发声装置和终端设备的制作方法

1.本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的终端设备


背景技术：

2.喇叭又称扬声器，是一种电声换能器，它通过某种物理效应把电能转换成声能。当不同的电子能量传至喇叭的音圈时，音圈产生一种能量与磁铁的磁场互动，这种互动造成振膜振动，因为电子能量随时变化，喇叭的音圈会往前或往后运动，因此喇叭的振膜就会跟着运动，此动作使空气的疏密程度产生变化而产生声音。
3.相关技术中，扬声器的磁路结构通常采用华司-磁铁结构或副磁-华司-主磁结构与u铁或t铁组合共同组成磁气回路。但是，这种结构的磁场的线性范围小，难以为扬声器的整个振动范围提供均匀的磁场，当扬声器处于低频大振幅工作时，音圈在磁隙中相对位置的变化较大，磁场的不均匀性会导致音圈电感变化，产生非线性失真，影响整个扬声器系统的音质。同时，主-副磁结构的磁路中两块磁铁极性相反，装配过程中需要将两块磁铁分别充磁后再完成组装，导致装配难度较大。


技术实现要素：

4.本发明的主要目的是提供一种发声装置和终端设备，旨在提供一种具有更大磁场均匀范围的发声装置，该发声装置提高了磁场的利用率，避免了设计和成本的浪费，同时具有更理想的线性范围，非线性失真明显降低。
5.为实现上述目的，本发明提出一种发声装置，所述发声装置包括：
6.磁路系统，所述磁路系统包括u铁和磁路部分，所述u铁具有容置槽，所述磁路部分设于所述容置槽内，并与所述容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，所述磁路部分包括依次层叠设置的第一磁铁、铁块、第二磁铁及华司，所述第一磁铁背向所述铁块的一侧连接于所述容置槽的底壁；和
7.振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜与所述磁路系统相对，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内。
8.在一实施例中，定义所述铁块的厚度为h1，定义所述第一磁铁的厚度为h2，定义所述第二磁铁的厚度为h3；
9.0.6≤h2/h1≤1；且/或，0.6≤h3/h1≤1。
10.在一实施例中，所述第一磁铁的厚度与所述第二磁铁的厚度相同；
11.或，所述第一磁铁的厚度与所述第二磁铁的厚度不同。
12.在一实施例中，所述第一磁铁的充磁方向与所述第二磁铁的充磁方向相同。
13.在一实施例中，所述华司面向所述磁间隙的一侧设有缺口槽。
14.在一实施例中，所述华司背向所述第二磁铁的一侧设有凹陷槽。
15.在一实施例中，所述凹陷槽的内壁包括相连接的凸弧面和凹弧面，所述凸弧面远
离所述凹弧面的一侧与所述华司的外侧壁连接；
16.且/或，所述缺口槽沿所述华司的周缘延伸设置；
17.且/或，所述缺口槽邻近所述第二磁铁设置。
18.在一实施例中，所述容置槽的底壁朝向所述容置槽内凸起形成支撑台，所述支撑台与所述容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽，所述避位槽与所述磁间隙对应连通，所述第一磁铁支撑于所述支撑台，所述u铁背向所述容置槽底壁的一侧对应所述支撑台凹陷形成凹槽。
19.在一实施例中，所述支撑台包括呈夹角设置的竖直壁和横直壁，所述竖直壁与所述容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽，所述第一磁铁支撑于所述横直壁，所述横直壁背向所述第一磁铁的一侧与所述竖直壁围合形成所述凹槽，所述横直壁的厚度从所述竖直壁至远离所述竖直壁逐渐减小；
20.且/或，所述支撑台设有第一通孔，所述磁路部分对应所述第一通孔设有第二通孔，所述第二通孔依次贯通所述第一磁铁、所述铁块、所述第二磁铁及所述华司；
21.且/或，所述发声装置还包括盆架，所述盆架设有容腔，所述磁路系统设于所述容腔内，所述振膜连接于所述盆架，并与所述磁路系统相对。
22.本发明还提出一种终端设备，包括设备壳体和上述所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。
23.本发明技术方案的发声装置通过将磁路系统设置为u铁和磁路部分，利用u铁的容置槽安装固定磁路部分的同时，使得磁路部分与u铁的容置槽的侧壁间隔形成供振动系统音圈悬设的磁间隙，如此音圈通电后，音圈在磁路系统的磁间隙内做切割磁感线的运动，从而带动振膜振动发声；通过将磁路部分设置为依次层叠设置的第一磁铁、铁块、第二磁铁及华司，使得第一磁铁背向铁块的一侧连接于容置槽的底壁，从而将磁铁拆分为双层，并在双层磁铁之间增加铁块，构建多层磁铁结构，从而使发声装置具有更大的更理想的线性范围，非线性失真明显降低，同时提高了磁场的利用率，避免了设计和成本的浪费，且该多层磁铁结构可以实现一体充磁，简化了制作过程，降低了装配难度。
