固态成像元件和电子设备的制作方法

1.本公开涉及固态成像元件和电子设备。


背景技术：

2.近年来，为了实现固态成像元件的小型化和像素的致密化，开发了具有三维结构的固态成像元件。在具有三维结构的固态成像元件中，例如，具有多个传感器像素的半导体基板和具有处理由各传感器像素获得的信号的信号处理电路的半导体基板彼此堆叠(参见例如专利文献1)。
3.固态成像元件的第一层被设置有光电二极管(pd)、浮置扩散(fd)和作为传输晶体管的栅电极的传输栅极(tg)等。通常，诸如控制线的信号线通过贯通接触从第一层引出到第二层的上侧，并且被布置在第二层和后续层中。为了保持传输栅极tg和浮置扩散fd之间的电容(即，tg-fd电容)的均匀性，对于各像素，在第二层和后续层中执行tg布线和fd布线的优化。
4.引文列表
5.专利文献
6.专利文献1:jp 2010-245506 a


技术实现要素：

7.技术问题
8.然而，随着信号线的数量变得更多且像素节距变得更细，第二层和后续层的布线的自由度降低。并且，由于在第二层和后续层中引出信号线，这导致第二层和后续层中的布线层的数量增加。因此，难以在抑制布线层数量增加的同时调节tg-fg电容。
9.因此，本公开提供能够在抑制布线层数量增加的同时促进传输栅极和浮置扩散之间的电容的调节的固态成像元件和电子设备。
10.问题的解决方案
11.根据本公开的一个方面的固态成像元件包括：第一半导体基板；第二半导体基板，第二半导体基板堆叠在第一半导体基板上，绝缘层介于第一半导体基板与第二半导体基板之间；光电转换元件，光电转换元件设置在第一半导体基板上并且通过光电转换产生电荷；浮置扩散层，浮置扩散层设置在第一半导体基板上并且保持由光电转换元件产生的电荷；传输栅极，传输栅极是传输晶体管的栅电极，传输晶体管设置在第一半导体基板上并且将由光电转换元件产生的电荷传输到浮置扩散层；第一贯通布线，第一贯通布线电连接到浮置扩散层并且贯穿绝缘层和第二半导体基板；第二贯通布线，第二贯通布线电连接到传输栅极并且贯穿绝缘层和第二半导体基板；布线层，布线层堆叠在第二半导体基板上并且具有电连接到第一贯通布线或第二贯通布线的布线；和调节层，调节层设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线和第二贯通布线中的两个或一个接触并且调节传输栅极和浮置扩散层之间的电容。
附图说明
12.图1是示出根据第一实施例的固态成像元件的示意性构成的示例的示图。
13.图2是示出根据第一实施例的像素电路的示例的示图。
14.图3是示出根据第一实施例的像素电路的连接模式的示例的示图。
15.图4是示出根据第一实施例的固态成像元件的纵向断面构成的示例的示图。
16.图5是示出根据第一实施例的固态成像元件的第一层的示意性构成的示例的平面图。
17.图6是示出根据第一实施例的固态成像元件的第二层和布线层的示意性构成的示例的平面图。
18.图7是示出沿着图6中的线a-a截取的根据第一实施例的固态成像元件的第一层和第二层的断面图。
19.图8是示出沿着图6中的线b-b截取的根据第一实施例的固态成像元件的第一层和第二层的断面图。
20.图9是示出沿着图6中的线a-a截取的根据第一实施例的固态成像元件的变更例的断面图。
21.图10是用于解释根据第一实施例的固态成像元件的制造工艺的断面图。
22.图11是示出根据第二实施例的固态成像元件的第二层和布线层的示意性构成的示例的平面图。
23.图12是示出沿着图11中的线c-c截取的根据第二实施例的固态成像元件的第一层和第二层的断面图。
24.图13是示出沿着图11中的线c-c截取的根据第二实施例的固态成像元件的变更例的断面图。
25.图14是示出根据第三实施例的固态成像元件的第一层的示意性构成的示例的平面图。
26.图15是示出根据第三实施例的固态成像元件的第二层和布线层的示意性构成的示例的平面图。
27.图16是示出根据第四实施例的固态成像元件的第二层和布线层的示意性构成的示例的平面图。
28.图17是示出沿着图16中的线g-g截取的根据第四实施例的固态成像元件的第一层和第二层的断面图。
29.图18是示出成像设备的示意性构成的示例的框图。
30.图19是描绘车辆控制系统的示意性构成的示例的框图。
31.图20是辅助解释车辆外信息检测部分和成像部分的安装位置的示例的示图。
32.图21是示出手术室系统的总体示意性构成的示图。
具体实施方式
33.以下，将参考附图详细描述本公开的实施例。注意，根据本公开的固态成像元件和电子设备不受本实施例的限制。并且，在以下实施例中的每一个中，基本上相同的部分由相同的附图标记表示，并且省略冗余描述。
34.可以各自独立地实现下面描述的一个或更多个实施例(示例和变更例)。另一方面，下面描述的多个实施例中的至少一些可以与其它实施例中的至少一些适当地组合。多个实施例可以包括彼此不同的新颖特征。因此，多个实施例可以有助于解决不同的目的或问题，并且可以表现不同的效果。注意，实施例中的效果仅仅是示例且不受限制，并且，可以提供其它效果。
35.将根据以下的项目顺序描述本公开。
36.1.第一实施例
