一种降低漏磁通干扰的电感器的制作方法

1.本实用新型涉及电感器技术领域，特别涉及一种降低漏磁通干扰的电感器。


背景技术：

2.参考图1，现有两片式组合电感使用两个u字型磁芯和一片导体组成；导体装置在下方的磁芯中间，另一片磁芯安置在上方，通过接着胶沾粘成型。这种结构虽然已经把大部分的导体遮蔽到磁芯内部，但由于两片磁芯之间尚有空隙，仍然有少部分的磁通从这空隙中漏出。
3.在元件密集的电路板上，由于有少部分的磁通从这空隙中漏出，微量漏磁通会对周边元件形成电磁干扰(emi)。


技术实现要素：

4.基于此，有必要提供一种降低漏磁通干扰的电感器。
5.一种降低漏磁通干扰的电感器，所述降低漏磁通干扰的电感器包括：
6.导体，所述导体包括第一端子和第二端子；
7.第一磁体，所述第一磁体开设有容纳所述导体的第一槽，所述导体设置于所述第一槽内；
8.第二磁体，所述第二磁体开设有容纳所述第一磁体的第二槽，所述第一磁体和所述导体设置于所述第二槽内，所述第二槽包括底面和四个侧面，所述导体主体位于所述第二槽的底面，所述第一端子和所述第二端子延伸至所述第二槽的槽口。
9.在其中一个实施例中，所述第二磁体的相对磁导率≥2000。
10.在其中一个实施例中，所述第二磁体为立方体结构。
11.在其中一个实施例中，所述导体还包括导体主体、第一连接部和第二连接部。
12.在其中一个实施例中，所述第一端子、所述第一连接部、所述导体主体、所述第二连接部和所述第二端子依次连接形成c型。
13.在其中一个实施例中，所述导体主体的一端垂直延伸形成所述第一连接部，所述导体主体的另一端垂直延伸形成所述第二连接部，所述第一连接部垂直延伸形成所述第一端子，所述第二连接部垂直延伸形成第二端子，所述第一端子和所述第二端子相对向内设置。
14.在其中一个实施例中，所述导体、所述第一端子和第二端子通过胶沾粘成型组装成所述降低漏磁通干扰的电感器。
15.在其中一个实施例中，所述第一磁体由铁氧体磁材制备而成。
16.本实用新型的有益效果
17.本实用新型在降低漏磁通干扰的电感器中设置一个第二磁体，第二磁体开设有容纳第一磁体的第二槽，第一磁体和导体设置于第二槽内，有效的减少或消除电感漏磁通对电路的影响。
附图说明
18.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
19.图1为现有的两片式组合电感的结构示意图
20.图2为降低漏磁通干扰的电感器的结构示意图；
21.图3为导体的结构示意图；
22.图4为第一磁体的结构示意图；
23.图5为第二磁体的结构示意图；
24.图6为另一视角的降低漏磁通干扰的电感器的结构示意图。
25.图中部件名称及序号：100、导体；110、导体主体；120、第一连接部；130、第二连接部；140、第一端子；150、第二端子；200、第一磁体；210、第一槽；300、第二磁体；310、第二槽。
26.本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
27.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
28.需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
29.另外，在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中的“和/或”包括三个方案，以a和/或b为例，包括a技术方案、b技术方案，以及a和b同时满足的技术方案；另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
30.参考图2，降低漏磁通干扰的电感器包括导体100、第一磁体200和第二磁体300；第二磁体300设置于第一磁体200外。
31.如图3所示，导体100整体为c型，导体100包括导体主体110、第一连接部120、第二连接部130、第一端子140和第二端子150，第一端子140、第一连接部120、导体主体110、第二连接部130和第二端子150依次连接，导体主体110的一端垂直延伸形成第一连接部120，导体主体110的另一端垂直延伸形成第二连接部130，第一连接部120垂直延伸形成第一端子140，第二连接部130垂直延伸形成第二端子150，第一端子140和第二端子150相对向内设置。
32.如图4所示，第一磁体200开设有容纳导体100的第一槽210，导体100设置于第一槽
210内。
33.如图5所示，第二磁体300开设有容纳第一磁体200的第二槽310，第第二槽310包括底面和四个侧面，第一端子140和第二端子150延伸至所述第二槽的槽口。第一磁体200和导体100设置于第二槽310内。具体地，第二磁体300为立方体结构，导体100、第一磁体200和第二磁体300通过胶沾粘成型组装成降低漏磁通干扰的电感器。第二磁体300的相对磁导率≥2000，第二磁体300由锰锌铁氧体磁材制备而成。第二磁体300的高磁导率特性使所有磁通通过磁芯流动而不会泄漏到第二磁体300的外部。
34.具体地，第一磁体200由铁氧体磁材制备而成。
35.整体装配图参考图6，第一磁体200开设有容纳所述导体100的第一槽210，导体100设置于第一槽210内，第二磁体300开设有容纳第一磁体200的第二槽310，第一磁体200和导体100设置于第二槽310内，第二磁体300设有开口，第一端子140和第二端子150与所述第二磁体300的开口平齐。导体主体110的一端垂直延伸形成第一连接部120，导体主体110的另一端垂直延伸形成第二连接部130，第一连接部120垂直延伸形成第一端子140，第二连接部130垂直延伸形成第二端子150，第一端子140和第二端子150相对向内设置，导体100整体为c型。
36.为验证本实用新型的降低漏磁通干扰的电感器降低漏磁通干扰的性能，在负载直流电40a下，使用高斯仪测试传统的两片式电感器以及本实用新型的的降低漏磁通干扰的电感器的磁通量，测试结果如表1所示：
37.表1磁通量测试结果
[0038][0039]
其中，表中“1”表示宽度方向上的一个侧面；“2”表示长度方向上的一个侧面；“3”表示顶面。
[0040]
由表1可知，降低漏磁通干扰的电感器的漏磁通远远小于传统的两片式电感器，能够有效降低漏磁通干扰。
[0041]
以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

