半导体结构的检测方法、装置、设备及存储介质与流程

1.本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的检测方法、装置、设备及存储介质。


背景技术：

2.目前测试pwell井电阻的方式，是测试pwell井两端的电压和电流，然后推算pwell井的阻值。由于测试过程中采用的探针与pwell井两端接触时会产生接触电阻，导致推算出的阻值包括pwell井的阻值和探针接触电阻，使得测试结果的可靠性较低。


技术实现要素：

3.以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
4.本公开提供一种半导体结构的检测方法、装置、设备及存储介质。
5.根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构的检测方法，所述检测方法包括：
6.通过第一检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电压，获取流经所述半导体结构的电流值；
7.通过第二检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电流，获取所述半导体结构两端的电压值；
8.根据所述电压值和所述电流值，确定所述半导体结构的阻值。
9.根据本公开的一些实施例，所述第一检测电路包括第一检测端和第二检测端，所述第一检测端位于所述半导体结构的第一端，所述第二检测端位于所述半导体结构的第二端；
10.向所述第一检测端施加第一电压，向所述第二检测端施加第二电压，所述第一电压与所述第二电压的差值为所述预设电压。
11.根据本公开的一些实施例，所述第二检测电路包括第三检测端和第四检测端，所述第三检测端位于所述半导体结构的第一端，所述第四检测端位于所述半导体结构的第二端；
12.向所述第三检测端通入第一电流，向所述第四检测端通入第二电流，所述第一电流和所述第二电流相同。
13.根据本公开的一些实施例，所述第一电流和所述第二电流为0a。
14.根据本公开的一些实施例，所述第一检测端包括第一探针，所述第二检测端包括第二探针，所述第一探针和所述第二探针与第一源检测单元连接。
15.根据本公开的一些实施例，所述第三检测端包括第三探针，所述第四检测端包括第四探针，所述第三探针和所述第四探针与第二源检测单元连接。
16.根据本公开的一些实施例，根据所述电压值和所述电流值的比值，确定所述半导
体结构的阻值。
17.本公开的第二方面提供一种半导体结构的检测装置，所述检测装置包括：
18.第一获取模块，被配置为，通过第一检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电压，获取流经所述半导体结构的电流值；
19.第二获取模块，被配置为，通过第二检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电流，获取所述半导体结构两端的电压值；
20.确定模块，被配置为，根据所述电压值和所述电流值，确定所述半导体的阻值。
21.根据本公开的一些实施例，所述第一检测电路包括第一检测端和第二检测端，所述第一检测端位于所述半导体结构的第一端，所述第二检测端位于所述半导体结构的第二端；
22.所述第一获取模块被配置为，向所述第一检测端施加第一电压，向所述第二检测端施加第二电压，所述第一电压与所述第二电压的差值为所述预设电压。
23.根据本公开的一些实施例，所述第二检测电路包括第三检测端和第四检测端，所述第三检测端位于所述半导体结构的第一端，所述第四检测端位于所述半导体结构的第二端；
24.所述第二获取模块被配置为，向所述第三检测端通入第一电流，向所述第四检测端通入第二电流，所述第一电流和所述第二电流相同。
25.根据本公开的一些实施例，所述第一电流和所述第二电流为0a。
26.根据本公开的一些实施例，所述第一检测端包括第一探针，所述第二检测端包括第二探针，所述第一探针和所述第二探针与第一源检测单元连接。
27.根据本公开的一些实施例，所述第三检测端包括第三探针，所述第四检测端包括第四探针，所述第三探针和所述第四探针与第二源检测单元连接。
28.根据本公开的一些实施例，所述确定模块被配置为，根据所述电压值和所述电流值的比值，确定所述半导体结构的阻值。
29.本公开的第三方面提供一种半导体结构的检测设备，所述检测设备包括：
30.处理器；
31.用于存储处理器可执行指令的存储器；
32.其中，所述处理器被配置为执行以下操作：
33.通过第一检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电压，获取流经所述半导体结构的电流值；
