一种用于双面抛光晶圆的方法与流程

1.本发明涉及晶体生长技术领域，具体而言涉及一种用于双面抛光晶圆的方法。


背景技术：

2.在晶圆制造过程中，需要进行切割、磨削、抛光、清洗等工艺，通过抛光处理晶圆的表面，达到集成电路晶圆要求的技术指标。通常，为了实现晶圆的抛光加工精度，需进行二步抛光：粗抛光和精抛光。粗抛光过程通常包括晶圆正面及背面的抛光，精抛光过程通常仅针对晶圆正面。在对晶圆表面进行分步化学机械抛光时，每步抛光所使用的抛光液及相应的抛光工艺条件均有所不同，所对应的晶圆各步所要达到的加工精度也不同。
3.在双面抛光(double side plolishing，dsp)制程中，将晶圆松散地插入载体中，并在各自由抛光布覆盖的上抛光盘和下抛光盘之间以“自由漂浮”方式在正面和背面上同时进行抛光。为了最终产品的晶圆有较好的平坦度，双面抛光制程时除了要达到较好的sfqr/gbir的情况下，还需要控制晶圆整体厚度形貌，从而与后制程的单面抛光形貌匹配，达到最终产品较好sfqr/gbir的结果。然而目前双面抛光制程无法体现晶圆整体厚度形貌是凹陷还是凸起。


技术实现要素：

4.在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
5.本发明提供了一种用于双面抛光晶圆的方法，包括：
6.获取晶圆中心区域两点之间的第一厚度差，和/或获取晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差；
7.基于所述第一厚度差自动调整上下盘的距离参数；
8.基于所述第二厚度差自动调整晶圆中心的厚度参数。
9.示例性地，获取晶圆中心区域两点之间的第一厚度差包括：
10.获取与晶圆中心的距离为x1处的厚度平均值t
x1
；
11.获取与晶圆中心的距离为x2处的厚度平均值t
x2
，其中，x1＜x2；
12.所述晶圆中心区域两点之间的第一厚度差dt1＝t
x1-t
x2
。
13.示例性地，获取晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差包括：
14.获取与晶圆中心的距离为x3处的厚度平均值t
x3
；
15.获取与晶圆中心的距离为x4处的厚度平均值t
x4
，其中，x3＜x4；
16.所述晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差dt2＝t
x3-t
x4
。
17.示例性地，当所述第一厚度差在第一厚度预设范围内时，不调整所述上下盘的距离参数，其中，基于第一目标厚度与第一预设浮动区间获得所述第一厚度预设范围。
18.示例性地，当所述第一厚度差不在所述第一厚度预设范围内时，基于所述第一厚
度差自动调整上下盘的距离参数包括：
19.基于所述第一厚度差获得第一厚度变量：
20.△
dt1＝dt1-dt
目标1
21.其中，
△
dt1表示第一厚度变量；dt1表示第一厚度差；dt
目标1
表示第一目标厚度；
22.基于所述第一厚度变量获得上下盘的距离变量：
23.△
dt1＝k1
×△dgap
+b1
24.其中，
△
dt1表示第一厚度变量；
△dgap
表示上下盘的距离变量；k1和b1表示常数。
25.示例性地，所述方法还包括：
26.基于所述上下盘的距离变量与当前上下盘的距离获得所述上下盘的距离参数：
27.d
gap’＝d
gap
+
△dgap
28.其中，d
gap’表示上下盘的距离参数；d
gap
表示当前上下盘的距离；
△dgap
表示上下盘的距离变量。
29.示例性地，当所述第二厚度差在第二厚度预设范围内时，不调整所述晶圆中心的厚度参数，其中，基于第二目标厚度与第二预设浮动区间获得所述第二厚度预设范围。
30.示例性地，当所述第二厚度差不在所述第二厚度预设范围内时，基于所述第二厚度调整晶圆中心的厚度参数包括：
31.基于所述第二厚度差获得第二厚度变量：
32.△
dt2＝dt2-dt
目标2
33.其中，
△
dt2表示第二厚度变量；dt2表示第二厚度差；dt
目标2
表示第二目标厚度；
34.基于所述第二厚度变量获得所述晶圆中心的厚度变量：
35.△
dt2＝k2
×△dthicknesscenter
+b2
36.其中，
△
dt2表示第二厚度变量；