37.1-1.固态成像元件的示意性构成的示例
38.1-2.像素电路的示例
39.1-3.像素电路的连接模式的示例
40.1-4.固态成像元件的断面构成的示例
41.1-5.固态成像元件的层结构的示例
42.1-6.固态成像元件的层结构的变更例
43.1-7.制造固态成像元件的方法的示例
44.1-8.效果
45.2.第二实施例
46.2-1.固态成像元件的层结构的示例
47.2-2.固态成像元件的层结构的变更例
48.2-3.效果
49.3.第三实施例
50.3-1.固态成像元件的层结构的示例
51.3-2.效果
52.4.第四实施例
53.4-1.固态成像元件的层结构的示例
54.4-2.效果
55.5.其它实施例
56.6.应用示例
57.7.应用示例
58.7-1.车辆控制系统
59.7-2.手术室系统
60.8.附录
61.《1.第一实施例》
62.《1-1.固态成像元件的示意性构成的示例》
63.参考图1，将描述根据第一实施例的固态成像元件1的示意性构成的示例。图1是示出根据第一实施例的固态成像元件1的示意性构成的示例的示图。固态成像元件1的示例包括互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器等。
64.如图1所示，固态成像元件1包括三个基板，即第一基板10、第二基板20和第三基板30。固态成像元件1的结构是通过接合第一基板10、第二基板20和第三基板30这三个基板形成的三维结构。第一基板10、第二基板20和第三基板30被按此顺序堆叠。第一基板10是第一
层，第二基板20是第二层，第三基板30是第三层。
65.第一基板10包括第一半导体基板11和执行光电转换的多个传感器像素12。第一半导体基板11具有传感器像素12。这些传感器像素12以矩阵(二维阵列)的形式被设置在第一基板10的像素区域13中。
66.第二基板20包括第二半导体基板21、输出像素信号的读出电路22、在行方向上延伸的多个像素驱动线23以及在列方向延伸的多个垂直信号线24。第二半导体基板21对于每四个传感器像素12具有一个读出电路22。读出电路22输出基于从传感器像素12输出的电荷的像素信号。
67.第三基板30包括第三半导体基板31和处理像素信号的逻辑电路32。第三半导体基板31具有逻辑电路32。逻辑电路32包括例如垂直驱动电路33、列信号处理电路34、水平驱动电路35和系统控制电路36。
68.逻辑电路32向外部输出各传感器像素12的输出电压vout。注意，在逻辑电路32中，例如，可以在与源电极和漏电极接触的杂质扩散区域的表面上，形成包括诸如cosi2或nisi的通过使用自对准硅化物工艺形成的硅化物的低电阻区域。
69.例如，垂直驱动电路33逐行依次地选择多个传感器像素12。
70.列信号处理电路34对从由垂直驱动电路33选择的行的各传感器像素12输出的像素信号执行例如相关双采样(cds)处理。例如，列信号处理电路34通过执行cds处理提取各像素信号的信号电平，并且保持对应于由各传感器像素12接收的光量的像素数据。
71.例如，水平驱动电路35将保持在列信号处理电路34中的像素数据依次地输出到外部。
72.例如，系统控制电路36控制逻辑电路32中的各块(垂直驱动电路33、列信号处理电路34和水平驱动电路35)的驱动。
73.《1-2.像素电路的示例》
74.接下来，将参考图2描述根据第一实施例的像素电路的示例。图2是示出根据第一实施例的像素电路的示例的示图。
75.如图2所示，四个传感器像素12共享一个读出电路22。这里，“共享”表示四个传感器像素12电连接到共用的读出电路22，即，四个传感器像素12的输出被输入到共用的读出电路22。
76.各传感器像素12具有共用的构成要素。在图2中，为了将各传感器像素12的构成要素彼此区分，识别号(0、1、2和3)被添加到各传感器像素12的构成要素的附图标记的末尾。在下文中，当需要将各传感器像素12的构成要素彼此区分时，识别号被添加到各传感器像素12的构成要素的附图标记的末尾，但是，当不需要将各传感器像素12的构成要素彼此区分时，各传感器像素12的构成要素的附图标记的末尾的识别号被省略。
77.传感器像素12中的每一个包括例如光电二极管pd和电连接到光电二极管pd的传输晶体管tr。这些传感器像素12共享电连接到各传输晶体管tr的浮置扩散fd。即，各传感器像素12的各个光电二极管pd经由传输晶体管tr电连接到浮置扩散fd。例如，光电二极管pd、传输晶体管tr和浮置扩散fd等被设置在第一基板10上。
78.光电二极管pd执行光电转换，以产生对应于接收光量的电荷。光电二极管pd的阴极电连接到传输晶体管tr的源极。并且，光电二极管pd的阳极电连接到基准电势线(例如，
接地)。光电二极管pd是光电转换元件的示例。
79.传输晶体管tr电连接在光电二极管pd和浮置扩散fd之间。在传输晶体管tr中，例如，漏极电连接到浮置扩散fd，并且，作为栅极的传输栅极tg电连接到像素驱动线23(参见图1)。当传输晶体管tr根据输入到栅极的驱动信号被接通时，传输晶体管tr将光电二极管pd的电荷传输到浮置扩散fd。传输晶体管tr为例如cmos晶体管。
