显示面板及制作方法、显示装置与流程

1.本公开实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及制作方法、显示装置。


背景技术：

2.显示装置在生活中具有广泛的应用场景，如手机、平板电脑等电子设备。显示面板为显示装置的重要组成部分。


技术实现要素：

3.本公开提供了一种显示面板及制作方法、显示装置，可以对性地提高第一子像素单元的亮度，所述技术方案如下：
4.一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括第一基板和阵列布置在所述第一基板一侧的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素单元，每个所述子像素单元均包括第一电极，所述多个子像素单元的第一电极同层布置；所述多个子像素单元包括第一子像素单元和第二子像素单元，所述第一子像素单元的第一电极的具有第一透过率，所述第二子像素单元的第一电极具有第二透过率，所述第一透过率大于所述第二透过率。
5.可选地，所述第一电极采用透明导电材料制成且包含氧元素，所述第一子像素单元的第一电极中的氧元素的含量大于所述第二子像素单元的第一电极中的氧元素的含量。
6.可选地，所述第一电极采用氧化铟锡或者氧化铟锌制成。
7.可选地，所述第一子像素单元对应的颜色为红色或蓝色。
8.可选地，每个所述子像素单元均包括一个发光器件，每个所述发光器件均包括依次层叠的第二电极、发光层和所述第一电极。
9.可选地，所述显示面板还包括彩膜层，所述彩膜层包括阵列布置的多个色阻块，所述多个子像素单元和所述多个色阻块一一对应；所述第一子像素单元对应的色阻块的厚度大于所述第二子像素单元对应的色阻块的厚度。
10.可选地，每个所述子像素单元包括驱动单元和所述第一电极；所述显示面板还包括第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对，所述第二基板包括阵列布置的多个色阻块，所述多个子像素单元和所述多个色阻块一一对应；所述第一子像素单元对应的色阻块的厚度大于所述第二子像素单元对应的色阻块的厚度。
11.另一方面，提供了一种显示面板的制作方法，所述方法包括：提供第一基板；在所述第一基板的一侧形成多个像素单元，所述多个像素单元阵列布置，每个所述像素单元包括多个子像素单元，每个所述子像素单元均包括第一电极，所述多个子像素单元的第一电极同层布置；其中，所述多个子像素单元包括第一子像素单元和第二子像素单元，所述第一子像素单元的第一电极具有第一透过率，所述第二子像素单元的第一电极具有第二透过率，所述第一透过率大于所述第二透过率。
12.可选地，所述在所述第一基板的一侧形成多个像素单元，包括：
13.采用以下方式形成所述多个像素单元的第一电极：形成所述多个子像素单元中的
多个第一电极；采用光刻胶对所述第二子像素单元的第一电极进行遮挡；对所述第一子像素单元的第一电极进行高氧处理，使得所述第一子像素单元的第一电极中的氧元素的含量大于所述第二子像素单元的第一电极中的氧元素的含量；
14.或者，采用以下方式形成所述多个像素单元的第一电极：
15.形成第一电极层，所述第一电极层包括所述多个子像素单元中的多个具有第二氧含量的第一电极；去除所述第一电极层中，所述多个第一子像素单元的具有第二氧含量的第一电极；在所述第一电极层上形成第二电极层，所述第二电极层包括所述多个子像素单元中的多个具有第一氧含量的第一电极；去除所述多个第二子像素单元中的具有所述第一氧含量的第一电极，所述第一氧含量高于所述第二氧含量。
16.又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一种显示面板和供电电路，所述供电电路用于为所述显示面板供电。
17.本公开提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
18.第一子像素单元的第一电极具有第一透过率，第二子像素单元的第一电极具有第二透过率，通过使第一透过率大于第二透过率，可以针对性地提高第一子像素单元的亮度。
附图说明
19.为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
