阵列基板及其修复方法、显示面板与流程

1.本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其修复方法、显示面板。


背景技术：

2.随着液晶显示面板技术的不断发展，为了满足人们更多的需求，阵列基板的制作工艺日趋复杂化，导致阵列基板的数据线(data line)与栅极扫描线(gate line)跨线处的膜层结构也变得较复杂，另外为了不断提高显示分辨率，在相同尺寸的阵列基板上数据线与栅极扫描线的跨线处越来越多。由于数据线在栅极扫描线上的跨线处容易出现断线或信号短路的问题，进而影响显示，导致该显示面板报废，更进一步影响产品良率。因此，对于大尺寸显示面板厂家，通过修复断裂的数据线来提高产品良率是非常重要的。


技术实现要素：

3.本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其修复方法、显示面板，解决现有技术中无法在数据线被遮挡的情况下对数据线进行修复的问题。
4.为解决上述技术问题，本发明采用的第一个技术方案是：提供一种阵列基板，阵列基板包括：
5.基板；
6.设置于基板上且相互交叉的栅极线和数据线；
7.公共电极，设置于基板的一侧表面且与栅极线错位设置；公共电极包括位于栅极线和数据线所限定的各像素区域内的第一电极以及连接相邻两个像素区域对应的第一电极的电极连接线，
8.还包括：
9.修复线，与栅极线交叉设置且与公共电极、栅极线相互绝缘，修复线与数据线同层且间隔设置；
10.其中，电极连接线与数据线交叉设置，且修复线在基板上的正投影至少与相邻两个公共电极在基板上的正投影部分重叠。
11.其中，修复线设置于数据线的一侧且靠近数据线设置，修复线与数据线平行；修复线在基板上的正投影与电极连接线或第一电极在基板上的正投影部分重叠。
12.其中，第一电极包括开口区域和非开口区域，修复线在基板上的正投影与非开口区域在基板上的正投影部分重叠。
13.其中，公共电极包括第二电极，第二电极设置于像素区域内，且第二电极与第一电极和电极连接线间隔设置，修复线在基板上的正投影和数据线在基板上的正投影分别与第二电极在基板上的正投影部分重叠。
14.其中，第二电极包括电极本体以及与电极本体连接的电极延长线，电极延长线设置于电极本体靠近数据线的一侧，电极延长线在基板上的正投影与数据线在基板上的正投影部分重叠，修复线在基板上的正投影与电极本体在基板上的正投影部分重叠。
15.其中，公共电极与栅极线同层且间隔设置，数据线和数据修复线设置于公共电极和栅极线远离基板的一侧。
16.为解决上述技术问题，本发明采用的第二个技术方案是：提供一种显示面板，显示面板包括：
17.第一基板；第一基板为上述的阵列基板；
18.第二基板，与第一基板相对设置；
19.液晶层，设置于第一基板与第二基板之间。
20.为解决上述技术问题，本发明采用的第三个技术方案是：提供一种阵列基板的修复方法，阵列基板的修复方法包括：
21.确定阵列基板上数据线发生断路的断裂位置；阵列基板是上述的阵列基板；
22.采用激光焊接的方式将断裂位置两侧的数据线通过公共电极和修复线连接起来。
23.其中，采用激光焊接的方式将断裂位置两侧的数据线通过公共电极和修复线连接起来，包括：
24.响应于修复线在基板上的正投影与电极连接线或第一电极在基板上的正投影部分重叠，则将具有断裂位置的数据线两侧的第一电极与其他第一电极之间的电极连接线熔断；熔断位置处于数据线远离修复线的一侧；
25.采用激光焊接的方式将断裂位置两侧的数据线各自与最近的电极连接线对应的重叠区域、修复线分别与断裂位置两侧设置的第一电极或电极连接线对应的重叠区域分别进行焊接。
26.其中，公共电极包括第二电极，第二电极设置于像素区域内，且第二电极与第一电极和电极连接线间隔设置；第二电极包括电极本体以及与电极本体连接的电极延长线，电极延长线设置于电极本体靠近数据线的一侧；
27.采用激光焊接的方式将断裂位置两侧的数据线通过公共电极和修复线连接起来，包括：
28.响应于电极延长线在基板上的正投影与数据线在基板上的正投影部分重叠，修复线在基板上的正投影与电极本体在基板上的正投影部分重叠，则采用激光焊接的方式将断裂位置两侧的数据线各自与最近的电极延长线对应的重叠区域、修复线分别与最近的两个电极延长线连接的电极本体对应的重叠区域分别进行焊接。