80.浮置扩散fd对于共享一个读出电路22的传感器像素12是共用的，并且电连接到对于传感器像素12共用的读出电路22的输入端。浮置扩散fd暂时保持从光电二极管pd输出并经由传输晶体管tr输入的电荷。浮置扩散fd是浮置扩散层的示例。
81.这里，在传输晶体管tr0中，在传输栅极tg0和浮置扩散fd之间添加电容c0。并且，在传输晶体管tr3中，在传输栅极tg3和浮置扩散fd之间添加电容c3。通过调节这些电容c0和c3，例如，使传输栅极tg(tg0～tg3)与浮置扩散fd之间的各个电容(tg-fd电容)均匀。在后面详细描述该电容调节。
82.读出电路22包括例如复位晶体管rst、选择晶体管sel和放大晶体管amp。例如，复位晶体管rst、选择晶体管sel和放大晶体管amp等被设置在第二基板20上。复位晶体管rst、放大晶体管amp和选择晶体管sel为例如cmos晶体管。
83.复位晶体管rst是用于复位电势的晶体管。在复位晶体管rst中，例如，漏极电连接到电源线vdd，并且，源极电连接到浮置扩散fd。并且，栅极电连接到像素驱动线23(参见图1)。当复位晶体管rst根据输入到栅极的驱动信号被接通时，复位晶体管rst将浮置扩散fd的电势复位到电源线vdd的电势。
84.放大晶体管amp是用于电压放大的晶体管。在放大晶体管amp中，例如，漏极电连接到电源线vdd，栅极电连接到浮置扩散fd。放大晶体管amp放大浮置扩散fd的电势，并产生对应于放大的电势的电压作为像素信号。
85.选择晶体管sel是用于像素选择的晶体管。在选择晶体管sel中，例如，漏极电连接到放大晶体管amp的源极，并且，源极电连接到垂直信号线24。并且，栅极电连接到像素驱动线23(参见图1)。当选择晶体管sel根据输入到栅极的驱动信号被接通时，选择晶体管sel确定要从其读取像素信号的传感器像素12。即，选择晶体管sel控制来自读出电路22的像素信号的输出定时。
86.注意，读出电路22的构成没有特别限制。例如，选择晶体管sel可以被设置在电源线vdd和放大晶体管amp之间。并且，根据读取像素信号的方法，可以省略复位晶体管rst、放大晶体管amp和选择晶体管sel等中的一个或更多个，或者，可以添加另一个晶体管。
87.《1-3.像素电路的连接模式的示例》
88.参考图3，将描述根据第一实施例的像素电路的连接模式的示例。图3是示出根据第一实施例的像素电路的连接模式的示例的示图。
89.如图3所示，例如，多个读出电路22例如在垂直信号线24的延伸方向(例如，列方向)上被并排布置。这些读出电路22中的一个被分配给各垂直信号线24。在图3的示例中，垂直信号线24的数量是4，读出电路22的数量是4。四个传感器像素12电连接到一个读出电路22。即，四个传感器像素12共享浮置扩散fd。
90.《1-4.固态成像元件的断面构成的示例》
91.参考图4，将描述根据第一实施例的固态成像元件1的断面构成的示例。图4是示出
根据第一实施例的固态成像元件1的纵向断面构成(垂直方向上的断面构成)的示例的示图。
92.如图4所示，通过依次堆叠第一基板10、第二基板20和第三基板30形成固态成像元件1。固态成像元件1在第一基板10的后表面侧(光入射表面侧)包括滤色器40和光接收透镜50，并且形成为后表面照射型。
93.通过在第一半导体基板(半导体层)11上堆叠绝缘层46形成第一基板10。第一基板10包括作为层间绝缘膜51的一部分的绝缘层46。绝缘层46被设置在后述的第一半导体基板11和第二半导体基板21之间的间隙中。
94.第一半导体基板11包括硅基板。第一半导体基板11在前表面的一部分及其附近具有例如p阱层42，并且在另一区域(比p阱层42更深的区域)中具有与p阱层42的导电类型不同的导电类型的光电二极管pd。p阱层42包括p型半导体区域。光电二极管pd包括与p阱层42的导电类型不同的导电类型(具体地，n型)的半导体区域。并且，第一半导体基板11在p阱层42中包括作为导电类型(具体地，n型)与p阱层42的导电类型不同的半导体区域的浮置扩散fd。浮置扩散fd形成于p阱层42中，并且是对于四个相邻传感器像素12共用的一个浮置扩散层。
95.第一基板10在各传感器像素12中包括光电二极管pd和传输晶体管tr，并且还在四个传感器像素12中的每一个中包括浮置扩散fd。传输晶体管tr和浮置扩散fd被设置在第一半导体基板11的前表面侧(与光入射表面侧相对的一侧，第二基板20侧)的部分中。
96.第一基板10还包括分离各传感器像素12的元件分离部分43。元件分离部分43形成为在第一半导体基板11的法线方向(垂直于第一半导体基板11的前表面的方向)上延伸。元件分离部分43被设置在彼此相邻的两个传感器像素12之间。元件分离部分43使彼此相邻的传感器像素12彼此电分离。元件分离部分43由例如氧化硅形成。元件分离部分43为例如从第一半导体基板11的后表面到中间形成沟槽的深沟槽分离(dti)型的分离部分。
