半导体的切割方法与流程

1.本发明涉及微电子加工技术领域，尤其涉及一种半导体的切割方法。


背景技术：

2.随着电子行业日新月异的发展，对于半导体的尺寸要求越来越小，就要求有更加薄的半导体切割技术。传统的切割方式是将半导体长形条粘贴在具有切割道的陶瓷夹具上，夹具上有沟槽，沟槽的深度通常为5.0mm，磨轮切割时通过切割道，磨轮的刃口通常深入沟槽0.5-3.0mm，即磨轮在通过切割道的沟槽时，多处于没有接触到沟槽的底部的悬空状态，产生振动，从而容易造成半导体的边缘崩裂，以及因应力过大引起的受力变型。


技术实现要素：

3.本发明实施例提供一种半导体的切割方法，能够减少半导体的边缘崩裂以及因应力过大引起的受力变型的现象发生。
4.本发明一实施例提供一种半导体的切割方法，包括：
5.将半导体固定在uv胶带的粘性层上；
6.控制激光器对所述半导体的切割道进行激光束照射，以将所述半导体分离成多个单元；
7.控制紫外线灯对所述uv胶带照射第一预设时间，以使所述粘性层减粘；
8.将所述多个单元与所述uv胶带分离。
9.作为上述方案的改进，所述将半导体固定在uv胶带的粘性层上，包括：
10.控制紫外线灯对uv胶带照射第二预设时间，以使所述uv胶带的粘性层的粘度从初始粘度降低至目标粘度；
11.将半导体粘在所述粘性层上，并控制紫外线灯对所述uv胶带照射第三预设时间，以使所述粘性层固化。
12.作为上述方案的改进，所述粘性层的厚度为0.3-0.5mm，所述初始粘度为20-25n/in。
13.作为上述方案的改进，所述第二预设时间为5-7s，所述目标粘度为13-15n/in。
14.作为上述方案的改进，所述第三预设时间为95-105s。
15.作为上述方案的改进，所述粘性层的材料包括丙烯酸压敏胶树脂60-80份、光固化树脂3-10份、光固化单体1.5-7份、光引发剂0.5-2.5份和固化剂2-5份。
16.作为上述方案的改进，所述激光器为yvo4激光器或者yag激光器。
17.作为上述方案的改进，所述激光器的波长为350-360nm，所述激光器的平均功率为1-3w，所述激光器的聚光点直径为3-7um。
18.作为上述方案的改进，所述第一预设时间为40-80s。
19.作为上述方案的改进，所述紫外线灯的光照强度为3000-5000mj/cm2。
20.实施本发明实施例，具有如下有益效果：
21.通过激光器对半导体进行激光切割，能够避免半导体直接接触切割刀具，减小了切割过程中的振动，从而减少了半导体的边缘崩裂，以及因应力过大引起的受力变型的发生，并且，使用uv胶带固定半导体，通过紫外线灯照射即可使uv胶带减粘，从而易于将半导体单元分离，能够有效避免分离过程中的碎裂。
附图说明
22.图1是本发明一实施例提供的一种半导体的切割方法的流程示意图。
具体实施方式
23.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
24.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
25.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
26.参见图1，是本发明一实施例提供的一种半导体的切割方法的流程示意图，包括：
27.s11、将半导体固定在uv胶带的粘性层上；
28.s12、控制激光器对所述半导体的切割道进行激光束照射，以将所述半导体分离成多个单元；
29.s13、控制紫外线灯对所述uv胶带照射第一预设时间，以使所述粘性层减粘；
30.s14、将所述多个单元与所述uv胶带分离。
31.在本实施例中，通过激光器对半导体进行激光切割，能够避免半导体直接接触切割刀具，减小了切割过程中的振动，从而减少了半导体的边缘崩裂，以及因应力过大引起的受力变型的发生，并且，使用uv胶带固定半导体，通过紫外线灯照射即可使uv胶带减粘，从而易于将半导体单元分离，能够有效避免分离过程中的碎裂。
32.作为其中一个可选的实施例，所述将半导体固定在uv胶带的粘性层上，包括：
33.s111、控制紫外线灯对uv胶带照射第二预设时间，以使所述uv胶带的粘性层的粘度从初始粘度降低至目标粘度；
34.s112、将半导体粘在所述粘性层上，并控制紫外线灯对所述uv胶带照射第三预设时间，以使所述粘性层固化。
35.由于uv胶的粘度越大，会导致流动性越差，使得大面积粘结物不能均匀粘贴，在本实施例中，先对uv胶带进行减粘，能够提高粘性层的流动性，使胶水均匀分布，从而更适用于半导体这种大面积粘结物的粘接，将半导体粘上后，再对uv胶带进行固化，能够提高半导
