一种提升含Al氮化物半导体材料的晶体质量的方法

一种提升含al氮化物半导体材料的晶体质量的方法
技术领域
1.本发明涉及一种提升含al氮化物半导体材料的晶体质量的方法，属于半导体材料生长技术领域。


背景技术：

2.aln薄膜材料具有禁带宽度大、直接带隙结构、化学键稳定、击穿电压高、压电效应强等优异特性，因此在光电子、功率电子、及通信领域有着广泛的应用前景。以aln为底层的algan基深紫外发光器件和探测器件可以广泛应用在消毒杀菌、净化、医疗、通信等领域等领域，市场前景非常大。同时，aln成核层还是硅衬底上外延生长gan基光电子器件所必不可少的缓冲层，aln薄膜材料的质量直接影响上述光电子器件的性能。aln作为超宽禁带半导体，可以制备高压功率电子器件，其中的位错等缺陷密度将影响电子器件性能。此外，基于aln材料的声表面波和体声波滤波器的性能也与aln材料质量密切相关。因此提升aln薄膜材料质量的价值重大。
3.然而，由于aln自支撑衬底价格非常昂贵，而且晶圆尺寸很小。目前商用aln薄膜材料大多是在蓝宝石、硅、sic等衬底上异质外延生长的。但由于aln与衬底材料存在很大的晶格失配和热膨胀系数失配，因此异质外延生长出来的aln薄膜材料常常晶体质量很差，存在高密度的位错缺陷，而且应力大极易产生裂纹。这些问题极大限制了aln薄膜材料的应用。
4.传统的aln薄膜异质外延生长通常是先生长aln成核层，再生长高温aln合并层。但由于aln之间键能很大，al原子表面迁移能力低下，使得这种在gan生长中能高效降低位错密度的方法并不太适用于aln材料生长，因此异质外延生长的aln薄膜材料的质量仍然较差、位错密度高。而且，aln生长过程中因为应力大而易产生裂纹这个问题也无法通过传统生长手段解决。此外，一些其他方法，例如侧向外延法、脉冲原子层外延法，虽然可以一定程度上改善aln外延层质量，但往往耗时长、工艺复杂，导致实际生产中成本高昂。因此，开发一种高效低成本的提升aln外延薄膜晶体质量的方法至关重要。
5.对于现有的提升aln外延薄膜晶体质量的方案，一般采用类似gan外延生长的两步法生长方案，如专利cn 109065438 a所示。首先，通过金属有机化学气相沉积(mocvd)、分子束外延(mbe)、氢化物气相外延(hvpe)生长或是溅射等方法在衬底上生长aln成核层，其次，在mocvd内经过高温退火后再高温生长aln。由于al原子表面迁移能力低，导致两步法生长aln对晶体质量效果很有限，因此生长过程中往往会增加一些表面活性剂例如ga、in等，如专利cn 105543969 b、cn 103695999 b所示。此外，也可以通过连续通入al源的同时脉冲式通入nh3来增加al原子表面迁移率，来改善两步法生长aln的晶体质量，如专利cn 106252211 a所示。然而，这些方法只能一定程度上增加al原子表面迁移能力，对aln晶体质量的改善还是相对低效。
6.侧向外延生长法是一种效果明显的改善aln外延薄膜晶体质量生长方法，如专利cn 108155090 a。这种方法首先在原衬底或是已经生长aln成核层的衬底上，通过光刻、纳米压印等方面做出各种凹凸不平的图形，然后在放入mocvd中进行高温生长，利用生长过程
中不同区域aln合并时位错的拐弯和湮灭，来降低位错密度，改善晶体质量。此类方法虽然可以有效改善aln薄膜材料的晶体质量，然而工艺复杂，工序繁多。导致aln薄膜产品不仅成本增加许多，而且良率低，均匀性不好，因此此方法很难实际运用到大规模生产中。
7.此外，还有一些其他技术方案，例如高低温交替生长aln(cn 107083539 a)和高低v/iii比交替生长aln(cn 104392909 a)。这类技术方案是通过某种生长条件交替变化的方式，在生长过程中促使外延表面粗糙化-平整化的交替演变。这样部分位错就会受到一些倾斜生长晶面的镜像力的作用发生弯折，导致位错之间相互作用，成环、湮灭，不再向上延伸，进而减少后面生长的aln中的位错密度。但由于aln之间键能很大(aln为2.88ev，gan为2.2ev)，很难像生长gan那样实现高质量的大尺寸有效三维生长，因此这类方法改善晶体质量的效果也十分有限。