97.滤色器40被设置在第一半导体基板11的后表面侧。滤色器40例如被设置在与第一半导体基板11的后表面接触并面向传感器像素12的位置处。光接收透镜50例如与滤色器40的后表面接触，并且被设置在经由滤色器40面对传感器像素12的位置处。对各传感器像素12设置一个滤色器40和一个光接收透镜50。
98.通过在半导体基板(半导体层)21上堆叠绝缘层52形成第二基板20。第二基板20包括作为层间绝缘膜51的一部分的绝缘层52。绝缘层52被设置在后述的第二半导体基板21和第三半导体基板31之间的间隙中。第二半导体基板21包括硅基板。
99.第二基板20对于每四个传感器像素12包括一个读出电路22(参见图2和3)。读出电路22被设置在第二半导体基板21的前表面侧(第三基板30侧)的部分中。第二基板20以第二半导体基板21的后表面面向第一半导体基板11的前表面侧的方式接合到第一基板10。即，第二基板20以正面到背面(face-to-back)的方式结合到第一基板10。
100.第二基板20还在与第二半导体基板21相同的层中包括贯穿第二半导体基板21的多个绝缘层53和54。这些绝缘层53和54作为层间绝缘膜51的一部分被设置在第二基板20上。
101.包括第一基板10和第二基板20的堆叠体包括层间绝缘膜51、多个贯通布线71和72、扩散层(浮置扩散层)74和栅极层75。
102.贯通布线71和72中的每一个被设置在层间绝缘膜51中，在第二半导体基板21的法线方向上延伸，并贯穿第二半导体基板21。贯通布线71和72中的每一个被称为贯通触点。第一基板10和第二基板20通过贯通布线71和72彼此电连接。作为贯通布线71和72，例如，存在用于浮置扩散fd(fd1～fd4)的第一贯通布线71以及用于传输栅极tg(tg0～tg3)的多个第二贯通布线72。第二贯通布线72中的每一个贯穿绝缘层53和54。
103.扩散层74被设置在与第二半导体基板21相同的层中，以与第一贯通布线71接触，并且电连接到第一贯通布线71。栅极层75被设置在第二半导体基板21上以在不与扩散层74接触的情况下与第二贯通布线72接触，并且电连接到第二贯通布线72。扩散层74和栅极层75用作调节传输栅极tg和浮置扩散fd之间的电容即tg-fd电容的调节层。
104.第二基板20还在绝缘层52内包括电连接到读出电路22和第二半导体基板21的多个连接部分59。并且，第二基板20在绝缘层52上包括例如布线层56。
105.布线层56包括例如绝缘层57以及设置在绝缘层57中的多个像素驱动线23和多个垂直信号线24。并且，布线层56对于各浮置扩散fd在绝缘层57中包括连接布线55。连接布线55电连接到连接到浮置扩散fd的第一贯通布线71。像素驱动线23中的任一个电连接到连接到传输栅极tg的第二贯通布线72。像素驱动线23、垂直信号线24和连接布线55等是布线的示例。
106.布线层56还在绝缘层57中包括例如多个焊盘电极58。例如，各焊盘电极58由诸如铜(cu)或铝(al)的金属形成。各焊盘电极58暴露在布线层56的表面上。各焊盘电极58用于第二基板20和第三基板30之间的电连接以及第二基板20和第三基板30之间的接合。例如，对像素驱动线23和垂直信号线24中的每一个设置一个焊盘电极58。
107.例如，通过在半导体基板(半导体层)31上堆叠层间绝缘膜61形成第三基板30。第三半导体基板31包括硅基板。注意，第三基板30通过彼此的前表面侧的表面结合到第二基板20，因此，当描述第三基板30中的构成时，垂直的描述与附图中的垂直方向相反。
108.第三基板30具有逻辑电路32被设置在第三半导体基板31的前表面侧的部分中的构成。第三基板30在层间绝缘膜61上包括例如布线层62。布线层62包括例如绝缘层63和设置在绝缘层63中的多个焊盘电极64。各焊盘电极64电连接到逻辑电路32。各焊盘电极64由例如cu(铜)形成。各焊盘电极64暴露于布线层62的前表面上。各焊盘电极64用于第二基板20和第三基板30之间的电连接以及第二基板20和第三基板30之间的接合。注意，焊盘电极64的数量不一定是多个。
109.通过将焊盘电极58和64彼此接合，第三基板30和第二基板20彼此电连接。第三基板30以第三半导体基板31的前表面面向第二半导体基板21的前表面侧的方式接合到第二基板20。即，第三基板30以正面到正面(face-to-face)方式结合到第二基板20。
110.《1-5.固态成像元件的层结构的示例》
111.参考图5～8，将描述根据第一实施例的固态成像元件1的层结构的示例。图5是示出根据第一实施例的固态成像元件1的第一层的示意性构成的示例的平面图。图6是示出根据第一实施例的固态成像元件1的第二层和布线层的示意性构成的示例的平面图。图7是示出沿着图6中的线a-a截取的根据第一实施例的固态成像元件1的第一层和第二层的断面图。图8是示出沿着图6中的线b-b截取的根据第一实施例的固态成像元件1的第一层和第二层的断面图。
112.如图5所示，在第一层(第一基板10)中，针对一个浮置扩散fd设置四个传输栅极tg(tg0、tg1、tg2和tg3)。第一贯通布线71连接到浮置扩散fd，并且，第二贯通布线72连接到各传输栅极tg。注意，针对各传感器像素12设置传输栅极tg。