体与uv胶带之间的结合力，防止切割过程中半导体从uv胶带上脱落而损坏。
36.具体地，所述粘性层的厚度为0.3-0.5mm，所述初始粘度为20-25n/in，从而，能够保证半导体与粘性层之间具有较佳的结合力，防止切割过程中半导体从uv胶带上脱落而损坏。
37.具体地，在本实施例中，所述粘性层的厚度可以为0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm；所述初始粘度可以为20n/in、21n/in、22n/in、22.5n/in、23n/in、24n/in、25n/in。当然，所述粘性层的厚度和所述初始粘度不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
38.进一步地，为了保证较佳的粘接均匀性，所述第二预设时间为5-7s，所述目标粘度为13-15n/in。
39.具体地，在本实施例中，所述第二预设时间可以为5s、5.5s、6s、6.5s、7s；所述目标粘度可以为13n/in、13.5n/in、14n/in、14.5n/in、15n/in。当然，所述第二预设时间和所述目标粘度不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
40.更进一步地，为了保证半导体与uv胶带之间具有较佳的结合力，所述第三预设时间为95-105s。
41.具体地，在本实施例中，所述第三预设时间可以为95s、97.5s、100s、102.5s、105s。当然，所述第三预设时间不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
42.作为其中一个可选的实施例，所述粘性层的材料包括丙烯酸压敏胶树脂60-80份、光固化树脂3-10份、光固化单体1.5-7份、光引发剂0.5-2.5份和固化剂2-5份。
43.具体地，在本实施例中，丙烯酸压敏胶树脂可以为60份、64份、68份、72份、76份、80份；光固化树脂可以为3份、4.75份、6.5份、8.25份、10份；光固化单体可以为1.5份、2.875份、4.25份、5.625份、7份；光引发剂可以为0.5份、1份、1.5份、2份、2.5份；固化剂可以为2份、2.75份、3.5份、4.25份、5份。当然，上述各成分的份数不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
44.作为其中一个可选的实施例，所述激光器为yvo4激光器或者yag激光器。
45.其中，yvo4激光器全称为nd:yvo4(掺钕钒酸钇)激光器，是低功率应用最广泛的固体激光器；yag激光器全称为nd:yag激光器(掺钕钇铝石榴石激光器)，是最常用的固体激光器。
46.作为其中一个可选的实施例，为了保证切割的效率和质量，所述激光器的波长为350-360nm，所述激光器的平均功率为1-3w，所述激光器的聚光点直径为3-7um。
47.具体地，在本实施例中，所述激光器的波长可以为350nm、352.5nm、355nm、357.5nm、360nm；所述激光器的平均功率可以为1w、1.5w、2.0w、2.5w、3w；所述激光器的聚光点直径可以为3um、4um、5um、6um、7um。当然，所述激光器的波长、平均功率和聚光点直径不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
48.作为其中一个可选的实施例，为了保证uv胶带具有较低的粘性，降低分离难度，所述第一预设时间为40-80s。
49.具体地，在本实施例中，所述第一预设时间可以为40s、50s、60s、70s、80s。当然，所
述第一预设时间不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
50.作为其中一个可选的实施例，所述紫外线灯的光照强度为3000-5000mj/cm2。
51.具体地，在本实施例中，所述光照强度可以为3000mj/cm2、3500mj/cm2、4000mj/cm2、4500mj/cm2、5000mj/cm2。当然，所述光照强度不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
52.下面通过一个具体实施例来描述本方案的实施过程，包括：
53.步骤一：控制紫外线灯对uv胶带照射5s，以使uv胶带的粘性层的粘度从20n/in降低至13n/in；其中，粘性层的厚度为0.3mm，紫外线的光照强度为3000mj/cm2；