8.可以发现，上述现有的高质量aln外延薄膜生长方法，要么效果不明显，生长出的aln质量仍然较差，要么工艺复杂，需要图形化衬底、二次外延等工序，导致成本和均匀性等一系列问题，无法做到实用性和效果良好兼顾。


技术实现要素：

9.本发明的主要目的在于提出一种提升含al氮化物半导体材料的晶体质量的方法，以克服现有技术的不足。
10.为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
11.本发明实施例提供了一种提升含al氮化物半导体材料的晶体质量的方法，其包括：
12.在衬底上沉积形成作为成核层的含al氮化物半导体材料底层；
13.在所述含al氮化物半导体材料底层上生成形成alon层，之后继续生长含al氮化物半导体材料层，制得高质量含al氮化物半导体材料外延薄膜。
14.在一些实施例中，所述含al氮化物半导体材料包括aln、algan、alinn、alingan、baln中的任意一种或两种以上的组合。
15.在一些实施例中，所述方法包括：在含氧性气氛下，或者，在含氧化学试剂或含氧等离子的作用下，在所述含al氮化物半导体材料底层上形成alon层。
16.本发明实施例还提供了由前述方法制得的高质量含al氮化物半导体材料外延薄膜。
17.与现有技术相比，本发明提出的提升含al氮化物半导体材料的晶体质量的方法具有以下优点：
18.本发明通过在含al氮化物半导体材料薄膜上生长alon，进而在下一步的外延生长时利用形成的alon来进一步阻挡和湮灭穿透位错，从而改善晶体质量，同时并不存在aln侧向外延的难合并等问题。同时，本发明的方法工艺简单，可以适应于各类外延生长，同时也完全适合规模化生产。
附图说明
19.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
20.图1是本发明一典型实施方案中在衬底上沉积aln底层的示意图；
21.图2是本发明一典型实施方案中在aln表面形成alon的示意图；
22.图3是本发明一典型实施方案中继续生长aln后的示意图；
23.图4是本发明一典型实施方案中alon阻挡位错的原理示意图。
具体实施方式
24.下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员应当理解：其依然可以对各实施例的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
25.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本发明的描述中，方位术语和次序术语等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
26.如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
27.本发明实施例的一个方面提供的一种提升含al氮化物半导体材料的晶体质量的方法包括：
28.在衬底上沉积形成作为成核层的含al氮化物半导体材料底层；
29.在所述含al氮化物半导体材料底层上生成形成alon层，之后继续生长含al氮化物半导体材料层，制得高质量含al氮化物半导体材料外延薄膜。
30.在一些优选方案中，所述方法包括：至少采用mocvd、mbe、hvpe、溅射中任一种方法，在所述衬底上形成所述含al氮化物半导体材料底层，或者含al氮化物半导体材料层。
31.进一步地，所述含al氮化物半导体材料底层的厚度为50nm～2000nm。
32.在一些优选方案中，所述方法包括：在含氧性气氛下，或者，在含氧化学试剂或含氧等离子的作用下，在所述含al氮化物半导体材料底层上形成alon层。换一种角度讲，所述alon层形成的方法不仅限于通入o2、n2/o2混合气，或者o3等具有含氧气体进行反应，也可以是包括含氧化学试剂、含氧等离子等其他方法。
