电连接器及其制造方法与上层斜插组立件及其组立方法与流程

1.本技术是关于电连接器的技术领域，特别的是，是有关一种可传输高速信号并降低尺寸的电连接器及其制造方法与上层斜插组立件及其组立方法。


背景技术：

2.由于，在现代的各式电子设备中，通常会设置电连接器以提供传输信号，然，因应电子设备的特殊需求及发展，电连接器的导电斜插导电端子的数量与结构会被要求能够客制化调整，而目前的电连接器在设计完成后，导电斜插导电端子的数量与结构就会被确定而无法客制化调整，难以满足电子设备的信号传输要求，如此，将会导致电子设备的技术(功能)发展受到限制。
3.另外，电连接器在传输高速信号时容易产生耦合的串音干扰，而使高速信号的传输产生干扰衰减，再者，随着电子设备轻薄短小的发展趋势，使得电子设备内部空间大幅缩减，造成电子设备的内部可提供设置电连接器的空间有限。
4.有鉴于此，如何提供可以抑制串音干扰的电连接器，以使电连接器能够符合高速信号的传输要求，并减少电连接器占用电子设备的内部空间，以使电子设备能够持续朝轻薄短小的方向发展，目前已经成为现在业界亟欲挑战克服的技术议题。


技术实现要素：

5.鉴于上述先前技术的缺点，本技术的主要目的为提供一种电连接器及其制造方法与上层斜插组立件及其组立方法，以使电连接器能够符合高速信号的传输要求。
6.本技术的另一目的为提供一种电连接器及其制造方法与上层斜插组立件及其组立方法，可以简化降低电连接器的尺寸。
7.鉴于上述先前技术的缺点，本技术提供一种上层斜插组立件，所述上层斜插组立件搭配一电连接器本体，所述电连接器本体具有一本体斜插空间与一本体斜插引导结构，所述上层斜插组立件包括：一上层斜插导电端子组，所述上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与一上层非跨接斜插导电端子；一上层跨接屏蔽体，所述上层跨接屏蔽体于所述上层斜插导电端子组的下方延伸，使所述上层跨接屏蔽体对所述上层斜插导电端子组提供屏蔽，且所述上层跨接屏蔽体跨过所述上层非跨接斜插导电端子，并电性跨接所述复数上层跨接斜插导电端子；以及一上层斜插组立件本体，所述上层斜插组立件本体对所述上层斜插导电端子组提供定位，且所述上层斜插组立件本体倾斜插入所述电连接器本体，使所述上层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，而让所述上层斜插导电端子组倾斜插入所述电连接器本体。
8.另外，本技术还提供一种电连接器，包括：一电连接器本体，所述电连接器本体具有一本体斜插空间与一本体斜插引导结构；一上层斜插组立件，所述上层斜插组立件具有一上层斜插导电端子组、一上层跨接屏蔽体与一上层斜插组立件本体，其中，所述上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与一上层非跨接斜插导电端子，所述上层跨接
屏蔽体于所述上层斜插导电端子组的下方延伸，使所述上层跨接屏蔽体对所述上层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且所述上层跨接屏蔽体跨过所述上层非跨接斜插导电端子，并电性跨接所述复数上层跨接斜插导电端子；以及所述上层斜插组立件本体对所述上层斜插导电端子组提供定位，且所述上层斜插组立件本体可受所述本体斜插引导结构的引导而倾斜插入所述本体斜插空间，使所述上层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，并让所述上层斜插导电端子组倾斜插入所述本体斜插空间。
9.优选地，于本技术的电连接器中，还包括：一屏蔽外壳，所述屏蔽外壳具有一外壳斜插入口，所述上层斜插组立件本体经由所述外壳斜插入口穿过所述屏蔽外壳而倾斜插入所述本体斜插空间；其中，当所述上层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体时，所述屏蔽外壳于所述上层斜插导电端子组的上方延伸，使所述屏蔽外壳对所述上层斜插导电端子组的上方提供屏蔽。
10.优选地，于本技术的电连接器中，所述上层跨接屏蔽体具有一上层搭接结构，所述电连接器还包括：一下层斜插组立件，所述下层斜插组立件具有一下层斜插导电端子组、一下层跨接屏蔽体与一下层斜插组立件本体，其中，所述下层斜插导电端子组具有复数下层跨接斜插导电端子与一下层非跨接斜插导电端子，所述下层跨接屏蔽体具有一下层搭接结构，且所述下层跨接屏蔽体于所述下层斜插导电端子组的下方延伸，使所述下层跨接屏蔽体对所述下层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且所述下层跨接屏蔽体跨过所述下层非跨接斜插导电端子，并电性跨接所述复数下层跨接斜插导电端子；以及所述下层斜插组立件本体对所述下层斜插导电端子组提供定位，且所述下层斜插组立件本体可受所述本体斜插引导结构的引导而倾斜插入所述本体斜插空间，使所述下层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，并让所述下层斜插导电端子组倾斜插入所述本体斜插空间；其中，当所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体分别组立于所述电连接器本体时，所述上层搭接结构电性搭接所述下层搭接结构，使所述上层跨接屏蔽体电性搭接所述下层跨接屏蔽体。
11.优选地，于本技术的电连接器中，所述本体斜插引导结构具有一本体上层斜插引导子结构与一本体下层斜插引导子结构，所述本体上层斜插引导子结构提供引导所述上层斜插组立件本体以一上层倾斜角度倾斜插入所述本体斜插空间，所述本体下层斜插引导子结构提供引导所述下层斜插组立件本体以一下层倾斜角度倾斜插入所述本体斜插空间，其中，所述上层倾斜角度与所述下层倾斜角度相同。
12.优选地，于本技术的电连接器中，所述上层斜插组立件本体具有一上层倾斜组立引导结构，所述下层斜插组立件本体具有一下层倾斜组立引导结构，当所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体分别组立于所述电连接器本体时，所述上层倾斜组立引导结构提供引导所述上层斜插组立件本体以所述上层倾斜角度倾斜插入所述下层斜插组立件本体，所述下层倾斜组立引导结构提供引导所述下层斜插组立件本体以所述下层倾斜角度倾斜插入所述上层斜插组立件本体。