34.通过第二检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电流，获取所述半导体结构两端的电压值；
35.根据所述电压值和所述电流值，确定所述半导体结构的阻值。
36.根据本公开实施例的第四方面，提供一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由半导体结构的检测设备的处理器执行时，使得所述检测设备能够执行以下操作：
37.通过第一检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电压，获取流经所述半导体结构的电流值；
38.通过第二检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电流，获取所述半导体结
构两端的电压值；
39.根据所述电压值和所述电流值，确定所述半导体结构的阻值。
40.本公开实施例所提供的半导体结构的检测方法、装置、设备及存储介质，通过第一检测电路获取流经半导体结构的电流值，通过第二检测电路获取半导体结构两端的电压值，利用第一检测电路和第二检测电路形成分离的电流检测端和电压检测端，可有效消除布线和接触电阻的阻抗带来的影响，提高检测精度和检测结果的可靠性。
41.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
42.并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
43.图1是相关技术中半导体结构的测试原理图；
44.图2是根据一示例性实施例示出的一种半导体结构的测试方法的流程图；
45.图3是根据一示例性实施例示出的一种半导体结构的测试方法的原理图；
46.图4-1和图4-2是采用相关技术测试半导体结构的r-u曲线图；
47.图5-1和图5-2是本公开一示例性实施例的测试方法测试半导体结构的r-u曲线图；
48.图6是根据一示例性实施例示出的一种半导体结构的测试装置的结构图；
49.图7是根据一示例性实施例示出的一种半导体结构的测试设备的框图。
具体实施方式
50.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
51.半导体技术领域中，在做逆向分析(reverse analysis)和故障分析(failure analysis)时，需要对半导体结构，例如芯片(chip)中的电子器件(device)、电容(capacitance)、电阻(resistor)等做各种电性检测，以便了解各种电性相关的参数。
52.在相关技术中，对于芯片中的pwell阱电阻的检测，参照图1所示，都是采用同一测试电路在测试过程中，利用电压表v’直接读取pwell阱两端的电压u、利用电流表i’读取流经pwell阱的电流i，再利用r＝u/i计算pwell阱的阻值r
p
。但是这种测试和计算方法算出的阻值包含检测电路两端的探针与pwell阱两端的接触电阻r
c1
和r
c2
，即计算结果r＝r
c1
+r
p
+r
c2
，导致计算出的阻值r比pwell阱的实际阻值r
p
偏大。
53.本公开提供了一种半导体结构的检测方法和检测装置，基于开尔文测试原理，利用四线检测方法，通过不同的检测电路分别检测获取半导体结构两端的电压值和流经该半导体结构的电流值，可有效忽略检测电路的接触电阻造成的影响，通过检测到的电压值和
电流值可直接计算半导体结构的电阻值，提升检测精度和检测结果的可靠性。
54.开尔文四线检测(kelvin four-terminal sensing)也被称之为四端子检测(4t检测，4t sensing)、四线检测或四点探针法，是一种电阻抗测量技术，用于测量低电阻，使用单独的对载电流和电压检测电极，相比传统的两个终端(2t)检测能够进行更精确的测量，其采用分离的电流和电压的电极，消除了布线和接触电阻的阻抗。
55.图2是根据一示例性实施例示出的本公开中半导体结构的检测方法的流程图，图3是根据一示例性实施例示出的该检测方法的原理图，综合图2和图3所示，该检测方法包括：
56.步骤s100，通过第一检测电路400，向半导体结构600的两端施加预设电压，获取流经半导体结构600的电流值；
57.步骤s200，通过第二检测电路500，向半导体结构600的两端施加预设电流，获取半导体结构600两端的电压值；
58.步骤s300，根据电压值和电流值，确定半导体结构600的阻值。
59.本公开实施例提供的检测方法，通过不同的检测电路分别检测流经半导体结构的电流值和该半导体结构两端的电压值，进而确定半导体结构的阻值，可有效消除接触电阻带来的影响，提高检测精度和检测结果的可靠性。
