一种MOS模型参数对称性检查方法与流程

一种mos模型参数对称性检查方法
技术领域
1.本发明涉及半导体设计技术领域，尤其涉及一种mos模型参数对称性检查方法。


背景技术：

2.bsim(berkeley short-channel igfet model)模型是uc berkeley(加州大学伯克利分校)胡正明团队针对短沟道mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)提出的模型。其中bsim4、bsim-bulk、bsimsoi等模型适用于深亚微米工艺节点，是业界广泛使用的器件模型。由于器件结构源漏对称性，通常要求模型中源极和漏极相关参数保持一致。模型提取过程中，一般只会调漏极相关参数，可能会出现源极相关参数没有同步修改的情况，从而导致模型参数出现对称性问题。
3.针对模型参数对称性问题，目前常见的解决方案是手动查找模型文件中源极和漏极相关参数，并逐一进行对比。由于源极和漏极相关参数数目较多，手动查找对比，工作量较大，效率较低，容易出现遗漏。如何快速检查mos模型参数对称性问题，是本领域技术人员需要面对和解决的问题。


技术实现要素：

4.为了解决现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种mos模型参数对称性检查方法，能快速检查参数对称性问题，保证模型准确性，从而提高器件建模效率。
5.为了实现上述目的，本发明提供的mos模型参数对称性检查方法，包括以下步骤：
6.1)基于bsim模型类型，确定需要保持一致的源极、漏极参数；
7.2)从所述bsim模型文件中获取所述需要保持一致的源极、漏极参数，并检查每一组对称的源极、漏极参数的参数值是否一致；
8.3)将检查结果生成结果文件，若存在不一致的参数，在结果文件中生成对应的报错信息；
9.4)根据所述报错信息在模型文件中找到对应的参数，确定参数中正确的参数值，将正确的参数值复制给对称的另一个参数；
10.5)重复2)-4)的步骤，直到所有所述参数均满足对称性要求。
11.进一步地，所述bsim模型类型，包括：bsim4模型、bsim-bulk模型、bsimsoi模型。
12.进一步地，所述1)的步骤，进一步包括：根据所述bsim模型类型，通过查阅模型手册确定需要保持一致的参数。
13.进一步地，所述源极、漏极需要保持一致的参数，包括，漏极-栅极非轻掺杂区域的交叠电容和源极-栅极非轻掺杂区域的交叠电容；漏极-栅极轻掺杂区域的交叠电容和源极-栅极轻掺杂区域的交叠电容，漏极偏置相关的交叠电容系数和源极偏置相关的交叠电容系数；漏极相关的二极管击穿拟合参数和源极相关的二极管击穿拟合参数；漏极相关的击穿电压和源极相关的击穿电压；漏极相关的底部反向饱和电流密度和源极相关的底部反向饱和电流密度；漏极相关的隔离边缘侧壁反向饱和电流密度和源极相关的隔离边缘侧壁
反向饱和电流密度；漏极相关的栅极边缘侧壁反向饱和电流密度和源极相关的栅极边缘侧壁反向饱和电流密度；漏极相关的底部陷阱辅助饱和电流密度和源极相关的底部陷阱辅助饱和电流密度；漏极相关的隔离边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度和源极相关的隔离边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度；漏极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度和源极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度；漏极相关的底部陷阱辅助饱和电流密度温度系数和源极相关的底部陷阱辅助饱和电流密度温度系数；漏极相关的隔离边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度温度系数和源极相关的隔离边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度温度系数；漏极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度温度系数和源极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度温度系数；漏极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助电压系数和源极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助电压系数；漏极相关的底部结电容和源极相关的底部结电容；漏极相关的底部结电容梯度系数和源极相关的底部结电容梯度系数；漏极相关的隔离边缘侧壁结电容梯度系数和源极相关的隔离边缘侧壁结电容梯度系数；漏极相关的隔离边缘侧壁结电容和源极相关的隔离边缘侧壁结电容；漏极相关的栅极边缘侧壁结电容和源极相关的栅极边缘侧壁结电容；漏极相关的栅极边缘侧壁结电容梯度系数和源极相关的栅极边缘侧壁结电容梯度系数；漏极相关的底部结电容内建电势和源极相关的底部结电容内建电势；漏极相关的隔离边缘侧壁结电容内建电势和源极相关的隔离边缘侧壁结电容内建电势；漏极相关的栅极边缘侧壁结电容内建电势和源极相关的栅极边缘侧壁结电容内建电势；漏极相关的结电流温度系数和源极相关的结电流温度系数；漏极相关的结发射系数和源极相关的结发射系数。
