电极浆料、制备金属电极的方法和太阳能电池与流程

1.本发明涉及太阳能电池的技术领域，具体涉及一种电极浆料、制备金属电极的方法和太阳能电池。


背景技术：

2.异质结电池具有转化效率高、结构简单、工艺流程短、无pid现象和薄片化等优点，在未来光伏电池技术中极具竞争力。根据光伏协会预测，从2022年开始异质结电池市场占有率稳步增长，到2030年有望市场占有率达40％左右。
3.异质结电池产业化最大的障碍是成本，降本是异质结电池的重中之重。常规异质结电池片的栅线电极是采用丝网印刷低温银浆的方法制备获得的。低温银浆价格昂贵，并且制备栅线电极对低温银浆的耗量大，这导致了银浆成本占异质结电池非硅成本的42％，因此降本是异质结电池的重要改进方向。
[0004]“去银化”、“少银化”是异质结“降本增效”的必经之路。现有技术中公开了一种氧化铜油墨激光还原制备铜电极的方法，其采用的是有机物乙二醇与氧化铜制成油墨，然后用激光分解乙二醇形成乙醛，在激光能量辅助下，乙醛还原氧化铜形成铜金属电极。该方法中有机物挥发使得铜电极孔隙率较高，从而导致铜电极致密性较差，电阻率相比纯铜大一到两个数量级。
[0005]
因此，开发一种孔隙率低、致密性良好和电阻率低的金属电极的制备方法具有重要的经济价值。


技术实现要素：

[0006]
本发明的目的在于克服现有技术存在的上述问题，提供一种电极浆料、制备金属电极的方法和太阳能电池，该太阳能电池包含该方法制备获得的金属电极。本发明提供的制备金属电极的方法具有工艺流程简单、工艺效率高、生产成本低和环保等优点；制备获得的金属电极具有孔隙率低、致密性良好和电阻率低等优点。
[0007]
为了实现上述目的，本发明第一方面提供了一种制备金属电极的方法，所述方法包括以下步骤：
[0008]
s1：在有机体系中，将金属氧化物和固体还原剂混合；
[0009]
s2：将步骤s1获得的混合物设置于基板的表面；
[0010]
s3：激光照射所述基板表面的混合物，通过所述激光的移动在所述基板上形成金属单质附着的预设图形区。
[0011]
在一实例中，所述金属氧化物包括氧化铜或氧化亚铜的一种或两种。
[0012]
在一实例中，所述金属氧化物为氧化铜和/或氧化亚铜。
[0013]
在一实例中，所述固体还原剂为石墨和/或石墨烯。
[0014]
在一实例中，所述金属氧化物和所述固体还原剂的质量比为1:(0.8-5)。
[0015]
在一优选实例中，所述金属氧化物和所述固体还原剂的质量比为1:(1-3)。
[0016]
在一实例中，所述金属氧化物的d50为50nm-1000nm。
[0017]
在一实例中，所述固体还原剂的d50为50nm-1000nm。
[0018]
在一实例中，有机体系包括基体树脂和稀释剂。
[0019]
在一实例中，所述基体树脂选自聚氨酯树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂和聚醚类树脂中的至少一种。
[0020]
在一实例中，所述稀释剂选自二丙二醇甲醚醋酸酯、二乙二醇丁醚醋酸酯、醋酸乙酯和醋酸丁酯中的至少一种。
[0021]
在一实例中，所述步骤s3中，所述激光的参数包括：脉冲频率1500-2500khz、脉冲能量400-600nj、激光波长400-1200nm、脉冲宽度＜15ps、扫描速度2-10mm/s。
[0022]
在一实例中，所述基板选自单晶硅、多晶硅、高分子材料、陶瓷和玻璃中的至少一种。
[0023]
在一实例中，所述基板为包括单晶硅和/或多晶硅的硅基板。
[0024]
在一实例中，所述金属电极为太阳能电池、二次电池、电路板、发光二极管或微电子器件中的金属电极。
[0025]
在一实例中，所述金属电极为太阳能电池的栅线电极。
[0026]
本发明第二方面提供了一种太阳能电池，包括金属电极，所述金属电极采用本发明第一方面所述的方法制备获得
[0027]
本发明采用上述技术方案具有以下有益效果：
[0028]
(1)本发明提供的电极浆料采用导电且具有还原性的石墨粉和/或石墨烯作为还原剂，反应生成物为气体，无副产物，安全环保，可以完全采用铜栅线替代昂贵银浆，实现大幅降本。