△dthicknesscenter
表示晶圆中心的厚度变量；k2和b2表示常数。
37.示例性地，所述方法还包括：
38.基于所述晶圆中心的厚度变量与当前晶圆中心的厚度获得所述晶圆中心的厚度参数：
39.d
thicknesscenter’＝d
thicknesscenter
+
△dthicknesscenter
40.其中，d
thicknesscenter’表示晶圆中心的厚度参数；d
thicknesscenter
表示当前晶圆中心的厚度；
△dthicknesscenter
表示晶圆中心的厚度变量。
41.示例性地，在获取晶圆中心区域两点之间的第一厚度差，和/或获取所述晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差之前，还包括步骤：
42.获取晶圆中心的厚度与载体厚度的差值；
43.比较所述差值与预设阈值，其中，所述预设阈值为10μm。
44.根据本发明提供的用于双面抛光晶圆的方法，基于晶圆中心区域两点之间的第一厚度差来调整上下盘的距离参数，基于晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差自动调整晶圆中心的厚度参数，表征了双面抛光制程中晶圆的厚度形貌，提高了晶圆的平坦度。
附图说明
45.本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发
明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
46.附图中：
47.图1为根据本发明实施例的用于双面抛光晶圆的抛光装置的结构示意图；
48.图2为根据本发明实施例的一种用于双面抛光晶圆的方法的示意性流程图；
49.图3为根据本发明实施例的与晶圆中心的距离分别为x1、x2、x3、x4处的示意图；
50.图4a为根据本发明实施例的第一厚度变量与晶圆的中心厚度变量的关系示意图；
51.图4b为根据本发明实施例的第一厚度变量与上下盘的距离变量的关系示意图；
52.图5a为根据本发明实施例的第二厚度变量与晶圆的中心厚度变量的关系示意图；
53.图5b为根据本发明实施例的第二厚度变量与上下盘的距离变量的关系示意图。
具体实施方式
54.在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
55.应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
56.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
57.为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
58.如图1所示，用于对晶圆执行双面抛光的抛光装置至少包括位于晶圆下方的下抛光盘101、位于晶圆上方的上抛光盘102和用于放置晶圆100的载体103。进一步，所述下抛光盘101的表面(即下抛光盘与晶圆的接触面)以及所述上抛光盘的表面(即上抛光盘与晶圆的接触面)均设置有抛光垫104。进一步，所述抛光装置还包括研磨液供应系统(未示出)。
59.在双面抛光制程中，如图1所示，将晶圆100松散地插入载体103中，并在各自由抛光垫104覆盖的上抛光盘102和下抛光盘101之间以“自由漂浮”方式在正面和背面上同时进行抛光。
60.示例性地，下抛光盘101和上抛光盘102向晶圆100提供一定的压力和摩擦，实现与晶圆100产生机械作用去除晶圆表面的损伤和脏污，也实现平坦度抛光的目的；同时，研磨液供应系统提供含有koh等碱性物质的研磨液105，在接触晶圆表面时产生化学腐蚀，以利用化学作用去除晶圆表面的损伤和脏污，并且达到晶圆表面的平坦度要求。
61.对于大尺寸晶圆，通常会采取双面抛光和单面抛光的组合抛光的方法。甚至于部分产品在单面抛光后的晶圆上生长了一层外延层。为了最终产品的晶圆有较好的平坦度，双面抛光制程时除了要达到较好的sfqr/gbir的情况下，还需要控制晶圆的厚度形貌，以与后制程中形成的外延层的厚度形貌相匹配，达到最终产品较好sfqr/gbir的结果。目前双面抛光制程是通过esfqr/sfqr，gbir来表征抛光后的厚度形貌，其仅能表征晶圆整体的平坦度，无法体现晶圆整体厚度形貌是凹陷还是凸起。