14.进一步地，所述2)的步骤，进一步包括：利用脚本从模型文件中抓取所述需要保持一致的源极、漏极参数，并检查每一组对称的源极、漏极参数的参数值是否一致。
15.更进一步地，所述2)的步骤，进一步包括：将每一组对称的参数值相减，如果结果为零，则所述对称的源极、漏极参数检查通过，否则检查不通过。
16.为实现上述目的，本发明还提供一种电子设备，包括存储器、处理器，以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器，用于执行所述存储器所存放的计算机程序，以实现如上所述的mos模型参数对称性检查方法。
17.为实现上述目的，本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有至少一条指令，所述指令由处理器加载并执行以实现如上所述的mos模型参数对称性检查方法。
18.本发明提供的mos模型参数对称性检查方法，与现有技术相比具有如下有益效果：
19.本发明采用自动检查mos模型参数对称性方式代替现有技术中的手动检查方式，通过从模型文件中抓取参数并检查，方便快捷，尤其针对大量模型文件，大大提高了检查的效率，并且还能快速定位存在对称性问题的参数，便于修改模型文件，提高器件建模效率。
20.本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。
附图说明
21.附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，并与本发明的实施例一起，用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
22.图1为根据本发明实施例的mos模型参数对称性检查方法流程图；
23.图2为根据本发明实施例的电子设备结构示意图。
具体实施方式
24.以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
25.下面将参照附图更详细地描述本发明的实施例。虽然附图中显示了本发明的某些实施例，然而应当理解的是，本发明可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本发明。应当理解的是，本发明的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本发明的保护范围。
26.本文使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”；术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”；术语“一些实施例”表示“至少一些实施例”。其他术语的相关定义将在下文描述中给出。
27.需要注意，本发明中可能提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。“多个”应理解为两个或以上。
28.图1为根据本发明实施例的mos模型参数对称性检查方法流程图，下面将参考图1详细地说明本发明的实施例。
29.在步骤101，基于所使用的bsim模型类型，确定需要保持一致的参数。
30.本发明实施例中，基于mos建模所使用的bsim模型类型，如bsim4、bsim-bulk、bsimsoi等类型模型，通过查阅对应的模型手册来确定需要保持一致的源极、漏极参数。以bsim4模型为例，通过查阅模型手册，确定需要保持一致的参数有：cgdo(漏极和栅极非轻掺杂区域的交叠电容)/cgso(源极和栅极非轻掺杂区域的交叠电容)，cgdl(漏极和栅极轻掺杂区域的交叠电容)/cgsl(源极和栅极轻掺杂区域的交叠电容)，ckappad(漏极偏置相关的交叠电容系数)/ckappas(源极偏置相关的交叠电容系数)，xjbvd(漏极相关的二极管击穿拟合参数)/xjbvs(源极相关的二极管击穿拟合参数)，bvd(漏极相关的击穿电压)/bvs(源极相关的击穿电压)，jsd(漏极相关的底部反向饱和电流密度)/jss(源极相关的底部反向饱和电流密度)，jswd(漏极相关的隔离边缘侧壁反向饱和电流密度)/jsws(源极相关的隔离边缘侧壁反向饱和电流密度)，jswgd(漏极相关的栅极边缘侧壁反向饱和电流密度)/jswgs(源极相关的栅极边缘侧壁反向饱和电流密度)，jtsd(漏极相关的底部陷阱辅助饱和电流密度)/jtss(源极相关的底部陷阱辅助饱和电流密度)，jtsswd(漏极相关的隔离边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度)/jtssws(源极相关的隔离边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度)，jtsswgd(漏极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度)/jtsswgs(