串叠结构及电子装置的制作方法

1.本技术涉及半导体的领域，尤其涉及串叠结构及电子装置。


背景技术：

2.半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。其中，串叠结构是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子装置的控制电路中；然而，串叠结构易出现损坏等现象，串叠结构的稳定性差。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供串叠结构及电子装置，用以解决串叠结构易出现损坏等现象，串叠结构的稳定性差的问题。
4.本技术实施例第一方面提供一种串叠结构，包括第一器件、第二器件和保护器件，所述第一器件的稳态电压高于所述第二器件的稳态电压；所述第一器件的第一端用于电连接于控制电路的第一端，所述第一器件的第二端电连接所述第二器件的第一端，所述第一器件的控制端电连接所述第二器件的第二端；所述第二器件的第二端用于电连接于所述控制电路的第二端，所述第二器件的控制端用于电连接于所述控制电路的信号输出端；所述保护器件包括第一保护三极管和第二保护三极管中的至少一个；所述保护器件包括所述第一保护三极管时，所述第一保护三极管的第一端电连接于所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的第二端电连接所述第二器件的第二端；所述保护器件包括第二保护三极管时，所述第二保护三极管的第一端电连接于所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的第二端电连接所述第二器件的第二端。
5.通过采用上述技术方案，通过设置第一保护三极管，当串叠结构处于工作状态时，第一器件和第二器件均处于导通状态，电流自第一器件的第二端流动至第二器件的第一端，并流过第二器件；第一保护三极管能够起到一定的分流作用，使得电流的部分能够自第一器件的第二端通过第一保护三极管流动至第二器件的第二端，从而能够减小流经第二器件的电流，以对第二器件起到一定的保护作用，减小了第二器件出现损坏的可能性，提高了串叠结构的稳定性；通过设置第二保护三极管，当串叠结构处于工作状态时，第一器件和第二器件均处于导通状态，控制电路的信号输出端向第二器件的控制端提供电流，第二保护三极管能够起到一定的分流作用，使得电流的部分能够通过第二保护三极管流动至第二器件的第二端，从而能够利用第二保护三极管对第二器件的控制端起到一定的保护作用，进一步减小了第二器件出现损坏的可能性，提高了串叠结构的稳定性。
6.在一些可能的实施方式中，所述保护器件包括所述第一保护三极管；所述第一保护三极管设置为npn型三极管，所述第一保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的集电极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的
基极浮接；或者，所述第一保护三极管设置为pnp型三极管，所述第一保护三极管的集电极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的发射极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接。
7.在一些可能的实施方式中，所述保护器件包括所述第二保护三极管；所述第二保护三极管设置为npn型三极管，所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的基极浮接；或者，所述第二保护三极管设置为pnp型三极管，所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的基极浮接。
8.在一些可能的实施方式中，所述保护器件包括所述第一保护三极管和所述第二保护三极管；所述第一保护三极管设置为npn型三极管或pnp型三极管，所述第二保护三极管设置为npn型三极管或pnp型三极管。
9.在一些可能的实施方式中，所述第一保护三极管和所述第二保护三极管均设置为pnp型三极管；所述第一保护三极管的集电极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的发射极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接；所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的基极浮接；或者，所述第一保护三极管和所述第二保护三极管均设置为npn型三极管；所述第一保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的集电极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接；所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的基极浮接。
10.在一些可能的实施方式中，所述串叠结构还包括调节器件，所述调节器件的第一端用于电连接于所述控制电路的信号输出端，所述调节器件的第二端电连接所述第二器件的控制端。
11.在一些可能的实施方式中，所述调节器件包括第一调节器件和第二调节器件；所述第一调节器件的第一端电连接于电源，所述第一调节器件的第二端电连接所述第二器件的控制端，且所述第一调节器件的第二端还电连接所述第二调节器件的第一端，所述第二调节器件的第二端电连接于等电位端。