20.图1是本公开实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图；
21.图2是本公开实施例提供的一种显示面板的层级结构示意图；
22.图3是本公开实施例提供的一种显示面板的层级结构示意图；
23.图4是本公开实施例提供的一种彩膜层中一个像素区域的示意图；
24.图5是本公开实施例提供的一种显示面板的层级结构示意图；
25.图6是本公开实施例提供的又一种显示面板的层级结构示意图；
26.图7是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图；
27.图8是本公开实施例提供的一种遮挡位于第一子像素内的具有第二透过率的第一电极的示意图；
28.图9是本公开实施例提供的一种1000a厚的ito电极在经不同体积流量的氧气处理后的透过率关系图。
29.图例说明：
30.1、第一基板p、像素单元q、子像素单元
31.2、第一电极3、第二电极4、发光层5、驱动电路层6、封装层
32.7、光转换层8、彩膜层81、色阻块82、黑矩阵
33.9、驱动单元10、第二基板11、液晶层12、公共电极
具体实施方式
34.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方
式作进一步地详细描述。
35.本公开的实施方式部分使用的术语仅用于对本公开的实施例进行解释，而非旨在限定本公开。除非另作定义，本公开的实施方式使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。
36.相关技术中，显示面板包括第一基板和阵列布置在第一基板一侧的多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素单元，每个子像素单元均包括第一电极，多个子像素单元的第一电极同层布置。多个子像素单元包括第一子像素单元和第二子像素单元，第一子像素单元的第一电极的透过率与第二子像素单元的第一电极的透过率相同。不同颜色的子像素单元的发光效率或者出光效率可能不同，导致不同颜色的亮度不同。因此需要针对性的提高部分子像素单元的亮度。
37.图1是本公开实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图。如图1所示，显示面板包括第一基板1和阵列布置在第一基板1一侧的多个像素单元p。示例性地，显示面板包括显示区a和周边区s，周边区s可以围绕aa区设置。显示区a为显示图像的区域，多个像素单元p设置于显示区a中。周边区s为不显示图像的区域，周边区s中设置有显示驱动电路，例如，栅极驱动电路和/或源极驱动电路等。
38.多个像素单元p沿着第一方向x和第二方向y阵列布置。每个像素单元p包括多个子像素单元q。在一种可能的实施方式中，如图1所示，每个像素单元p中包括沿第一方向x排布的三个子像素单元q。其中，沿第一方向x排列成一排的子像素单元q可称为同一行子像素单元q，同一行子像素单元q可以与一根栅线(图中未示出)连接。沿第二方向y排列成一列的子像素单元可称为同一列子像素单元，同一列子像素单元q可以与一根数据线(图中未示出)连接。可选地，三个子像素单元q对应的颜色可以是红色、绿色和蓝色。
39.本公开实施例对每个像素单元p所包含的子像素单元q的数量以及每个像素单元p中子像素单元q的排列方式不做限制。例如，在另一种可能的实施方式中，每个像素单元p中包括四个子像素单元q，四个子像素单元q分为两行。四个子像素单元q对应的颜色可以是红色、蓝色、绿色和绿色，红色子像素单元和一个绿色子像素单元交替布置排成一行，蓝色子像素单元和另一个绿色子像素单元交替布置排成另一行。四个子像素单元对应的颜色也可以是红色、蓝色、绿色和白色。
40.在本公开实施例中，该显示面板可以是qled(quantum dot light emitting diodes，量子点发光二极管)显示面板、oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示面板或者液晶显示面板。下面对这几种显示面板的结构分别进行介绍。
41.图2是本公开实施例提供的一种显示面板的层级结构示意图。如图2所示，每个子像素单元q均包括第一电极2，多个子像素单元q的第一电极2同层布置。多个子像素单元q包括第一子像素单元和第二子像素单元，第一子像素单元的第一电极2的具有第一透过率，第二子像素单元的第一电极2具有第二透过率，第一透过率大于第二透过率。这样可以针对性
