半导体装置的制造方法与流程

半导体装置的制造方法
1.[相关申请]
[0002]
本技术享有以日本专利申请2022-47602号(申请日：2022年3月23日)为基础申请 的优先权。本技术通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。
技术领域
[0003]
本发明的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。


背景技术：

[0004]
当对含铟(in)氧化物膜等化合物膜实施干式蚀刻或湿式蚀刻等时，存在产生加工残 渣、或不挥发性产物向腔室内之附着等，或者进而膜加工本身较困难等问题。


技术实现要素：

[0005]
本发明提供一种能够提高含铟化合物膜的加工性的半导体装置的制造方法。
[0006]
实施方式的半导体装置的制造方法中，在形成于衬底之上的含铟化合物膜上形成电 极层，在所述电极层之上形成掩模层，对所述掩模层进行加工之后，对所述电极层进行 蚀刻，直到所述化合物膜的至少一部分露出为止，其后以覆盖所述掩模层的上表面、所 述掩模层及所述电极层的侧面、以及所述化合物膜的上表面的方式形成间隔膜，对位于 所述掩模层的上表面、及所述化合物膜的上表面的所述间隔膜进行蚀刻，对露出的所述 化合物膜，使用还原性气体的等离子体进行还原处理，并使用药液对进行了所述还原处 理的所述化合物膜进行蚀刻。
附图说明
[0007]
图1(a)～图1(c)是表示第1实施方式的含铟化合物膜的加工步骤的图。
[0008]
图2是表示应用第2实施方式的制造方法所制得的半导体装置的剖视图。
[0009]
图3是沿着图2的a-a线的剖视图。
[0010]
图4(a)、图4(b)是表示第2实施方式的半导体装置的制造步骤的第1例的剖视图。
[0011]
图5(a)、图5(b)是表示第2实施方式的半导体装置的制造步骤的第1例的剖视图。
[0012]
图6是表示图5所示的半导体装置的变化例的剖视图。
[0013]
图7(a)、图7(b)是表示第2实施方式的半导体装置的制造步骤的第2例的剖视图。
[0014]
图8(a)、图8(b)是表示第2实施方式的半导体装置的制造步骤的第2例的剖视图。
[0015]
图9是第2实施方式的半导体装置的变化例的局部剖视图。
[0016]
图10(a)～图10(d)是表示第2实施方式的半导体装置的制造步骤的第3例的剖视图。
具体实施方式
[0017]
以下，参照附图，对实施方式的化合物膜的加工方法及半导体装置的制造方法进
行 说明。此外，各实施方式中，对实质上相同的构成部位附上相同的符号，有时会省略其 部分说明。附图是用来示意的，厚度与平面尺寸的关系、及各部的厚度的比率等有时会 与现实有所不同。
[0018]
(第1实施方式)
[0019]
图1是表示含铟(in)化合物膜的加工步骤。首先，如图1(a)所示，利用例如 pvd(physical vaper deposition，物理气相沉积)法，在基材1上形成含铟化合物膜2。基 材1是根据含铟化合物膜2的使用用途，适当地进行选择，例如使用半导体衬底、金属 衬底之类的导电性衬底、及陶瓷衬底之类的绝缘衬底等。这些衬底可直接用作基材1， 也可以使用具有导电层、绝缘层、半导体层等各种功能层的衬底作为基材1，并在这些 功能层上形成化合物膜2。
[0020]
作为构成化合物膜2的含铟化合物，可例举第15族元素、第16族元素、及第17 族元素中的非金属元素或半金属元素、例如氧(o)、磷(p)、硼(b)、碳(c)、氮(n)、硅(si)、 硫(s)、硒(se)、碲(te)、氟(f)、氯(cl)、溴(br)、或碘(i)，与铟的化合物。作为这类化合 物的具体例，可例举：铟氧化物(ino)、铟磷化物(inp)、铟氮化物(inn)、铟砷化物(inas)、 铟硒化物(inse)等，含铟化合物可包含这些化合物中的至少1种。但，含铟化合物也可 以包含除了铟以外的金属元素、例如：锡(sn)、镓(ga)、铝(al)、锌(zn)等。
[0021]