12.在一些可能的实施方式中，所述第一器件设置为结型场效应晶体管，且所述第二器件设置为金属氧化物半导体场效应晶体管。
13.在一些可能的实施方式中，所述第一器件的稳态电压设置为1200伏，所述第二器件的稳态电压设置为60伏。
14.本技术实施例第二方面提供一种电子装置，包括上述任一项所述的串叠结构。
15.由于电子装置包括上述任一项所述的串叠结构，因此，该电子装置包括上述任一项所述的串叠结构的优点，具体可参见上文相关描述，在此不再赘述。
附图说明
16.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。
17.图1为本技术实施例提供的包括第一保护三极管的串叠结构的结构示意图；图2为本技术实施例提供的包括第二保护三极管的串叠结构的结构示意图；图3为本技术实施例提供的包括第一保护三极管和第二保护三极管的串叠结构的结构示意图；图4为本技术实施例提供的控制电路的结构示意图；图5为本技术实施例提供的另一实施方式的控制电路的结构示意图。
18.附图标记说明：100、第一器件；200、第二器件；300、保护器件；310、第一保护三极管；320、第二保护三极管；400、调节器件；410、第一调节器件；420、第二调节器件；500、控制电路；510、处理器；520、放大器；530、缓冲器。
19.通过上述附图，已示出本技术明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本技术构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本技术的概念。
具体实施方式
20.正如背景技术所述，串叠结构是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子装置的控制电路中。串叠结构通常包括第一器件和第二器件，第一器件的第一端用于形成串叠结构的第一端，第一器件的第一端用于电连接于控制电路的第一端，第一器件的第二端电连接第二器件的第一端，第一器件的控制端电连接第二器件的第二端；第二器件的第二端用于形成串叠结构的第二端，第二器件的第二端用于电连接于控制电路的第二端，第二器件的控制端用于形成串叠结构的控制端，第二器件的控制端用于电连接于控制电路的信号输出端；并且，在第一器件和第二器件中，第一器件可以设置为常开高电压器件，第一器件具有源极、栅极和漏极三个端子，第二器件可以设置为常闭选通器件，第二器件具有源极、栅极和漏极三个端子，常闭选通器件能够是低电压功率半导体器件，以利用小的驱动信号快速地切换，第一器件的稳态电压高于第二器件的稳态电压。
21.其中，“常开”表示在没有栅极偏置的情况下传导电流并且要求栅极偏置来阻挡电流流动的器件。如这里使用的，“常闭”表示在没有栅极偏置的情况下阻挡电流并且当施加栅极偏置的情况下传导电流的器件。如这里使用的，“高压”是 100 伏特以上的电压并且“低压”是小于 100 伏特（例如，20-50v）的电压。
22.例如，第一器件设置为结型场效应晶体管，第二器件可以设置为金属氧化物半导
体场效应晶体管，第一器件的稳态电压设置为1200伏，第二器件的稳态电压设置为60伏；然而，当串叠结构处于工作状态时，第一器件和第二器件均处于导通状态，电流自第一器件的第二端流动至第二器件的第一端，并流过第二器件，且控制电路的信号输出端向第二器件的控制端提供电流，由于第二器件的稳态电压低于第一器件的稳态电压，而第二器件的电压可能达到80伏，串叠结构中的第二器件易出现损坏等现象，串叠结构的稳定性差。
23.为了解决上述技术问题，本技术实施例提供一种串叠结构及电子装置，该串叠结构设置有第一保护三极管和第二保护三极管中的至少一个，通过设置第一保护三极管，当串叠结构处于工作状态时，第一器件和第二器件均处于导通状态，电流自第一器件的第二端流动至第二器件的第一端，并流过第二器件；第一保护三极管能够起到一定的分流作用，使得电流的部分能够自第一器件的第二端通过第一保护三极管流动至第二器件的第二端，从而能够减小流经第二器件的电流，以对第二器件起到一定的保护作用，减小了第二器件出现损坏的可能性，提高了串叠结构的稳定性；通过设置第二保护三极管，当串叠结构处于工作状态时，第一器件和第二器件均处于导通状态，控制电路的信号输出端向第二器件的控制端提供电流，第二保护三极管能够起到一定的分流作用，使得电流的部分能够通过第二保护三极管流动至第二器件的第二端，从而能够利用第二保护三极管对第二器件的栅极起到一定的保护作用，进一步减小了第二器件出现损坏的可能性，提高了串叠结构的稳定性。
24.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。
25.下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本技术的实施例进行描述。
26.示例性的，电路的“连接到”电路中的另一组件或点或者连接在电路中的两个组件或点之间的组件能够直接或间接地连接到电路中的其它组件或点。如果连接中没有插入组件，则该组件直接连接到电路中的另一组件或点，并且如果连接中存在一个或多个插入组件，则该组件间接地连接到电路中的另一组件或点。如果电路中的第一组件或点被描述为经由第三组件连接到电路中的第二组件或点，则该第三组件电连接在电路中的第一组件或点与电路中的第三组件或点之间。电路中的第一组件或点以及第三组件能够直接或间接地连接在一起。类似地，电路中的第二组件或点和第三组件能够直接或间接地连接在一起。