地提高第一子像素单元的亮度。
42.本公开实施例中，第一电极2采用透明导电材料制成且包含氧元素，第一子像素单元的第一电极2中的氧元素的含量大于第二子像素的第一电极中的氧元素的含量。随着第一电极2中的氧元素的含量的增加，第一电极2内氧空位等缺陷态减少，第一电极2的光学带隙增加，光子发生跃迁的几率减少，透过率增加。
43.示例性地，第一电极2采用ito(indium tin oxide，氧化铟锡)或者izo(indium zinc oxide，氧化铟锌)制成。上述这两种材料均具有透过率随着氧含量增大而增大的性质。
44.示例性地，第一子像素单元对应的颜色为红色或蓝色。由于红色和蓝色对应的子像素存在色域问题，因此，需要提高该颜色对应的子像素单元的第一电极的透过率。
45.在一种可能的实施方式中，第二子像素单元为除了第一子像素单元之外的其他子像素单元。在另一种可能的实施方式中，除了第一子像素单元和第二子像素单元之外，还可以包括第三子像素单元，第三子像素单元的第一电极的透过率与前述第一透过率和第二透过率均不同。也即是，在本公开实施例中，子像素单元按照第一电极的透过率来划分。
46.图2中的显示面板为oled显示面板。如图2所示，每个子像素单元q均包括一个发光器件，每个发光器件均包括依次层叠的第二电极3、发光层4和第一电极2。第二电极3位于靠近第一基板1的一侧。其中，各个发光器件的发光层4均发白光。因此，该显示面板也可以称为woled显示面板。
47.可选地，第一电极2为阳极，第二电极3为阴极且多个发光器件的第二电极3可以相连成一层结构，也可以独立设置。
48.可选地，第二电极3采用透明导电材料制成，例如ito、izo等。或者，第二电极3采用金属材料制成，例如ag、al等。
49.示例性地，发光层4可以包括空穴传输层(hole transport layer，简称htl)、空穴注入层(hole injection layer，简称hil)、电子传输层(electron transport layer，简称etl)、电子注入层(electron injection layer，简称eil)、空穴阻挡层(hole block layer，简称hbl)、电子阻挡层(electron blocking layer，简称ebl)和发光材料层。电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光材料层、空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层依次层叠。
50.示例性地，如图2所示，woled显示面板还包括驱动电路层5和彩膜层8。驱动电路层5包括多个像素电路，每个像素电路由tft(thin film transistor，薄膜晶体管)、c(capacitance，电容)等电子器件组成。每个像素电路与至少一个发光器件连接，用于控制所连接的发光器件发光。可选地，像素电路可以由两个tft(一个开关tft和一个驱动tft)和一个电容构成的2t1c结构；当然，像素电路还可以由两个以上的tft(多个开关tft和一个驱动tft)和至少一个电容构成。其中，像素电路必须包括驱动tft，驱动tft可以与发光器件连接。
51.彩膜层8包括多个色阻块81以及位于多个色阻块81之间的黑矩阵82。白光穿过彩膜层8发出与多个色阻块81对应颜色的光，实现彩色显示。
52.可选地，多个色阻块81的厚度相同，或者，多个色阻块81的厚度不同。例如，与第一子像素单元对应的色阻块的厚度，大于第二子像素单元对应的色阻块的厚度。与第一子像
素单元对应的色阻块的厚度大，可以提升第一子像素单元对应的颜色的色域，但同时色阻块越厚，色阻块的透过率越低，亮度会降低。在第一子像素单元内设置具有相对较高透过率的第一电极，可以改善第一子像素单元对应的颜色亮度不足的问题。可选地，与红色或蓝色对应的子像素单元的色阻块的厚度，比其它子像素单元的色阻块的厚度大。
53.示例性地，woled显示面板中，一个像素单元p包括4个子像素单元q，分别对应红色、绿色、蓝色和白色。相应的，彩膜层8中包括多个像素区域，每个像素区域包括4个子像素区域。