铟氧化物或铟磷化物等含铟化合物有时作为半导体或导电体发挥功能。作为含铟氧 化物的例，可例举：氧化铟锡(indium tin oxide，ito)、氧化铟镓锌(in-ga-zn oxide，igzo)、 氧化铟铝锌(in-al-zn oxide，iazo)、氧化铟(ino)等。
[0022]
ito等铟氧化物的比率较大的含铟氧化物具有如下难点：对用于湿式蚀刻等的酸性 或碱性药液的耐性较高，进而对用于干式蚀刻等的卤素系气体(hbr或cl2等)或有机系气 体(ch4、ch3oh、cf4、chf3等)，容易产生加工残渣或不挥发物。因此，对于含铟氧 化物而言，较难做到高效率且在不产生加工残渣等的情况下进行蚀刻。因此，要应用实 施方式的蚀刻方法等加工方法。进而，由于当含铟氧化物发生结晶化时，加工变得较困 难，因此当作为加工对象的含铟氧化物等化合物包含结晶化部分时，实施方式的加工方 法尤为有效。
[0023]
接着，利用还原性气体的等离子体，对含铟化合物膜2进行还原处理。作为等离子 体处理中所使用的还原性气体，例如可例举含氢原子(h)的气体。作为这类还原性气体， 使用包含选自由h2(氢气)、nh3(氨)、h2s(硫化氢)、及h2o(水蒸气)所组成的群中的至 少1种的气体。如下所示，包含所述h2(氢气)、nh3(氨)、h2s(硫化氢)、及h2o(水蒸气) 的气体均能够应用于含铟化合物膜2的还原处理。除了这些气体以外，还可以使用hf(氟 化氢)、hcl(盐酸)、hbr(溴化氢)、hi(碘化氢)、ch4(甲烷)、chf3(三氟甲烷)、ch2f2(二 氟甲烷)、ch3f(氟甲烷)等。
[0024]
利用还原性气体的等离子体所进行的处理中，首先将具有含铟化合物膜2的基材1 放置在等离子体处理装置的腔室内。通过向这种腔室内导入还原性气体，并向配置在腔 室内的电极施加高频电压，从而在腔室内产生还原性气体的等离子体。这样，利用还原 性气体的等离子体对含铟化合物膜2进行处理。如果将含铟化合物膜2暴露在还原性气 体的等离子体中，那么如图1(b)所示，氧化物膜等化合物膜2被还原，生成化合物膜2 中所含的铟、或铟及与铟同时存在的金属(sn等)的纳米粒子(含铟金属纳米粒子)3。能够 使含铟化合物膜2变质成沉积着金属纳米粒子3的金属膜4。这类含铟金属膜4相比于 含铟氧化物膜等化
合物膜2来说，加工性更加优异，因此不仅能够例如高效率地利用蚀 刻液等药液对含铟金属膜4进行处理，并且还能够抑制加工残渣。
[0025]
接着，利用药液对含铟金属膜4进行处理。作为用于处理含铟金属膜4的药液，例 如使用如下酸液：0.5质量％以上40质量％以下程度的盐酸(hcl)的水溶液、0.01质量％ 以上50质量％以下程度的氢氟酸(hf)的水溶液、30质量％以上的盐酸(hcl)与70质量％ 以下的硝酸(hno3)的混合液、及利用10体积％以上的任意比率的水(h2o)将这类混合液 稀释而成的混合溶液。通过利用酸液对含铟金属膜4进行处理，从而如图1(c)所示，能 够蚀刻去除含铟金属膜4。此时，由于具备发生了结晶化的含铟氧化物等的化合物膜2 是沿着晶界被蚀刻，因此容易产生粒子状残渣，而与之相对，在含铟金属膜4中，由于 金属纳米粒子3本身容易被酸液等蚀刻，因此能够在不产生加工残渣的情况下蚀刻去除 含铟金属膜4。此外，根据含铟金属膜4的种类等的不同，也可以使用碱性溶液等作为 药液。用于图1(c)所示的处理的药液是根据处理内容适当地进行选择。
[0026]
(第2实施方式)
[0027]
图2是第2实施方式的半导体装置的剖视图，图3是沿着图2的a-a线的剖视图。 图4中，将上下方向设为第1方向，将与第1方向正交的2个方向设为第2方向及第3 方向。
[0028]
图2及图3所示的半导体装置10是将氧化物半导体作为通道层的晶体管。晶体管 10是以栅极电极包围通道层的方式设置的所谓sgt(surrounding gate transistor，周边门 晶体管)，且为纵向晶体管。
[0029]