29.本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，提供一种阵列基板及其修复方法、显示面板，阵列基板包括基板、栅极线、数据线、公共电极和修复线，栅极线和数据线相互交叉且设置于基板上；公共电极设置于基板的一侧表面且与栅极线错位设置；公共电极包括位于栅极线和数据线所限定的各像素区域内的第一电极以及连接相邻两个像素区域对应的第一电极的电极连接线，修复线与栅极线交叉设置且与公共电极、栅极线相互绝缘，修复线与数据线同层且间隔设置；其中，电极连接线与数据线交叉设置，且修复线在基板上的正投影至少与相邻两个公共电极在基板上的正投影部分重叠。本技术通过设置修复线，在数据线发生断裂时，可以将修复线与断裂位置两侧的公共电极之间对应的重叠区域进行熔接，并将断裂位置两侧的数据线分别与最近的公共电极之间对应的重叠区域进行熔接，进而实现在数据线被遮挡的情况下对数据线进行修复，提高阵列基板修复的成功率。
附图说明
30.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出任何创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
31.图1是本发明提供的显示面板的结构示意图；
32.图2是本发明提供的一实施例中阵列基板的结构示意图；
33.图3是图2提供的阵列基板中a-a处的截面示意图；
34.图4是本发明提供的另一实施例中阵列基板的结构示意图；
35.图5是本发明提供的又一实施例中阵列基板的结构示意图；
36.图6是本发明提供的阵列基板的修复方法的流程示意图；
37.图7是图6提供的阵列基板的修复方法中步骤s2一具体实施例的流程示意图。
38.图中：显示面板100；阵列基板1；基板11；栅极线12；数据线13；公共电极14；第一电极141；开口区域1411；非开口区域1412；电极连接线142；第二电极143；电极本体1431；电极延长线1432；修复线15；熔接点16；像素区域17；绝缘层18；彩膜基板2；液晶层3；液晶31。
具体实施方式
39.下面结合说明书附图，对本发明实施例的方案进行详细说明。
40.以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明。
41.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
42.本发明中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
43.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
44.目前，对于在与栅极线的交叠区域发生断裂的数据线，主要是采用激光化学气相
沉积法(laser chemical vapor deposition，laser cvd)进行修复，阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板上的栅极线、与栅极线交叉设置的数据线、位于数据线上方且与数据线相互绝缘的公共电极；当数据线在与栅极线交叠的区域发生断裂时，仅能在数据线的所在层上不设置其他层前进行修复，先将数据线的断裂位置两侧的数据信号作切断处理，避免栅极线与公共电极的信号干扰，然后再采用laser cvd法沉积金属线使断裂的数据线连接起来。
45.但是，当在数据线的所在层上设置了其他层后，其他层覆盖了数据线后无法对数据线进行修复。
46.基于当前存在的问题，发明人提出一种显示面板及其阵列基板，以使断裂的数据线可以在遮光片之前的工序中均能进行修复，以降低显示面板的不良率。
47.请参阅图1，图1是本发明提供的显示面板的结构示意图。
48.本实施例中，显示面板100为液晶31面板。显示面板100包括第一基板、第二基板和液晶层3。第一基板和第二基板相对设置，第一基板和第二基板夹持位于第一基板和第二基板的间隔空间中的液晶层3。
49.液晶层3包括液晶31，液晶31在显示器中起到一种类似光阀的作用，可以控制透射光的明暗，从而取得信息显示的效果。
50.第一基板和第二基板中的一个为阵列基板1，另一个为彩膜基板2。在本实施例中，第一基板为阵列基板1，第二基板为彩膜基板2。
51.请参阅图2至图5，图2是本发明提供的一实施例中阵列基板的结构示意图；图3是图2提供的阵列基板中a-a处的截面示意图；图4是本发明提供的另一实施例中阵列基板的结构示意图；图5是本发明提供的又一实施例中阵列基板的结构示意图。
