用于冷却薄膜的制备方法

1.本发明涉及一种制备方法，尤其是涉及一种用于冷却薄膜的制备方法，属于非金属材料制备工艺技术领域。


背景技术：

2.白天太阳光照射到物体上会使物体温度升高，特别是在炎热的夏季，强烈的太阳辐射会引起设备性能减弱或损坏，人体温度升高等问题。如何制备一种能对处于阳强照射下的设备和/或人体进行遮挡、隔热以及反射散热保温度的材料便成为了本领域技术人员急需解决的技术问题。


技术实现要素：

3.本发明所要解决的技术问题是：提供一种在太阳照射下可以实现降温的用于冷却薄膜的制备方法。
4.为解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种用于冷却薄膜的制备方法，所述的制备方法包括浆液制备、初膜编制和去有机成分成膜几个步骤，
5.其中，在去有机成分成膜时采用在1000℃的炉中煅烧去除残留的有机成分完成最后的成膜工作。
6.进一步的是，所述的初膜编制工作是通过注射纺制机纺丝成膜一次性完成的，其注射纺制参数如下，
7.注射器施加纺制电压为20kv，喷针注射速率为3.0ml/h，注射器尖端与多孔聚乙烯膜的距离为20厘米。
8.上述方案的优选方式是，在进行浆液制备时，先将甲基三甲氧基硅烷、氧化铝、聚乙烯醇和磷酸按质量比为15：4：45：0.06进行混合，然后再在真空环境条件下搅拌至少2小时完成浆液的制备。
9.进一步的是，在制备浆液前，先制备甲基三甲氧基硅烷溶液，具体过程为分别将磷酸和甲基三甲氧基硅烷按上述比例放入容器中持续搅拌至少4小时制成甲基三甲氧基硅烷溶液。
10.上述方案的优选方式是，在制备浆液前，先制备氧化铝溶液，具体过程为将纳米氧化铝粉末加入去离子水中加热至少2.5小时，并在加热的过程中不断对氧化铝溶液搅拌。
11.进一步的是，在加热含有纳米氧化铝粉末的去离子水制备氧化铝溶液时，采用的是60℃油浴法进行加热。
12.上述方案的优选方式是，采用氧化铝溶液和甲基三甲氧基硅烷溶液混合制备浆液时，是将甲基三甲氧基硅烷溶液和氧化铝溶液依次加入浓度为10％的聚乙烯醇溶液中在真空下搅拌至少2小时。
13.本发明的有益效果是：本申请提供的技术方案采用浆液制备、初膜编制和去有机成分成膜几个步骤制备本申请的冷却薄膜。本发明形成的膜具有各向异性纤维构建的多孔
结构，在紫外和可见光范围内具有很强的反射太阳光能力，纤维结构悬浮在空气中，没有粘合剂，显著提高了后向散射和反射，同时氧化铝具有高反射率进一步增加了太阳光的反射。使所述的冷却薄膜具备在太阳照射下可以实现降温的功能。
具体实施方式
14.为了解决现有技术中的上述技术问题，本发明提供的一种在太阳照射下可以实现降温的用于冷却薄膜的制备方法。所述的制备方法包括浆液制备、初膜编制和去有机成分成膜几个步骤，其中，在去有机成分成膜时采用在1000℃的炉中煅烧去除残留的有机成分完成最后的成膜工作。本申请提供的技术方案采用浆液制备、初膜编制和去有机成分成膜几个步骤制备本申请的冷却薄膜。使所述的冷却薄膜具备在太阳照射下可以实现降温的功能。
15.相应的，为了提高制备效率，保证制备的冷却薄膜的质量，本申请所述的初膜编制工作是通过注射纺制机纺丝成膜一次性完成的，其注射纺制参数如下，注射器施加纺制电压为20kv，喷针注射速率为3.0ml/h，注射器尖端与多孔聚乙烯膜的距离为20厘米。与此同时，在进行浆液制备时，先将甲基三甲氧基硅烷、氧化铝、聚乙烯醇和磷酸按质量比为15：4：45：0.06进行混合，然后再在真空环境条件下搅拌至少2小时完成浆液的制备。在制备浆液前，先制备甲基三甲氧基硅烷溶液，具体过程为分别将磷酸和甲基三甲氧基硅烷按上述比例放入容器中持续搅拌至少4小时制成甲基三甲氧基硅烷溶液。以及在制备浆液前，先制备氧化铝溶液，具体过程为将纳米氧化铝粉末加入去离子水中加热至少2.5小时，并在加热的过程中不断对氧化铝溶液搅拌。此时，在加热含有纳米氧化铝粉末的去离子水制备氧化铝溶液时，采用的是60℃油浴法进行加热。采用氧化铝溶液和甲基三甲氧基硅烷溶液混合制备浆液时，是将甲基三甲氧基硅烷溶液和氧化铝溶液依次加入浓度为10％的聚乙烯醇溶液中在真空下搅拌至少2小时
16.下面通过具体的实施例对本申请的技术方案作进一步说明：
17.实施例一
18.1、分别将磷酸和甲基三甲氧基硅烷放入容器中进行搅拌，搅拌持续4小时。
19.2、将纳米氧化铝粉末加入去离子水中，然后利用60℃油浴法加热，加热2.5小时，在这过程中不断对氧化铝溶液搅拌。
20.3、将甲基三甲氧基硅烷和氧化铝溶液依次加入浓度为10％的聚乙烯醇溶液中，在真空下搅拌2小时，甲基三甲氧基硅烷、氧化铝、聚乙烯醇和磷酸的质量比为15：4：45：0.06
21.4、将形成的溶液装入注射器中，电压为20kv，速度为3ml/h，喷嘴距离圆柱体20厘米进行纺丝并成膜。
22.5、将制备的膜在1000℃的炉中煅烧，去除残留的有机成分。