技术特征：
1.一种降低漏磁通干扰的电感器，其特征在于，所述电感器包括：导体，所述导体包括导体主体、第一端子和第二端子；第一磁体，所述第一磁体开设有容纳所述导体的第一槽，所述导体设置于所述第一槽内；第二磁体，所述第二磁体开设有容纳所述第一磁体的第二槽，所述第一磁体和所述导体设置于所述第二槽内，所述第二槽包括底面和四个侧面，所述导体主体位于所述第二槽的底面，所述第一端子和所述第二端子延伸至所述第二槽的槽口。2.根据权利要求1所述降低漏磁通干扰的电感器，其特征在于，所述第二磁体的相对磁导率≥2000。3.根据权利要求1所述降低漏磁通干扰的电感器，其特征在于，所述第二磁体为立方体结构。4.根据权利要求1所述降低漏磁通干扰的电感器，其特征在于，所述第二磁体由锰锌铁氧体磁材制备而成。5.根据权利要求1所述降低漏磁通干扰的电感器，其特征在于，所述导体还包括第一连接部和第二连接部，所述第一端子、所述第一连接部、所述导体主体、所述第二连接部和所述第二端子一体成型形成c型。6.根据权利要求5所述降低漏磁通干扰的电感器，其特征在于，所述导体主体的一端垂直延伸形成所述第一连接部，所述导体主体的另一端垂直延伸形成所述第二连接部，所述第一连接部垂直延伸形成所述第一端子，所述第二连接部垂直延伸形成第二端子，所述第一端子和所述第二端子相对向内设置。7.根据权利要求1所述降低漏磁通干扰的电感器，其特征在于，所述导体、所述第一端子和第二端子通过胶沾粘成型组装成所述降低漏磁通干扰的电感器。8.根据权利要求1所述降低漏磁通干扰的电感器，其特征在于，所述第一磁体由铁氧体磁材制备而成。

技术总结
本实用新型公开了一种降低漏磁通干扰的电感器。降低漏磁通干扰的电感器包括导体、第一磁体和第二磁体，第一磁体开设有容纳导体的第一槽，导体设置于所述第一槽内，第二磁体设置于第一磁体外，第二磁体开设有容纳磁体的第二槽，磁体和导体设置于第二槽内，第二槽包括底面和四个侧面，导体主体位于第二槽的底面，第一端子和第二端子延伸至第二槽的槽口。本实用新型在降低漏磁通干扰的电感器有效的减少或消除电感漏磁通对电路的影响。或消除电感漏磁通对电路的影响。或消除电感漏磁通对电路的影响。


技术研发人员：周玮
受保护的技术使用者：联振电子（深圳）有限公司
技术研发日：2023.03.30
技术公布日：2023/7/14