52.本实施例中提供的阵列基板1包括基板11、栅极线12、数据线13、公共电极14和修复线15。其中，栅极线12和数据线13相互交叉设置且非同层设置，栅极线12和数据线13设置于基板11的一侧表面。公共电极14设置于基板11的一侧表面，且公共电极14与栅极线12错位设置。修复线15与公共电极14相互绝缘，且与数据线13同层且间隔设置。彩阵列基板1还可以包括其他功能层，与现有技术相同或相似，此处不做限制。
53.在一实施例中，基板11可以为机械性能优良、耐热与耐化学腐蚀的透明材料。例如，无碱硼硅玻璃。
54.栅极线12和数据线13设置于基板11的同一侧，栅极线12与数据线13之间相互绝缘且不同层设置。具体地，栅极线12的所在层可以设置于数据线13的所在层远离基板11的一侧表面；栅极线12的所在层也可以设置于数据线13的所在层与基板11之间。栅极线12和数据线13在基板11上的正投影相互交叉。栅极线12和数据线13之间交叉设置形成多个像素区域17。本实施例中的栅极线12的设置方向与数据线13的设置方向相互垂直。
55.在一实施例中，请参阅图2和图3，公共电极14与栅极线12可以同层且间隔设置，公共电极14与栅极线12也可以非同层设置。例如，公共电极14可以设置于栅极线12的所在层与基板11之间；公共电极14也可以设置于栅极线12的所在层远离基板11的一侧表面。其中，公共电极14与栅极线12之间相互绝缘。在本实施例中，公共电极14与栅极线12同层同材且间隔设置。这样，在制备阵列基板1时不需要增加额外的制备工序，只需要改变转印图形，通过一次构图工艺即可形成公共电极14与栅极线12的图形，能够节省制备成本，提升产品附
加值。具体地，公共电极14和栅极线12的所在层与数据线13和修复线15的所在层之间设置有绝缘层18，绝缘层18设置于公共电极14与栅极线12之间的间隙以及栅极线12、公共电极14分别与数据线13和修复线15之间，以使栅极线12与数据线13和修复线15之间绝缘，公共电极14与数据线13和修复线15之间绝缘。
56.在一实施例中，如图2所示，公共电极14包括第一电极141和电极连接线142。其中，第一电极141与电极连接线142相互连接且一体成型。第一电极141位于栅极线12和数据线13所限定的像素区域17内，第一电极141在基板11上的正投影与栅极线12和数据线13在基板11上的正投影没有重叠区域。电极连接线142用于连接相邻两个像素区域17内设置的第一电极141。具体地，电极连接线142用于连接数据线13两侧的像素区域17内设置的第一电极141。其中，电极连接线142在基板11上的正投影与数据线13在基板11上的正投影相互交叉。也就是说，电极连接线142在基板11上的正投影与数据线13在基板11上的正投影具有重叠区域。当数据线13在与栅极线12的交叠区域发生断裂时，可以将断裂位置两端距离最近的电极连接线142与数据线13在交叠区域熔接，以在交叠区域形成熔接点16。
57.在一实施例中，第一电极141包括开口区域1411和非开口区域1412。具体地，非开口区域1412至少设置于开口区域1411的一侧。在本实施例中，非开口区域1412围设行形成开口区域1411。开口区域1411作为像素电极的安装区域。为了不影响像素电极的安装，修复线13在基板11上的正投影与非开口区域1412在基板11上的正投影部分重叠。
58.在本实施例中，电极连接线142在基板11上的正投影与数据线13在基板11上的正投影相互垂直。在一实施例中，电极连接线142的宽度小于栅极线12的宽度。
59.本实施例中，数据线13在基板11上的正投影与栅极线12在基板11上的正投影之间的每个重叠区域分别对应一条修复线15。修复线15设置于数据线13的一侧且靠近数据线13设置，修复线15与数据线13同层且间隔设置。且数据线13和数据修复线15设置于公共电极14和栅极线12远离基板11的一侧。修复线15与栅极线12交叉设置且与公共电极14、栅极线12相互绝缘。其中，修复线15与数据线13可以非平行设置，修复线15与数据线13也可以相互平行。本实施例中，修复线15与数据线13相互平行。修复线15的材料为导电材料。在一实施例中，修复线15的材料为金属材料。具体地，修复线15的材料为钼、钛、银、铝、铜、镍中的至少一种。