13.优选地，于本技术的电连接器中，所述上层倾斜组立引导结构露出所述上层搭接结构，所述下层倾斜组立引导结构露出所述下层搭接结构，使所述上层搭接结构可于所述上层斜插组立件本体倾斜插入所述下层斜插组立件本体时电性搭接所述下层搭接结构，还使所述下层搭接结构可于所述下层斜插组立件本体倾斜插入所述上层斜插组立件本体时
电性搭接所述上层搭接结构。
14.优选地，于本技术的电连接器中，所述上层倾斜组立引导结构与所述下层倾斜组立引导结构分别为结构配合的键槽结构与键体结构。
15.优选地，于本技术的电连接器中，所述电连接器本体还具有一本体斜插行程限制结构，所述本体斜插行程限制结构提供止挡所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体，而限制所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体分别倾斜插入所述本体斜插空间的插入行程。
16.优选地，于本技术的电连接器中，所述本体斜插行程限制结构具有一本体上层斜插行程限制子结构与一本体下层斜插行程限制子结构，所述本体上层斜插行程限制子结构限制所述上层斜插组立件本体以一上层插入行程倾斜插入所述本体斜插空间，所述本体下层斜插行程限制子结构限制所述下层斜插组立件本体以一下层插入行程倾斜插入所述本体斜插空间，其中，所述上层插入行程与所述下层插入行程相同。
17.优选地，于本技术的电连接器中，所述本体上层斜插行程限制子结构邻接所述本体上层斜插引导子结构，所述本体上层斜插引导子结构邻接所述本体下层斜插行程限制子结构，所述本体下层斜插行程限制子结构邻接所述本体下层斜插引导子结构，使所述本体上层斜插行程限制子结构、所述本体上层斜插引导子结构、所述本体下层斜插行程限制子结构与所述本体下层斜插引导子结构形成一阶梯状结构。
18.优选地，于本技术的电连接器中，所述电连接器本体还具有一本体斜插通道，所述本体斜插通道以一信道倾斜角度延伸而形成所述本体斜插空间，其中，所述通道倾斜角度、所述上层倾斜角度与所述下层倾斜角度相同。
19.优选地，于本技术的电连接器中，所述上层跨接屏蔽体与所述下层跨接屏蔽体为塑料导电体或金属导电体；所述屏蔽外壳为金属导电体；所述电连接器本体、所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体为绝缘体。
20.优选地，于本技术的电连接器中，所述上层跨接屏蔽体具有复数上层跨接屏蔽体嵌接定位结构，各所述上层跨接屏蔽体嵌接定位结构嵌接定位所述复数上层跨接斜插导电端子的其中一者，使所述上层跨接屏蔽体电性跨接所述复数上层跨接斜插导电端子；所述下层跨接屏蔽体具有复数下层跨接屏蔽体嵌接定位结构，各所述下层跨接屏蔽体嵌接定位结构嵌接定位所述复数下层跨接斜插导电端子的其中一者，使所述下层跨接屏蔽体电性跨接所述复数下层跨接斜插导电端子。
21.优选地，于本技术的电连接器中，当所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体分别组立于所述电连接器本体时，所述屏蔽外壳还于所述上层斜插导电端子组与所述下层斜插导电端子组的侧边延伸，使所述屏蔽外壳分别对所述上层斜插导电端子组与所述下层斜插导电端子组的侧边提供屏蔽。
22.再者，本技术还提供一种上层斜插组立件组立方法，搭配一电连接器本体，所述上层斜插组立件组立方法包括：提供一上层斜插导电端子组、一上层跨接屏蔽体与一上层斜插组立件本体，其中，所述上层斜插组立件本体对所述上层斜插导电端子组提供定位，且所述上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与一上层非跨接斜插导电端子，所述上层跨接屏蔽体于所述上层斜插导电端子组的下方延伸，使所述上层跨接屏蔽体对所述上层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且所述上层跨接屏蔽体跨过所述上层非跨接斜插导
电端子，并电性跨接所述复数上层跨接斜插导电端子；以及令所述上层斜插组立件本体倾斜插入所述本体斜插空间，使所述上层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，而让所述上层斜插导电端子组倾斜插入所述本体斜插空间。
23.另外，本技术还提供一种电连接器制造方法，包括：提供一电连接器本体与一上层斜插组立件，其中，所述上层斜插组立件具有一上层斜插导电端子组、一上层跨接屏蔽体与一上层斜插组立件本体，其中，所述上层斜插组立件本体对所述上层斜插导电端子组提供定位，且所述上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与一上层非跨接斜插导电端子，所述上层跨接屏蔽体于所述上层斜插导电端子组的下方延伸，使所述上层跨接屏蔽体对所述上层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且所述上层跨接屏蔽体跨过所述上层非跨接斜插导电端子，并电性跨接所述复数上层跨接斜插导电端子；所述电连接器本体具有一本体斜插空间与一本体斜插引导结构；以及令所述上层斜插组立件本体受所述本体斜插引导结构的引导而倾斜插入所述本体斜插空间，使所述上层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，并让所述上层斜插导电端子组倾斜插入所述本体斜插空间。优选地，于本技术的电连接器制造方法中，还包括：提供一下层斜插组立件，其中，所述下层斜插组立件具有一下层斜插导电端子组、一下层跨接屏蔽体与一下层斜插组立件本体，其中，所述下层斜插组立件本体对所述下层斜插导电端子组提供定位，且所述下层斜插导电端子组具有复数下层跨接斜插导电端子与一下层非跨接斜插导电端子，所述下层跨接屏蔽体于所述下层斜插导电端子组的下方延伸，使所述下层跨接屏蔽体对所述下层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且所述下层跨接屏蔽体跨过所述下层非跨接斜插导电端子，并电性跨接所述复数下层跨接斜插导电端子；以及令所述下层斜插组立件本体受所述本体斜插引导结构的引导而倾斜插入所述本体斜插空间，使所述下层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，并让所述下层斜插导电端子组倾斜插入所述本体斜插空间；其中，当所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体分别组立于所述电连接器本体时，所述上层跨接屏蔽体电性搭接所述下层跨接屏蔽体。