附图说明
24.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
25.图1为本发明一实施例中发声装置的部分剖面示意图；
26.图2为本发明的发声装置与现有技术的bl曲线对比图。
27.附图标号说明：
[0028][0029][0030]
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0031]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0032]
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0033]
同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“a和/或b”为例，包括a方案，或b方案，或a和b同时满足的方案。
[0034]
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
[0035]
喇叭又称扬声器，是一种电声换能器，它通过某种物理效应把电能转换成声能。当不同的电子能量传至喇叭的音圈时，音圈产生一种能量与磁铁的磁场互动，这种互动造成振膜振动，因为电子能量随时变化，喇叭的音圈会往前或往后运动，因此喇叭的振膜就会跟着运动，此动作使空气的疏密程度产生变化而产生声音。
[0036]
相关技术中，扬声器的磁路结构通常采用华司-磁铁结构或副磁-华司-主磁结构与u铁或t铁组合共同组成磁气回路。但是，这种结构的磁场的线性范围小，难以为扬声器的
整个振动范围提供均匀的磁场，当扬声器处于低频大振幅工作时，音圈在磁隙中相对位置的变化较大，磁场的不均匀性会导致音圈电感变化，产生非线性失真，影响整个扬声器系统的音质。同时，主-副磁结构的磁路中两块磁铁极性相反，装配过程中需要将两块磁铁分别充磁后再完成组装，导致装配难度较大。
[0037]
基于上述构思和问题，本发明提出一种发声装置100。可以理解的，发声装置100应用于终端设备，终端设备可以是耳机、音箱、车载音箱等，在此不做限定。
[0038]
请结合参照图1所示，在本发明实施例中，该发声装置100包括磁路系统1和振动系统，其中，磁路系统1包括u铁11和磁路部分12，u铁11具有容置槽，磁路部分12设于容置槽内，并与容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙13，磁路部分12包括依次层叠设置的第一磁铁121、铁块122、第二磁铁123及华司124，第一磁铁121背向铁块122的一侧连接于容置槽的底壁，振动系统包括振膜和连接于振膜的音圈2，振膜与磁路系统1相对，音圈2远离振膜的一端悬设于磁间隙13内。
[0039]
在本实施例中，磁路系统1包括u铁11和磁路部分12，u铁11呈u型设置，此时u铁11具有一端开口的容置槽，u铁11的容置槽的槽口与振膜相对，磁路部分12设于容置槽内，并与容置槽的侧壁间隔以围合形成磁间隙13，振动系统中音圈2的一端与振膜连接，音圈2的另一端悬设于磁间隙13内，如此音圈2通电时，音圈2将电能引入磁路系统1的磁间隙13内，在磁路系统1的磁场作用下，驱动音圈2做切割磁感线运行，如此将电能转换为机械能，音圈2运动时带动振膜振动，从而使得振膜振动发声，如此将机械能转换为声能，实现电声转换。
[0040]
为了进一步提高磁路系统1和振动系统的安装稳定性，在一实施例中，发声装置100还包括盆架，盆架设有容腔，磁路系统1设于容腔内，振膜连接于盆架，并与磁路系统1相对。
[0041]
可以理解的，盆架用于安装、固定、支撑和保护振动系统、磁路系统1等部件，也即盆架为振动系统、磁路系统1等部件提供安装基础。可以理解的，盆架可以是具有容腔的安装壳、壳体或盒体等结构，也即盆架限定出收容空间，在此不做限定。
[0042]
可选地，盆架可选为圆柱形、方形或喇叭状等结构。盆架的容腔可以是一端开口的空腔结构，当然也可以是两端开口的空腔结构。在本实施例中，盆架为一端开口的柱状或盆装结构，磁路系统1设于盆架的容腔内，通过将振动系统的振膜周缘与盆架的一端连接固定，并盖合开口，使得振膜与磁路系统1相对，以围合形成发声装置100的振动空间。
[0043]