33.本发明利用aln或algan表面氧化形成alon来提升aln或algan晶体质量的思想，创新地利用alon层来阻挡位错，开辟了改善晶体质量新的思路。alon层是通过通入o2、n2/o2混合气、h2o、或者o3等含氧性气体与aln或algan等含al的氮化物半导体材料表面形成alon，也可以通过其他方法在aln或algan等含al的氮化物半导体材料内部形成alon层来阻挡位错。本发明利用了al原子易被氧化的特点，当表面形成alon后反而会保护下面的材料不被进一步氧化，从而只有薄薄的一层alon层，所以并不需要像传统的掩膜技术一样需要进行侧向外延。
34.进一步地，所述所述含氧性气氛包括氧气气氛、由氮气与氧气组成的混合气体气氛、o3气氛等中的任一种，其中，所述由氮气与氧气组成的混合气体气氛中氧气的体积比大于1％。
35.进一步地，所述含氧化学试剂包括浓硫酸与双氧水的组合，或者双氧水等，但不限于此。
36.进一步地，所述alon层的厚度在5nm以下，优选为1～2nm。
37.进一步地，所述alon层的数量可以是一层，也可以是多层。
38.在一些优选方案中，所述alon层的形成方法既可以是在mocvd、hvpe、mbe、pld或者溅射等设备内部采用mocvd、hvpe、mbe、pld、溅射等方法中的任一种方法原位一次性生长，也可以是先在mocvd、hvpe、mbe、pld或者溅射等设备外部生长形成所述alon层，之后再置于mocvd、hvpe、mbe、pld或者溅射等设备内部继续生长。
39.在一些更为具体的优选方案中，所述方法包括：
40.(1)至少采用mocvd、mbe、hvpe、溅射中任一种方法，在衬底上形成一层含al氮化物半导体材料底层；
41.(2)在含氧性气氛下，或者，在含氧化学试剂或含氧等离子的作用下，在所述含al氮化物半导体材料底层上形成厚度为1～2nm的alon层；
42.(3)在步骤(2)所获结构上继续生长含al氮化物半导体材料层；
43.(4)重复进行步骤(2)和步骤(3)多次，最后得到表面平整、无裂纹的高质量含al氮化物半导体材料外延薄膜。
44.进一步地，所述衬底的材质可以包括gan、zno、aln、蓝宝石、sic、si等中的任意一种或两种以上的组合，但不限于此。
45.进一步地，所述方法还包括：先对衬底进行热处理和预铺al处理，之后再在衬底上生长所述含al氮化物半导体材料底层。
46.其中具体的，所述热处理的工艺条件可以包括：在h2气氛下，于1100～1200℃热处理5～10min。所述预铺al处理的工艺条件可以包括：在h2气氛下，于1050～1100℃铺al 5～15s。
47.在一些优选方案中，所述含al氮化物半导体材料包括aln、algan、alinn、alingan、baln中的任意一种或两种以上的组合。换一种角度讲，可用本发明的方法提升晶体质量的外延材料不仅限于aln和algan，还可以适用于其他含al的氮化物半导体材料，例如包括alinn、alingan、baln等合金组合。
48.在一些具体实施方案中，以aln和algan为例，所述提升含al氮化物半导体材料的晶体质量的方法具体包括以下步骤：
49.1)在衬底上通过金属有机化学气相沉积(mocvd)、分子束外延(mbe)、氢化物气相外延(hvpe)或者溅射等方法先沉积一层aln底层成核层(或者是生长到algan)，如图1所示。
50.2)在aln底层(或者algan层)上，通入混合气体(n2:o2＝4:1)或者o3等含氧性气体在al(ga)n表面形成厚度为1～2nm的alon层，至多不超过5nm，如图2所示。
51.3)继续生长al(ga)n，可以看到部分位错在alon覆盖位置拐弯或者湮灭，如图3所示，其原理图参见图4所示。
52.4)可以循环生长步骤2)和步骤3)，增强alon对湮灭位错改善晶体质量的作用，最
后得到表面平整、无裂纹的高质量al(ga)n外延薄膜。