113.如图6所示，在第二层(第二基板20)中，针对连接到浮置扩散fd的第一贯通布线71设置扩散层74。扩散层74形成于半导体层20a中，以在图6中的垂直方向上延伸。半导体层20a和半导体层20b被绝缘层53和绝缘层54分开。绝缘层53和绝缘层54的端部通过其端部彼此连接而一体化。针对连接到传输晶体管tr0和tr3中的每一个的各第二贯通布线72设置一个栅极层75。
114.在第二层中，包括控制线等的多个信号线进一步被设置，以在图6中的左右方向上延伸。信号线中的每一个包括例如像素驱动线23、垂直信号线24和连接布线55等。信号线中的每一个连接到第一贯通布线71和第二贯通布线72。并且，信号线中的任一个还经由各连接线连接到诸如放大晶体管amp、复位晶体管rst和选择晶体管sel的晶体管。这些连接线包括例如连接部分59等。
115.如图7所示，扩散层74位于浮置扩散fd上方，并且被设置在第二半导体基板21中，以与连接到浮置扩散fd并贯穿第二半导体基板21的第一贯通布线71接触。第一贯通布线71贯穿扩散层74。
116.栅极层75位于传输栅极tg3(图7中的tg)上方，并且被设置在第二半导体基板21上方，以与连接到传输栅极tg3并贯穿第二半导体基板21的第二贯通布线72接触。第二贯通布线72贯穿栅极层75。栅极层75延伸到不与扩散层74接触且在半导体层20a上方的位置。注意，类似地，对连接到传输栅极tg0的第二贯通布线72设置栅极层75(参见图6)。
117.这里，栅极层75经由绝缘膜被设置在第二半导体基板21上，并且，该绝缘膜是绝缘层52的一部分。类似地，传输栅极tg3也经由绝缘膜被设置在第一半导体基板11上，并且，该绝缘膜是绝缘层46的一部分。
118.另一方面，如图8所示，对连接到浮置扩散fd的第一贯通布线71设置扩散层74，但不对连接到传输栅极tg1(图8中的tg)的第二贯通布线72设置栅极层75。注意，类似地，不对连接到传输栅极tg2的第二贯通布线72设置栅极层75(参见图6)。
119.通过这种层结构，扩散层74和栅极层75用作共享触点，并调节tg-fd电容(例如，电容耦合的耦合量)。即，可以通过作为第二层的扩散层74和栅极层75调节不能在第一层等中匹配的tg-fd电容。
120.例如，在不设置扩散层74和栅极层75的情况下，传输栅极tg1和tg2中的每一个的各个tg-fd电容大于其它传输栅极tg0和tg3的各个tg-fd电容(参见图6)。因此，通过分别对传输栅极tg0和tg3设置扩散层74和栅极层75，能够增加传输栅极tg0和tg3的fd-tg电容，以接近传输栅极tg1和tg2的fd-tg电容。因此，可以使传输栅极tg0～tg3的各个fd-tg电容均匀。
121.注意，浮置扩散fd(或扩散层74)和栅极层75可以被布置为彼此重叠，可以被布置为相互齐平，或者可以被布置为在从光入射表面观察的平面中彼此分离。
122.《1-6.固态成像元件的层结构的变更例》
123.参考图9，将描述根据第一实施例的固态成像元件1的层结构的变更例。图9是示出沿着图6中的线a-a截取的根据第一实施例的固态成像元件的变更例的断面图。
124.如图9所示，与图7类似，对连接到传输栅极tg3(图9中的tg)的第二贯通布线72设置栅极层75。栅极层75在扩散层74侧的半导体层20a上方以及在半导体层20b上方延伸，半导体层20b面向半导体层20a，并且第二贯通布线72插入在半导体层20a与半导体层20b之间。
125.即使在这样的层结构中，扩散层74和栅极层75也用作共享触点并调节tg-fd电容。即，可以通过作为第二层的扩散层74和栅极层75调节不能在第一层等中匹配的tg-fg电容。
126.《1-7.制造固态成像元件的方法的示例》
127.参考图10，将描述根据第一实施例的固态成像元件1的制造方法。图10是用于解释根据第一实施例的固态成像元件1的制造工艺的断面图。注意，在图10中，为了清楚起见，仅示出固态成像元件1的主要部分，并且省略了其它部分的图示。
128.如图10的左上部分所示，在其上形成元件(例如，光电二极管pd、浮置扩散fd和传输栅极tg等)的第一半导体基板11和第二半导体基板21经由绝缘层46接合，并且，通过使用研磨机或化学机械抛光(cmp)等减薄第二半导体基片21。
129.接下来，如图10的中上部分所示，通过光刻或干蚀刻等去除半导体基板(半导体层)21的一部分。并且，绝缘膜(例如，sio)被嵌入已去除半导体层的部分中。
130.接下来，如图10的右上部分所示，通过使用光刻或离子注入等在第二半导体基板21上形成扩散层74和栅极层75。
131.并且，如图10的左下部分所示，通过使用化学气相沉积(cvd)等在第二半导体基板21上沉积绝缘膜(例如，sio)，以由此形成绝缘层52。
132.接下来，如图10的中下部分所示，通过使用光刻或干法蚀刻等蚀刻绝缘层52、第二半导体基板21和绝缘层46，以由此形成贯穿绝缘层52、第二半导体基板21和绝缘膜46的通孔ch。
133.接下来，通过cvd法、物理气相沉积(pvd)法、原子层沉积(ald)法或电镀法等在通孔ch中形成阻挡金属或金属膜等，以填充通孔ch。并且，通过使用cmp或干法蚀刻等去除从通孔ch突出的过剩金属膜等。