62.针对上述问题，本发明提供了一种用于双面抛光晶圆的方法，如图2所示，包括以下步骤：
63.步骤s210：获取晶圆中心区域两点之间的第一厚度差，和/或获取晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差；
64.步骤s220：基于所述第一厚度差自动调整上下盘的距离参数；
65.步骤s230：基于所述第二厚度差自动调整晶圆中心的厚度参数。
66.示例性地，在执行步骤s210之前，还包括步骤：获取晶圆中心的厚度与载体厚度的差值；比较所述差值与预设阈值，其中，所述预设阈值为10μm。
67.在一个实施例中，晶圆中心的厚度为双面抛光制程中实时获取的晶圆中心的厚度值；载体厚度可以为在先测定的常数值，也可以为实时获取的载体的厚度值；基于晶圆中心的厚度与载体厚度计算二者的差值。当晶圆中心的厚度与载体厚度的差值大于预设阈值时，不执行步骤s210；当晶圆中心的厚度与载体厚度的差值小于或等于预设阈值时，开始执行步骤s210。
68.在一个实施例中，预设阈值为10μm。也就是说，当检测到晶圆中心的厚度与载体厚度之间的差值等于10μm或小于10μm时，开始执行步骤s210。
69.接下来，参照图3，执行步骤s210：获取晶圆中心区域两点之间的第一厚度差，和/或获取晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差。
70.在一个实施例中，所述晶圆的表面包括中心区域和边缘区域，具体地，对于半径为r的晶圆，所述中心区域可以包括以晶圆的中心为圆心，r/2为半径的圆形区域，所述边缘区域可以包括剩余的环形区域。需要说明的是，以上对晶圆表面区域的划分仅是示例性地，可以根据需要划分晶圆的中心区域和边缘区域，本发明对此不做限制。
71.示例性地，获取晶圆中心区域两点之间的第一厚度差包括：获取与晶圆中心的距离为x1处的厚度平均值t
x1
；获取与晶圆中心的距离为x2处的厚度平均值t
x2
，其中，x1＜x2；所述晶圆中心区域两点之间的第一厚度差dt1＝t
x1-t
x2
。
72.在一个实施例中，获取晶圆中心区域内的第一半径x1，所述第一半径x1表示与晶圆中心o的距离为x1，并获取第一半径处的厚度平均值t
x1
；以及，获取晶圆中心区域内的第二半径x2，所述第二半径x2表示与晶圆中心o的距离为x2，其中，x1＜x2，表示第一半径x1处比第二半径x2处更靠近晶圆的中心o，并获取第二半径处的厚度平均值t
x2
。因此，第一厚度差可以表示为：
73.dt1＝t
x1-t
x2
(等式1)
74.其中，dt1表示第一厚度差；t
x1
表示第一半径x1处的厚度平均值；t
x2
表示第二半径x2处的厚度平均值。
75.示例性地，获取晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差包括：获取与晶圆中心的距
离为x3处的厚度平均值t
x3
；获取与晶圆中心的距离为x4处的厚度平均值t
x4
，其中，x3＜x4；所述晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差dt2＝t
x3-t
x4
。
76.在一个实施例中，获取晶圆边缘区域内的第三半径x3，所述第三半径x3表示与晶圆中心o的距离为x3，并获取第三半径处的厚度平均值t
x3
；以及，获取晶圆边缘区域内的第四半径x4，所述第四半径x4表示与晶圆中心o的距离为x4，其中，x3＜x4，表示第四半径x4处比第三半径x3处更靠近晶圆的边缘，并获取第四半径处的厚度平均值t
x4
。因此，第二厚度差可以表示为：
77.dt2＝t
x3-t
x4
(等式2)
78.其中，dt2表示第二厚度差；t
x3
表示第三半径x3处的厚度平均值；t
x4
表示第四半径x4处的厚度平均值。
79.在步骤s220之前，还包括将所述第一厚度差与第一厚度预设范围比较的步骤。具体地，当所述第一厚度差在第一厚度预设范围内时，不执行步骤s220；而当所述第一厚度差不在第一厚度预设范围内时，则执行步骤s220。
80.示例性地，基于第一目标厚度与第一预设浮动区间获得所述第一厚度预设范围，其中，所述第一目标厚度可以根据需要进行设置，所述第一预设浮动区间包括-30nm～30nm。