54.图3是本公开实施例提供的一种彩膜层中一个像素区域的示意图。示例性地，如图3所示，一个像素区域中的四个子像素区域分别为红色子像素区域、蓝色子像素区域、绿色子像素区域和白色子像素区域。红色子像素区域中设有红色色阻块，绿色子像素区域中设有绿色色阻块，蓝色子像素区域中设有蓝色色阻块，白色子像素区域中设有透明材料。
55.可选地，显示面板还包括封装层6，封装层6位于第一电极2和彩膜层8之间。这种设置方式可以称为coe(color on encapsulation，将彩膜或彩色滤光片集成于封装层)；封装层6也可以位于彩膜层8远离第一电极2的一侧。
56.在一种可能的实施方式中，彩膜层8直接在封装层6上制作。这种显示面板可以称为coa(cf on array，彩色滤光片贴附于阵列基板)型woled显示面板，这是coa技术和woled技术的结合。利用coa技术，将彩膜层做到阵列基板上，oled白光材料所发射的白光通过不同的色阻块得到不同的光线。与传统底发光oled结构相比，这种技术不受有机蒸镀光罩在大尺寸面板制作的限制，因此，在大尺寸oled方面有着广泛的应用。
57.示例性地，本实施例中，第一基板1可以为任意呈透明的基板，例如玻璃基板、石英基板、塑胶基板、其他透明的硬质基板或者其他透明的可挠式基板，其可以是单层或多层结构。以多层结构为例，第一基板1包括由下至上依次层叠设置的第一pi(聚酰亚胺)层、第一保护层、第二pi层、第二保护层，两个保护层用于保护pi层，防止后续工艺对pi层的破坏。第二保护层上还覆盖有缓冲层，可以阻挡水氧和阻隔碱性离子。当然，第一基板1也可以为硅基板，例如为单晶硅或者高纯度硅。硅基板内集成有上述的像素驱动电路包括的各晶体管，例如，通过掺杂工艺在硅基板中形成晶体管的源极、漏极和栅极。
58.示例性地，驱动电路层5包括在第一基板1上依次层叠的遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层、源漏极层、钝化层和平坦化层。
59.可选地，有源层的制作材料可以是非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体等，例如ltps(low temperature poly-silicon，低温多晶硅)和ltpo(low temperature polycrystalline oxide，低温多晶氧化物)；栅极绝缘层的制作材料可以是硅氧化物或硅氮化物，硅氮氧化物等。
60.可选地，栅极层的制作材料可以是钼、铜、铝、钛等单层金属薄膜，也可以是依次层叠的钼层、铝层和钼层，或者是依次层叠的钛层、铝层和钛层等多层金属薄膜；层间介电层的制作材料可以是硅氧化物或硅氮化物等。
61.可选地，源漏极层的制作材料可以是铝、钼、铜、钛等单层金属薄膜，也可以是依次层叠的钼层、铝层和钼层，或者是依次层叠的钛层、铝层和钛层等多层金属薄膜。
62.可选地，遮光层的制作材料可以是金属，除了起到为有源层遮光的作用，也起到了电容板的作用。
63.可选地，钝化层的制作材料可以是硅氧化物。
64.可选地，平坦化层的制作材料可以是树脂等。
65.图4是本公开实施例提供的一种显示面板的层级结构示意图。图4中显示面板为qled显示面板。如图4所示，每个子像素单元q均包括一个发光器件，每个发光器件均包括依次层叠在第一基板1的一侧的第二电极3、发光层4和第一电极2。与图2所示实施例中各个发光器件的发光层4均发白光不同，图4中每个发光器件的发光层4均发蓝光。
66.示例性地，如图4所示，显示面板还包括驱动电路层5和光转换层7。驱动电路层5位于第一基板1和第二电极3之间，光转换层7位于第一电极2远离第一基板1的一侧。驱动电路层5的相关内容参见图2所示内容，在此不再详细描述。
67.示例性地，光转换层7包括阵列分布的多个光转换单元，多个光转换单元与多个子像素单元一一对应，即每个子像素单元包括一个光转换单元。可选地，多个光转换单元中包括在蓝光激发下发出红光的光转换单元、在蓝光激发下发出绿光的光转换单元和用于出射蓝光的透明的光转换单元。可选地，发出红光的光转换单元包括多个红色量子点发光颗粒，发出绿光的光转换单元包括多个绿色量子点发光颗粒。透明的光转换单元包括高透过率材料，例如透明度树脂材料如聚酰亚胺，聚丙烯酸等。