60.具体地，修复线15在基板11上的正投影至少与相邻两个公共电极14在基板11上的正投影部分重叠。
61.在一实施例中，修复线15在基板11上的正投影与电极连接线142或第一电极141在基板11上的正投影部分重叠。具体地，修复线15跨越栅极线12，修复线15的两端在基板11上的正投影分别与栅极线12两侧的像素区域17中的第一电极141或电极连接线142在基板11上的正投影具有重叠区域。当数据线13在与栅极线12的交叠区域发生断裂时，可以将修复线15的两端分别与第一电极141或电极连接线142的交叠区域熔接，以在交叠区域形成熔接点16。
62.在另一实施例中，公共电极14还包括第二电极143，第二电极143设置于像素区域17内，且第二电极143与第一电极141和电极连接线142间隔设置，修复线15在基板11上的正投影和数据线13在基板11上的正投影分别与第二电极143在基板11上的正投影部分重叠。第二电极143与修复线15和数据线13之间相互绝缘。
63.在一具体实施例中，如图4所示，第二电极143包括电极本体1431以及与电极本体1431连接的电极延长线1432，电极延长线1432设置于电极本体1431靠近数据线13的一侧。电极延长线1432的宽度小于栅极线12的宽度。电极延长线1432的宽度可以与电极连接线142的宽度相同，也可以不同。具体根据实际情况进行设置。
64.电极延长线1432在基板11上的正投影与数据线13在基板11上的正投影部分重叠，修复线15在基板11上的正投影与电极本体1431在基板11上的正投影部分重叠。具体地，电极延长线1432在基板11上的正投影与数据线13在基板11上的正投影具有重叠区域。修复线15在基板11上的正投影与栅极线12两侧的像素区域17内的电极本体1431在基板11上的正投影均具有重叠区域。当数据线13在与栅极线12的交叠区域发生断裂时，可以将断裂位置两端距离最近的电极延长线1432与数据线13在交叠区域熔接，且将修复线15的两端分别与电极本体1431的交叠区域熔接，以在交叠区域形成熔接点16。
65.在一具体实施例中，如图5所示，第二电极143仅包括电极延长线1432，电极延长线1432在基板11上的正投影分别与数据线13在基板11上的正投影和修复线15在基板11上的正投影均具有重叠区域。当数据线13在与栅极线12的交叠区域发生断裂时，可以将断裂位置两端距离最近的电极延长线1432与数据线13在交叠区域熔接，且将修复线15的两端分别与电极延长线1432的交叠区域熔接，以在交叠区域形成熔接点16。
66.本实施例提供的阵列基板包括基板、栅极线、数据线、公共电极和修复线，栅极线和数据线相互交叉且设置于基板上；公共电极设置于基板的一侧表面且与栅极线错位设置；公共电极包括位于栅极线和数据线所限定的各像素区域内的第一电极以及连接相邻两个像素区域对应的第一电极的电极连接线，修复线与栅极线交叉设置且与公共电极、栅极线相互绝缘，修复线与数据线同层且间隔设置；其中，电极连接线与数据线交叉设置，且修复线在基板上的正投影至少与相邻两个公共电极在基板上的正投影部分重叠。本技术通过设置修复线，在数据线发生断裂时，可以将修复线与断裂位置两侧的公共电极之间对应的重叠区域进行熔接，并将断裂位置两侧的数据线分别与最近的公共电极之间对应的重叠区域进行熔接，进而实现在数据线被遮挡的情况下对数据线进行修复，提高阵列基板修复的成功率。
67.请参阅图6，图6是本发明提供的阵列基板的修复方法的流程示意图。
68.本实施例提供一种阵列基板的修复方法，该修复方法适用于对上述阵列基板中的数据线进行修复。阵列基板的修复方法包括如下步骤。
69.s1：确定阵列基板上数据线发生断路的断裂位置。
70.具体地，断裂位置可以处于数据线在与栅极线的交叠区域，断裂位置也可以处于相邻两个电极连接线之间的数据线上。在另一实施例中，断裂位置也可以处于相邻两个电极延长线之间的数据线上。
71.s2：采用激光焊接的方式将断裂位置两侧的数据线通过公共电极和修复线连接。
72.请参阅图7，图7是图6提供的阵列基板的修复方法中步骤s2一具体实施例的流程示意图。
73.在一实施例中，当公共电极仅包括第一电极和电极连接线时，第一电极位于栅极线和数据线所限定的各像素区域内。修复线在基板上的正投影与相邻两个第一电极或电极连接线在基板上的正投影具有重叠区域，电极连接线在基板上的正投影与数据线在基板上