24.优选地，于本技术的电连接器制造方法中，还包括：提供一屏蔽外壳；以及令所述屏蔽外壳于所述上层斜插导电端子组的上方延伸，使所述屏蔽外壳对所述上层斜插导电端子组的上方提供屏蔽。
25.优选地，于本技术的电连接器制造方法中，还包括：令所述屏蔽外壳于所述上层斜插导电端子组的侧边延伸，使所述屏蔽外壳对所述上层斜插导电端子组的侧边提供屏蔽。
26.相较于先前技术，本技术提供一种电连接器及其制造方法与上层斜插组立件及其组立方法，所提供的电连接器与上层斜插组立件可借由跨接屏蔽体，对导电端子提供屏蔽而减少导电端子的信号传输受到干扰，并达成电连接器上部分导电端子彼此之间的电性连接，而抑制在传输高速信号时产生耦合的串音干扰，因此，本技术的电连接器与上层斜插组立件可符合电连接器传输高速信号等客制化需求。另外，本技术电连接器的构件是采取倾斜插入的方式完成组立，而可以降低电连接器的高度尺寸，进而减少电连接器占用电子设备的内部空间，以使电子设备能够持续朝轻薄短小的方向发展。
附图说明
27.本技术的上述及其他方面、特征以及其他优点，将通过以下结合图式的实施例描
述得到更清楚地理解。
28.图1显示为本技术的电连接器的实施例的立体示意图。
29.图2显示为本技术的电连接器的实施例的立体示意图。
30.图3显示为本技术的电连接器的实施例的仰视示意图。
31.图4显示为本技术的电连接器的实施例的俯视示意图。
32.图5显示为本技术的电连接器的实施例的前视示意图。
33.图6显示为本技术的电连接器的实施例的侧视示意图。
34.图7显示为本技术的电连接器的实施例的后视示意图。
35.图8显示为图5所示构件沿着线段aa截切的截面示意图。
36.图9显示为图5所示构件沿着线段bb截切的截面示意图。
37.图10显示为本技术的电连接器的实施例的分解示意图。
38.图11显示为本技术的电连接器的实施例的分解示意图。
39.图12显示为本技术的电连接器的实施例的组立示意图。
40.图13显示为本技术的电连接器的实施例的组立示意图。
41.图14显示为本技术的电连接器的实施例的组立示意图。
42.图15显示为本技术的电连接器的实施例的组立示意图。
43.图16显示为本技术的电连接器的实施例的组立示意图。
44.图17显示为本技术的电连接器的实施例的构件示意图。
45.图18显示为本技术的电连接器的实施例的构件示意图。
46.图19显示为本技术的电连接器的实施例的构件示意图。
47.图20显示为图19所示构件沿着线段cc截切的截面示意图。
48.图21显示为本技术的电连接器的实施例的构件示意图。
49.图22显示为本技术的电连接器的实施例的构件示意图。
50.图23显示为本技术的电连接器的实施例的构件示意图。
51.图24显示为图23所示构件沿着线段dd截切的截面示意图。
52.图25显示为本技术的电连接器的实施例的构件示意图。
53.图26显示为本技术的电连接器的实施例的构件示意图。
54.图27显示为本技术的电连接器的实施例的俯视示意图。
55.图28显示为本技术的电连接器的实施例的仰视示意图。
56.符号说明
57.1电连接器
58.11电连接器本体
59.111本体斜插空间
60.112本体斜插引导结构
61.1121本体上层斜插引导子结构
62.1122本体下层斜插引导子结构
63.113本体斜插行程限制结构
64.1131本体上层斜插行程限制子结构
65.1132本体下层斜插行程限制子结构
66.114本体斜插通道
67.12上层斜插组立件
68.121上层斜插导电端子组
69.1211上层跨接斜插导电端子
70.1212上层非跨接斜插导电端子
71.122上层跨接屏蔽体
72.1221上层搭接结构
73.1222上层跨接屏蔽体嵌接定位结构
74.123上层斜插组立件本体
75.1231上层倾斜组立引导结构
76.13屏蔽外壳
77.131外壳斜插入口
78.14下层斜插组立件
79.141下层斜插导电端子组
80.1411下层跨接斜插导电端子
81.1412下层非跨接斜插导电端子
82.142下层跨接屏蔽体
83.1421下层搭接结构
84.1422下层跨接屏蔽体嵌接定位结构
85.143下层斜插组立件本体
86.1431下层倾斜组立引导结构
具体实施方式
87.以下内容将搭配图式，借由特定的具体实施例说明本技术的技术内容，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术亦可借由其他不同的具体实施例加以施行或应用。本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本技术的精神下，进行各种修饰与变更。尤其是，于图式中各个组件的比例关及相对位置仅具示范性用途，并非代表本技术实施的实际状况。
88.本技术的电连接器可以连接线材，使本技术的电连接器可以构成线材电连接器，以提供线材的信号传输。
89.针对本技术电连接器及其上层斜插组立件的揭露，请一并参考图1至图28。
90.如图1至图11所示，本技术的电连接器1可以包括电连接器本体11、上层斜插组立件12、屏蔽外壳13与下层斜插组立件14。电连接器本体11例如为绝缘体，且如图26所示，电连接器本体11具有本体斜插空间111与本体斜插引导结构112。如图12至图13所示，上层斜插组立件12具有上层斜插导电端子组121、上层跨接屏蔽体122与上层斜插组立件本体123，且上层斜插导电端子组121具有复数上层跨接斜插导电端子1211与上层非跨接斜插导电端子1212。上层跨接屏蔽体122例如为塑料导电体或金属导电体，且可以于上层斜插导电端子组121的下方延伸，使上层跨接屏蔽体122对上层斜插导电端子组121的下方提供屏蔽，而减少上层斜插导电端子组121的信号传输受到干扰(所述外界干扰例如为emi电磁干扰或噪声
干扰)的程度，以满足电连接器的信号传输要求。于本技术中，上层跨接屏蔽体122跨过上层非跨接斜插导电端子1212，并电性跨接复数上层跨接斜插导电端子1211，使上层跨接屏蔽体122与各个上层跨接斜插导电端子1211电性连接，而形成可以传输例如接地信号的电路，以抑制电连接器在传输高速信号时产生耦合的串音干扰，而避免电连接器传输的高速信号受到干扰而衰减，以符合电连接器传输高速信号等客制化需求。