68.可选地，如图4所示，显示面板还包括彩膜层8，彩膜层8位于光转换层7远离第一基板1的一侧。彩膜层8包括多个色阻块81和位于多个色阻块81之间的黑矩阵82，多个色阻块81与多个发光器件一一对应。加入彩膜层8可以改善光色串扰问题。
69.可选地，显示面板还包括封装层6，封装层6位于第一电极2和光转换层7之间。
70.图5是本公开实施例提供的一种显示面板的层级结构示意图。该显示面板为液晶显示面板。如图5所示，每个子像素单元q包括驱动单元和第一电极2。显示面板还包括第二基板10，第二基板10与第一基板1相对，第二基板10包括多个色阻块81，多个子像素单元q和多个色阻块81一一对应。显示面板包括驱动电路层5，驱动单元位于驱动电路层5内。在该实施例中，第一电极2也称为像素电极。
71.示例性地，如图5所示，显示面板还包括液晶层11，液晶层11位于第一基板1和第二基板10之间。
72.如图5所示，显示面板还包括公共电极层12，公共电极层12位于第一电极2所在层靠近或者远离液晶层11的一侧。在其他实施例中，公共电极层12位于第二基板10上。可选地，公共电极层12采用ito等透明导电材料或者金属材料制成。
73.背光源发出的光从第一基板1射入显示面板后，驱动电路层5内的驱动单元控制第一电极2，第一电极2和公共电极层12控制液晶层11内液晶分子的偏转，从而控制穿过该子像素单元对应的色阻块10光线的亮度，实现彩色显示。
74.通过使第一子像素单元的第一电极2的透过率大于第二子像素的第一电极2的透过率，可针对性地提高第一子像素单元的亮度。
75.图6是本公开实施例提供的又一种显示面板的层级结构示意图。与图2所示实施例相比，图6所示实施例的不同是各个发光器件的发光层4发出不同颜色的光，如红光、绿光和蓝光，可以为不同颜色的子像素单元布置不同透过率的第一电极，从而达到针对性提高部分颜色的亮度的作用。
76.示例性地，如图6所示，oled显示面板还包括驱动电路层5，驱动电路层5、第二电极
3、发光层4、第一电极2依次层叠在第一基板1的一面。
77.可选地，oled显示面板还包括彩膜层8，彩膜层8位于第一电极2远离发光层4的一侧，彩膜层8包括多个色阻块81以及位于多个色阻块之间的黑矩阵82。若无彩膜层8，显示面板可以具有相对更高的亮度。而加入彩膜层8可以改善光色串扰问题。
78.可选地，显示面板还包括封装层6，封装层6位于第一电极2和彩膜层8之间。
79.可选地，oled显示面板还包括触控层4，触控层4位于彩膜层8靠近第一电极2的一侧。可以使oled显示面板具有触控功能。可选地，触控层4在第一基板1的承载面上的正投影位于黑矩阵82在第一基板1的承载面上的正投影内，从而使触控层尽可能减少对显示面板开口率的影响。可选地，触控层4采用金属材料制成。
80.图6中的各层结构的相关内容参见前述图2所示实施例部分，在此不再赘述。
81.图7是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图。如图7所示，显示面板的制作方法包括：
82.步骤s1中，提供第一基板。
83.步骤s2中，在第一基板的一侧形成多个像素单元，多个像素单元阵列布置，每个像素单元包括多个子像素单元，每个子像素单元均包括第一电极，多个子像素单元的第一电极同层布置。
84.其中，多个子像素单元包括第一子像素单元和第二子像素单元，第一子像素单元的第一电极的具有第一透过率，第二子像素单元的第一电极具有第二透过率，第一透过率大于第二透过率。
85.可选地，在步骤s2中，在第一基板的一侧形成多个像素单元，包括：采用以下两种方式中的任一种形成多个像素单元的第一电极。
86.第一种方式：
87.第一步、形成多个子像素单元中的多个第一电极。
88.第二步、采用光刻胶对第二子像素的第一电极进行遮挡。
89.第三步、对第一子像素单元的第一电极进行高氧处理，使得第一子像素单元的第一电极中的氧元素的含量大于第二子像素单元的第一电极中的氧元素的含量。
90.在该第一步中，首先将第一基板放入反应腔中并向反应腔通入第二流量的氧气。在该第三步中，向第一基板所在的反应腔中通入第一流量的氧气，以对第一子像素单元的第一电极进行高氧处理。可选地，该第三步中，还包括对各子像素单元对应的第一电极进行退火处理，退火处理与通入氧气处理同时进行。其中，第一子像素单元的第一电极在退火处理过程中晶化形成具有第一透过率的第一电极。可选地，退火处理的温度为220～240℃，时长为0.5～1小时，例如退火温度为230℃，时长为45分钟。