的正投影具有重叠区域。修复线设置于数据线的一侧且靠近数据线设置，修复线与数据线平行。其中，第一电极包括开口区域和非开口区域，修复线在基板上的正投影与非开口区域在基板上的正投影部分重叠。
74.s21：响应于修复线在基板上的正投影与电极连接线或第一电极在基板上的正投影部分重叠，则将具有断裂位置的数据线设有修复线的一侧的第一电极与其他第一电极之间的电极连接线熔断。
75.具体地，当检测到阵列基板上的数据线发生断路的断裂位置后，将具有断裂位置的数据线设有修复线的一侧的第一电极与其他第一电极之间的电极连接线熔断；熔断位置处于数据线远离修复线的一侧。熔断位置处于数据线远离修复线的一侧。
76.在一具体实施例中，通过在基板远离数据线的一侧表面采用镭射的方式将具有断裂位置的数据线设有修复线的一侧的第一电极与其他第一电极之间的电极连接线分别熔断。也可以通过其他方式进行熔断。
77.s22：采用激光焊接的方式将断裂位置两侧的数据线各自与最近的电极连接线对应的重叠区域、修复线分别与断裂位置两侧设置的第一电极或电极连接线对应的重叠区域分别进行焊接。
78.具体地，确定断裂位置两侧距离断裂位置最近的电极连接线与数据线形成的两个交叠区域，以及断裂位置对应的修复线与电极连接线或第一电极形成的两个交叠区域。
79.在一具体实施例中，通过在基板远离数据线的一侧表面采用镭射的方式对各交叠区域分别进行焊接，以使断裂位置两侧数据线分别与不同的电极连接线导通，且与数据线导通的两个电极连接线与同一修复线导通，以实现对数据线的修复。
80.在另一实施例中，在上述实施例中的基础上，公共电极还包括第二电极，第二电极设置于像素区域内，且第二电极与第一电极和电极连接线间隔设置；第二电极包括电极本体以及与电极本体连接的电极延长线，电极延长线设置于电极本体靠近数据线的一侧。
81.响应于电极延长线在基板上的正投影与数据线在基板上的正投影部分重叠，修复线在基板上的正投影与电极本体在基板上的正投影部分重叠，则采用激光焊接的方式将断裂位置两侧的数据线各自与最近的电极延长线对应的重叠区域、修复线分别与最近的两个电极延长线连接的电极本体对应的重叠区域分别进行熔接，以在交叠区域形成熔接点。也可以通过其他方式进行熔接。
82.具体地，确定断裂位置两侧距离断裂位置最近的电极延长线与数据线形成的两个交叠区域，以及断裂位置对应的修复线与电极本体或电极延长线形成的两个交叠区域。
83.在一具体实施例中，通过在基板远离数据线的一侧表面采用镭射的方式对各交叠区域分别进行熔接，以在交叠区域形成熔接点，以使断裂位置两侧数据线分别与不同的电极延长线导通，且与数据线导通的两个电极延长线与同一修复线导通，以实现对数据线的修复。
84.本实施例提供的阵列基板的修复方法，通过设置修复线，在数据线发生断裂时，可以将修复线与断裂位置两侧的公共电极之间对应的重叠区域进行熔接，并将断裂位置两侧的数据线分别与最近的公共电极之间对应的重叠区域进行熔接，进而实现在数据线被遮挡的情况下对数据线进行修复，提高阵列基板修复的成功率。
85.以上仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利保护范围，凡是利用本
发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

技术特征：
1.一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板；设置于所述基板上且相互交叉的栅极线和数据线；公共电极，设置于所述基板的一侧表面且与所述栅极线错位设置；所述公共电极包括位于所述栅极线和所述数据线所限定的各像素区域内的第一电极以及连接相邻所述像素区域对应的所述第一电极的电极连接线，其特征在于，还包括：修复线，与所述栅极线交叉设置且与所述公共电极、所述栅极线相互绝缘，所述修复线与所述数据线同层且间隔设置；其中，所述电极连接线与所述数据线交叉设置，且所述修复线在所述基板上的正投影至少与相邻两个所述公共电极在所述基板上的正投影部分重叠。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复线设置于所述数据线的一侧且靠近所述数据线设置，所述修复线与所述数据线平行；所述修复线在所述基板上的正投影与所述电极连接线或所述第一电极在所述基板上的正投影部分重叠。