源极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度)，xtsd(jtsd温度系数)/xtss(jtss温度系数)，xtsswd(jtsswd温度系数)/xtssws(jtssws温度系数)，xtsswgd(jtsswgd温度系数)/xtsswgs(jtsswgs温度系数)，vtsswgd(漏极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助电压系数)/vtsswgs(源极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助电压系数)，cjd(漏极相关的底部结电容)/cjs(源极相关的底部结电容)，mjd(漏极相关的底部结电容梯度系数)/mjs(源极相关的底部结电容梯度
系数)，mjswd(漏极相关的隔离边缘侧壁结电容梯度系数)/mjsws(源极相关的隔离边缘侧壁结电容梯度系数)，cjswd(漏极相关的隔离边缘侧壁结电容)/cjsws(源极相关的隔离边缘侧壁结电容)，cjswgd(漏极相关的栅极边缘侧壁结电容)/cjswgs(源极相关的栅极边缘侧壁结电容)，mjswgd(漏极相关的栅极边缘侧壁结电容梯度系数)/mjswgs(源极相关的栅极边缘侧壁结电容梯度系数)，pbd(漏极相关的底部结电容内建电势)/pbs(源极相关的底部结电容内建电势)，pbswd(漏极相关的隔离边缘侧壁结电容内建电势)/pbsws(源极相关的隔离边缘侧壁结电容内建电势)，pbswgd(漏极相关的栅极边缘侧壁结电容内建电势)/pbswgs(源极相关的栅极边缘侧壁结电容内建电势)，xtid(漏极相关的结电流温度系数)/xtis(源极相关的结电流温度系数)，njd(漏极相关的结发射系数)/njs(源极相关的结发射系数)。下面将从模型文件中抓取这些参数，对其参数值一一进行检查，如有不一致的漏极、源极参数，则根据正确的参数值进行修改。
31.在步骤102，利用脚本分别从模型文件中抓取上述参数，检查每一对参数值是否一致，生成结果文件。
32.本发明实施例中，利用脚本抓取模型文件中对称的源极、漏极参数，将每一对漏极、源极参数值进行相减运算，若结果为0，说明漏极和源极对应的参数值一致，即不存在对称性问题，该参数检查通过，反之检查不通过。将所有参数的检查结果输出到结果文件，如果有检查不通过的参数，将在结果文件中生成报错信息，便于查看。
33.在步骤103，检查结果文件，如果存在检查不通过的参数，则根据结果文件中的报错信息，在模型文件中找到对应的参数。
34.在步骤104，确定检查不通过的漏极、源极参数中正确的参数值，将正确的参数值复制给对称的另一个参数。
35.本发明实施例中，将步骤102中抓取模型文件中的参数时采用的漏极、源极参数中参数值作为正确的参数值复制给对称的另一个参数。
36.在步骤105，重复步骤102-104，直到上述参数均满足对称性要求。
37.本发明的方法，利用脚本方式自动抓取、检查模型文件中源极和漏极的相关参数，方便快捷，尤其针对大量模型文件，实用性较强，效率较高；能够快速定位存在对称性问题的参数，便于对模型文件进行修改，从而提高器件建模的工作效率。
38.本发明的实施例中，还提供了一种电子设备，图2为根据本发明实施例的电子设备结构示意图，如图2所示，本发明的电子设备，包括处理器201，以及存储器202，其中，
39.存储器202存储有计算机程序，计算机程序在被处理器201读取执行时，执行如上所述的mos模型参数对称性检查方法实施例中的步骤。
40.本发明的实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有计算机程序，其中，该计算机程序被设置为运行时执行如上所述的mos模型参数对称性检查方法实施例中的步骤。
41.在本实施例中，上述计算机可读存储介质可以包括但不限于：u盘、只读存储器(read-only memory，简称为rom)、随机存取存储器(random access memory，简称为ram)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储计算机程序的介质。
42.本领域普通技术人员可以理解：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员
来说，其依然可以对前述各实施例记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种mos模型参数对称性检查方法，包括以下步骤：1)基于bsim模型类型，确定需要保持一致的源极、漏极参数；2)从所述bsim模型文件中获取所述需要保持一致的源极、漏极参数，并检查每一组对称的源极、漏极参数的参数值是否一致；3)将检查结果生成结果文件，若存在不一致的参数，在结果文件中生成对应的报错信息；4)根据所述报错信息在模型文件中找到对应的参数，确定参数中正确的参数值，将正确的参数值复制给对称的另一个参数；5)重复2)-4)的步骤，直到所有所述参数均满足对称性要求。2.根据权利要求1所述的mos模型参数对称性检查方法，其特征在于，所述bsim模型类型，包括：bsim4模型、bsim-bulk模型、bsimsoi模型。