[0029]
(2)本发明提供的制备金属电极的方法，引入激光工艺，在低温条件下实现异质结电池铜栅线直写；工艺效率高，激光扫描速率可调，可快速实现栅线成型工艺；工艺流程简单，可以减少常规异质结金属化设备，缩减设备成本。
[0030]
(3)本发明制备获得的太阳能电池，其金属电极具有孔隙率低、致密性良好和电阻率低等优点。
[0031]
在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
附图说明
[0032]
图1所示为本发明制备金属电极的方法的流程示意图。
[0033]
附图标记：1-基板；2-电极浆料；3-激光；4-金属电极。
具体实施方式
[0034]
以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0035]
除非另有定义，本发明中所使用的所有科学和技术术语具有与本发明涉及技术领
域的技术人员通常理解的相同的含义。
[0036]
本发明第一方面提供了电极浆料，包括金属氧化物、固体还原剂和有机体系；所述金属氧化物包括氧化铜或氧化亚铜的一种或两种。
[0037]
在一实例中，所述金属氧化物可以为氧化铜，所述金属氧化物也可以为氧化亚铜，或者所述金属氧化物可以为氧化铜和氧化亚铜的混合物。
[0038]
本发明中，所述固体还原剂可以根据实际需要进行选择，只要满足在激光照射处理时能够将金属氧化物还原成金属单质即可。
[0039]
本发明中，所述有机体系具有黏结剂的类似作用，将金属氧化物和固体还原剂的混合物黏结在一起形成油墨或者前驱体浆料，方便前驱体浆料涂覆在基板上。有机体系的选择原则为：在激光照射下不分解，或者分解不产生气体，或者分解产生少量的气体，且不与金属氧化物和固体还原剂发生化学反应。
[0040]
本发明中，固体还原剂和金属氧化物在有机体系中混合后不会发生氧化还原反应，两种组分都保持相对稳定的化学状态。只有在激光提供能量的情况下，固体还原剂才会发生氧化还原反应将金属氧化物还原为金属单质。
[0041]
本发明中，当采用所述的电极浆料制备太阳能电池的栅线电极时，可以利用价格低廉的铜栅线替代昂贵的银浆制备的银栅线，实现“去银化”或“少银化”，能够大幅的降低太阳能电池的生产成本。
[0042]
为了进一步提升电极浆料的性能，制备的金属电极的物理性能更好，可以对其中一个或多个特征进行优选。
[0043]
在一实例中，所述固体还原剂为石墨和/或石墨烯，即固体还原剂可以为石墨，固体还原剂也可以为石墨烯，或者固体还原剂为石墨和石墨烯的混合物。
[0044]
为了提高固体还原剂还原金属氧化物的效率，使得制备金属电极的工艺效率更高，优选金属氧化物和固体还原剂的质量比为1:(0.8-5)。
[0045]
在一实例中，金属氧化物和固体还原剂的质量比可以为1:0.8、1:1、1:1.2、1:1.5、1:1.8、1:2、1:2.2、1:2.5、1:2.8、1:3、1:3.5、1:4、1:4.5、1:5。
[0046]
在一优选实例中，金属氧化物和固体还原剂的质量比可以为1:(1-3)。
[0047]
本发明中，所述金属氧化物和固体还原剂可以为粉末态，使得金属氧化物和固体还原剂更好地分散在有机体系中，进而使金属氧化物和固体还原剂更均匀地附着于基板的表面，使制备的金属电极的厚度更均一。
[0048]
在一实例中，所述金属氧化物的d50为50nm-1000nm，优选为60nm-500nm。
[0049]
在一实例中，所述固体还原剂的d50为50nm-1000nm，优选为60nm-500nm。
[0050]
本发明中，所述d50的数值可以采用激光粒度分析仪测试获得。
[0051]
在一实例中，所述有机体系包括基体树脂和稀释剂。即本发明的有机体系可以为基体树脂和稀释剂的混合物，可以依据上述有机体系的选择原则在本领域内选择用于制备油墨或浆料的基体树脂和稀释剂。
[0052]