在本实施例中，磁路系统1的u铁11设于盆架的容腔内，容置槽的槽口与振膜相对。可以理解的，盆架是金属件时，磁路系统1与盆架采用粘接或焊接固定，从而提高发声装置100的散热效果。在另外的实施例中，盆架为塑料注塑成型时，磁路系统1的u铁11也可作为嵌件注塑在盆架中，或者磁路系统1与盆架采用粘接固定，然后其他部分再粘接固定，在此不做限定。
[0044]
在本实施例中，如图1所示，磁路部分12包括依次层叠设置的第一磁铁121、铁块122、第二磁铁123及华司124，第一磁铁121和第二磁铁123可选为磁铁，华司124可选为导磁板结构。通过在磁铁拆分为第一磁铁121和第二磁铁123形成双层结构，并在第一磁铁121和第二磁铁123之间设置铁块122，从而利用第一磁铁121、铁块122及第二磁铁123形成多层磁铁结构，即利用铁块122增大了磁路部分12形成的多层磁铁结构的厚度，有降低了磁铁的成本，从而提高磁场的利用率，并避免设计和成本的浪费。同时，如图2所示，铁块122的设置，
使得第一磁铁121和第二磁铁123实现一体充磁，简化了制作过程，降低了装配难度，如此可使得发声装置100具有更大的更理想的线性范围，且bl曲线更对称，非线性失真明显降低，使得音圈2往复振动过程中受力更均衡，振动状态更稳定。
[0045]
可选地，第一磁铁121、铁块122及第二磁铁123的形状轮廓相同或一致。可选地，第一磁铁121、铁块122及第二磁铁123可以为圆形、椭圆形、方形或跑道型等，在此不做限定。当然，第二磁铁123的形状轮廓与华司124的形状轮廓相同或一致。可选地，第二磁铁123和华司124可以为圆形、椭圆形、方形或跑道型等，在此不做限定。
[0046]
在本实施例中，磁路部分12的第一磁铁121、铁块122、第二磁铁123和华司124的形状轮廓大致与u铁11的容置槽形状轮廓相似。可选地，u铁11为一端开口的筒状结构。磁路部分12的第一磁铁121、铁块122、第二磁铁123和华司124依次从下到上层叠设置于容置槽内，使第一磁铁121背向铁块122的一侧连接于容置槽的底壁，且第一磁铁121、铁块122、第二磁铁123和华司124的侧壁与容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙13。
[0047]
本发明的发声装置100通过将磁路系统1设置为u铁11和磁路部分12，利用u铁11的容置槽安装固定磁路部分12的同时，使得磁路部分12与u铁11的容置槽的侧壁间隔形成供振动系统的音圈2悬设的磁间隙13，如此音圈2通电后，音圈2在磁路系统1的磁间隙13内做切割磁感线的运动，从而带动振膜振动发声；通过将磁路部分12设置为依次层叠设置的第一磁铁121、铁块122、第二磁铁123及华司124，使得第一磁铁121背向铁块122的一侧连接于容置槽的底壁，从而将磁铁拆分为双层，并在双层磁铁之间增加铁块122，构建多层磁铁结构，从而使发声装置100具有更大的更理想的线性范围，非线性失真明显降低，同时提高了磁场的利用率，避免了设计和成本的浪费，且该多层磁铁结构可以实现一体充磁，简化了制作过程，降低了装配难度。
[0048]
在一实施例中，定义铁块122的厚度为h1，定义第一磁铁121的厚度为h2，定义第二磁铁123的厚度为h3；0.6≤h2/h1≤1；且/或，0.6≤h3/h1≤1。
[0049]
在本实施例中，如图1所示，铁块122的厚度h1为铁块122沿磁间隙13的深度方向的厚度，第一磁铁121的厚度h2为第一磁铁121沿磁间隙13的深度方向的厚度，第二磁铁123的厚度h3为第二磁铁123沿磁间隙13的深度方向的厚度。
[0050]
可以理解的，第一磁铁121的厚度h2小于或等于铁块122的厚度h1，可选地，0.6≤h2/h1≤1。h2/h1为0.6、0.7、0.8、0.9、1等，在此不做限定。当然，第二磁铁123的厚度h3小于或等于铁块122的厚度h1，可选地，0.6≤h3/h1≤1。h3/h1为0.6、0.7、0.8、0.9、1等，在此不做限定。
[0051]
需要说明的是，通过将第一磁铁121/第二磁铁123的厚度设置为小于或等于铁块122的厚度，既可以减小磁铁的用料，又可以利用铁块122保证由第一磁铁121、铁块122及第二磁铁123构成的磁铁结构的厚度，从而确保磁路部分12的磁性和磁通量。可以理解的，铁块122和华司124均起到导磁作用，其中，华司124与上层的第二磁铁123以及u铁11形成导磁通路，在音圈2向上振动时为其提供均匀的磁场，铁块122与下层的第一磁铁121以及u铁11也可形成导磁通路，在音圈2向下振动时的为其提供均匀的磁场，如此，在音圈2的整个振动范围内都处于均匀的磁场中，相较于常规的磁路结构，本发明中发声装置100的bl曲线线性范围更大，如图2所示。