81.在一个实施例中，当第一目标厚度为0时，第一厚度预设范围为-30nm～30nm；当第一厚度差在(-30～30)nm范围内时，不需要调整上下盘的距离参数，当第一厚度差不在(-30～30)nm范围内时，需要调整上下盘的距离参数。当第一目标厚度为5nm时，第一厚度预设范围为-25nm～35nm；当第一厚度差在(-25～35)nm范围内时，不需要调整上下盘的距离参数，当第一厚度差不在(-25～35)nm范围内时，需要调整上下盘的距离参数。
82.接下来，执行步骤s220：基于所述第一厚度差自动调整上下盘的距离参数。
83.示例性地，基于所述第一厚度差自动调整上下盘的距离参数包括：基于所述第一厚度差获得第一厚度变量；基于所述第一厚度变量获得上下盘的距离变量；以及，基于所述上下盘的距离变量与当前上下盘的距离获得所述上下盘的距离参数。
84.在一个实施例中，首先，基于第一厚度差dt1获得第一厚度变量
△
dt1：
85.△
dt1＝dt1-dt
目标1
(等式3)
86.其中，
△
dt1表示第一厚度变量；dt1表示第一厚度差；dt
目标1
表示第一目标厚度。
87.然后根据第一厚度变量
△
dt1与上下盘的距离变量
△dgap
的关系获得上下盘的距离变量
△dgap
：
88.△
dt1＝k1
×△dgap
+b1(等式4)
89.其中，
△
dt1表示第一厚度变量；
△dgap
表示上下盘的距离变量；k1和b1表示常数。
90.在一个实施例中，如图4a与4b所示，第一厚度变量
△
dt1与晶圆的中心厚度变量
△dthicknesscenter
呈非线性关系，第一厚度变量
△
dt1与上下盘的距离变量
△dgap
呈线性关系，对图4b中第一厚度变量
△
dt1与上下盘的距离变量
△dgap
进行线性拟合，以得到k1和b1的值。
91.接下来，根据等式(4)中上下盘的距离变量
△dgap
、当前上下盘的距离d
gap
和上下盘的距离参数d
gap’之间的关系获得上下盘的距离参数d
gap’：
92.d
gap’＝d
gap
+
△dgap
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(等式5)
93.其中，d
gap’表示上下盘的距离参数；d
gap
表示当前上下盘的距离；
△dgap
表示上下盘
的距离变量。
94.在一个实施例中，当前加工晶圆的第一厚度差dt1＝-40nm，第一目标厚度dt
目标1
＝5nm，当前上下盘的距离d
gap
＝-10um。等式(3)中k1＝15，b1＝0，则(-40-5)＝15
×△dgap
+0，可得
△dgap
＝-3um，如果
△dgap
不为整数，则四舍五入取整数，根据等式(5)可得d
gap’＝-10+(-3)＝-13um。
95.在步骤s230之前，还包括将所述第二厚度差与第二厚度预设范围比较的步骤。具体地，当所述第二厚度差在第二厚度预设范围内时，不执行步骤s230；而当所述第二厚度差不在第二厚度预设范围内时，则执行步骤s230。
96.示例性地，基于第二目标厚度与第二预设浮动区间获得所述第二厚度预设范围，其中，所述第二目标厚度可以根据需要进行设置，所述第二预设浮动区间包括-10nm～10nm。
97.在一个实施例中，当第二目标厚度为0时，第二厚度预设范围为-10nm～10nm；当第二厚度差在(-10～10)nm范围内时，不需要调整上下盘的距离参数，当第二厚度差不在(-10～10)nm范围内时，需要调整上下盘的距离参数。当第二目标厚度为5nm时，第二厚度预设范围为-5nm～15nm；当第二厚度差在(-5～15)nm范围内时，不需要调整上下盘的距离参数，当第二厚度差不在(-5～15)nm范围内时，需要调整上下盘的距离参数。
98.接下来，执行步骤s230：基于所述第二厚度差自动调整晶圆中心的厚度参数
99.示例性地，基于所述第二厚度调整晶圆中心的厚度参数包括：基于所述第二厚度差获得第二厚度变量；基于所述第二厚度变量获得所述晶圆中心的厚度变量：以及，基于所述晶圆中心的厚度变量与当前晶圆中心的厚度获得所述晶圆中心的厚度参数。
100.在一个实施例中，首先，基于第二厚度差dt2获得第二厚度变量
△
dt2：
101.△
dt2＝dt2-dt
