有音孔，所述音孔与所述mems芯片的背腔连通。

技术总结
本实用新型涉及电声产品技术领域，公开了一种硅麦克风，包括基板及设在基板上的金属外壳，金属外壳的内壁至少设有一层疏水涂层，每层疏水涂层的外边缘均与金属外壳的外边缘之间留有间距。因金属外壳内壁设置了疏水涂层，在焊接时融化的锡膏被疏水涂层阻断，不会在顶端集聚，从而避免与基板、MEMS芯片或ASIC芯片发生短路，进而保证了硅麦克风的声学性能，提高了安全性，且结构简单，易实现。易实现。易实现。


技术研发人员：房超 于永革 孟凡亮
受保护的技术使用者：荣成歌尔微电子有限公司
技术研发日：2022.12.27
技术公布日：2023/9/13