三角形铝靶材及其制造方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三角形铝靶材及其制造方法。


背景技术：

2.铝靶材是用于真空镀膜行业溅射靶材中的一种，是高纯铝经过系列加工后的产品，具有特定的尺寸和形状。而后安装在真空镀膜机上，溅射成膜。磁控溅射是指电子在电场的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，ar正离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。
3.在磁控溅射工艺中，三角形铝靶材溅射面中间区域并未参与溅射，因此会在靶材表面形成较厚的redepo层，随着溅射过程的进行，redepo层会脱落掉入机台或在晶片上形成particle。其中redepo层中的redepo物质为重新附着在靶材上的物质，溅射过程中腔体内金属离子因为磁场重新吸附在靶材表面形成。particle为redepo物质掉落在晶圆上的异常颗粒，会引起芯片线路短路等。
4.所以，亟需一种三角形铝靶材及其制造方法，以解决上述问题。


技术实现要素：

5.基于以上所述，本发明的目的在于提供一种三角形铝靶材及其制造方法，可以有效地避免redepo层剥落。
6.为达上述目的，本发明采用以下技术方案：
7.三角形铝靶材，包括：
8.溅射区，沿所述三角形铝靶材的周向边缘设置；
9.附着区，设置于所述溅射区的内侧，所述附着区的粗糙度大于所述溅射区的粗糙度。
10.作为三角形铝靶材的一种优选方案，所述附着区通过去除至少部分材料形成有凹陷。
11.作为三角形铝靶材的一种优选方案，所述附着区通过增加至少部分材料形成有凸起。
12.作为三角形铝靶材的一种优选方案，所述附着区通过一体成型。
13.作为三角形铝靶材的一种优选方案，所述附着区设置有预设图案或随机图案。
14.作为三角形铝靶材的一种优选方案，所述附着区的粗糙度ra≥25μm。
15.作为三角形铝靶材的一种优选方案，所述溅射区设置有溅射圆角，所述附着区设置有附着圆角。
16.作为三角形铝靶材的一种优选方案，所述溅射圆角的半径大于所述附着圆角的半径，所述溅射圆角和所述附着圆角同轴设置。
17.作为三角形铝靶材的一种优选方案，所述附着区呈三角形设置。
18.三角形铝靶材的制造方法，用于制造如以上任一方案所述的三角形铝靶材，所述制造方法包括：
19.沿所述三角形铝靶材的边缘向内测量预设距离划线；
20.增加划线内侧区域的粗糙度。
21.本发明的有益效果为：
22.本发明的三角形铝靶材的溅射区设置于三角形铝靶材的周向边缘，用于对应溅射过程中的磁场强度，溅射成膜；位于溅射区内侧附着区无磁场强度，通过将附着区的粗糙度设置为大于溅射区的粗糙度，使得附着区对溅射过程中形成的redepo层的附着力增强，可以有效地避免redepo层脱离，进而避免了redepo物质掉落机台或晶圆上造成的损失，节约了成本，同时提高了产品的良率；另外，通过在溅射区内侧设置附着区，可以在不影响溅射区溅射成膜的条件下防止其内侧redepo层脱离，有效地减少了损失。
附图说明
23.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本发明实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
24.图1是本发明具体实施方式提供的三角形铝靶材的俯视图。
25.图中：
26.100、溅射区；110、溅射圆角；
27.200、附着区；210、附着圆角。
具体实施方式
28.下面详细描述本发明的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
29.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。其中，术语“第一位置”和“第二位置”为两个不同的位置。
30.除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
31.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它
们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
32.下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
33.图1是本发明具体实施方式提供的三角形铝靶材的俯视图，如图1所示，本实施方式提供一种三角形铝靶材，该三角形铝靶材包括溅射区100和附着区200，溅射区100沿三角形铝靶材的周向边缘设置；附着区200设置于溅射区100的内侧，附着区200的粗糙度大于溅射区100的粗糙度。
34.三角形铝靶材的溅射区100设置于三角形铝靶材的周向边缘，用于对应溅射过程中的磁场强度，溅射成膜；位于溅射区100内侧附着区200无磁场强度，通过将附着区200的粗糙度设置为大于溅射区100的粗糙度，使得附着区200对溅射过程中形成的redepo层的附着力增强，可以有效地避免redepo层脱离，进而避免了redepo物质掉落机台或晶圆上造成的损失，节约了成本，同时提高了产品的良率；另外，通过在溅射区100内侧设置附着区200，可以在不影响溅射区100溅射成膜的条件下防止其内侧redepo层脱离，有效地减少了损失。
35.作为三角形铝靶材的一种可选方案，为增加附着区200的粗糙度，附着区200通过去除至少部分材料形成有凹陷，由凹陷的位置和未去除部分材料的位置形成高度差，来实现附着区200粗糙度的增加。示例性地，去除至少部分材料通过雕刻或咬花或蚀刻。
36.于另一实施例中，附着区200通过增加至少部分材料形成有凸起，由凸起的位置和未增加部分材料的位置形成高度差，来实现附着区200粗糙度的增加。示例性地，通过喷砂或印刷增加至少部分材料。
37.于再一实施例中，附着区200通过一体成型，一体成型后的附着区200的粗糙区即大于溅射区100的粗糙度。示例性地，一体成型包括模具成型。
38.具体地，附着区200设置有预设图案或随机图案。其中，预设图案可以为通过雕刻、咬花、一体成型形成的同心环、螺旋形、s形等；随机图案可以为通过喷砂、拉丝或氧化等形成的纹理。本领域技术人员可以根据实际需要选择加工方式或者图案形式，只要可以增加附着区200的粗糙度即可，在此不做具体限定。
39.本实施例中，附着区200采用车螺纹的处理，以使附着区200的粗糙度大于溅射区100的粗糙度。进一步地，附着区200的粗糙度ra≥25μm，使得该粗糙度可以有效地防止redepo层的脱离。
40.值得说明的是，由于三角形铝靶材整体呈三角形，因此，置于溅射区100内的附着区200也呈三角形设置。且三角形的附着区200与溅射区100相似设置。
41.可选地，溅射区100设置有溅射圆角110，附着区200设置有附着圆角210。优选地，溅射圆角110的半径大于附着圆角210的半径。可以理解的是，溅射圆角110和附着圆角210同轴设置，使得三角形铝靶材的边缘至附着区200的距离各处均相同。
42.本实施方式还公开一种三角形铝靶材的制造方法，用于制造如上任一方案所述的三角形铝靶材，制造方法包括：沿三角形铝靶材的边缘向内测量预设距离划线；可以理解的是，划线内侧即为附着区200，外侧即为溅射区100。
43.进一步地，增加划线内侧区域的粗糙度。使得附着区200对redepo层的粘附力增
加，进而可以有效地避免redepo层的脱落。
44.示例性地，通过三维坐标测量仪测量预设距离并划线，测量更加精准。可选地，预设距离可以根据溅射过程中磁场强度及三角形铝靶材的尺寸计算，在此不做具体限定。
45.以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