53.藉由以上技术方案，本发明中提出的一种提升aln和algan薄膜材料晶体质量的制备方法可以有效降低位错密度：传统的改善aln薄膜质量的方法多以提高al原子表面迁移率为主，希望通过效仿gan两步法生长来降低位错密度，然而效果不理想。本发明创新地提出利用生长alon层来降低位错密度，一方面alon层区域可以直接阻挡穿透位错向上延伸，且不存在随后aln侧向外延生长过程中需要较厚的厚度来进行合并生长就可以达到降低位错密度的目的。该技术方案还可以与aln空洞层等技术以及其他aln晶体质量改善方法同时叠加使用。
54.并且，本发明的方法工艺简单，可以适应于各类外延生长，同时也完全适合规模化生产。相对于工艺复杂的图形化衬底侧向外延，本发明的方法既可以在mocvd、mbe、hvpe腔室内通过一次性生长完成，也可以在炉外进行统一地进行alon生长，理论上没有产能限制，可以批量操作，且不需要光刻、清洗、二次外延等极其影响良率和成本的工序。此外，本发明的方法可以应用于各种衬底上的aln外延生长，包括蓝宝石衬底、硅衬底、sic衬底、aln衬底等等，适用性很广，完全适合商业化应用。而且还可以有效地降低aln或algan薄膜材料的位错密度，具有兼容性强、工艺简单、适用性广等许多优点，完全适合应用于大规模生产。
55.本发明实施例的另一个方面还提供了由方法制得的高质量含al氮化物半导体材料外延薄膜。
56.综上所述，本发明通过在含al氮化物半导体材料薄膜上生长alon，进而在下一步的外延生长时利用形成的alon来进一步阻挡和湮灭穿透位错，从而改善晶体质量，同时并不存在aln侧向外延的难合并等问题。该技术方案也与上述提及的其他aln薄膜材料生长的技术方案兼容，可以进一步提升含al氮化物半导体材料材料的晶体质量。
57.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及若干较佳实施例对本发明的技术方案做进一步详细说明。以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解，这些实施例是用于说明本发明而不限于限制本发明的范围。以下实施例中所用试剂和原料均市售可得，而其中未注明具体条件的试验方法，通常按照常规条件，或者按照各制造商所建议的条件。又及，除非另外说明，本发明中所公开的实验方法、检测方法均采用相关领域的常规技术。
58.实施例1：在硅衬底上制备高质量aln外延薄膜
59.s1：衬底热处理：将si(111)衬底放入mocvd中，在纯h2气氛下，升高温度到1150℃，然后热处理5分钟，去除表面氧化层。
60.s2：预铺al：将生长温度降低到1050℃，维持纯h2条件下，通入al源，在衬底表面铺一层al，防止nh3与衬底接触。
61.s3：生长aln底层：铺al完成后，通过nh3，在1050℃、v/iii为200的生长条件下，生长厚度为200nm的aln底层。
62.s4：生长aln表面氧化层：在mocvd中通入n2/o2混合气体或者o3等含氧性气体，在样品表面形成alon。
63.s5：继续生长aln层：将生长温度生长提高到1150℃，v/iii比降低到20，在高温低v/iii下生长厚度为100nm的aln。
64.本实施例所得到的aln外延层，在光学显微镜下看没有裂纹，通过截面透射电子显
微镜(tem)可以观察到外延薄膜内部alon层位置有明显的衬度差异，位错在alon层位置出现明显的拐弯和湮灭。在原子力显微镜afm下观察，其表面平整，通过x射线衍射(xrd)扫描其(002)面摇摆曲线半高宽低于1000arscec，(102)面半宽低于1300arscec，说明实施例得到的外延层拥有平整的表面和很好的晶体质量。
65.实施例2：在平面蓝宝石衬底上制备高质量aln外延薄膜
66.s1：溅射aln底层：将蓝宝石衬底上，溅射50nm aln薄膜作为aln底层。
67.s2：将aln底层放入mocvd中，升高温到1150℃，同时通入h2和nh3，高温退火10分钟。
68.s3：生长aln孔洞形成层：将生长温度降低到900℃，v/iii比调高到5000，在低温高v/iii下生长厚度为300nm的aln孔洞形成层。
69.s4：生长aln合并层：将生长温度生长提高到1200℃，v/iii比降低到50，在高温低v/iii下生长厚度为450nm的aln合并层，形成材料内部的空洞。