示例性地，所述基体树脂选自聚氨酯树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂和聚醚类树脂中的至少一种。
[0053]
在一实例中，所述基体树脂为聚氨酯树脂，或者所述基体树脂为环氧树脂，或者所述基体树脂为聚氨酯树脂和环氧树脂的组合。
[0054]
示例性地，所述稀释剂选自二丙二醇甲醚醋酸酯、二乙二醇丁醚醋酸酯、醋酸乙酯和醋酸丁酯中的至少一种。
[0055]
本发明中，所述有机体系可以为基体树脂和稀释剂简单混合制备得到。
[0056]
为了使固体还原剂和金属氧化物在有机体系中的溶解效果更好，优选所述有机体系的制备方法包括以下步骤：在50-90℃条件下，将所述基体树脂和所述稀释剂进行第一接触。
[0057]
本发明中，所述第一接触可以为基体树脂和稀释剂的混合接触。所述第一接触的时间不作限定，基体树脂完全溶解在稀释剂中就可以结束第一接触的过程，获得有机体系。
[0058]
在一实例中，所述有机体系的制备方法包括以下步骤：在70-80℃条件下，将所述基体树脂和所述稀释剂进行混合。
[0059]
在一实例中，所述基体树脂和所述稀释剂的质量比为1:(1-6)。
[0060]
在一实例中，所述有机体系的制备方法包括以下步骤：
[0061]
将15wt％-50wt％聚氨酯树脂，溶入50wt％-80wt％的二丙二醇甲醚醋酸酯中，恒温加热70-80℃得到完全溶解的有机体系。
[0062]
本发明第二方面提供了一种制备金属电极的方法，所述方法采用本发明第一方面所述的电极浆料和激光工艺制备金属电极。
[0063]
在一实例中，所述制备金属电极的方法，包括以下步骤：
[0064]
s1：将上述的电极浆料涂覆于基板的表面；
[0065]
s2：激光照射所述基板表面的混合物，通过所述激光的移动在所述基板上形成金属单质附着的预设图形区。
[0066]
本发明中，所述“预设图形区”是指基板上对应于激光移动照射的区域。图形区的具体形态可以按照金属电极的目标图形或目标图案提前预设，例如栅线电极，预设图形可以为纵横交错的栅线图案。
[0067]
所述步骤s1中，电极浆料可以只设置在基板的一个表面，也可以设置在基板相对的两个表面，或者电极浆料设置在基板的所有表面。
[0068]
在一实例中，所述电极浆料可以以涂布或喷涂等方式涂覆在基板的表面，涂覆的厚度可以根据金属电极的性能进行限定。例如，制备太阳能金属电极时，涂覆厚度可以为5μm-10μm。
[0069]
本发明中，将金属氧化物和固体还原剂在有机体系中混合得到电极浆料，再将该电极浆料涂覆在基板的表面，用激光移动照射基板表面的电极浆料，在激光提供能量的情况下，预设图形内的固体还原剂将金属氧化物还原为金属单质附着在基板的表面，进而制备获得图形化的金属电极。该制备金属电极的方法流程简单，可以减少常规金属化设备，进而缩减设备成本；而且工艺效率高，激光移动扫描速率可调，可以快速实现金属电极的成型工艺。
[0070]
本发明中，激光的工艺参数直接影响制备的金属电极的性能，例如金属电极的宽度、厚度和生成速度等，不同要求的金属电极需要选择不同的激光发射器和调整不同的激光工艺参数。
[0071]
在一实例中，制备太阳能电池栅线电极的激光工艺参数包括：脉冲频率1500-2500khz、脉冲能量400-600nj、激光波长400-1200nm、脉冲宽度＜15ps、扫描速度2-10mm/s。
[0072]
在一实例中，对于激光照射类型不作具体限定，可以根据制备的金属电极的要求进行选择，示例性地，所述激光可以为点状激光、线状激光或面状激光。选择点状激光可以制备图形化简单或点状图形化的金属电极；选择线状激光可以制备图形化复杂或线状图形化的金属电极；选择面状激光制备图形化更复杂或厚度要求较高的金属电极。
[0073]
本发明中，基板选择与制备的金属电极适用的技术领域直接相关。示例性地，所述基板选自单晶硅、多晶硅、高分子材料、陶瓷和玻璃中的至少一种。
[0074]
在一实例中，当制备的金属电极为太阳能电池(异质结电池)的栅线电极时，基板可以选择含有单晶硅和/或多晶硅的硅基板。