134.因此，如图10的右下部分所示的那样形成第一贯通布线71和第二贯通布线72，并且，获得如图10的右下部分所示的构成。
135.《1-8.效果》
136.如上所述，根据第一实施例，扩散层74被设置在第二半导体基板21中以与第一贯通布线71接触，并且，栅极层75被设置在第二半导体基板21上以在不与扩散层74接触的情况下与第二贯通布线72接触(参见图7和图9)。扩散层74和栅极层75用作调节tg-fd电容的调节层。因此，作为通过优化布线或增加布线层来调节tg-fd电容的替代，可以仅通过在作为第二层的第二半导体基板21上设置扩散层74和栅极层75来调节tg-fd电容。因此，可以在抑制布线层数量增加的同时促进tg-fd电容的调节。
137.注意，扩散层74可以由与浮置扩散fd的材料不同或相同的材料形成。另外，栅极层75可以由与传输栅极tg不同的材料或与传输栅极tg相同的材料(例如，多晶硅)形成。当使用相同的材料时，能够促进材料的制备并降低成本。
138.《2.第二实施例》
139.《2-1.固态成像元件的层结构的示例》
140.参考图11和图12，将描述根据第二实施例的固态成像元件1的层结构的示例。图11是示出根据第二实施例的固态成像元件1的第二层和布线层的示意性构成的示例的平面图。图12是示出沿着图11中的线c-c截取的根据第二实施例的固态成像元件1的第一层和第二层的断面图。在下文中，主要将描述与第一实施例的区别，并且省略其它描述。
141.注意，示出根据第二实施例的固态成像元件1的第一层的示意性构成的示例的平面图与图5所示的平面图相同。并且，沿着图11中的线d-d截取的示出根据第二实施例的固态成像元件1的第一层和第二层的断面图与图8所示的断面图相同。然而，在第二实施例中，图8所示的半导体层20a是绝缘层。
142.如图11所示，作为图6所示的栅极层75的替代，对连接到传输栅极tg0的第二贯通布线72和连接到传输栅tg3的第二贯通布线72中的每一个设置一个扩散层76。并且，绝缘层53和绝缘层54通过其端部彼此连接而一体化，并且形成为与扩散层74接触并夹持扩散层74。
143.如图12所示，扩散层76位于传输栅极tg3(图12中的tg)上方，并且被设置在第二半导体基板21中，以与连接到传输栅极tg3并贯穿第二半导体基板21的第二贯通布线72接触。第二贯通布线72贯穿扩散层76。注意，类似地，对连接到传输栅极tg0的第二贯通布线72设置扩散层76(参见图11)。
144.根据这种层结构，扩散层(第一扩散层)74和扩散层(第二扩散层)76用作共享触点并调节tg-fd电容。即，可以通过作为第二层的扩散层74和扩散层76调节不能在第一层等中匹配的tg-fg电容。
145.例如，在不设置扩散层74或扩散层76的情况下，传输栅极tg1和tg2中的每一个的各个tg-fd电容大于其它传输栅极tg0和tg3的各个tg-fd电容。因此，通过分别对传输栅极tg0和tg3设置扩散层74和扩散层76，传输栅极tg0和tg3中的每一个的各个fd-tg电容可以增加为接近传输栅极tg1和tg2中的每一个的各个fd-tg电容。因此，可以使传输栅极tg0～tg3的各个fd-tg电容均匀。
146.《2-2.固态成像元件的层结构的变更例》
147.参考图13，将描述根据第二实施例的固态成像元件1的层结构的变更例。图13是示出沿着图11中的线c-c截取的根据第二实施例的固态成像元件1的变更例的断面图。
148.如图13所示，删除图12所示的扩散层74，并且，扩散层76比图12中的扩散层大。即，图13所示的扩散层76的体积比图12所示的扩散层76的体积大。例如，扩散层76形成为在从光入射表面观察的平面中与浮置扩散fd重叠。
149.即使在这样的层结构中，扩散层76也用作共享触点并调节tg-fd电容。即，可以通过作为第二层的扩散层74和栅极层75调节不能在第一层等中匹配的tg-fg电容。
150.《2-3.效果》
151.如上所述，根据第二实施例，可以获得与第一实施例的效果相同的效果。即，扩散层74被设置在第二半导体基板21中以与第一贯通布线71接触，并且，扩散层76被设置在第二半导体基板21中以在不与扩散层74接触的情况下与第二贯通布线72接触(参见图12)。扩散层74和扩散层76用作调节tg-fd电容的调节层。因此，作为通过优化布线或增加布线层来调节tg-fd电容的替代，可以仅通过在作为第二层的第二半导体基板21上设置扩散层74和扩散层76来调节tg-fd电容。因此，可以在抑制布线层数量增加的同时促进tg-fd电容的调
节。
152.并且，不设置扩散层74，并且，扩散层76被设置在第二半导体基板21上以与第二贯通布线72接触(参见图13)。扩散层76用作调节tg-fd电容的调节层。因此，作为通过优化布线或增加布线层来调节tg-fd电容的替代，可以仅通过在作为第二层的第二半导体基板21上设置扩散层76来调节tg-fd电容。因此，可以在抑制布线层数量增加的同时促进tg-fd电容的调节。