27.参照图1-图3，本技术实施例提供一种串叠结构，具有第一端、第二端和控制端，且串叠结构包括第一器件100、第二器件200和保护器件300；其中，第一器件100的第一端形成串叠结构的第一端，第一器件100的第一端用于电连接于控制电路500的第一端，第一器件100的第二端电连接第二器件200的第一端，第一器件100的控制端电连接第二器件200的第二端；第二器件200的第二端用于形成串叠结构的第二端，第二器件200的第二端用于电连接于控制电路500的第二端；第二器件200的控制端用于形成串叠结构的控制端，第二器件200的控制端用于电连接于控制电路500的信号输出端；示例性的，保护器件300包括第一保护三极管310和第二保护三极管320中的至少一个，第一保护三极管310的第一端电连接于第一器件100的第二端，第一保护三极管310的
第二端电连接第二器件200的第二端，即第一保护三极管310并联设置于第二器件200的第一端和第二器件200的第二端之间，以通过第一保护三极管310对第二器件200的第一端和第二器件200的第二端起到一定的保护作用；第二保护三极管320的第一端电连接于第二器件200的控制端，第二保护三极管320的第二端电连接第二器件200的第二端，即第二保护三极管320并联设置于第二器件200的控制端和第二器件200的第二端之间，以通过第二保护三极管320对第二器件200的控制端和第二器件200的第二端起到一定的保护作用。
28.容易理解的是，第一器件100具有源极、栅极和漏极三个端子，其中，源极和漏极中的一个设置为第一器件100的第一端，源极和漏极中的另一个设置为第一器件100的第二端，栅极设置为第一器件100的控制端；第一器件100可以设置为结型场效应晶体管（即junction field-effect transistor，简称为jfet），第一器件100的稳态电压设置为1200伏。
29.并且，第二器件200具有源极、栅极和漏极三个端子，其中，源极和漏极中的一个设置为第二器件200的第一端，源极和漏极中的另一个设置为第二器件200的第二端，栅极设置为第二器件200的控制端；第二器件200可以设置为金属氧化物半导体场效应晶体管(即metal oxide semiconductor field-effect transistor，简称为mosfet) ，第二器件200的稳态电压设置为60伏。
30.参照图1，在一些可能的实施方式中，保护器件300包括第一保护三极管310；第一保护三极管310可以设置为npn型三极管，第一保护三极管310的发射极可以电连接第二器件200的第二端，第一保护三极管310的集电极可以电连接第一器件100的第二端，第一保护三极管310的基极浮接，以使第一保护三极管310并联设置于第二器件200的第一端和第二器件200的第二端之间；或者，第一保护三极管310还可以设置为pnp型三极管，第一保护三极管310的集电极可以电连接第二器件200的第二端，第一保护三极管310的发射极可以电连接第一器件100的第二端，第一保护三极管310的基极浮接，以使第一保护三极管310并联设置于第二器件200的第一端和第二器件200的第二端之间。
31.通过采用上述技术方案，当串叠结构处于工作状态时，第一器件100和第二器件200均处于导通状态，电流自第一器件100的第二端流动至第二器件200的第一端，并流过第二器件200；第一保护三极管310能够起到一定的分流作用，使得电流的部分能够自第一器件100的第二端通过第一保护三极管310流动至第二器件200的第二端，从而能够减小流经第二器件200的电流，以对第二器件200的第一端和第二器件200的第二端起到一定的保护作用，减小了第二器件200出现损坏的可能性，提高了串叠结构的稳定性。
32.参照图2，在一些可能的实施方式中，保护器件300包括第二保护三极管320；第二保护三极管320可以设置为npn型三极管，第二保护三极管320的发射极可以电连接第二器件200的第二端，第二保护三极管320的集电极可以电连接第二器件200的控制端，第二保护三极管320的基极浮接，以使第二保护三极管320并联设置于第二器件200的控制端和第二器件200的第二端之间；或者，第二保护三极管320还可以设置为pnp型三极管，第二保护三极管320的集电极可以电连接第二器件200的控制端，第二保护三极管320的发射极可以电连接第二器件
200的第二端，第二保护三极管320的基极浮接，以使第二保护三极管320并联设置于第二器件200的控制端和第二器件200的第二端之间。
33.通过采用上述技术方案，当串叠结构处于工作状态时，第一器件100和第二器件200均处于导通状态，控制电路500的信号输出端向第二器件200的控制端提供电流，第二保护三极管320能够起到一定的分流作用，使得电流的部分能够通过第二保护三极管320流动至第二器件200的第二端，从而能够利用第二保护三极管320对第二器件200的控制端起到一定的保护作用，进一步减小了第二器件200出现损坏的可能性，提高了串叠结构的稳定性。
34.参照图3，在一些可能的实施方式中，保护器件300包括第一保护三极管310和第二保护三极管320；第一保护三极管310设置为npn型三极管或pnp型三极管，第二保护三极管320设置为npn型三极管或pnp型三极管，以通过第一保护三极管310对第二器件200的第一端和第二器件200的第二端起到一定的保护作用，并通过第二保护三极管320对第二器件200的控制端起到一定的保护作用。