晶体管10具备包含氧化物半导体的通道层11、栅极电极12、栅极绝缘层13、源极 电极14、漏极电极15、第1层间绝缘层16、第2层间绝缘层17、及第3层间绝缘层18。 通道层11例如包含：选自由铟(in)、镓(ga)、硅(si)、铝(al)、及锡(sn)所组成的群中的 至少一种元素；锌(zn)；及氧(o)。通道层11例如包含铟(in)、镓(ga)、及锌(zn)。通道 层11例如包含铟(in)、铝(al)、及锌(zn)。源极电极14具有第1电极层19、第1阻挡层 20、及第1氧化物导电体层21。漏极电极15具有第2电极层22、第2阻挡层23、及第 2氧化物导电体层24。
[0030]
源极电极14及漏极电极15的电极层19、22使用钨(w)、w合金、钼(mo)、mo合 金等。阻挡层20、23使用氮化钛(tin)或氮化钽(tan)等。氧化物导电体层21配置在通 道层11与电极层19之间，氧化物导电体层24配置在通道层11与电极层22之间，进 而，阻挡层20配置在氧化物导电体层21与电极层19之间，阻挡层23配置在氧化物导 电体层24与电极层22之间。氧化物导电体层21、24例如由同一材料所形成。第1氧 化物导电体层21及第2氧化物导电体层24例如为包含铟(in)、锡(sn)、及氧(o)的氧化 物导电体。第1氧化物导电体层21及第2氧化物导电体层24例如为氧化铟锡。
[0031]
通道层11设置在源极电极14与漏极电极5之间。通道层11中形成有通道，该通 道在晶体管10执行导通动作时成为电流路径。通道层11具有在第1方向上延伸的圆柱 形状。通道层11的第2方向上的宽度例如为20nm以上50nm以下。栅极电极12的栅 极长度(第1方向上的宽度)例如为20nm以上100nm以下。栅极电极12是以包围通道 层11的方式设置。栅极电极12是隔着栅极绝缘层13设置在通道层11的周围。
[0032]
栅极绝缘层13设置在通道层11与栅极电极12之间。栅极绝缘层13是以包围通道 层11的方式设置。栅极绝缘层13例如包含氧化物或氮氧化物。栅极绝缘层14例如为 氧化硅、氮化硅、或氧化铝。栅极绝缘层14的厚度例如为2nm以上10nm以下。
[0033]
层间绝缘层16、17、18例如设置在源极电极14与栅极电极12之间、漏极电极15 与栅极电极12之间、及栅极电极12的周围。层间绝缘层16、17、18进行源极电极14、 漏极电极15、及栅极电极12的电分离。层间绝缘层16、17、18例如包含氧化物。层间 绝缘层16、17、18例如为氧化硅。
[0034]
参照图4及图5，对氧化物半导体晶体管10的制造步骤进行说明。首先，如图4(a) 所示，基于纵向晶体管(sgt)的公知制造方法，形成具有源极电极14、通道层11、栅极 绝缘层13、及栅极电极12的结构体25。在这种结构体25上，以与通道层11相接的方 式依序成膜作为第2氧化物导电体层24的ito膜24x、作为第2阻挡层23的tin膜 23x、及作为第2电极层22的w膜22x。
[0035]
接着，如图4(b)所示，通过反应性离子蚀刻(reactive ion etching，rie)等干式蚀刻， 对tin膜23x及w膜22x进行蚀刻而形成阻挡层23及电极层22。接下来，以阻挡层 23及电极层22作为掩模，与图1(b)所示的步骤同样地，将ito膜24x的从这些掩模露 出的部分暴露在例如包含h2、nh3、h2s、h2o等中的至少1种的还原性气体的等离子 体中。由此，如图5(a)所示，使ito膜24x的从掩模露出的部分变质成沉积着in-sn纳 米粒子的变质膜24y。
[0036]
接下来，通过利用20％的hcl水溶液等酸性药液，对ito膜24x的变质成变质膜 24y的部分进行处理，从而如图5(b)所示，蚀刻去除变质膜24y。由此，形成了不仅具 有所需的形状，还与通道层11相接的第2氧化物导电体层24。通过对ito膜24x应用 基于h2等等离子体的还原处理与湿式蚀刻处理组合而成的处理，从而能够在不产生加 工残渣的情况下对ito膜24x进行蚀刻。因此，能够将晶体管10加工成所需的形状。 进而，在仅通过干式蚀刻对ito膜24x进行处理的情况下，由于对ito进行蚀刻的rie 需要高能量，因此会发生掩模的端部凹陷、或者铟粉尘附着在处理装置的腔室内等问题。 对此，通过实施方式的ito处理，能够抑制这些问题的发生。此外，通过图5(b)所示的 蚀刻，如图6所示，第2氧化物导电体层24的截面面积也可以小于第2阻挡层23或第 2电极层22的截面面积。