153.注意，扩散层74和扩散层76可以由不同的材料或相同的材料形成。当使用相同的材料时，能够促进材料的制备并降低成本，并且，能够在相同的工艺中形成扩散层74和扩散层76，使得可以减少制造工艺的数量。作为材料，例如，可以使用与浮置扩散fd相同的材料。即，扩散层74和扩散层76中的两个或一个可以由与浮置扩散fd相同的材料形成。当使用与浮置扩散fd相同的材料时，能够促进材料的制备并降低成本。
154.《3.第三实施例》
155.《3-1.固态成像元件的层结构的示例》
156.参考图14和图15，将描述根据第三实施例的固态成像元件1的层结构的示例。图14是示出根据第三实施例的固态成像元件1的第一层的示意性构成的示例的平面图。图15是示出根据第三实施例的固态成像元件1的第二层和布线层的示意性构成的示例的平面图。在下文中，将主要描述与第一实施例的区别，并且，将省略其它描述。
157.如图14所示，第二贯通布线72中的每一个被设置为位于传输栅极tg的中心(平面图中的中心)。如图15所示，对连接到三个传输栅极tg1、tg2和tg3中的每一个的各贯通布线72设置一个栅极层75。
158.注意，沿着图15中的线e-e截取的根据第三实施例的固态成像元件1的第一层和第二层的断面图与图7所示的断面图相同。并且，沿着图15中的线f-f截取的根据第三实施例的固态成像元件1的第一层和第二层的断面图与图8所示的断面图相同。
159.采用这种层结构，与第一实施例类似，扩散层74和栅极层75用作共享触点并调节tg-fd电容。即，可以通过作为第二层的扩散层74和栅极层75调节不能在第一层等中匹配的tg-fg电容。
160.例如，在不设置扩散层74和栅极层75并且如图15的示例中那样路由用于浮置扩散fd的布线的情况下，传输栅极tg0的fd-tg电容比其它传输栅极tg1、tg2和tg3的fd-tg电容大。因此，通过分别对传输栅极tg0和tg3设置扩散层74和栅极层75，传输栅极tg0和tg3中的每一个的各个fd-tg电容可以增加为接近传输栅极tg1和tg2中的每一个的各个fd-tg电容。因此，可以使传输栅极tg0～tg3的各个fd-tg电容均匀。并且，可以通过改变fd基极电容和fd布线电容之间的比率优化总fd电容。
161.《3-2.效果》
162.如上所述，根据第三实施例，可以获得与第一实施例的效果相同的效果。即，作为通过优化布线或增加布线层来调节tg-fd电容的替代，可以仅通过在作为第二层的第二半导体基板21上设置扩散层74和栅极层75来调节tg-fd电容。因此，可以在抑制布线层数量增加的同时促进tg-fd电容的调节。
163.《4.第四实施例》
164.《4-1.固态成像元件的层结构的示例》
165.参考图16和图17，将描述根据第四实施例的固态成像元件1的层结构的示例。图16是示出根据第四实施例的固态成像元件1的第二层和布线层的示意性构成的示例的平面图。图17是示出沿着图16中的线g-g截取的根据第四实施例的固态成像元件1的第一层和第二层的断面图。在下文中，将主要描述与第三实施例的区别，并且，将省略其它描述。
166.如图16和17所示，放大晶体管amp的栅电极77延伸到扩散层74上方。扩散层74用作共享触点。如图16所示，对分别连接到两个传输栅极tg1和tg3的第二贯通布线72中的每一个设置一个栅极层75。
167.注意，示出根据第四实施例的固态成像元件1的第一层的示意性构成的示例的平面图与图14所示的平面图相同。并且，沿着图16中的线h-h截取的根据第四实施例的固态成像元件1的第一层和第二层的断面图与图7所示的断面图相同。沿着图16中的线i-i截取的根据第四实施例的固态成像元件1的第一层和第二层的断面图与图8所示的断面图相同。
168.通过这种层结构，与第一实施例类似，扩散层74和栅极层75用作共享触点并调节tg-fd电容。即，可以通过作为第二层的扩散层74和栅极层75调节不能在第一层等中匹配的tg-fg电容。
169.例如，在不设置扩散层74和栅极层75并且如图16的示例中那样路由用于浮置扩散fd的布线的情况下，传输栅极tg0和tg2的各个fd-tg电容变得大于其它传输栅极tg1和tg3的各个fd-tg电容。因此，通过分别为传输栅极tg1和tg3设置扩散层74和栅极层75，传输栅极tg1和tg3中的每一个的各个fd-tg电容可以增加到接近传输栅极tg0和tg2中的每一个的各个fd-tg电容。因此，可以使传输栅极tg1～tg4的各个fd-tg电容均匀。并且，可以通过改变fd基极电容和fd布线电容之间的比率来优化总fd电容。
170.《4-2.效果》
171.如上所述，根据第四实施例，可以获得与第三实施例相同的效果。即，作为通过优化布线或增加布线层来调节tg-fd电容的替代，可以仅通过在作为第二层的第二半导体基板21上设置扩散层74和栅极层75来调节tg-fd电容。因此，可以在抑制布线层数量的增加的同时促进tg-fd电容的调节。并且，可以通过改变fd基极电容和fd布线电容之间的比率优化总fd电容。
172.《5.其它实施例》