35.容易理解的是，第一保护三极管310和第二保护三极管320均可以设置为npn型三极管或pnp型三极管；或者，第一保护三极管310和第二保护三极管320中的一个设置为npn型三极管，第一保护三极管310和第二保护三极管320中的另一个设置为pnp型三极管，本技术实施例对此不作进一步限制，只要能够保证第一保护三极管310和第二保护三极管320对第二器件200的保护作用即可。
36.示例性的，第一保护三极管310和第二保护三极管320均设置为pnp型三极管；第一保护三极管310的集电极电连接第二器件200的第二端，第一保护三极管310的发射极电连接第一器件100的第二端，第一保护三极管310的基极浮接；第二保护三极管320的集电极电连接第二器件200的控制端，第二保护三极管320的发射极电连接第二器件200的第二端，第二保护三极管320的基极浮接；或者，第一保护三极管310和第二保护三极管320均设置为npn型三极管；第一保护三极管310的发射极电连接第二器件200的第二端，第一保护三极管310的集电极电连接第一器件100的第二端，第一保护三极管310的基极浮接；第二保护三极管320的发射极电连接第二器件200的第二端，第二保护三极管320的集电极电连接第二器件200的控制端，第二保护三极管320的基极浮接。
37.参照图1-图3，在一些可能的实施方式中，串叠结构还包括调节器件400，调节器件400的第一端用于电连接于控制电路500的信号输出端，调节器件400的第二端电连接第二器件200的控制端，以通过调节器件400对第二器件200的控制端起到进一步保护的作用，减小串叠结构损坏的可能性。
38.示例性的，调节器件400包括第一调节器件410和第二调节器件420；第一调节器件410的第一端电连接于电源，第一调节器件410的第二端电连接第二器件200的控制端，且第一调节器件410的第二端还电连接第二调节器件420的第一端，第二调节器件420的第二端电连接于等电位端。通过采用上述技术方案，第一器件100设置为结型场效应晶体管，第二器件200可以设置为金属氧化物半导体场效应晶体管，第一器件100的稳态电压设置为1200伏，第二器件200的稳态电压设置为60伏；当串叠结构处于工作状态时，第一器件100和第二器件200均处于导通状态，第一保护三极管310和第二保护三极管320对第二器件200起到一
定的保护作用，使得串叠结构的稳态电压低于30伏，从而减小了串叠结构损坏的可能性。
39.参照图1-图4，在一些可能的实施方式中，控制电路500可以包括处理器510、放大器520和缓冲器530，其中，处理器510的信号输出端电连接于放大器520的第一端，放大器520的第二端电连接于缓冲器530，以通过缓冲器530电连接于调节器件400；或者，参照图5，控制电路500可以包括处理器510、放大器520和缓冲器530，其中，处理器510的信号输出端电连接于缓冲器530的第一端，缓冲器530的第二端电连接于放大器520，以通过放大器520电连接于调节器件400；综上所述，本技术实施例提供一种串叠结构，设置有第一保护三极管310和第二保护三极管320中的至少一个，通过设置第一保护三极管310，当串叠结构处于工作状态时，第一器件100和第二器件200均处于导通状态，电流自第一器件100的第二端流动至第二器件200的第一端，并流过第二器件200；第一保护三极管310能够起到一定的分流作用，使得电流的部分能够自第一器件100的第二端通过第一保护三极管310流动至第二器件200的第二端，从而能够减小流经第二器件200的电流，以对第二器件200起到一定的保护作用，减小了第二器件200出现损坏的可能性，提高了串叠结构的稳定性；通过设置第二保护三极管320，当串叠结构处于工作状态时，第一器件100和第二器件200均处于导通状态，控制电路500的信号输出端向第二器件200的控制端提供电流，第二保护三极管320能够起到一定的分流作用，使得电流的部分能够通过第二保护三极管320流动至第二器件200的第二端，从而能够利用第二保护三极管320对第二器件200的栅极起到一定的保护作用，进一步减小了第二器件200出现损坏的可能性，提高了串叠结构的稳定性。
40.本技术实施例还提供一种电子装置，包括上述任一实施方式所述的串叠结构。
41.由于电子装置包括上述任一实施方式所述的串叠结构，因此，该电子装置包括上述任一实施方式所述的串叠结构的优点，具体可参见上文相关描述，在此不再赘述。
42.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
43.在本发明的描述中，需要理解的是，本文中使用的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
44.除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成为一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以使两个元件内部的相连或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
45.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽
管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