70.s5：生长aln氧化层：在mocvd中通入n2/o2混合气体或者o3等含氧性气体，在样品表面形成alon。
71.s6：继续生长aln层：将生长温度生长提高到1200℃，v/iii比调高到200，在高温低v/iii下生长厚度为200nm的aln。
72.s7：再循环s3和s4步骤多次，最终得到总厚度约3μm的高质量aln薄膜。
73.本实施例所得到的aln外延层，总厚度达3μm且表面没有裂纹，且通过xrd扫描其(002)面摇摆曲线半高宽低于150arscec，(102)面半宽低于300arscec，而且对位错密度降低效果明显。
74.实施例3：在平面蓝宝石衬底上制备高质量algan外延薄膜
75.s1：高质量aln层生长：根据实施例2中方法生长出高质量aln外延层。
76.s2：过渡层生长：在高质量外延层基础上将生长温度降低到1050℃，v/iii比调高到1000，生长aln/algan超晶格过渡层。
77.s3：nalgan生长：将v/iii比调高到2000，生长厚度为500nm的nalgan。
78.s4：生长algan氧化层：在mocvd中通入n2/o2混合气体或者o3等含氧性气体，在样品表面形成alon。
79.s5：继续生长nalgan层：将v/iii比调高到2000，生长厚度为500nm的nalgan。
80.s6：再循环s3和s4步骤多次，最终得到总厚度约2μm的高质量algan薄膜。
81.本实施例所得到的algan外延层，总厚度达2μm且表面没有裂纹，且通过xrd扫描其(002)面摇摆曲线半高宽低于250arscec，(102)面半宽低于350arscec，而且位错密度得到有效降低。
82.实施例4：aln外延薄膜在mocvd腔室外生长alon
83.s1：高质量aln层生长：根据实施例1、2中方法生长出高质量aln外延层。
84.s2：mocvd腔室外生长alon：高质量aln外延层与空气中的氧气自然缓慢地形成alon层或者退火炉中通入n2/o2混合气体或者o3等含氧性气体快速地形成alon层。
85.s3：放入mocvd中继续生长aln层：将生长温度生长提高到1150℃，v/iii比降低到20，在高温低v/iii下生长厚度为100nm的aln。
86.本实施例中所得到的aln外延层，也可以达到与实施例1中在mocvd内进行氧化处理一样的效果，通过x射线衍射(xrd)扫描其(002)面摇摆曲线半高宽低于1000arscec，
(102)面半宽低于1300arscec，说明在mocvd内和mocvd外alon层生长均可以得到相同的实验效果。
87.藉由上述技术方案，本发明可以利用原位生成或者炉外生长alon层来提升aln或algan薄膜材料的晶体质量。通过通入o2、n2/o2混合气、h2o、或者o3等含氧性气体，可以在aln或algan外延过程中原位形成或者炉外形成alon，可以阻挡穿透位错，且可以多次重复使用，从而有效提升aln和algan薄膜的晶体质量。
88.此外，本案发明人还参照前述实施例，以本说明书述及的其它原料、工艺操作、工艺条件进行了试验，并均获得了较为理想的结果，例如将衬底替换为gan、zno、aln、蓝宝石、sic、si等，又例如，以含氧化学试剂或含氧等离子来形成alon层等。又例如，在衬底上制备其他含al氮化物半导体材料，如alinn、alingan、baln等，均获得了较为理想的结果。
89.对于本领域的技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有拜年话囊括在本发明。不应将权利要求的任何附图标记视为限制涉及的权利要求。

技术特征：