[0075]
在一实例中，当制备的金属电极为柔性电路时，基板可以选择含有高分子材料的高分子基材膜。
[0076]
在一实例中，当制备的金属电极为电路板时，基板可以选择含有陶瓷和/或玻璃的刚性基板。
[0077]
本发明提供的制备金属电极的方法可以适用于多种领域，例如：太阳能电池、二次电池、电路板、发光二极管或微电子器件的领域，也可以为其它技术领域的电池或仪器设备，只要含有利用本发明的方法制备的金属电极都在本发明的保护范围之内。
[0078]
示例性地，所述金属电极为太阳能电池、二次电池、电路板、发光二极管或微电子器件中的金属电极。
[0079]
在一实例中，所述金属电极为太阳能电池的金属栅线电极，例如所述金属电极为异质结电池的铜栅线电极。
[0080]
本发明中，制备金属电极的方法包括步骤s3：去除未参与反应的混合物。此外，制备金属电极的方法还可以包括其它操作步骤，例如步骤s1涂覆电极浆料后的干燥步骤。
[0081]
参照图1的流程示意图，本发明制备金属电极的方法可以概括为以下几个步骤：
[0082]
(i)将金属氧化物和固体还原剂在有机体系中混合得到电极浆料2；
[0083]
(ii)将该电极浆料2涂覆在基板1的表面；
[0084]
(iii)用激光3扫描移动照射基板1表面的电极浆料2；
[0085]
(iv)去除多余的未参与反应的电极浆料2，获得金属电极4。
[0086]
本发明还提供了制备太阳能电池铜栅线电极的方法，包括以下步骤：
[0087]
(1)将石墨粉末和氧化铜(或氧化亚铜)粉末加入环氧树脂的有机体系混合制备成电极浆料，石墨粉末与氧化铜(或氧化亚铜)粉末质量比为(1-3):1之间；
[0088]
(2)采用涂布方式将电极浆料涂覆到太阳能电池的硅基板上；
[0089]
(3)用纳秒(飞秒)激光扫描基板表面的浆料，激光设置参数：脉冲频率1500-2500khz、脉冲能量400-600nj、激光波长400-1200nm、脉冲宽度＜15ps、扫描速度2-10mm/s；
[0090]
(4)反应完成后去除剩余电极浆料，得到铜栅线电极。
[0091]
本发明的发明人发现，乙二醇系油墨在反应过程中存在有机物挥发和水汽产生，导致铜栅线的孔隙率在10％-30％。具体原因分析如下：乙二醇系油墨与氧化铜还原反应如下：
[0092]
c2h6o2＝》ch3cho+h2o
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
[0093]
ch3cho+cuo＝》ch3cooh+cu (2)
[0094]
合并后反应式：c2h6o2+cuo＝》ch3cooh+cu+h2o(3)
[0095]
eg作为还原剂是间接还原，在激光作用下，乙二醇分解为具有还原性的乙醛，然后通过乙醛还原氧化铜。反应式(3)中，乙酸(ch3cooh)和水(h2o)在激光作用下局部高温均会挥发，从而使金属栅线电极产生空洞，导致栅线有较高的孔隙率。并且乙酸挥发有刺鼻气味，对局部环境有影响。
[0096]
本发明中，上述制备金属电极的方法中，发生氧化还原反应的原理如下：
[0097]
2cuo+c＝》2cu+co2[0098]
2cu2o+c＝》4cu+co2[0099]
合并化学式：2cuo+c＝》2cu+co2(4)
[0100]
反应式(4)中co2是气体，无色无味，对环境无影响。对比反应式(3)和(4)等量cuo进行还原反应，乙二醇系产生的挥发气体是石墨粉系的4倍，因此，理论上乙二醇系还原后栅线电极的孔隙率达到石墨粉系的4倍。拥有较低的孔隙率是铜栅线改善电阻率的关键之一。本发明采用石墨粉还原氧化铜得到的栅线更具备电阻率优势。
[0101]
采用石墨粉和氧化铜(或氧化亚铜)粉末制备的电极浆料反应后，铜栅线电极的孔隙率可以降低到5％以内，对铜栅线的电阻率有改善效果，铜栅线的电阻率可达到纯铜同一个数量级或高一个数量级。
[0102]
上述制备铜栅线电极的方法中，采用兼具导电性和还原性的石墨粉作为还原剂，反应后副产物为co2气体，环保安全。而且，石墨粉本身具备导电性，融入氧化铜粉末后，若反应充分，可得到高纯度铜栅线，若反应后有石墨粉残留，因本身具备导电性，对铜栅线电阻率影响较小，可得到比较接近纯铜的电阻率。