技术特征：
1.一种串叠结构，其特征在于，包括第一器件、第二器件和保护器件，所述第一器件的稳态电压高于所述第二器件的稳态电压；所述第一器件的第一端用于电连接于控制电路的第一端，所述第一器件的第二端电连接所述第二器件的第一端，所述第一器件的控制端电连接所述第二器件的第二端；所述第二器件的第二端用于电连接于所述控制电路的第二端，所述第二器件的控制端用于电连接于所述控制电路的信号输出端；所述保护器件包括第一保护三极管和第二保护三极管中的至少一个；所述保护器件包括所述第一保护三极管时，所述第一保护三极管的第一端电连接于所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的第二端电连接所述第二器件的第二端；所述保护器件包括所述第二保护三极管时，所述第二保护三极管的第一端电连接于所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的第二端电连接所述第二器件的第二端。2.根据权利要求1所述的串叠结构，其特征在于，所述保护器件包括所述第一保护三极管；所述第一保护三极管设置为npn型三极管，所述第一保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的集电极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接；或者，所述第一保护三极管设置为pnp型三极管，所述第一保护三极管的集电极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的发射极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接。3.根据权利要求1所述的串叠结构，其特征在于，所述保护器件包括所述第二保护三极管；所述第二保护三极管设置为npn型三极管，所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的基极浮接；或者，所述第二保护三极管设置为pnp型三极管，所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的基极浮接。4.根据权利要求1所述的串叠结构，其特征在于，所述保护器件包括所述第一保护三极管和所述第二保护三极管；所述第一保护三极管设置为npn型三极管或pnp型三极管，所述第二保护三极管设置为npn型三极管或pnp型三极管。5.根据权利要求4所述的串叠结构，其特征在于，所述第一保护三极管和所述第二保护三极管均设置为pnp型三极管；所述第一保护三极管的集电极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的发射极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接；所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的基极浮接；或者，所述第一保护三极管和所述第二保护三极管均设置为npn型三极管；所述第一保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第一保护三极管的集电极电连接所述第一器件的第二端，所述第一保护三极管的基极浮接；所述第二保护三极管的发射极电连接所述第二器件的第二端，所述第二保护三极管的集电极电连接所述第二器件的控制端，所述第二保护三极管的基极浮接。
6.根据权利要求1-5任一项所述的串叠结构，其特征在于，所述串叠结构还包括调节器件，所述调节器件的第一端用于电连接于所述控制电路的信号输出端，所述调节器件的第二端电连接所述第二器件的控制端。7.根据权利要求6所述的串叠结构，其特征在于，所述调节器件包括第一调节器件和第二调节器件；所述第一调节器件的第一端电连接于电源，所述第一调节器件的第二端电连接所述第二器件的控制端，且所述第一调节器件的第二端还电连接所述第二调节器件的第一端，所述第二调节器件的第二端电连接于等电位端。8.根据权利要求1-5任一项所述的串叠结构，其特征在于，所述第一器件设置为结型场效应晶体管，且所述第二器件设置为金属氧化物半导体场效应晶体管。9.根据权利要求1-5任一项所述的串叠结构，其特征在于，所述第一器件的稳态电压设置为1200伏，所述第二器件的稳态电压设置为60伏。10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的串叠结构。

技术总结
本申请提供串叠结构及电子装置，涉及半导体的技术领域。该串叠结构包括第一器件、第二器件和保护器件；第一器件的第二端电连接第二器件的第一端，第一器件的控制端电连接第二器件的第二端；第二器件的控制端用于电连接于控制电路的信号输出端；保护器件包括第一保护三极管和第二保护三极管中的至少一个，第一保护三极管的第一端电连接于第一器件的第二端，第一保护三极管的第二端电连接第二器件的第二端；第二保护三极管的第一端电连接于第二器件的控制端，所述第二保护三极管的第二端电连接第二器件的第二端。本申请能够解决串叠结构易出现损坏等现象，串叠结构的稳定性差的问题。串叠结构的稳定性差的问题。串叠结构的稳定性差的问题。


技术研发人员：纪杰 陈伟梵 蔡国基
受保护的技术使用者：青岛嘉展力芯半导体有限责任公司
技术研发日：2023.08.16
技术公布日：2023/9/16