[0037]
在应用所述基于还原性气体的等离子体的还原处理与湿式蚀刻处理组合而成的处 理的情况下，有时会发生ito膜24x的侧面蚀刻。此处，所谓ito膜24x的侧面蚀刻， 是指ito膜24x的第2方向或第3方向上的长度短于tin膜23x与w膜22x的第2 方向或第3方向上的长度的状态。针对这点来说，较有效的是如图7(a)、(b)所示，在 第2阻挡层23与第2电极层22的积层膜的侧面形成间隔膜26。由此，能够确保相当于 间隔膜26的膜厚的侧面蚀刻的裕度，因此能够抑制ito膜24x的侧面蚀刻。
[0038]
首先，如图7(a)所示，以覆盖第2阻挡层23与第2电极层22的积层膜的侧面及上 表面、以及从积层膜露出的ito膜24x的表面的方式形成间隔膜26。间隔膜26例如使 用硅氧化物或硅氮化物、或者有机物。间隔膜26的厚度优选设为ito膜24x的厚度以 上。接下来，如图7(b)所示，以保留存在于第2阻挡层23与第2电极层22的积层膜的 侧面的间隔膜26的方式，蚀刻去除位于第2电极层22上及ito膜24x上的间隔膜26。
[0039]
接着，与图5(b)所示的步骤同样地，通过将ito膜24x的露出部分暴露在例如包 含h2、nh3、h2s、h2o等中的至少1种的还原性气体的等离子体中，从而如图8(a)所 示，使ito膜24x的从掩模露出的部分变质成沉积着in-sn纳米粒子的变质膜24y。接 下来，通过利用20％的hcl水溶液等酸液，对ito膜24x的变质成变质膜24y的部分 进行处理，从而如图8(b)所示，蚀刻去除变质膜24y。由此，形成具有所需的形状的氧 化物导电体层24。在图8(a)所
示的等离子体处理步骤及图8(b)所示的蚀刻步骤中，能 够确保相当于间隔膜26的膜厚的裕度，因此能够抑制ito膜24x的侧面蚀刻。
[0040]
在应用了图7及图8所示的制造步骤的晶体管10中，能够将存在于第2阻挡层23 与第2电极层22的积层膜的侧面的间隔膜26用作侧壁。此时，如图7(a)、(b)所示， 相对于第2阻挡层23与第2电极层22的积层膜的侧面的侧壁也可以是在将ito膜24x 暴露在还原性气体的等离子体之后再形成，以此代替在将ito膜24x暴露在还原性气体 的等离子体中之前形成侧壁的步骤。此时，如果ito膜24x的等离子体处理中使用nh3的等离子体，那么除了使得ito膜24x变质成变质膜24y以外，还能够将第2阻挡层 23与第2电极层22的积层膜的侧面暴露在nh3的等离子体中进行表面处理。
[0041]
通过利用nh3的等离子体对包含w膜等的第2电极层22的侧面进行处理，从而在 w膜的侧面形成w的氮化物(wn)。在应用硅氮化物(sin)作为侧壁的情况下，改善形成 于w膜的侧面的wn与sin的密接性。因此，能够提高形成在第2电极层22的侧面的 侧壁的密接性，从而提升晶体管10的品质。
[0042]
另外，如图9所示，也可以通过使第2氧化物导电体层24的端部倾斜等，从而使 第2氧化物导电体层24与通道层11的接合面大于第2氧化物导电体层24与第2阻挡 层23的接合面。也就是说，第2氧化物导电体层24的下表面也可以大于第2氧化物导 电体层24的上表面。通过形成这种形状，从而使得漏极电极15与通道层11容易进行 电连接。第2氧化物导电体层24的下表面较理想为大于通道层11的上表面。另外，还 可以使第2氧化物导电体层24的截面形状形成为下端部的宽度大于上端部的宽度的形 状(两段形状)，以此代替使第2氧化物导电体层24的端部倾斜。当形成了具有这种形状 的第2氧化物导电体层24时，仍能够对第2氧化物导电体层24有效地应用所述基于还 原性气体的等离子体的还原处理与湿式蚀刻处理组合而成的处理。
[0043]