91.下层斜插组立件14具有下层斜插导电端子组141、下层跨接屏蔽体142与下层斜插组立件本体143。下层斜插导电端子组141具有复数下层跨接斜插导电端子1411与下层非跨接斜插导电端子1412。下层跨接屏蔽体142例如为塑料导电体或金属导电体，且可以于下层斜插导电端子组141的下方延伸，使下层跨接屏蔽体142对下层斜插导电端子组141的下方提供屏蔽，而减少下层斜插导电端子组141的信号传输受到干扰(所述外界干扰例如为emi电磁干扰或噪声干扰)的程度，以满足电连接器的信号传输要求。于本技术中，下层跨接屏蔽体142跨过下层非跨接斜插导电端子1412，并电性跨接复数下层跨接斜插导电端子1411，使下层跨接屏蔽体142与各个下层跨接斜插导电端子1411电性连接，而形成传输例如接地信号的电路，以抑制电连接器在传输高速信号时产生耦合的串音干扰，而避免电连接器传输的高速信号受到干扰而衰减，以符合电连接器传输高速信号等客制化需求。
92.上层斜插组立件本体123例如为绝缘体，且对上层斜插导电端子组121与上层跨接屏蔽体122提供定位，且如图10至图11所示，上层斜插组立件本体123可受本体斜插引导结构112的引导而倾斜插入本体斜插空间111，使上层斜插组立件本体123组立于电连接器本体11，并让上层斜插导电端子组121倾斜插入本体斜插空间111，如此，如图8至图9所示，可以降低电连接器的高度尺寸，进而减少电连接器占用电子设备的内部空间，以使电子设备能够持续朝轻薄短小的方向发展。
93.下层斜插组立件本体143例如为绝缘体，且对下层斜插导电端子组141与下层跨接屏蔽体142提供定位，且如图10至图11所示，下层斜插组立件本体143可受本体斜插引导结构112的引导而倾斜插入本体斜插空间111，使下层斜插组立件本体143组立于电连接器本体11，并让下层斜插导电端子组141倾斜插入本体斜插空间111，如此，如图8至图9所示，可以降低电连接器的高度尺寸，进而减少电连接器占用电子设备的内部空间，以使电子设备能够持续朝轻薄短小的方向发展。
94.具体而言，如图26所示，本体斜插引导结构112具有本体上层斜插引导子结构1121与本体下层斜插引导子结构1122。本体上层斜插引导子结构1121例如为引导坡道，而可以提供引导上层斜插组立件本体123以一上层倾斜角度倾斜插入本体斜插空间111。本体下层斜插引导子结构1122提供引导下层斜插组立件本体143以一下层倾斜角度倾斜插入本体斜插空间111，其中，所述上层倾斜角度与所述下层倾斜角度可以相同，使上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143按照相同方式倾斜插入本体斜插空间111，如此，可以让降低电连接器的尺寸，进而减少电连接器占用电子设备的内部空间，以使电子设备能够持续朝轻薄短小的方向发展。
95.另外，如图10所示，上层斜插组立件本体123具有上层倾斜组立引导结构1231，相应地，下层斜插组立件本体143具有下层倾斜组立引导结构1431。
96.应说明的是，如图17、图19所示，当上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143分别组立于电连接器本体11时，上层倾斜组立引导结构1231引导上层斜插组立件本
体123以所述上层倾斜角度倾斜插入下层斜插组立件本体143，相应地，下层倾斜组立引导结构1431提供引导下层斜插组立件本体143以所述下层倾斜角度倾斜插入上层斜插组立件本体123。
97.另外，如图17、图19所示，所述上层倾斜组立引导结构1231与所述下层倾斜组立引导结构1431例如分别为结构配合的键槽结构与键体结构，如此，可以使上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143可以组立成为一体不易受力分离。
98.如图25至图26所示，电连接器本体11具有本体斜插通道114，所述本体斜插通道114以一信道倾斜角度延伸而形成本体斜插空间111。应说明的是，于本技术中，所述通道倾斜角度、所述上层倾斜角度与所述下层倾斜角度可以相同，使上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143按照相同方式倾斜插入本体斜插空间111，如此，可以减少电连接器的尺寸，进而减少电连接器占用电子设备的内部空间，以使电子设备能够持续朝轻薄短小的方向发展。
99.另外，如图20、图24所示，上层跨接屏蔽体122具有上层搭接结构1221，相应地，下层跨接屏蔽体142具有下层搭接结构1421。当上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143分别组立于电连接器本体11时，上层搭接结构1221电性搭接下层搭接结构1421，使上层跨接屏蔽体122电性搭接下层跨接屏蔽体142，让上层跨接屏蔽体122与下层跨接屏蔽体142电性连接，而形成传输例如接地信号的电路，以抑制电连接器在传输高速信号时产生耦合的串音干扰，而避免电连接器传输的高速信号受到干扰而衰减，以符合电连接器传输高速信号等客制化需求。应说明的是，所述上层搭接结构1221与所述下层搭接结构1421例如为结构配合的浮凸结构与凹陷结构，使上层搭接结构1221能够有效电性搭接下层搭接结构1421。
100.如图15所示，上层倾斜组立引导结构1231露出上层搭接结构1221，使上层搭接结构1221可于上层斜插组立件本体123倾斜插入下层斜插组立件本体143时电性搭接下层搭接结构1421，俾让上层跨接屏蔽体122电性搭接下层跨接屏蔽体142，相应地，下层倾斜组立引导结构1431露出下层搭接结构1421，使下层搭接结构1421可于下层斜插组立件本体143倾斜插入上层斜插组立件本体123时电性搭接上层搭接结构1221，俾让上层跨接屏蔽体122电性搭接下层跨接屏蔽体142。
101.另外，如图12、图14所示，上层跨接屏蔽体122具有复数上层跨接屏蔽体嵌接定位结构1222，各所述上层跨接屏蔽体嵌接定位结构1222例如为夹持结构，而可以借由夹持方式嵌接定位复数上层跨接斜插导电端子1211的其中一者，使上层跨接屏蔽体122电性跨接复数上层跨接斜插导电端子1211，而形成传输例如接地信号的电路，以抑制电连接器在传输高速信号时产生耦合的串音干扰。如图12、图14所示，下层跨接屏蔽体142具有复数下层跨接屏蔽体嵌接定位结构1422，各所述下层跨接屏蔽体嵌接定位结构1422例如为夹持结构，而可以借由夹持方式嵌接定位复数下层跨接斜插导电端子1411的其中一者，使下层跨接屏蔽体142电性跨接复数下层跨接斜插导电端子1411，而形成传输例如接地信号的电路，以抑制电连接器在传输高速信号时产生耦合的串音干扰。