91.图8是本公开实施例提供的一种遮挡位于第一子像素内的第一电极的示意图。如图8所示，采用光刻胶材料对位于第一子像素内的具有第二透过率的第一电极进行遮挡。
92.第二种方式：
93.第一步、形成第一电极层，所述第一电极层包括所述多个子像素单元中的多个具有第二氧含量的第一电。
94.例如，可以将第一基板放入反应腔中并向反应腔通入第二流量的氧气，以形成多个具有第二氧含量的第一电极。
95.第二步、去除第一电极层中，多个第一子像素单元的具有第二氧含量的第一电极。
96.可选地，采用湿刻法或者干刻法去除多个第一子像素单元的具有第二氧含量的第一电极。
97.第三步、在第一电极层上形成第二电极层，第二电极层包括多个子像素单元中的多个具有第一氧含量的第一电极。
98.第四步、去除所述多个第二子像素单元中的具有所述第一氧含量的第一电极。
99.可选地，采用湿刻法或者干刻法去除多个第一子像素单元的具有第一氧含量的第一电极。
100.可选地，采用溅射沉积的方法形成第一电极和第二电极。
101.示例性地，第一流量为5sccm～20sccm，第二流量为5sccm～20sccm。例如，第一流量为5sccm～15sccm、5sccm～10sccm，第二流量为5sccm～15sccm、5sccm～10sccm。经过实验验证，在氧气流量为5sccm～20sccm中，通入的氧气流量越大，得到的第一电极的氧含量越高、透过率越高。
102.图9是本公开实施例提供的一种1000a厚的ito电极在经不同体积流量的氧气处理后的透过率关系图。从图9可得，对于厚度为1000a的ito电极，通入5sccm氧气生成的ito电极的透过率与通入15sccm氧气生成的ito电极的透过率相比，通入15sccm氧气生成的ito电极的透过率在400nm至800nm波长范围内均更高，经计算，在全波段透过率约提升2.35％，在蓝光波段(对应横坐标约420-480nm处)透过率约提升1.7％，即高氧处理的蓝色子像素单元的第一电极相比于未高氧处理的其他子像素单元的第一电极透过率约高1.7％；在红光波段(对应横坐标约590-650nm处)透过率约提升1.2％，即高氧处理的红色子像素单元的第一电极相比于为高氧处理的其他子像素单元的第一电极透过率约高1.2％。需要说明的是，图中标记数据仅为简单示意变化趋势，不代表准确数值。还对1700a厚度的ito电极做了实验验证，当氧气流量从5sccm提升到15sccm后，在全波段透过率提升了约3.75％，在蓝光波段(对应横坐标约420-480nm处)透过率提升了约3.9％，即高氧处理的蓝色子像素单元的第一电极相比于未高氧处理的其他子像素单元的第一电极透过率约高3.9％；在红光波段(对应横坐标约590-650nm处)透过率约提升5％，即高氧处理的红色子像素单元的第一电极相比于为高氧处理的其他子像素单元的第一电极透过率约高5％。
103.可选地，在通入氧气时，还需通入氩气、氢气或富氢化合物等气体，其中氩气具有惰性，氢气或富氢化合物作为辅助反应气体。以便在低温条件下退火较短时间就获得透过率较高的透明导电膜。可选地，富氢化合物为水、丙酮、乙醇中的一种。可选地，通入500～800sccm的氢气与氩气的混合气体，其中氢气占比2～5％。
104.本公开还提供了一种显示装置，显示装置包括前述任一种显示面板和供电电路，供电电路用于为显示面板供电。
105.示例性地，本公开实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
106.该显示装置具有前述显示面板相同的效果，在此不再赘述。
107.以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

技术特征：