目标2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(等式6)
102.其中，
△
dt2表示第二厚度变量；dt2表示第二厚度差；dt
目标2
表示第二目标厚度。
103.然后根据第二厚度变量
△
dt2与晶圆中心的厚度变量
△dthicknesscenter
的关系获得晶圆中心的厚度变量
△dthicknesscenter
：
104.△
dt2＝k2
×△dthicknesscenter
+b2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(等式7)
105.其中，
△
dt2表示第二厚度变量；
△dthicknesscenter
表示晶圆中心的厚度变量；k2和b2表示常数。
106.在一个实施例中，如图5a与5b所示，第二厚度变量
△
dt2与晶圆中心的厚度变量
△dthicknesscenter
呈线性关系，第二厚度变量
△
dt2与上下盘的距离变量
△dgap
呈非线性关系，对图5a中第二厚度变量
△
dt2与晶圆中心的厚度变量
△dthicknesscenter
进行线性拟合，以得到k2和b2的值。
107.接下来，根据等式(7)中晶圆中心的厚度变量
△dthicknesscenter
、当前晶圆中心的厚度d
thicknesscenter
和晶圆中心的厚度参数d
thicknesscenter’之间的关系获得晶圆中心的厚度参数d
thicknesscenter’：
108.d
thicknesscenter’＝d
thicknesscenter
+
△dthicknesscenter
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(等式8)
109.其中，d
thicknesscenter’表示晶圆中心的厚度参数；d
thicknesscenter
表示当前晶圆中心的厚度；
△dthicknesscenter
表示晶圆中心的厚度变量。
110.在一个实施例中，当前加工晶圆的第二厚度差dt2＝-20nm，第二目标厚度dt
目标2
＝
0nm，当前晶圆中心的厚度d
thicknesscenter
＝772.5um。等式(7)中k2＝-10，b2＝0，则(-20-0)＝-10
×△dthicknesscenter
+0，可得
△dthicknesscenter
＝2um，根据等式(8)可得d
thicknesscenter’＝772.5+2＝774.5um。
111.根据本发明提供的用于双面抛光晶圆的方法，基于晶圆中心区域两点之间的第一厚度差来调整上下盘的距离参数，基于晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差自动调整晶圆中心的厚度参数，表征了双面抛光制程中晶圆的厚度形貌，提高了晶圆的平坦度。
112.本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

技术特征：
1.一种用于双面抛光晶圆的方法，其特征在于，包括：获取晶圆中心区域两点之间的第一厚度差，和/或获取晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差；基于所述第一厚度差自动调整上下盘的距离参数；基于所述第二厚度差自动调整晶圆中心的厚度参数。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，获取晶圆中心区域两点之间的第一厚度差包括：获取与晶圆中心的距离为x1处的厚度平均值t
x1
；获取与晶圆中心的距离为x2处的厚度平均值t
x2
，其中，x1＜x2；所述晶圆中心区域两点之间的第一厚度差dt1＝t
x1-t
x2
。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，获取晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差包括：获取与晶圆中心的距离为x3处的厚度平均值t
x3
；获取与晶圆中心的距离为x4处的厚度平均值t
x4
，其中，x3＜x4；所述晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差dt2＝t