[0052]
可选度，如图1所示，第一磁铁121的厚度与第二磁铁123的厚度相同。当然，在其他
实施例中，第一磁铁121的厚度与第二磁铁123的厚度不同，在此不做限定。
[0053]
在一实施例中，第一磁铁121的充磁方向与第二磁铁123的充磁方向相同。可以理解的，通过在第一磁铁121和第二磁铁123之间设置铁块122，从而使得第一磁铁121和第二磁铁123的充磁方向相同，如此可简化制作过程，降低装配难度。
[0054]
在一实施例中，如图1所示，华司124面向磁间隙13的一侧设有缺口槽1241。可以理解的，通过在磁路部分12的华司124上设置缺口槽1241，以取消磁路部分12的华司124上导磁率低的部分，从而减小磁路部分12的重量，如此可充分利用磁路部分12导磁率高的部分，以保证发声装置100良好的bl值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。
[0055]
可以理解的，磁间隙13轴线方向为音圈2的移动方向，垂直于磁间隙13的轴线方向为磁路部分12至u铁11容置槽侧壁的方向。可选地，缺口槽1241沿磁间隙13轴线方向的长度a与缺口槽1241沿垂直于磁间隙13轴线方向的长度b的比值为1.8、1.9、2、2.1、2.2等，在此不做限定。在本实施例中，缺口槽1241可以是缺口、凹槽等结构。
[0056]
本发明的发声装置100通过在盆架内设置容腔，从而利用盆架的容腔安装、固定和保护磁路系统1和振动系统，通过将磁路系统1设置为u铁11和磁路部分12，利用u铁11的容置槽安装固定磁路部分12的同时，使得磁路部分12与u铁11的容置槽的侧壁间隔形成供振动系统音圈2悬设的磁间隙13，如此音圈2通电后，音圈在磁路系统1的磁间隙13内做切割磁感线的运动，从而带动振膜振动发声；通过在磁路部分12面向磁间隙13的一侧设有缺口槽1241，从而取消磁路部分12导磁率低的部分，以减小磁路部分12的重量，并充分利用磁路部分12导磁率高的部分，以保证发声装置100良好的bl值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。
[0057]
在一实施例中，如图1所示，华司124背向第二磁铁123的一侧设有凹陷槽1242。
[0058]
在本实施例中，凹陷槽1242可选为凹槽结构或通槽结构等，在此不做限定。凹陷槽1242由华司124背向第二磁铁123的一侧朝向第二磁铁123凹陷形成，可选地，凹陷槽1242位于华司124中部。可以理解的，通过在华司124面向磁间隙13的一侧设有缺口槽1241，并在华司124背向第二磁铁123的一侧设有凹陷槽1242，如此使得华司124形成阶梯式结构，从而利用缺口槽1241和凹陷槽1242进一步配合取消华司124上导磁率低的部分，以降低华司124的重量，达到减重目的，同时确保华司124在第二磁铁123作用下的导磁率和磁场强度。
[0059]
为了进一步增加磁间隙13处的磁通密度，凹陷槽1242的内壁呈弧面设置，使得振膜震动所产生的气流流动更加顺畅。在本实施例中，如图1所示，本发明华司124的缺口槽1241和凹陷槽1242配合去掉华司124上导磁率低的部分，可以使华司124的磁通密度增大，如此在保证磁通量的前提下，可以有效的降低华司124的重量，提高华司124的使用效率。
[0060]
可以理解的，为了确保振动系统的音圈2能够在磁间隙13内做切割磁感线运动时，可保持恒定数目的音圈位于磁间隙13内的最大位移，音圈2采用长音圈，并配合阶梯式的华司124，使得华司124邻近磁间隙13处呈阶梯式，可以增大磁间隙13处的磁通密度，保证发声装置100具有较高的灵敏度，在保证bl值的情况下，增大发声装置100的线性范围。
[0061]
可选地，缺口槽1241沿华司124的周缘延伸设置，如此缺口槽1241沿磁间隙13的环绕方向延伸设置，以形成位于华司124外侧壁的环槽结构。为了进一步确保华司124在磁间隙13处的磁通密度，缺口槽1241邻近第二磁铁123设置。
[0062]
在本实施例中，缺口槽1241贯穿华司124面向第二磁铁123的底面，从而使得华司
124面向磁间隙13的外侧壁呈阶梯式设置。
[0063]
在一实施例中，凹陷槽1242的内壁包括相连接的凸弧面1243和凹弧面1244，凸弧面1243远离凹弧面1244的一侧与华司124的外侧壁连接。
[0064]