60.在步骤s100中，通过第一检测电路400向半导体结构600两端施加预设电压，使得半导体结构600的两端形成电压差，可通过电流表401读取流经半导体结构600的电流值。其中，第一检测电路400采用电压源模式，向半导体结构600的两端施加不同的电压，以在半导体结构600的两端形成电压差，从而可获取流经半导体结构600的电流值。
61.在步骤s200中，通过第二检测电路500向半导体结构600的两端施加预设电流，再可以利用电压表501读取半导体结构600两端的电压值。示例性地，第二检测电路500可以采用电流源模式。例如，通过第二检测电路500向半导体结构600的两端施加相同的电流，然后读取半导体结构600两端的电压值，与步骤s100中获取的电压值相结合，可有效消除接触电阻带来的影响，提高检测结果的可靠性。
62.在步骤s300中，根据步骤s100和步骤s200中通过不同检测电路分别获取的电流值和电压值，可有效消除半导体结构600两端的接触电阻造成的影响，确定半导体结构600的阻值，提升检测精度和检测结果的可靠性。
63.需要指出的是，本公开实施例提供的半导体结构的检测方法，可以用于检测pwell阱的电阻，还可以用于检测nwell阱电阻、薄膜方块电阻等。
64.在一些实施例中，第一检测电路400包括第一检测端410和第二检测端420，其中，第一检测端410位于半导体结构600的第一端，第二检测端420位于半导体结构600的第二端；在检测过程中，向第一检测端410施加第一电压，向第二检测端420施加第二电压，第一电压与第二电压的差值为预设电压，此时可通过电流表401获取流经半导体结构600的电流值。
65.本公开实施例中，通过第一检测端410向半导体结构600的第一端施加第一电压，通过第二检测端420向半导体结构600的第二端施加第二电压，从而使得半导体结构600的两端形成预设电压的电压差，使得半导体结构600中有电流经过，可通过电流表401直接读取流经半导体结构600的电流值。
66.根据本公开的一些实施例，第二检测电路500包括第三检测端510和第四检测端
520，其中，第三检测端510位于半导体结构600的第一端，第四检测端520位于半导体结构600的第二端。在检测过程中，向第三检测端510通入第一电流，向第四检测端520通入第二电流，第一电流和第二电流相同，进而可通过电压表501获取半导体结构600两端的电压值。
67.在本实施例中，通过第三检测端510向半导体结构600的第一端施加第一电流，通过第四检测端520向半导体结构600的第二端施加第二电流，由于第一电流和第二电流相同，因此，此时所获取的半导体结构600两端的电压值，不包括半导体结构600两端接触电阻所对应的电压，可有效消除接触电阻对于半导体结构600的阻值检测结果的影响。
68.在一些示例性实施例中，第一电流和第二电流均为0a。
69.本实施例通过向半导体结构600的两端同时施加0a的电流，通过电压表501测得的电压值即为，排除第三检测端510和第四检测端520的接触电阻之后的电压值，也就是，半导体结构600两端的电压值。基于此电压值与步骤s100中获取的流经半导体结构600的电流值，可精确计算半导体结构600的阻值，有效消除接触电阻的影响，提升检测结果的可靠性和精确度。
70.根据本公开的一些示例性实施例，第一检测端410包括第一探针411，第二检测端420包括第二探针421，第一探针411和第二探针421与第一源检测单元430连接。
71.在本公开实施例中，第一检测电路400采用电压源模式向半导体结构600的两端施加预设电压。示例性地，其第一源检测单元430为电压源检测单元。
72.第一源检测单元430通过第一探针411向半导体结构600的第一端施加第一电压、通过第二探针421向半导体结构600的第二端施加第二电压，使得半导体结构600两端形成电压值为预设电压的电压差，从而可通过电流表401读取此时流经半导体结构600的电流值。
73.在一些实施例中，第三检测端510包括第三探针511，第四检测端520包括第四探针521，第三探针511和第四探针521与第二源检测单元530连接。
74.在本公开中，第二检测电路500采用电流源模式，向半导体结构600的两端施加预设电流。示例性地，其第二源检测单元530为电流源检测单元。
75.第二源检测单元530通过第三探针511向半导体结构600的第一端施加第一电流、通过第四探针521向半导体结构600的第二端施加第二电流。在第一电流和第二电流相同的情况下，通过电压表501读取半导体结构600两端的电压值，即为排除第三探针511和第四探针521的接触电阻后的电压值，可有效排除接触电阻对半导体结构600的阻值的影响，提高检测结果的精度和可靠性。