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极包括开口区域和非开口区域，所述修复线在所述基板上的正投影与所述非开口区域在所述基板上的正投影部分重叠。4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极还包括第二电极，所述第二电极设置于所述像素区域内，且所述第二电极与所述第一电极和所述电极连接线间隔设置，所述修复线在所述基板上的正投影和所述数据线在所述基板上的正投影分别与所述第二电极在所述基板上的正投影部分重叠。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极包括电极本体以及与所述电极本体连接的电极延长线，所述电极延长线设置于所述电极本体靠近所述数据线的一侧，所述电极延长线在所述基板上的正投影与所述数据线在所述基板上的正投影部分重叠，所述修复线在所述基板上的正投影与所述电极本体在所述基板上的正投影部分重叠。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极与所述栅极线同层且间隔设置，所述数据线和所述数据修复线设置于所述公共电极和所述栅极线远离所述基板的一侧。7.一种显示面板，其特征在于，包括：第一基板；所述第一基板为权利要求1-6任一项所述的阵列基板；第二基板，与所述第一基板相对设置；液晶层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间。8.一种阵列基板的修复方法，其特征在于，包括：确定阵列基板上数据线发生断路的断裂位置；所述阵列基板是权利要求1-6任一项所述的阵列基板；采用激光焊接的方式将所述断裂位置两侧的所述数据线通过公共电极和修复线连接。9.根据权利要求8所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述采用激光焊接的方式将所述断裂位置两侧的所述数据线通过公共电极和修复线连接，包括：
响应于所述修复线在所述基板上的正投影与所述电极连接线或所述第一电极在所述基板上的正投影部分重叠，则将具有所述断裂位置的所述数据线设有所述修复线的一侧的所述第一电极与其他所述第一电极之间的所述电极连接线熔断；熔断位置处于所述数据线远离所述修复线的一侧；采用激光焊接的方式将所述断裂位置两侧的所述数据线各自与最近的所述电极连接线对应的重叠区域、所述修复线分别与所述断裂位置两侧设置的所述第一电极或所述电极连接线对应的重叠区域分别进行焊接。10.根据权利要求8所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述公共电极还包括第二电极，所述第二电极设置于所述像素区域内，且所述第二电极与所述第一电极和所述电极连接线间隔设置；所述第二电极包括电极本体以及与所述电极本体连接的电极延长线，所述电极延长线设置于所述电极本体靠近所述数据线的一侧；所述采用激光焊接的方式将所述断裂位置两侧的所述数据线通过公共电极和修复线连接，包括：响应于所述电极延长线在所述基板上的正投影与所述数据线在所述基板上的正投影部分重叠，所述修复线在所述基板上的正投影与所述电极本体在所述基板上的正投影部分重叠，则采用激光焊接的方式将所述断裂位置两侧的所述数据线各自与最近的所述电极延长线对应的重叠区域、所述修复线分别与最近的两个所述电极延长线连接的所述电极本体对应的重叠区域分别进行焊接。

技术总结
本发明提供一种阵列基板及其修复方法、显示面板，阵列基板包括基板、栅极线、数据线、公共电极和修复线，公共电极包括第一电极以及连接相邻两个像素区域对应的第一电极的电极连接线，修复线与栅极线交叉设置且与公共电极、栅极线相互绝缘，修复线与数据线同层且间隔设置；其中，电极连接线与数据线交叉设置，且修复线在基板上的正投影至少与相邻两个公共电极在基板上的正投影部分重叠。本申请通过设置修复线，在数据线发生断裂时，可以将修复线与断裂位置两侧的公共电极之间对应的重叠区域进行熔接，将断裂位置两侧的数据线分别与最近的公共电极之间对应的重叠区域进行熔接，进而实现在过站情况下对数据线进行修复，提高阵列基板修复的成功率。板修复的成功率。板修复的成功率。


技术研发人员：李莎莎 袁海江
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2023.03.30
技术公布日：2023/8/4