x3-t
x4
。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述第一厚度差在第一厚度预设范围内时，不调整所述上下盘的距离参数，其中，基于第一目标厚度与第一预设浮动区间获得所述第一厚度预设范围。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述第一厚度差不在所述第一厚度预设范围内时，基于所述第一厚度差自动调整上下盘的距离参数包括：基于所述第一厚度差获得第一厚度变量：
△
dt1＝dt1-dt
目标1
其中，
△
dt1表示第一厚度变量；dt1表示第一厚度差；dt
目标1
表示第一目标厚度；基于所述第一厚度变量获得上下盘的距离变量：
△
dt1＝k1
×△
d
gap
+b1其中，
△
dt1表示第一厚度变量；
△
d
gap
表示上下盘的距离变量；k1和b1表示常数。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：基于所述上下盘的距离变量与当前上下盘的距离获得所述上下盘的距离参数：d
gap’＝d
gap
+
△
d
gap
其中，d
gap’表示上下盘的距离参数；d
gap
表示当前上下盘的距离；
△
d
gap
表示上下盘的距离变量。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述第二厚度差在第二厚度预设范围内时，不调整所述晶圆中心的厚度参数，其中，基于第二目标厚度与第二预设浮动区间获得所述第二厚度预设范围。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述第二厚度差不在所述第二厚度预设范围内时，基于所述第二厚度调整晶圆中心的厚度参数包括：基于所述第二厚度差获得第二厚度变量：
△
dt2＝dt2-dt
目标2
其中，
△
dt2表示第二厚度变量；dt2表示第二厚度差；dt
目标2
表示第二目标厚度；
基于所述第二厚度变量获得所述晶圆中心的厚度变量：
△
dt2＝k2
×△
d
thicknesscenter
+b2其中，
△
dt2表示第二厚度变量；
△
d
thicknesscenter
表示晶圆中心的厚度变量；k2和b2表示常数。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：基于所述晶圆中心的厚度变量与当前晶圆中心的厚度获得所述晶圆中心的厚度参数：d
thicknesscenter’＝d
thicknesscenter
+
△
d
thicknesscenter
其中，d
thicknesscenter’表示晶圆中心的厚度参数；d
thicknesscenter
表示当前晶圆中心的厚度；
△
d
thicknesscenter
表示晶圆中心的厚度变量。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取晶圆中心区域两点之间的第一厚度差，和/或获取所述晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差之前，还包括步骤：获取晶圆中心的厚度与载体厚度的差值；比较所述差值与预设阈值，其中，所述预设阈值为10μm。

技术总结
本发明公开了一种用于双面抛光晶圆的方法，包括：获取晶圆中心区域两点之间的第一厚度差，和/或获取晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差；基于所述第一厚度差自动调整上下盘的距离参数；基于所述第二厚度差自动调整晶圆中心的厚度参数。根据本发明提供的用于双面抛光晶圆的方法，基于晶圆中心区域两点之间的第一厚度差来调整上下盘的距离参数，基于晶圆边缘区域两点之间的第二厚度差自动调整晶圆中心的厚度参数，表征了双面抛光制程中晶圆的厚度形貌，提高了晶圆的平坦度。提高了晶圆的平坦度。提高了晶圆的平坦度。


技术研发人员：胡文才 季文明 权林 张宇磊
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2023.06.16
技术公布日：2023/9/12