76.根据本公开的一些实施例，根据电压值和电流值的比值，确定半导体结构600的阻值。
77.基于第二检测电路500获取的半导体结构600两端的电压值，为排除接触电阻后的电压值，因此，可以直接根据步骤s200中获取的电压值与步骤s100中获取的流经半导体结构100的电流值，依据r＝u/i计算获得半导体结构600的阻值，且计算结果可排除检测电路的探针带来的接触电阻造成的影响，保证检测结果的精度和可靠性。
78.本公开提供的半导体结构的检测方法，通过第一检测电路获取流经半导体结构600的电流值，再通过第二检测电路获取半导体结构600两端在相同电流下的电压值，可排除检测电路带来的接触电阻的影响，精确计算半导体结构600的阻值，有效提升检测结构的
精确度和可靠性。
79.根据相关技术和本公开的检测方法，发明人针对同一半导体结构，采用两种检测方法做了对比试验：分别参照图1和图3所示的原理图，表1为采用相关技术检测半导体结构的参量，表2为采用本公开的检测方法进行检测的参量；图4-1和图4-2为根据相关技术的两次测量结果绘制的r-u曲线图，图5-1和图5-2为根据本公开的检测方法进行两次检测而绘制的r-u曲线图。其中，横轴为电压值，纵轴为电阻值。
80.表1相关技术的检测方法中的参量
81.检测探针施加量v’检测量i’第一检测探针0vi1’
第二检测探针-2～2vi2’
82.参照图1和表1所示，采用相关技术进行两次测量，通过第一检测探针和第二检测探针分别与待检测的半导体结构的两端相接触，向第一检测探针施加电压0v，向第二检测探针施加电压-2～2v。随着向第二检测探针施加的电压的改变，测量并记录半导体结构两端的电流值i1’
和i2’
，然后利用r＝u/i计算在第二检测探针处于不同电压下测得的半导体结构的电阻值，根据计算结果，绘制所检测的半导体结构的r-u曲线。
83.如图4-1所示的测量结果，其第一检测探针的施加电压为0v，第二检测探针的施加电压为-2～2v时，所测得的电阻平均值为37375.34ω；在图4-2所示的测量结果，其第一检测探针的施加电压为0v，第二检测探针的施加电压为-2～2v时，所测得的电阻平均值为37416.64ω。两次测量结果取平均值，可知采用相关技术测得的半导体结构的阻值为37396ω。
84.表2本公开的检测方法中的参量
[0085][0086]
参照图3所示的原理，采用本公开提供的检测方法，根据表2所示的参量，对同一半导体结构进行两次检测：
[0087]
首先通过电压源模式的第一检测电路400，向第一探针411施加0v电压，在0～2v范围内向第二探针421施加电压，并随着向第二探针421施加的电压值的改变，记录该半导体结构两端的电流i1和i2，其中，i1＝i2；然后通过电流源模式的第二检测电路500进行检测，同时向第三探针511和第四探针521均施加0a的电流，测量此时半导体结构两端的电压v3和v4，计算半导体结构两端的电压差
△
v为v3与v4的差值的绝对值。再根据r＝u/i，计算半导体结构的阻值为
△
v/i1。
[0088]
根据每次的检测结果，分别绘制随着第二探针421的电压值变化测得的电阻值的曲线，即r-u曲线，如图5-1和图5-2所示。根据图5-1所示的检测结果，所测得的电阻平均值为30333.11ω；根据图5-2所示的检测结果，其测得的电阻平均值为29721.56ω。两次测量
结果取平均值，可得采用本公开的检测方法测得的半导体结构的阻值为30027.34ω。
[0089]
对比本公开的检测方法与相关技术的检测结果可知，两种测量结果的误差达24.54％，远大于5％。而本公开的检测方法，有效消除了半导体结构的两端在测量过程中产生的接触电阻的影响，其测量结果更为精准、可靠。
[0090]
本公开的第二方面提供一种半导体结构的检测装置，图6示出了该检测装置的一种示例性实施例的结构示意图，综合参照图3和图6所示，该检测装置700包括第一获取模块710、第二获取模块720和确定模块730。其中，
[0091]
第一获取模块710被配置为，通过第一检测电路400，向半导体结构600的两端施加预设电压，获取流经半导体结构600的电流值；
[0092]
第二获取模块720被配置为，通过第二检测电路500，向半导体结构600的两端施加预设电流，获取半导体结构600两端的电压值；
[0093]
确定模块730被配置为，根据电压值和电流值，确定半导体结构600的阻值。
[0094]
本公开实施例中，第一获取模块710通过第一检测电路400获取流经半导体结构600的电流值，第二获取模块720通过第二检测电路500获取半导体结构600两端的电压值，排除接触电阻的影响；再由确定模块730根据第一获取模块710和第二确定模块720的获取结果，确定半导体结构600的阻值，有效排除接触电阻对于半导体结构600的阻值的影响，提升检测结果的精确度和可靠性。