54.步骤二：将半导体铺在uv胶带的粘性层上，将走刀位对准在一个水平线上，并控制紫外线灯对uv胶带照射100s，以使粘性层固化，从而半导体与uv胶带牢牢地粘接在一起；
55.步骤三：控制激光器对半导体的切割道进行激光束照射，以将半导体分离成多个单元；其中，激光器的光源为yvo4激光器，波长为355nm，平均功率为1w，聚光点直径为5um；
56.步骤四：控制紫外线灯对uv胶带照射40s，以使粘性层减粘；
57.步骤五：将多个单元与uv胶带分离。
58.下面通过另一个具体实施例来描述本方案的实施过程，包括：
59.步骤一：控制紫外线灯对uv胶带照射7s，以使uv胶带的粘性层的粘度从25n/in降低至15n/in；其中，粘性层的厚度为0.5mm，紫外线的光照强度为5000mj/cm2；
60.步骤二：将半导体铺在uv胶带的粘性层上，将走刀位对准在一个水平线上，并控制紫外线灯对uv胶带照射100s，以使粘性层固化，从而半导体与uv胶带牢牢地粘接在一起；
61.步骤三：控制激光器对半导体的切割道进行激光束照射，以将半导体分离成多个单元；其中，激光器的光源为yag激光器，波长为355nm，平均功率为3w，聚光点直径为5um；
62.步骤四：控制紫外线灯对uv胶带照射80s，以使粘性层减粘；
63.步骤五：将多个单元与uv胶带分离。
64.以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种半导体的切割方法，其特征在于，包括：将半导体固定在uv胶带的粘性层上；控制激光器对所述半导体的切割道进行激光束照射，以将所述半导体分离成多个单元；控制紫外线灯对所述uv胶带照射第一预设时间，以使所述粘性层减粘；将所述多个单元与所述uv胶带分离。2.如权利要求1所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述将半导体固定在uv胶带的粘性层上，包括：控制紫外线灯对uv胶带照射第二预设时间，以使所述uv胶带的粘性层的粘度从初始粘度降低至目标粘度；将半导体粘在所述粘性层上，并控制紫外线灯对所述uv胶带照射第三预设时间，以使所述粘性层固化。3.如权利要求2所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述粘性层的厚度为0.3-0.5mm，所述初始粘度为20-25n/in。4.如权利要求3所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述第二预设时间为5-7s，所述目标粘度为13-15n/in。5.如权利要求2所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述第三预设时间为95-105s。6.如权利要求1所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述粘性层的材料包括丙烯酸压敏胶树脂60-80份、光固化树脂3-10份、光固化单体1.5-7份、光引发剂0.5-2.5份和固化剂2-5份。7.如权利要求1所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述激光器为yvo4激光器或者yag激光器。8.如权利要求1所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述激光器的波长为350-360nm，所述激光器的平均功率为1-3w，所述激光器的聚光点直径为3-7um。9.如权利要求1所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述第一预设时间为40-80s。10.如权利要求1-9中任一项所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述紫外线灯的光照强度为3000-5000mj/cm2。

技术总结
本发明公开了一种半导体的切割方法，包括：将半导体固定在UV胶带的粘性层上；控制激光器对所述半导体的切割道进行激光束照射，以将所述半导体分离成多个单元；控制紫外线灯对所述UV胶带照射第一预设时间，以使所述粘性层减粘；将所述多个单元与所述UV胶带分离。采用本发明实施例，能够减少半导体的边缘崩裂以及因应力过大引起的受力变型的现象发生。因应力过大引起的受力变型的现象发生。因应力过大引起的受力变型的现象发生。


技术研发人员：杨圣合
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：2022.01.25
技术公布日：2023/8/5