[0103]
本发明提出的利用激光诱导加工氧化铜(或者氧化亚铜)和石墨的油墨或浆料，利用激光能量实现低温条件下石墨还原氧化铜，形成铜单质。该技术主要优点有低温加工、工艺流程简单、制程效率高、以价格低廉的金属铜完全替代价格昂贵的银、能够大幅降低太阳能电池金属电极的生产成本。另外，石墨还原氧化铜，一方面不存在反应有机物挥发问题，降低孔隙率。另一方面石墨本身导电，可以实现更接近纯铜的电阻率性能。
[0104]
本发明第三方面提供了一种太阳能电池，包括金属电极，所述金属电极采用本发明第一方面所述的电极浆料制备获得，或者采用本发明第二方面所述的方法制备获得。
[0105]
示例性，所述太阳能电池为硅太阳能电池，具体可以为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池。也可以为其它类型的太阳能电池，只要该太阳能电池的金属电极采用本发明提供的制备方法获得即在本发明的保护范围之内。
[0106]
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0107]
下述实施例中所用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
[0108]
下面结合具体实施例详细描述本发明，这些实施例用于理解而不是限制本发明。
[0109]
实施例1
[0110]
一种电极浆料，采用以下制备方法获得：
[0111]
(1)将20％聚氨酯树脂，溶入60％的二丙二醇甲醚醋酸酯中，恒温加热70-80℃得到完全溶解的有机体系a；
[0112]
(2)将石墨粉末和氧化铜粉末加入有机体系a混合制备成电极浆料，石墨粉末与氧化铜粉末质量比为2:1；石墨粉末的d50为60nm-500nm，氧化铜粉末的d50为60nm-500nm。
[0113]
实施例2
[0114]
一种电极浆料，采用以下制备方法获得：
[0115]
(1)将20％环氧树脂，溶入80％的二乙二醇丁醚醋酸酯中，恒温加热70-80℃得到完全溶解的有机体系b；
[0116]
(2)将石墨烯粉末和氧化亚铜粉末加入有机体系b混合制备成电极浆料，石墨烯粉末与氧化亚铜粉末质量比为3:1；石墨烯粉末的d50为60nm-500nm，氧化亚铜粉末的d50为60nm-500nm。
[0117]
实施例3
[0118]
一种电极浆料，采用以下制备方法获得：
[0119]
(1)将20％环氧树脂，溶入60％的二丙二醇甲醚醋酸酯中，恒温加热70-80℃得到完全溶解的有机体系c；
[0120]
(2)将石墨粉末、氧化铜粉末和氧化亚铜粉末加入有机体系c混合制备成电极浆料，石墨烯粉末、氧化铜粉末和氧化亚铜粉末的质量比为1:0.9:0.1；石墨烯粉末的d50为60nm-500nm，氧化铜粉末的d50为60nm-500nm，氧化亚铜粉末的d50为60nm-500nm。
[0121]
实施例4
[0122]
参照实施例1进行，所不同的是，步骤(2)中的参与反应的组分为石墨粉末、氧化铜粉末和氧化亚铜粉末的混合物，三者的质量比为2:0.5:0.5；氧化亚铜粉末的d50为60nm-500nm。
[0123]
实施例5
[0124]
参照实施例1进行，所不同的是，石墨粉末与氧化铜粉末质量比5:1。
[0125]
实施例6-10
[0126]
一种制备太阳能电池铜栅线电极的方法，包括以下步骤：
[0127]
(1)实施例6-10采用涂布方式，将实施例1-5提供的电极浆料分别涂覆到太阳能电池的硅基板上，涂覆厚度为10μm；
[0128]
(2)用纳秒(飞秒)激光扫描基板表面的浆料，激光设置参数：脉冲频率2000khz、脉冲能量490nj、激光波长530nm、脉冲宽度＜15ps、扫描速度4mm/s；
[0129]
(3)反应完成后用清水冲洗基板去除剩余浆料，得到铜栅线电极。
[0130]
对比例1
[0131]