[0095]
在一些实施例中，第一检测电路400包括第一检测端410和第二检测端420，第一检测端410位于半导体结构600的第一端，第二检测端420位于半导体结构600的第二端。此时，第一获取模块710被配置为，向第一检测端410施加第一电压，向第二检测端420施加第二电压，第一电压与第二电压的差值为预设电压。
[0096]
本公开实施例通过第一检测端410向半导体结构600的第一端施加第一电压，通过第二检测端420向半导体结构600的第二端施加第二电压，从而使得半导体结构600的两端形成预设电压的电压差，使得半导体结构600中有电流经过，可通过电流表401直接读取流经半导体结构600的电流值。
[0097]
相应的，在一些实施例中，第二检测电路500包括第三检测端510和第四检测端520，第三检测端510位于半导体结构600的第一端，第四检测端520位于半导体结构600的第二端。在本实施例中，第二获取模块720被配置为，向第三检测端510通入第一电流，向第四检测端520通入第二电流，第一电流和第二电流相同。
[0098]
通过第三检测端510和第四检测端520分别向半导体结构600的两端通入相同的电流，再通过电压表501获取半导体结构600两端的电压值，此时获取的电压值可有效排除接触电阻的影响，提升检测结果的可靠性。
[0099]
在一些实施例中，第一电流和第二电流为0a。
[0100]
本实施例通过向半导体结构600的两端同时施加0a的电流，通过电压表501测得的电压值即为，排除第三检测端510和第四检测端520的接触电阻之后的电压值，也就是，半导体结构600两端的电压值。基于此电压值，结合第一获取模块710所获取的流经半导体结构600的电流值，可精确计算半导体结构600的阻值，有效消除接触电阻的影响，提升检测结果的可靠性和精确度。
[0101]
在一些实施例中，第一检测端410包括第一探针411，第二检测端420包括第二探针
421，第一探针411和第二探针421与第一源检测单元430连接。
[0102]
其中，第一源检测单元430为电压源检测模式，以通过第一探针411向半导体结构600的第一端施加第一电压、通过第二探针421向半导体结构600的第二端施加第二电压，使得半导体结构600两端形成电压值为预设电压的电压差，从而可通过电流表401读取此时流经半导体结构600的电流值。
[0103]
相应的，在一些实施例中，第三检测端510包括第三探针511，第四检测端520包括第四探针521，第三探针511和第四探针521与第二源检测单元530连接。
[0104]
在本实施例中，第二源检测单元530为电流源检测模式，通过第三探针511向半导体结构600的第一端施加第一电流、通过第四探针521向半导体结构600的第二端施加第二电流。在第一电流和第二电流相同的情况下，通过电压表501读取半导体结构600两端的电压值，即为排除第三探针511和第四探针521的接触电阻后的电压值，可有效排除接触电阻对半导体结构600的阻值的影响，提高检测结果的精度和可靠性。
[0105]
根据本公开的一些实施例，确定模块730被配置为，根据电压值和电流值的比值，确定半导体结构的阻值。
[0106]
基于第二获取模块720通过第二检测电路500所获取的半导体结构600两端的电压值，为排除接触电阻后的电压值，因此，可以直接根据第二获取模块720所获取的电压值与第一获取模块710所获取的流经半导体结构100的电流值，依据r＝u/i计算获得半导体结构600的阻值，且计算结果可排除检测电路的探针带来的接触电阻造成的影响，保证检测结果的精度和可靠性。
[0107]
图7是根据一示例性实施例示出的一种半导体结构的检测设备，即计算机设备800的框图。例如，计算机设备800可以被提供为终端设备。参照图7，计算机设备800包括处理器810，处理器的个数可以根据需要设置为一个或者多个。计算机设备800还包括存储器820，用于存储可由处理器810的执行的指令，例如应用程序。存储器的个数可以根据需要设置一个或者多个。其存储的应用程序可以为一个或者多个。处理器810被配置为执行指令，以执行上述方法。
[0108]
本领域技术人员应明白，本公开的实施例可提供为方法、装置(设备)、或计算机程序产品。因此，本公开可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本公开可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质上实施的计算机程序产品的形式。计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质,包括但不限于ram、rom、eeprom、闪存或其他存储器技术、cd-rom、数字多功能盘(dvd)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质等。此外，本领域技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