3.根据权利要求1所述的mos模型参数对称性检查方法，其特征在于，所述1)的步骤，进一步包括：根据所述bsim模型类型，通过查阅模型手册确定需要保持一致的参数。4.根据权利要求1所述的mos模型参数对称性检查方法，其特征在于，所述源极、漏极需要保持一致的参数，包括，漏极-栅极非轻掺杂区域的交叠电容和源极-栅极非轻掺杂区域的交叠电容；漏极-栅极轻掺杂区域的交叠电容和源极-栅极轻掺杂区域的交叠电容，漏极偏置相关的交叠电容系数和源极偏置相关的交叠电容系数；漏极相关的二极管击穿拟合参数和源极相关的二极管击穿拟合参数；漏极相关的击穿电压和源极相关的击穿电压；漏极相关的底部反向饱和电流密度和源极相关的底部反向饱和电流密度；漏极相关的隔离边缘侧壁反向饱和电流密度和源极相关的隔离边缘侧壁反向饱和电流密度；漏极相关的栅极边缘侧壁反向饱和电流密度和源极相关的栅极边缘侧壁反向饱和电流密度；漏极相关的底部陷阱辅助饱和电流密度和源极相关的底部陷阱辅助饱和电流密度；漏极相关的隔离边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度和源极相关的隔离边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度；漏极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度和源极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度；漏极相关的底部陷阱辅助饱和电流密度温度系数和源极相关的底部陷阱辅助饱和电流密度温度系数；漏极相关的隔离边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度温度系数和源极相关的隔离边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度温度系数；漏极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度温度系数和源极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助饱和电流密度温度系数；漏极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助电压系数和源极相关的栅极边缘侧壁陷阱辅助电压系数；漏极相关的底部结电容和源极相关的底部结电容；漏极相关的底部结电容梯度系数和源极相关的底部结电容梯度系数；漏极相关的隔离边缘侧壁结电容梯度系数和源极相关的隔离边缘侧壁结电容梯度系数；漏极相关的隔离边缘侧壁结电容和源极相关的隔离边缘侧壁结电容；漏极相关的栅极边缘侧壁结电容和源极相关的栅极边缘侧壁结电容；漏极相关的栅极边缘侧壁结电容梯度系数和源极相关的栅极边缘侧壁结电容梯度系数；漏极相关的底部结电容内建电势和源极相关的底部结电容内建电势；漏极相关的隔离边缘侧壁结电容内建电势和源极相关的隔离边缘侧壁结电容内建电势；漏极相关的栅极边缘侧壁结电容内建电势和源极相关的栅极边缘侧壁结电容内建电势；漏极相关的结电流温度系数和源极相关的结电流温度系数；漏极相关的结发射系数和源极相关的结发射系数。5.根据权利要求1所述的mos模型参数对称性检查方法，其特征在于，所述2)的步骤，进
一步包括：利用脚本从模型文件中抓取所述需要保持一致的源极、漏极参数，并检查每一组对称的源极、漏极参数的参数值是否一致。6.根据权利要求5所述的mos模型参数对称性检查方法，其特征在于，所述2)的步骤，进一步包括：将每一组对称的参数值相减，如果结果为零，则所述对称的源极、漏极参数检查通过，否则检查不通过。7.一种电子设备，其特征在于，包括存储器、处理器，以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述程序时执行权利要求1-6任一项所述的mos模型参数对称性检查方法的步骤。8.一种计算机可读存储介质，其上储存有计算机程序，其特征在于，所述存储介质中存储有至少一条指令，所述指令由处理器加载并执行以实现权利要求1-6任一项所述的mos模型参数对称性检查方法。

技术总结
一种MOS模型参数对称性检查方法，包括以下步骤：1)基于BSIM模型类型，确定需要保持一致的源极、漏极参数；2)从模型文件中抓取所述需要保持一致的源极、漏极参数，并检查每一组对称的源极、漏极参数的参数值是否一致；3)将检查结果生成结果文件，若存在不一致的参数，在结果文件中生成对应的报错信息；4)根据所述报错信息在模型文件中找到对应的参数，确定参数中正确的参数值，将正确的参数值复制给对称的另一个参数；5)重复2)-4)的步骤，直到所有所述参数均满足对称性要求。本发明从模型文件中抓取参数并检查，能快速定位存在对称性问题的参数，方便快捷，尤其针对大量模型文件，实用性较强，大大提高了工作效率。大大提高了工作效率。大大提高了工作效率。


技术研发人员：傅飞 余裕宁 朱能勇 吾立峰
受保护的技术使用者：北京华大九天科技股份有限公司
技术研发日：2023.06.25
技术公布日：2023/9/20