技术特征：
1.用于冷却薄膜的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括浆液制备、初膜编制和去有机成分成膜几个步骤，其中，在去有机成分成膜时采用在1000℃的炉中煅烧去除残留的有机成分完成最后的成膜工作。2.根据权利要求1所述的用于冷却薄膜的制备方法，其特征在于：所述的初膜编制工作是通过注射纺制机纺丝成膜一次性完成的，其注射纺制参数如下，注射器施加纺制电压为20kv，喷针注射速率为3.0ml/h，注射器尖端与多孔聚乙烯膜的距离为20厘米。3.根据权利要求1或2所述的用于冷却薄膜的制备方法，其特征在于：在进行浆液制备时，先将甲基三甲氧基硅烷、氧化铝、聚乙烯醇和磷酸按质量比为15：4：45：0.06进行混合，然后再在真空环境条件下搅拌至少2小时完成浆液的制备。4.根据权利要求3所述的用于冷却薄膜的制备方法，其特征在于：在制备浆液前，先制备甲基三甲氧基硅烷溶液，具体过程为分别将磷酸和甲基三甲氧基硅烷按上述比例放入容器中持续搅拌至少4小时制成甲基三甲氧基硅烷溶液。5.根据权利要求4所述的用于冷却薄膜的制备方法，其特征在于：在制备浆液前，先制备氧化铝溶液，具体过程为将纳米氧化铝粉末加入去离子水中加热至少2.5小时，并在加热的过程中不断对氧化铝溶液搅拌。6.根据权利要求5所述的用于冷却薄膜的制备方法，其特征在于：在加热含有纳米氧化铝粉末的去离子水制备氧化铝溶液时，采用的是60℃油浴法进行加热。7.根据权利要求6所述的用于冷却薄膜的制备方法，其特征在于：采用氧化铝溶液和甲基三甲氧基硅烷溶液混合制备浆液时，是将甲基三甲氧基硅烷溶液和氧化铝溶液依次加入浓度为10％的聚乙烯醇溶液中在真空下搅拌至少2小时。

技术总结
本发明公开了一种制备方法，尤其是公开了一种用于冷却薄膜的制备方法，属于非金属材料制备工艺技术领域。提供一种在太阳照射下可以实现降温的用于冷却薄膜的制备方法。所述的制备方法包括浆液制备、初膜编制和去有机成分成膜几个步骤，其中，在去有机成分成膜时采用在1000℃的炉中煅烧去除残留的有机成分完成最后的成膜工作。后的成膜工作。


技术研发人员：马瑞华 马东艳
受保护的技术使用者：攀枝花学院
技术研发日：2023.05.05
技术公布日：2023/7/25