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括第一基板和阵列布置在所述第一基板一侧的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素单元，每个所述子像素单元均包括第一电极，所述多个子像素单元的第一电极同层布置；所述多个子像素单元包括第一子像素单元和第二子像素单元，所述第一子像素单元的第一电极具有第一透过率，所述第二子像素单元的第一电极具有第二透过率，所述第一透过率大于所述第二透过率。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极采用透明导电材料制成且包含氧元素，所述第一子像素单元的第一电极中的氧元素的含量大于所述第二子像素单元的第一电极中的氧元素的含量。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极采用氧化铟锡或者氧化铟锌制成。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素单元对应的颜色为红色或蓝色。5.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，每个所述子像素单元均包括一个发光器件，每个所述发光器件均包括依次层叠的第二电极、发光层和所述第一电极。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括彩膜层，所述彩膜层包括阵列布置的多个色阻块，所述多个子像素单元和所述多个色阻块一一对应；所述第一子像素单元对应的色阻块的厚度大于所述第二子像素单元对应的色阻块的厚度。7.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，每个所述子像素单元包括驱动单元和所述第一电极；所述显示面板还包括第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对，所述第二基板包括阵列布置的多个色阻块，所述多个子像素单元和所述多个色阻块一一对应；所述第一子像素单元对应的色阻块的厚度大于所述第二子像素单元对应的色阻块的厚度。8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一基板；在所述第一基板的一侧形成多个像素单元，所述多个像素单元阵列布置，每个所述像素单元包括多个子像素单元，每个所述子像素单元均包括第一电极，所述多个子像素单元的第一电极同层布置；其中，所述多个子像素单元包括第一子像素单元和第二子像素单元，所述第一子像素单元的第一电极具有第一透过率，所述第二子像素单元的第一电极具有第二透过率，所述第一透过率大于所述第二透过率。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一基板的一侧形成多个像素单元，包括：采用以下方式形成所述多个像素单元的第一电极：形成所述多个子像素单元中的多个第一电极；采用光刻胶对所述第二子像素单元的第一电极进行遮挡；对所述第一子像素单元的第一电极进行高氧处理，使得所述第一子像素单元的第一电
极中的氧元素的含量大于所述第二子像素单元的第一电极中的氧元素的含量；或者，采用以下方式形成所述多个像素单元的第一电极：形成第一电极层，所述第一电极层包括所述多个子像素单元中的多个具有第二氧含量的第一电极；去除所述第一电极层中，所述多个第一子像素单元的具有第二氧含量的第一电极；在所述第一电极层上形成第二电极层，所述第二电极层包括所述多个子像素单元中的多个具有第一氧含量的第一电极；去除所述多个第二子像素单元中的具有所述第一氧含量的第一电极，所述第一氧含量高于所述第二氧含量。10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至7中任一项所述的显示面板和供电电路，所述供电电路用于为所述显示面板供电。

技术总结
本公开实施例提供了一种显示面板及制作方法、显示装置。显示面板包括第一基板和阵列布置在第一基板一侧的多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素单元，每个子像素单元均包括第一电极，多个子像素单元的第一电极同层布置。多个子像素单元包括第一子像素单元和第二子像素单元，第一子像素单元的第一电极的具有第一透过率，第二子像素单元的第一电极具有第二透过率，第一透过率大于第二透过率。本公开实施例可以提高第一子像素单元对应的亮度。实施例可以提高第一子像素单元对应的亮度。实施例可以提高第一子像素单元对应的亮度。


技术研发人员：王安君 王明 赵策
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2023.07.04
技术公布日：2023/9/20