参照图10，对具有两段形状的氧化物半导体层24的形成步骤进行叙述。图10是表 示存在于相邻的通道层11a、11b与电极层22a、22b之间的氧化物导电体层24(ito膜 24x)的加工状态。首先，如图10(a)所示，通过利用例如包含h2、nh3、h2s、h2o等中 的至少1种的还原性气体的等离子体对ito膜24x的露出部分进行处理，从而使ito 膜24x的从掩模露出的部分变质成变质膜24y。此时，通过对基于还原性气体的等离子 体的处理条件进行调整，从而使得变质膜24y的变质区域比ito膜24x的厚度浅，也 就是说将变质膜24y的变质区域设定为表面到厚度方向的一部分。
[0044]
接下来，如图10(b)所示，通过利用20％的hcl水溶液等酸液进行处理，从而对变 质膜24y的变质区域进行蚀刻。在这个时间点，由于将变质膜24y的变质区域设定为 比ito膜24x的厚度浅，因此ito膜24x仅厚度方向上的一部分被蚀刻，从而形成较 浅的凹部h。接着，如图10(c)所示，通过利用还原性气体的等离子体对图10(b)所示的 蚀刻步骤后残留的ito膜24x的部分进行处理，从而使ito膜24x的残留部分的一部 分变质成变质膜24y。此时，图10(c)中虽未图示，但通过设置掩模等，从而使利用等 离子体所形成的变质区域(变质膜24y的形成区域)的宽度比相邻的通道层11a、11b间 的宽度窄。
[0045]
其后，如图10(d)所示，通过利用20％的hcl水溶液等酸液进行处理，从而对利用 等离子体所形成的变质区域(变质膜24y的形成区域)进行蚀刻。通过实施这种两阶段的 等离子体处理及蚀刻处理，从而能够获得截面形状为下端部宽度比上端部宽度宽的形状 (两
段形状)的第2氧化物导电体层24。因此，即便发生了位置偏移，通道层11与第2 氧化物导电体层24仍容易进行电连接。此外，也可以在图10(a)之前或图10(c)的等离 子体处理之前形成间隔膜26。
[0046]
此外，所述各实施方式的构成可以分别组合应用，或者也可以替换一部分。此处， 对本发明的多个实施方式进行了说明，但这些实施方式仅作为示例而提出，并未意图限 定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其它各种形态来实施，且在不脱离发明主旨 的范围内，能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变化包含在发明的范围 或主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明及与其相等的范围内。
[0047]
[符号说明]
[0048]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
基材
[0049]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
含铟化合物膜
[0050]3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
金属纳米粒子
[0051]
10
ꢀꢀꢀꢀꢀ
晶体管
[0052]
11
ꢀꢀꢀꢀꢀ
通道层
[0053]
12
ꢀꢀꢀꢀꢀ
栅极电极
[0054]
13
ꢀꢀꢀꢀꢀ
栅极绝缘层
[0055]
14
ꢀꢀꢀꢀꢀ
源极电极
[0056]
15
ꢀꢀꢀꢀꢀ
漏极电极
[0057]
19,22
ꢀꢀ
电极层
[0058]
22x
ꢀꢀꢀꢀ
w膜
[0059]
20,23
ꢀꢀ
阻挡层
[0060]
23x
ꢀꢀꢀꢀ
tin膜
[0061]
21,24
ꢀꢀ
氧化物导电体层
[0062]
24x
ꢀꢀꢀꢀ
ito膜
[0063]
24y
ꢀꢀꢀꢀ
变质膜。