[0109]
在示例性实施例中，提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器820，上述指令可由装置800的处理器810执行以完成上述方法。例如，所述非临时性计算机可读存储介质可以是rom、随机存取存储器(ram)、cd-rom、磁带、软盘和光数据存储设备等。
[0110]
一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由半导体结构的检测设备的处理器执行时，使得该检测设备能够执行以下操作：
[0111]
通过第一检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电压，获取流经所述半导体结构的电流值；
[0112]
通过第二检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电流，获取所述半导体结构两端的电压值；
[0113]
根据所述电压值和所述电流值，确定所述半导体结构的阻值。
[0114]
本公开是参照根据本公开实施例的方法、装置(设备)和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
[0115]
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
[0116]
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
[0117]
在本公开中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0118]
尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。
[0119]
显然，本领域技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开的意图也包含这些改动和变型在内。

技术特征：
1.一种半导体结构的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：通过第一检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电压，获取流经所述半导体结构的电流值；通过第二检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电流，获取所述半导体结构两端的电压值；根据所述电压值和所述电流值，确定所述半导体结构的阻值。2.根据权利要求1所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述第一检测电路包括第一检测端和第二检测端，所述第一检测端位于所述半导体结构的第一端，所述第二检测端位于所述半导体结构的第二端；向所述第一检测端施加第一电压，向所述第二检测端施加第二电压，所述第一电压与所述第二电压的差值为所述预设电压。3.根据权利要求1或2所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述第二检测电路包括第三检测端和第四检测端，所述第三检测端位于所述半导体结构的第一端，所述第四检测端位于所述半导体结构的第二端；向所述第三检测端通入第一电流，向所述第四检测端通入第二电流，所述第一电流和所述第二电流相同。4.根据权利要求3所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述第一电流和所述第二电流为0a。5.根据权利要求2所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述第一检测端包括第一探针，所述第二检测端包括第二探针，所述第一探针和所述第二探针与第一源检测单元连接。6.根据权利要求3所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述第三检测端包括第三探针，所述第四检测端包括第四探针，所述第三探针和所述第四探针与第二源检测单元连接。7.根据权利要求1所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，根据所述电压值和所述电流值的比值，确定所述半导体结构的阻值。