102.如图25所示，电连接器本体11还具有本体斜插行程限制结构113，所述本体斜插行程限制结构113提供止挡上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143，而限制上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143分别倾斜插入本体斜插空间111的插入行
程，避免上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143过度倾斜插入本体斜插空间111，使上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143倾斜插入的状态符合预期。
103.具体而言，如图25所示，本体斜插行程限制结构113具有本体上层斜插行程限制子结构1131与本体下层斜插行程限制子结构1132。本体上层斜插行程限制子结构1131限制上层斜插组立件本体123以一上层插入行程倾斜插入本体斜插空间111。相应地，本体下层斜插行程限制子结构1132限制下层斜插组立件本体143以一下层插入行程倾斜插入本体斜插空间111。
104.应说明的是，所述上层插入行程与所述下层插入行程可以相同，使上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143按照相同方式倾斜插入本体斜插空间111，以让电连接器的尺寸降低，进而减少电连接器占用电子设备的内部空间，以使电子设备能够持续朝轻薄短小的方向发展。
105.如图25至图26所示，本体上层斜插行程限制子结构1131邻接本体上层斜插引导子结构1121，而本体上层斜插引导子结构1121邻接本体下层斜插行程限制子结构1132，且本体下层斜插行程限制子结构1132邻接本体下层斜插引导子结构1122，如此，本体上层斜插行程限制子结构1131、本体上层斜插引导子结构1121、本体下层斜插行程限制子结构1132与本体下层斜插引导子结构1122可以形成阶梯状结构以符合使用需求。
106.屏蔽外壳13例如为金属导电体，且如图25所示，屏蔽外壳13具有外壳斜插入口131。应说明的是，上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143分别经由外壳斜插入口131穿过屏蔽外壳13而倾斜插入本体斜插空间111，俾将上层斜插组立件12与下层斜插组立件14组立于电连接器本体11。
107.另外，当上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143分别组立于电连接器本体11时，屏蔽外壳13于上层斜插导电端子组121与下层斜插组立件本体143的上方延伸，使屏蔽外壳13对上层斜插导电端子组121与下层斜插组立件本体143的上方提供屏蔽，而减少上层斜插导电端子组121与下层斜插组立件本体143的信号传输受到干扰(所述外界干扰例如为emi电磁干扰或噪声干扰)的程度，以满足电连接器的信号传输要求。当上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143分别组立于电连接器本体11时，屏蔽外壳13还于上层斜插导电端子组121与下层斜插导电端子组141的侧边延伸，使屏蔽外壳13分别对上层斜插导电端子组121与下层斜插导电端子组141的侧边提供屏蔽，而减少上层斜插导电端子组121与下层斜插组立件本体143的信号传输受到干扰(所述外界干扰例如为emi电磁干扰或噪声干扰)的程度，以满足电连接器的信号传输要求。
108.应说明的是，于本技术的电连接器中，还可以省略前述部分构件，举例而言，本技术的电连接器包括：电连接器本体与上层斜插组立件。电连接器本体具有本体斜插空间与本体斜插引导结构。上层斜插组立件具有上层斜插导电端子组、上层跨接屏蔽体与上层斜插组立件本体。
109.上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与上层非跨接斜插导电端子，上层跨接屏蔽体于上层斜插导电端子组的下方延伸，使上层跨接屏蔽体对上层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且上层跨接屏蔽体跨过上层非跨接斜插导电端子，并电性跨接复数上层跨接斜插导电端子。
110.另外，上层斜插组立件本体对上层斜插导电端子组提供定位，且上层斜插组立件
本体可受本体斜插引导结构的引导而倾斜插入本体斜插空间，使上层斜插组立件本体组立于电连接器本体，并让上层斜插导电端子组倾斜插入本体斜插空间。
111.再者，于本技术的上层斜插组立件中，还可以省略前述部分构件，举例而言，本技术的上层斜插组立件包括：上层斜插导电端子组、上层跨接屏蔽体与上层斜插组立件本体。
112.上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与上层非跨接斜插导电端子。上层跨接屏蔽体于上层斜插导电端子组的下方延伸，使上层跨接屏蔽体对上层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且上层跨接屏蔽体跨过上层非跨接斜插导电端子，并电性跨接复数上层跨接斜插导电端子。上层斜插组立件本体对上层斜插导电端子组提供定位，且上层斜插组立件本体倾斜插入电连接器本体，使上层斜插组立件本体组立于电连接器本体，而让上层斜插导电端子组倾斜插入电连接器本体。
113.针对本技术电连接器制造方法的揭露，请一并参考图1至图28。
114.本技术的电连接器制造方法，包括以下步骤：
115.首先，于步骤一中，如图10所示，提供电连接器本体11、上层斜插组立件12、屏蔽外壳13与下层斜插组立件14。
116.应说明的是，如图26所示，电连接器本体11具有本体斜插空间111与本体斜插引导结构112。如图12至图13所示，上层斜插组立件12具有上层斜插导电端子组121、上层跨接屏蔽体122与上层斜插组立件本体123，其中，上层斜插组立件本体123可对上层斜插导电端子组121与上层跨接屏蔽体122提供定位，且上层斜插导电端子组121具有复数上层跨接斜插导电端子1211与上层非跨接斜插导电端子1212。如图14所示，上层跨接屏蔽体122于上层斜插导电端子组121的下方延伸，使上层跨接屏蔽体122对上层斜插导电端子组121的下方提供屏蔽，且上层跨接屏蔽体122跨过上层非跨接斜插导电端子1212，并电性跨接复数上层跨接斜插导电端子1211而形成传输例如接地信号的电路，以抑制电连接器在传输高速信号时产生耦合的串音干扰。