一种制备太阳能电池铜栅线电极的方法，包括以下步骤：
[0132]
(1)将氧化铜粉末、还原剂乙二醇(eg)和分散剂聚乙烯吡咯烷酮(pvp)配制成油墨，其中，氧化铜粉末和还原剂的质量比为2:1，氧化铜粉末和pvp的质量比为3:1；氧化铜粉末的d50为60nm-500nm；
[0133]
(2)采用涂布方式将油墨涂覆到太阳能电池的硅基板上，涂覆厚度为10μm；
[0134]
(3)用纳秒(飞秒)激光扫描基板表面的浆料，激光设置参数：脉冲频率2000khz、脉冲能量490nj、激光波长530nm、脉冲宽度＜15ps、扫描速度4mm/s；
[0135]
(4)反应完成后用清水冲洗基板去除剩余油墨，得到铜栅线电极。
[0136]
测试例
[0137]
(1)测试上述实施例6-10和对比例1获得金属电极的孔隙率，采用金相显微镜测量并计算，结果记录于表1中。
[0138]
(2)测试上述实施例和对比例获得金属电极的电阻率，采用电阻仪测量，结果记录于表1中。
[0139]
表1
[0140][0141][0142]
由表1的数据可以看出，本发明制备的金属电极的孔隙率均在5％以内，电极的致密性良好，同时改善了金属电极的电阻率。
[0143]
通过比对对比例1和实施例6-10的结果可以看出，本发明的制备的金属电极具有孔隙率低和电阻率低的优点。
[0144]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种电极浆料，其特征在于，包括金属氧化物、固体还原剂和有机体系；所述金属氧化物包括氧化铜或氧化亚铜的一种或两种。2.根据权利要求1所述的电极浆料，其中，所述固体还原剂为石墨和/或石墨烯。3.根据权利要求1所述的电极浆料，其中，所述金属氧化物和所述固体还原剂的质量比为1:(0.8-5)，优选为1:(1-3)。4.根据权利要求1所述的电极浆料，其中，所述有机体系包括基体树脂和稀释剂；优选地，所述基体树脂选自聚氨酯树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂和聚醚类树脂中的至少一种；优选地，所述稀释剂选自二丙二醇甲醚醋酸酯、二乙二醇丁醚醋酸酯、醋酸乙酯和醋酸丁酯中的至少一种。5.根据权利要求4所述的电极浆料，其中，所述有机体系的制备方法包括以下步骤：在50-90℃条件下，将所述基体树脂和所述稀释剂进行第一接触；优选地，所述基体树脂和所述稀释剂的质量比为1:(1-6)。6.根据权利要求4所述的电极浆料，其中，所述基体树脂的浓度为15wt％-50wt％；和/或，所述稀释剂的浓度为50wt％-80wt％。7.根据权利要求1所述的电极浆料，其中，所述金属氧化物的d50为50nm-1000nm；和/或，所述固体还原剂的d50为50nm-1000nm。8.一种制备金属电极的方法，其特征在于，采用权利要求1-7中任一项所述的电极浆料和激光工艺制备金属电极。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述金属电极为太阳能电池、二次电池、电路板、发光二极管或微电子器件中的金属电极；优选地，所述金属电极为太阳能电池的栅线电极。10.一种太阳能电池，包括金属电极，其特征在于，所述金属电极采用权利要求1-7中任一项所述的电极浆料制备获得，或采用权利要求8或9中任一项所述的方法制备获得。

技术总结
本发明涉及太阳能电池的技术领域，提供了一种电极浆料、制备金属电极的方法和太阳能电池。该电极浆料，包括金属氧化物、固体还原剂和有机体系；所述金属氧化物包括氧化铜或氧化亚铜的一种或两种。该电极浆料采用导电且具有还原性的石墨粉和/或石墨烯作为还原剂，反应生成物为气体，无副产物，安全环保，可以完全采用铜栅线替代昂贵银浆，实现大幅降本；制备获得的金属电极具有孔隙率低、致密性良好和电阻率低等优点。低等优点。低等优点。


技术研发人员：甘武林 顷淮斌 吴晓松
受保护的技术使用者：三一硅能（株洲）有限公司
技术研发日：2023.06.21
技术公布日：2023/9/20