8.一种半导体结构的检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：第一获取模块，被配置为，通过第一检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电压，获取流经所述半导体结构的电流值；第二获取模块，被配置为，通过第二检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电流，获取所述半导体结构两端的电压值；确定模块，被配置为，根据所述电压值和所述电流值，确定所述半导体结构的阻值。9.根据权利要求8所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述第一检测电路包括第一检测端和第二检测端，所述第一检测端位于所述半导体结构的第一端，所述第二检测端位于所述半导体结构的第二端；所述第一获取模块被配置为，向所述第一检测端施加第一电压，向所述第二检测端施加第二电压，所述第一电压与所述第二电压的差值为所述预设电压。10.根据权利要求8或9所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述第二检测电路包括第三检测端和第四检测端，所述第三检测端位于所述半导体结构的第一端，所述第四
检测端位于所述半导体结构的第二端；所述第二获取模块被配置为，向所述第三检测端通入第一电流，向所述第四检测端通入第二电流，所述第一电流和所述第二电流相同。11.根据权利要求10所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述第一电流和所述第二电流为0a。12.根据权利要求9所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述第一检测端包括第一探针，所述第二检测端包括第二探针，所述第一探针和所述第二探针与第一源检测单元连接。13.根据权利要求10所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述第三检测端包括第三探针，所述第四检测端包括第四探针，所述第三探针和所述第四探针与第二源检测单元连接。14.根据权利要求8所述的半导体结构的检测装置，其特征在于，所述确定模块被配置为，根据所述电压值和所述电流值的比值，确定所述半导体结构的阻值。15.一种半导体结构的检测设备，其特征在于，所述检测设备包括：处理器；用于存储处理器可执行指令的存储器；其中，所述处理器被配置为执行以下操作：通过第一检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电压，获取流经所述半导体结构的电流值；通过第二检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电流，获取所述半导体结构两端的电压值；根据所述电压值和所述电流值，确定所述半导体结构的阻值。16.一种非临时性计算机可读存储介质，其特征在于，当所述存储介质中的指令由半导体结构的检测设备的处理器执行时，使得所述检测设备能够执行以下操作：通过第一检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电压，获取流经所述半导体结构的电流值；通过第二检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电流，获取所述半导体结构两端的电压值；根据所述电压值和所述电流值，确定所述半导体结构的阻值。

技术总结
本公开提供一种半导体结构的检测方法、装置、设备及存储介质，所述检测方法包括：通过第一检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电压，获取流经所述半导体结构的电流值；通过第二检测电路，向所述半导体结构的两端施加预设电流，获取所述半导体结构两端的电压值；根据所述电压值和所述电流值，确定所述半导体结构的阻值。本公开通过第一检测电路获取流经半导体结构的电流值，通过第二检测电路获取半导体结构两端的电压值，利用第一检测电路和第二检测电路形成分离的电流检测端和电压检测端，可有效消除布线和接触电阻的阻抗带来的影响，提高检测精度和检测结果的可靠性。提高检测精度和检测结果的可靠性。提高检测精度和检测结果的可靠性。


技术研发人员：白新
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.01.18
技术公布日：2023/7/31