117.另外，如图12至图13所示，下层斜插组立件14具有下层斜插导电端子组141、下层跨接屏蔽体142与下层斜插组立件本体143，其中，下层斜插组立件本体143可对下层斜插导电端子组141与下层跨接屏蔽体142提供定位，且下层斜插导电端子组141具有复数下层跨接斜插导电端子1411与下层非跨接斜插导电端子1412。如图14所示，下层跨接屏蔽体142于下层斜插导电端子组141的下方延伸，使下层跨接屏蔽体142对下层斜插导电端子组141的下方提供屏蔽，且下层跨接屏蔽体142跨过下层非跨接斜插导电端子1412，并电性跨接复数下层跨接斜插导电端子1411而形成传输例如接地信号的电路，以抑制电连接器在传输高速信号时产生耦合的串音干扰。
118.再者，如图5所示，屏蔽外壳13于上层斜插导电端子组的上方延伸，使屏蔽外壳13对上层斜插导电端子组121与下层斜插导电端子组141的上方提供屏蔽。另外，屏蔽外壳13还可于上层斜插导电端子组121与下层斜插导电端子组141的侧边延伸，使屏蔽外壳13分别对上层斜插导电端子组121与下层斜插导电端子组141的侧边提供屏蔽。
119.接着，于步骤二中，令上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143穿过屏蔽外壳13，而受本体斜插引导结构112的引导分别倾斜插入本体斜插空间111，使上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143组立于电连接器本体11，并让上层斜插导电端子组121与下层斜插导电端子组141分别倾斜插入本体斜插空间111，以让电连接器的尺寸降
低，进而减少电连接器占用电子设备的内部空间，以使电子设备能够持续朝轻薄短小的方向发展。
120.应说明的是，当上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143分别组立于电连接器本体11时，屏蔽外壳13于上层斜插导电端子组121与下层斜插导电端子组141的上方延伸，使屏蔽外壳13对上层斜插导电端子组121与下层斜插导电端子组141的上方提供屏蔽。
121.另外，当上层斜插组立件本体123与下层斜插组立件本体143分别组立于电连接器本体11时，如图20、图24所示，上层跨接屏蔽体122电性搭接下层跨接屏蔽体142而形成传输例如接地信号的电路，以抑制电连接器在传输高速信号时产生耦合的串音干扰。
122.应说明的是，本技术的电连接器借由构件的组立而制成，因此，在电连接器设计完成后，仍然可以借由组立构件的调整，而达成客制化调整电连接器的结构设计，以满足电子设备的特殊需求及发展。
123.应说明的是，于本技术的电连接器制造方法中，还可以省略前述部分步骤，举例而言，本技术的电连接器制造方法，包括以下步骤：提供电连接器本体与上层斜插组立件，其中，上层斜插组立件具有上层斜插导电端子组、上层跨接屏蔽体与上层斜插组立件本体，其中，上层斜插组立件本体对上层斜插导电端子组提供定位，且上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与上层非跨接斜插导电端子，上层跨接屏蔽体于上层斜插导电端子组的下方延伸，使上层跨接屏蔽体对上层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且上层跨接屏蔽体跨过上层非跨接斜插导电端子，并电性跨接复数上层跨接斜插导电端子；电连接器本体具有本体斜插空间与本体斜插引导结构，以及令上层斜插组立件本体受本体斜插引导结构的引导而倾斜插入本体斜插空间，使上层斜插组立件本体组立于电连接器本体，并让上层斜插导电端子组倾斜插入本体斜插空间。
124.针对本技术上层斜插组立件组立方法的揭露，请一并参考图1至图28。
125.本技术的上层斜插组立件组立方法，包括以下步骤：
126.首先，于步骤一中，如图12至图13所示，提供上层斜插导电端子组121、上层跨接屏蔽体122与上层斜插组立件本体123。
127.应说明的是，如图10所示，上层斜插组立件本体123对上层斜插导电端子组121与上层跨接屏蔽体122提供定位，且上层斜插导电端子组121具有复数上层跨接斜插导电端子1211与上层非跨接斜插导电端子1212。如图14所示，上层跨接屏蔽体122于上层斜插导电端子组121的下方延伸，使上层跨接屏蔽体122对上层斜插导电端子组121的下方提供屏蔽，且上层跨接屏蔽体122跨过上层非跨接斜插导电端子1212，并电性跨接复数上层跨接斜插导电端子1211，而形成传输例如接地信号的电路，以抑制电连接器在传输高速信号时产生耦合的串音干扰。
128.接着，于步骤二中，令上层斜插组立件本体123受本体斜插引导结构112的引导而分别倾斜插入本体斜插空间111，使上层斜插组立件本体123组立于电连接器本体11，并让上层斜插导电端子组121倾斜插入本体斜插空间111，以让电连接器的尺寸降低，进而减少电连接器占用电子设备的内部空间，以使电子设备能够持续朝轻薄短小的方向发展。
129.应说明的是，于本技术的上层斜插组立件组立方法中，还可以省略前述部分步骤，举例而言，本技术的上层斜插组立件组立方法，包括以下步骤：提供上层斜插导电端子组、
上层跨接屏蔽体与上层斜插组立件本体，其中，上层斜插组立件本体对上层斜插导电端子组提供定位，且上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与上层非跨接斜插导电端子，上层跨接屏蔽体于上层斜插导电端子组的下方延伸，使上层跨接屏蔽体对上层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且上层跨接屏蔽体跨过上层非跨接斜插导电端子，并电性跨接复数上层跨接斜插导电端子；以及令上层斜插组立件本体倾斜插入电连接器本体，使上层斜插组立件本体组立于电连接器本体，而让上层斜插导电端子组倾斜插入电连接器本体。
130.综上所述，本技术提供一种电连接器及其制造方法与上层斜插组立件及其组立方法，所提供的电连接器与上层斜插组立件可借由跨接屏蔽体，对导电端子提供屏蔽而减少导电端子的信号传输受到干扰，并达成电连接器上部分导电端子彼此之间的电性连接，而抑制在传输高速信号时产生耦合的串音干扰，因此，本技术的电连接器与上层斜插组立件可符合电连接器传输高速信号等客制化需求。另外，本技术电连接器的构件是采取倾斜插入的方式完成组立，而可以降低电连接器的高度尺寸，进而减少电连接器占用电子设备的内部空间，以使电子设备能够持续朝轻薄短小的方向发展。