技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，在形成于衬底之上的含铟化合物膜上形成电极层，在所述电极层之上形成掩模层，对所述掩模层进行加工之后，对所述电极层进行蚀刻，直到所述化合物膜的至少一部分露出为止，以覆盖所述掩模层的上表面、所述掩模层及所述电极层的侧面、以及所述化合物膜的上表面的方式形成间隔膜，对位于所述掩模层的上表面、及所述化合物膜的上表面的所述间隔膜进行蚀刻，对露出的所述化合物膜，使用还原性气体的等离子体进行还原处理，使用药液对进行了所述还原处理的所述化合物膜进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述还原性气体包含选自由h2、nh3、h2s、及h2o所组成的群中的至少1种。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述化合物膜包含氧化物导电体。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述化合物膜含有铟与选自由第15族元素、第16族元素、及第17族元素中的非金属元素及半金属元素所组成的群中的至少1种元素的化合物。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述化合物含有选自由氧、磷、硼、碳、氮、硅、硫、硒、碲、氟、氯、溴、及碘所组成的群中的至少1种。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中所述化合物膜含有选自由氧化铟锡、氧化铟镓锌、氧化铟、及氧化铟铝锌所组成的群中的至少1种。7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述化合物膜具有结晶化部分。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述药液为酸性。9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过所述还原处理使所述化合物膜变质。10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中使用所述药液进行了蚀刻后的所述化合物膜的下表面大于所述化合物膜的上表面。11.一种半导体装置的制造方法，在形成于衬底之上的含铟化合物膜上形成电极层，在所述电极层之上形成掩模层，对所述掩模层进行加工之后，对所述电极层进行蚀刻，直到所述化合物膜的至少一部分露出为止，对所述化合物膜及所述电极层，使用还原性气体的等离子体进行还原处理，以覆盖所述掩模层的上表面、所述掩模层及所述电极层的侧面、以及所述化合物膜的上表面的方式形成间隔膜，对位于所述掩模层的上表面、及所述化合物膜的上表面的间隔膜进行蚀刻，使用药液对进行了所述还原处理的所述化合物膜进行蚀刻。12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中通过所述还原处理使所述化合物膜变质，在所述电极层的侧面形成氮化物，
在所述氮化物上形成所述间隔膜。13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中所述电极层包含钨，通过所述还原处理在所述电极层的侧面形成氮化钨。

技术总结
实施方式提供一种能够提高含铟化合物膜的加工性的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法中，在形成于衬底之上的含铟化合物膜(24X)上形成电极层(22)，在电极层(22)之上形成掩模层，在对掩模层进行加工之后，对电极层(22)进行蚀刻，直到化合物膜(24X)的至少一部分露出为止，其后以覆盖掩模层的上表面、掩模层及电极层(22)的侧面、以及化合物膜(24X)的上表面的方式形成间隔膜(26)，对位于掩模层的上表面、及化合物膜(24X)的上表面的间隔膜(26)进行蚀刻，对露出的化合物膜(24X)，使用还原性气体的等离子体进行还原处理，并使用药液对进行了还原处理的化合物膜(24Y)进行蚀刻。(24Y)进行蚀刻。(24Y)进行蚀刻。


技术研发人员：菊地巧也 永田裕也 戸田将也 今村克平 今村翼
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：2022.09.01
技术公布日：2023/10/6