在本实施例中，如图1所示，通过将凹陷槽1242的内壁设置为相连接的凸弧面1243和凹弧面1244，使得凸弧面1243位于凹弧面1244的边缘处，并与华司124的外侧壁连接，从而确保华司124的上端部呈圆滑过渡设置，以均匀化磁感线，并进一步增加磁间隙13处的磁通密度。可选地，凸弧面1243和凹弧面1244的连接处呈圆滑过渡设置，也即凹陷槽1242的内壁呈圆滑的弧面结构，从而使得振膜震动所产生的气流流动更加顺畅。
[0065]
在一实施例中，容置槽的底壁朝向容置槽内凸起形成支撑台112，支撑台112与容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽113，避位槽113与磁间隙13对应连通，第一磁铁121支撑于支撑台112，u铁11背向容置槽底壁的一侧对应支撑台112凹陷形成凹槽114。
[0066]
在本实施例中，如图1所示，通过在u铁11的容置槽的底壁设置支撑台112，使得支撑台112与容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽113，且避位槽113与磁间隙13对应连通，从而利用支撑台112支撑固定磁路部分12的同时，利用避位槽113对音圈2在磁间隙13内的移动实现避让，以保证发声装置100的振幅。
[0067]
可以理解的，支撑台112可以是凸设于容置槽的底壁的凸起结构。当然，支撑台112也可以是由u铁11背向容置槽底壁的一侧朝向容置槽内凸起形成，在此不做限定。可选地，u铁11背向容置槽底壁的一侧对应支撑台112凹陷形成凹槽114。
[0068]
在一实施例中，如图1所示，支撑台112包括呈夹角设置的竖直壁1121和横直壁1122，竖直壁1121与容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽113，第一磁铁121支撑于横直壁1122，横直壁1122背向第一磁铁121的一侧与竖直壁1121围合形成凹槽114，横直壁1122的厚度从竖直壁1121至远离竖直壁1121逐渐减小。
[0069]
可以理解的，如此设置既可以利用支撑台112的竖直壁1121和横直壁1122将磁路部分12进行支撑固定，使得竖直壁1121与容置槽的侧壁围合形成的避位槽113能够对音圈2的振动实现避让，以保证发声装置100的振幅，同时又可以利用横直壁1122对第一磁铁121进行固定，以确保支撑面积。
[0070]
在本实施例中，通过将横直壁1122的厚度从竖直壁1121至远离竖直壁1121逐渐减小，从而进一步减小磁路系统1的整体重量，以减小发声装置100的重量。
[0071]
在一实施例中，如图1所示，支撑台112设有第一通孔115，磁路部分12对应第一通孔115设有第二通孔125，第二通孔125依次贯通第一磁铁121、铁块122、第二磁铁123及华司124。
[0072]
可以理解的，盆架设有连通容腔的贯通孔，u铁11对应贯通孔设有贯穿容置槽底壁的第一通孔115，磁路部分12对应第一通孔115设有第二通孔125，也即华司124、第二磁铁123、铁块122及第一磁铁121均开设有第二通孔125。在本实施例中，第二通孔125贯穿凹陷槽1242的底壁。
[0073]
在本实施例中，如图1所示，通过在盆架上设置贯通孔，并在磁路部分12上对应贯通孔设置通孔结构，如此在音圈2带动振膜振动时，确保振动空间内的气压平衡。可以理解的，贯通孔开设于盆架的容腔底壁，且贯穿容腔的底壁。磁路部分12固定于盆架容腔的底壁，磁路部分12的u铁11、第二磁铁123及华司124对应贯通孔依次开设有第二通孔125。
[0074]
可以理解的，第一通孔115和第二通孔125呈同轴设置。第一通孔115及第二通孔125的形状轮廓相同，第一通孔115及第二通孔125可选为圆孔、椭圆孔、三角孔或方形孔等，在此不做限定。
[0075]
在本实施例中，第二通孔125贯穿凹陷槽1242的底壁，如此可进一步降低华司124的重量，达到减重目的。可选地，第二通孔125设于凹陷槽1242的中部或中间位置，如此可确保磁间隙13内磁通密度均匀，避免音圈2出现偏振或摆动等现象，以提高发声装置100的出声效果。
[0076]
本发明还提出一种终端设备，该终端设备包括设备壳体和上述的发声装置100，发声装置100设于设备壳体。该发声装置100的具体结构参照前述实施例，由于本终端设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
[0077]
以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

技术特征：