技术特征：
1.三角形铝靶材，其特征在于，包括：溅射区(100)，沿所述三角形铝靶材的周向边缘设置；附着区(200)，设置于所述溅射区(100)的内侧，所述附着区(200)的粗糙度大于所述溅射区(100)的粗糙度。2.根据权利要求1所述的三角形铝靶材，其特征在于，所述附着区(200)通过去除至少部分材料形成有凹陷。3.根据权利要求1所述的三角形铝靶材，其特征在于，所述附着区(200)通过增加至少部分材料形成有凸起。4.根据权利要求1所述的三角形铝靶材，其特征在于，所述附着区(200)通过一体成型。5.根据权利要求1-3任一项所述的三角形铝靶材，其特征在于，所述附着区(200)设置有预设图案或随机图案。6.根据权利要求1-3任一项所述的三角形铝靶材，其特征在于，所述附着区(200)的粗糙度ra≥25μm。7.根据权利要求1所述的三角形铝靶材，其特征在于，所述溅射区(100)设置有溅射圆角(110)，所述附着区(200)设置有附着圆角(210)。8.根据权利要求7所述的三角形铝靶材，其特征在于，所述溅射圆角(110)的半径大于所述附着圆角(210)的半径，所述溅射圆角(110)和所述附着圆角(210)同轴设置。9.根据权利要求1所述的三角形铝靶材，其特征在于，所述附着区(200)呈三角形设置。10.三角形铝靶材的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1-9任一项所述的三角形铝靶材，所述制造方法包括：沿所述三角形铝靶材的边缘向内测量预设距离划线；增加划线内侧区域的粗糙度。

技术总结
本发明涉及半导体技术领域，公开一种三角形铝靶材及其制造方法。其中三角形铝靶材包括溅射区和附着区，溅射区沿三角形铝靶材的周向边缘设置；附着区设置于溅射区的内侧，附着区的粗糙度大于溅射区的粗糙度。本发明的溅射区用于对应溅射过程中的磁场强度，溅射成膜；位于溅射区内侧附着区粗糙度设置为大于溅射区的粗糙度，使得附着区对溅射过程中形成的Redepo层的附着力增强，可以有效地避免Redepo层脱离，进而避免了Redepo物质掉落机台或晶圆上造成的损失，节约了成本，同时提高了产品的良率；另外，通过在溅射区内侧设置附着区，可以在不影响溅射区溅射成膜的条件下防止其内侧Redepo层脱离，有效地减少了损失。有效地减少了损失。有效地减少了损失。


技术研发人员：姚力军 潘杰 王学泽 刘聪
受保护的技术使用者：宁波江丰电子材料股份有限公司
技术研发日：2023.06.30
技术公布日：2023/9/14