131.上述实施例仅例示性说明本技术之原理及功效，而非用于限制本技术。任何熟习此项技术之人士均可在不违背本技术之精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本技术之权利保护范围，应如本技术的权利要求所列。

技术特征：
1.一种上层斜插组立件，其特征在于，所述上层斜插组立件搭配一电连接器本体，所述上层斜插组立件包括：一上层斜插导电端子组，所述上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与一上层非跨接斜插导电端子；一上层跨接屏蔽体，所述上层跨接屏蔽体于所述上层斜插导电端子组的下方延伸，使所述上层跨接屏蔽体对所述上层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且所述上层跨接屏蔽体跨过所述上层非跨接斜插导电端子，并电性跨接所述复数上层跨接斜插导电端子；以及一上层斜插组立件本体，所述上层斜插组立件本体对所述上层斜插导电端子组提供定位，且所述上层斜插组立件本体倾斜插入所述电连接器本体，使所述上层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，而让所述上层斜插导电端子组倾斜插入所述电连接器本体。2.一种电连接器，其特征在于，包括；一电连接器本体，所述电连接器本体具有一本体斜插空间与一本体斜插引导结构；一上层斜插组立件，所述上层斜插组立件具有一上层斜插导电端子组、一上层跨接屏蔽体与一上层斜插组立件本体，其中，所述上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与一上层非跨接斜插导电端子，所述上层跨接屏蔽体于所述上层斜插导电端子组的下方延伸，使所述上层跨接屏蔽体对所述上层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且所述上层跨接屏蔽体跨过所述上层非跨接斜插导电端子而电性跨接所述复数上层跨接斜插导电端子；以及所述上层斜插组立件本体对所述上层斜插导电端子组提供定位，且所述上层斜插组立件本体可受所述本体斜插引导结构的引导而倾斜插入所述本体斜插空间，使所述上层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，并让所述上层斜插导电端子组倾斜插入所述本体斜插空间。3.如权利要求2所述的电连接器，其特征在于，所述电连接器还包括：一屏蔽外壳，所述屏蔽外壳具有一外壳斜插入口，所述上层斜插组立件本体经由所述外壳斜插入口穿过所述屏蔽外壳而倾斜插入所述本体斜插空间；其中，当所述上层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体时，所述屏蔽外壳于所述上层斜插导电端子组的上方延伸，使所述屏蔽外壳对所述上层斜插导电端子组的上方提供屏蔽。4.如权利要求3所述的电连接器，其特征在于，所述上层跨接屏蔽体具有一上层搭接结构，所述电连接器还包括：一下层斜插组立件，所述下层斜插组立件具有一下层斜插导电端子组、一下层跨接屏蔽体与一下层斜插组立件本体，其中，所述下层斜插导电端子组具有复数下层跨接斜插导电端子与一下层非跨接斜插导电端子，所述下层跨接屏蔽体具有一下层搭接结构，且所述下层跨接屏蔽体于所述下层斜插导电端子组的下方延伸，使所述下层跨接屏蔽体对所述下层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且所述下层跨接屏蔽体跨过所述下层非跨接斜插导电端子，并电性跨接所述复数下层跨接斜插导电端子；以及所述下层斜插组立件本体对所述下层斜插导电端子组提供定位，且所述下层斜插组立件本体可受所述本体斜插引导结构的引导而倾斜插入所述本体斜插空间，使所述下层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，并让所述下层斜插导电端子组倾斜插入所述本体斜插空间；其中，
当所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体分别组立于所述电连接器本体时，所述上层搭接结构电性搭接所述下层搭接结构，使所述上层跨接屏蔽体电性搭接所述下层跨接屏蔽体。5.如权利要求4所述的电连接器，其特征在于，所述本体斜插引导结构具有一本体上层斜插引导子结构与一本体下层斜插引导子结构，所述本体上层斜插引导子结构提供引导所述上层斜插组立件本体以一上层倾斜角度倾斜插入所述本体斜插空间，所述本体下层斜插引导子结构提供引导所述下层斜插组立件本体以一下层倾斜角度倾斜插入所述本体斜插空间，其中，所述上层倾斜角度与所述下层倾斜角度相同。6.如权利要求5所述的电连接器，其特征在于，所述上层斜插组立件本体具有一上层倾斜组立引导结构，所述下层斜插组立件本体具有一下层倾斜组立引导结构，当所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体分别组立于所述电连接器本体时，所述上层倾斜组立引导结构提供引导所述上层斜插组立件本体以所述上层倾斜角度倾斜插入所述下层斜插组立件本体，所述下层倾斜组立引导结构提供引导所述下层斜插组立件本体以所述下层倾斜角度倾斜插入所述上层斜插组立件本体。7.如权利要求6所述的电连接器，其特征在于，所述上层倾斜组立引导结构露出所述上层搭接结构，所述下层倾斜组立引导结构露出所述下层搭接结构，使所述上层搭接结构可于所述上层斜插组立件本体倾斜插入所述下层斜插组立件本体时电性搭接所述下层搭接结构，还使所述下层搭接结构可于所述下层斜插组立件本体倾斜插入所述上层斜插组立件本体时电性搭接所述上层搭接结构。8.如权利要求6所述的电连接器，其特征在于，所述上层倾斜组立引导结构与所述下层倾斜组立引导结构分别为结构配合的键槽结构与键体结构。9.如权利要求5所述的电连接器，其特征在于，所述电连接器本体还具有一本体斜插行程限制结构，所述本体斜插行程限制结构提供止挡所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体，而限制所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体分别倾斜插入所述本体斜插空间的插入行程。10.