1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：磁路系统，所述磁路系统包括u铁和磁路部分，所述u铁具有容置槽，所述磁路部分设于所述容置槽内，并与所述容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，所述磁路部分包括依次层叠设置的第一磁铁、铁块、第二磁铁及华司，所述第一磁铁背向所述铁块的一侧连接于所述容置槽的底壁；和振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜与所述磁路系统相对，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内。2.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，定义所述铁块的厚度为h1，定义所述第一磁铁的厚度为h2，定义所述第二磁铁的厚度为h3；0.6≤h2/h1≤1；且/或，0.6≤h3/h1≤1。3.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一磁铁的厚度与所述第二磁铁的厚度相同；或，所述第一磁铁的厚度与所述第二磁铁的厚度不同。4.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一磁铁的充磁方向与所述第二磁铁的充磁方向相同。5.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述华司面向所述磁间隙的一侧设有缺口槽。6.如权利要求5所述的发声装置，其特征在于，所述华司背向所述第二磁铁的一侧设有凹陷槽。7.如权利要求6所述的发声装置，其特征在于，所述凹陷槽的内壁包括相连接的凸弧面和凹弧面，所述凸弧面远离所述凹弧面的一侧与所述华司的外侧壁连接；且/或，所述缺口槽沿所述华司的周缘延伸设置；且/或，所述缺口槽邻近所述第二磁铁设置。8.如权利要求1至7中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述容置槽的底壁朝向所述容置槽内凸起形成支撑台，所述支撑台与所述容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽，所述避位槽与所述磁间隙对应连通，所述第一磁铁支撑于所述支撑台，所述u铁背向所述容置槽底壁的一侧对应所述支撑台凹陷形成凹槽。9.如权利要求8所述的发声装置，其特征在于，所述支撑台包括呈夹角设置的竖直壁和横直壁，所述竖直壁与所述容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽，所述第一磁铁支撑于所述横直壁，所述横直壁背向所述第一磁铁的一侧与所述竖直壁围合形成所述凹槽，所述横直壁的厚度从所述竖直壁至远离所述竖直壁逐渐减小；且/或，所述支撑台设有第一通孔，所述磁路部分对应所述第一通孔设有第二通孔，所述第二通孔依次贯通所述第一磁铁、所述铁块、所述第二磁铁及所述华司；且/或，所述发声装置还包括盆架，所述盆架设有容腔，所述磁路系统设于所述容腔内，所述振膜连接于所述盆架，并与所述磁路系统相对。10.一种终端设备，其特征在于，包括设备壳体和如权利要求1至9中任一项所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

技术总结
本发明公开一种发声装置和终端设备，所述发声装置包括磁路系统和振动系统，所述磁路系统包括U铁和磁路部分，所述U铁具有容置槽，所述磁路部分设于所述容置槽内，并与所述容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，所述磁路部分包括依次层叠第一磁铁、铁块、第二磁铁及华司，所述第一磁铁背向所述铁块的一侧连接于所述容置槽的底壁，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜与所述磁路系统相对，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内。本发明旨在提供一种具有更大磁场均匀范围的发声装置，该发声装置提高了磁场的利用率，避免了设计和成本的浪费，同时具有更理想的线性范围，非线性失真明显降低。非线性失真明显降低。非线性失真明显降低。


技术研发人员：张鑫明 张凯 张迪 周勇
受保护的技术使用者：潍坊歌尔丹拿电子科技有限公司
技术研发日：2023.04.28
技术公布日：2023/7/7