1.一种提升含al氮化物半导体材料的晶体质量的方法，其特征在于，包括：在衬底上沉积形成作为成核层的含al氮化物半导体材料底层；在所述含al氮化物半导体材料底层上生成形成alon层，之后继续生长含al氮化物半导体材料层，制得高质量含al氮化物半导体材料外延薄膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述含al氮化物半导体材料包括aln、algan、alinn、alingan、baln中的任意一种或两种以上的组合。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：至少采用mocvd、mbe、hvpe、溅射中任一种方法，在所述衬底上形成所述含al氮化物半导体材料底层，或者含al氮化物半导体材料层；和/或，所述含al氮化物半导体材料底层的厚度为50nm～2000nm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：在含氧性气氛下，或者，在含氧化学试剂或含氧等离子的作用下，在所述含al氮化物半导体材料底层上形成alon层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述含氧性气氛包括氧气气氛、由氮气与氧气组成的混合气体气氛、o3气氛中的任一种，其中，所述由氮气与氧气组成的混合气体气氛中氧气的体积比大于1％；和/或，所述含氧化学试剂包括浓硫酸与双氧水的组合，或者双氧水。6.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于：所述alon层的厚度在5nm以下，优选为1～2nm；和/或，所述alon层的数量为一层或多层。7.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，包括：至少采用mocvd、hvpe、mbe、pld、溅射中的任一种方法原位一次性生长形成所述alon层；或者，先在mocvd、hvpe、mbe、pld或者溅射设备外部生长形成所述alon层，之后再置于mocvd、hvpe、mbe、pld或者溅射设备内部继续生长。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，具体包括：(1)至少采用mocvd、mbe、hvpe、溅射中任一种方法，在衬底上形成一层含al氮化物半导体材料底层；(2)在含氧性气氛下，或者，在含氧化学试剂或含氧等离子的作用下，在所述含al氮化物半导体材料底层上形成厚度为1～2nm的alon层；(3)在步骤(2)所获结构上继续生长含al氮化物半导体材料层；(4)重复进行步骤(2)和步骤(3)多次，最后得到表面平整、无裂纹的高质量含al氮化物半导体材料外延薄膜。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述衬底的材质包括gan、zno、aln、蓝宝石、sic、si中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述方法还包括：先对衬底进行热处理和预铺al处理，之后再在衬底上生长所述含al氮化物半导体材料底层；优选的，所述热处理的工艺条件包括：在h2气氛下，于1100～1200℃热处理5～10min；优选的，所述预铺al处理的工艺条件包括：在h2气氛下，于1050～1100℃铺al 5～15s。10.由权利要求1-9中任一项所述方法制得的高质量含al氮化物半导体材料外延薄膜。

技术总结
本发明公开了一种提升含Al氮化物半导体材料的晶体质量的方法。所述方法包括：在衬底上沉积形成作为成核层的含Al氮化物半导体材料底层；在所述含Al氮化物半导体材料底层上生成形成AlON层，之后继续生长含Al氮化物半导体材料层，制得高质量含Al氮化物半导体材料外延薄膜。本发明通过在含Al氮化物半导体材料薄膜上生长AlON，进而在下一步的外延生长时利用形成的AlON来进一步阻挡和湮灭穿透位错，从而改善晶体质量，同时并不存在AlN侧向外延的难合并等问题。同时，本发明的方法工艺简单，可以适应于各类外延生长，同时也完全适合规模化生产。产。产。


技术研发人员：孙秀建 黄应南 孙钱 刘建勋 詹晓宁 高宏伟 杨辉
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
技术研发日：2022.01.17
技术公布日：2023/7/26