如权利要求9所述的电连接器，其特征在于，所述本体斜插行程限制结构具有一本体上层斜插行程限制子结构与一本体下层斜插行程限制子结构，所述本体上层斜插行程限制子结构限制所述上层斜插组立件本体以一上层插入行程倾斜插入所述本体斜插空间，所述本体下层斜插行程限制子结构限制所述下层斜插组立件本体以一下层插入行程倾斜插入所述本体斜插空间，其中，所述上层插入行程与所述下层插入行程相同。11.如权利要求10所述的电连接器，其特征在于，所述本体上层斜插行程限制子结构邻接所述本体上层斜插引导子结构，所述本体上层斜插引导子结构邻接所述本体下层斜插行程限制子结构，所述本体下层斜插行程限制子结构邻接所述本体下层斜插引导子结构，使所述本体上层斜插行程限制子结构、所述本体上层斜插引导子结构、所述本体下层斜插行程限制子结构与所述本体下层斜插引导子结构形成一阶梯状结构。12.如权利要求5所述的电连接器，其特征在于，所述电连接器本体还具有一本体斜插通道，所述本体斜插通道以一信道倾斜角度延伸而形成所述本体斜插空间，其中，所述通道倾斜角度、所述上层倾斜角度与所述下层倾斜角度相同。13.如权利要求4所述的电连接器，其特征在于，所述上层跨接屏蔽体与所述下层跨接
屏蔽体为塑料导电体或金属导电体；所述屏蔽外壳为金属导电体；所述电连接器本体、所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体为绝缘体。14.如权利要求4所述的电连接器，其特征在于，所述上层跨接屏蔽体具有复数上层跨接屏蔽体嵌接定位结构，各所述上层跨接屏蔽体嵌接定位结构嵌接定位所述复数上层跨接斜插导电端子的其中一者，使所述上层跨接屏蔽体电性跨接所述复数上层跨接斜插导电端子；所述下层跨接屏蔽体具有复数下层跨接屏蔽体嵌接定位结构，各所述下层跨接屏蔽体嵌接定位结构嵌接定位所述复数下层跨接斜插导电端子的其中一者，使所述下层跨接屏蔽体电性跨接所述复数下层跨接斜插导电端子。15.如权利要求4所述的电连接器，其特征在于，当所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体分别组立于所述电连接器本体时，所述屏蔽外壳还于所述上层斜插导电端子组与所述下层斜插导电端子组的侧边延伸，使所述屏蔽外壳分别对所述上层斜插导电端子组与所述下层斜插导电端子组的侧边提供屏蔽。16.一种上层斜插组立件组立方法，其特征在于，搭配一电连接器本体，所述上层斜插组立件组立方法包括：提供一上层斜插导电端子组、一上层跨接屏蔽体与一上层斜插组立件本体，其中，所述上层斜插组立件本体对所述上层斜插导电端子组提供定位，且所述上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与一上层非跨接斜插导电端子，所述上层跨接屏蔽体于所述上层斜插导电端子组的下方延伸，使所述上层跨接屏蔽体对所述上层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且所述上层跨接屏蔽体跨过所述上层非跨接斜插导电端子而电性跨接所述复数上层跨接斜插导电端子；以及令所述上层斜插组立件本体倾斜插入所述电连接器本体，使所述上层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，而让所述上层斜插导电端子组倾斜插入所述电连接器本体。17.一种电连接器制造方法，其特征在于，包括：提供一电连接器本体与一上层斜插组立件，其中，所述上层斜插组立件具有一上层斜插导电端子组、一上层跨接屏蔽体与一上层斜插组立件本体，其中，所述上层斜插组立件本体对所述上层斜插导电端子组提供定位，且所述上层斜插导电端子组具有复数上层跨接斜插导电端子与一上层非跨接斜插导电端子，所述上层跨接屏蔽体于所述上层斜插导电端子组的下方延伸，使所述上层跨接屏蔽体对所述上层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且所述上层跨接屏蔽体跨过所述上层非跨接斜插导电端子，并电性跨接所述复数上层跨接斜插导电端子；所述电连接器本体具有一本体斜插空间与一本体斜插引导结构；以及令所述上层斜插组立件本体受所述本体斜插引导结构的引导而倾斜插入所述本体斜插空间，使所述上层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，并让所述上层斜插导电端子组倾斜插入所述本体斜插空间。18.如权利要求17所述的电连接器制造方法，其特征在于，还包括：提供一下层斜插组立件，其中，所述下层斜插组立件具有一下层斜插导电端子组、一下层跨接屏蔽体与一下层斜插组立件本体，其中，所述下层斜插组立件本体对所述下层斜插导电端子组提供定位，且所述下层斜插导电端子组具有复数下层跨接斜插导电端子与一下层非跨接斜插导电端子，所述下层跨接屏蔽体于所述下层斜插导电端子组的下方延伸，使所述下层跨接屏蔽体对所述下层斜插导电端子组的下方提供屏蔽，且所述下层跨接屏蔽体
跨过所述下层非跨接斜插导电端子，并电性跨接所述复数下层跨接斜插导电端子；以及令所述下层斜插组立件本体受所述本体斜插引导结构的引导而倾斜插入所述本体斜插空间，使所述下层斜插组立件本体组立于所述电连接器本体，并让所述下层斜插导电端子组倾斜插入所述本体斜插空间；其中，当所述上层斜插组立件本体与所述下层斜插组立件本体分别组立于所述电连接器本体时，所述上层跨接屏蔽体电性搭接所述下层跨接屏蔽体。19.如权利要求17所述的电连接器制造方法，其特征在于，还包括：提供一屏蔽外壳；以及令所述屏蔽外壳于所述上层斜插导电端子组的上方延伸，使所述屏蔽外壳对所述上层斜插导电端子组的上方提供屏蔽。20.如权利要求19所述的电连接器制造方法，其特征在于，还包括：令所述屏蔽外壳于所述上层斜插导电端子组的侧边延伸，使所述屏蔽外壳对所述上层斜插导电端子组的侧边提供屏蔽。

技术总结
本发明提供一种电连接器及其制造方法与上层斜插组立件及其组立方法，所提供的电连接器与上层斜插组立件可借由跨接屏蔽体，对导电端子提供屏蔽而减少导电端子的信号传输受到干扰，并达成电连接器上部分导电端子彼此之间的电性连接，而抑制在传输高速信号时产生耦合的串音干扰，因此，本申请的电连接器与上层斜插组立件可符合电连接器传输高速信号等客制化需求。另外，本申请电连接器的构件是采取倾斜插入的方式完成组立，而可以降低电连接器的高度尺寸，进而减少电连接器占用电子设备的内部空间，以使电子设备能够持续朝轻薄短小的方向发展。向发展。向发展。


技术研发人员：陈盈仲 黄睦容
受保护的技术使用者：唐虞企业股份有限公司
技术研发日：2022.06.29
技术公布日：2023/9/20