173.可以以以上实施例以外的各种不同形式(变更例)执行根据以上实施例的处理。例如，构成不限于上述示例，并且可以是各种模式。并且，例如，除非另有规定，否则可以任意改变文档或附图所示的构成、处理过程、特定名称以及包括各种数据和参数的信息。
174.并且，附图所示的各设备的各构成要素在功能上是概念性的，不一定如附图所示的那样进行物理配置。即，各设备的分布和集成的具体形式不限于所示的形式，并且，其全部或一部分可以根据各种负荷和使用条件等在功能上或物理上分布和集成在任何单元中。
175.在上述实施例和变更例中，导电类型可以逆转。例如，在各实施例和各变更例的描述中，可以用n型替换p型，并且可以用p型替换n型。即使在这种情况下，也可以获得与各个实施例和各个变更例的效果类似的效果。
176.另外，在上述实施例和各变更例中，作为元件分离部分43，示例了从第一半导体基板11的后表面到中间形成沟槽的深沟槽分离(dti)类型的分离部分，但是元件分离部分不限于此，例如，可以使用贯穿第一半导体基板11(全沟槽)并电完全分离两个或更多个相邻
传感器像素12的分离部分。
177.并且，根据上述实施例和变更例中的每一个的固态成像元件1不仅可以应用作为可见光接收元件，还可以应用于能够检测诸如红外线、紫外线、x射线和电磁波的各种类型的放射线的元件。除了图像输出以外，本发明还可以应用于诸如距离测量、光量变化和物理性能的检测的各种应用。
178.《6.应用示例》
179.根据上述实施例和变更例中的每一个的固态成像元件1应用于各种电子设备。电子设备的示例包括具有成像功能的电子设备，诸如数字静态照相机、视频照相机、智能电话、平板终端、移动电话、个人数字助理(pda)、笔记本个人计算机(pc)和台式pc。
180.将参考图18描述成像设备300的示例。成像设备300是电子设备的示例。图18是示出作为应用本技术的电子设备的成像设备300的示意性构成的示例的框图。
181.如图18所示，成像设备300包括光学系统301、快门设备302、成像元件303、控制电路(驱动电路)304、信号处理电路305、监视器306和存储器307。成像设备300可以拍摄静止图像和运动图像。成像元件303是根据上述实施例和变更例的固态成像元件1中的任一个。
182.光学系统301包括一个或更多个透镜。光学系统301将来自被照体的光(入射光)引导到成像元件303，并在成像元件303的光接收表面上形成图像。
183.快门设备302被设置在光学系统301和成像元件303之间。快门设备302根据控制电路304的控制来控制关于成像元件303的光照射时段和遮光时段。
184.成像元件303根据经由光学系统301和快门设备302在光接收表面上形成的光，对某个时段累积信号电荷。根据从控制电路304供给的驱动信号(定时信号)传送在成像元件303中累积的信号电荷。
185.控制电路304输出用于控制成像元件303的传送动作和快门设备302的快门动作的驱动信号，以驱动成像元件303和快门设备302。
186.信号处理电路305对从成像元件303输出的信号电荷执行各种类型的信号处理。通过由信号处理电路305执行信号处理而获得的图像(图像数据)被供给到监视器306，并且还被供给到存储器307。
187.监视器306基于从信号处理电路305供给的图像数据显示由成像元件303拍摄的运动图像或静止图像。作为监视器306，例如，使用诸如液晶面板或有机电致发光(el)面板的面板型显示设备。
188.存储器307存储从信号处理电路305供给的图像数据，即，由成像元件303拍摄的运动图像或静止图像的图像数据。作为存储器307，例如，使用诸如半导体存储器或硬盘的记录介质。
189.同样，在如上面描述的那样构成的成像设备300中，通过使用根据上述实施例和变更例的固态成像元件1中的任何一个作为成像元件303，能够在抑制布线层数量增加的同时促进tg-fd电容的调节。
190.《7.应用示例》
191.根据本公开的技术适用于各种产品。例如，根据本公开的技术可以实现为安装在诸如汽车、电动车辆、混合动力电动车辆、摩托车、自行车、个人移动装置、飞机、无人机、船、机器人、建筑机械和农业机械(拖拉机)等的任何类型的移动体上的设备。另外，例如，根据
本公开的技术可以被应用于内窥镜手术系统或显微手术系统等。
192.《7-1.车辆控制系统》
193.图19是描绘作为可以应用根据本公开的实施例的技术的移动体控制系统的示例的车辆控制系统7000的示意性构成的示例的框图。车辆控制系统7000包括经由通信网络7010彼此连接的多个电子控制单元。在图19所示的示例中，车辆控制系统7000包括驾驶系统控制单元7100、车身系统控制单元7200、电池控制单元7300、车外信息检测单元7400、车内信息检测单元7500和集成控制单元7600。将多个控制单元彼此连接的通信网络7010可以例如是符合诸如控制器局域网(can)、局域互联网络(lin)、局域网(lan)或flexray(注册商标)的任意标准的车载通信网络。
194.控制单元中的每一个包括：根据各种类型的程序执行算术处理的微计算机；存储由微计算机执行的程序或用于各种类型的动作的参数等的储存部分；以及驱动各种类型的控制目标设备的驱动电路。控制单元中的每一个还包括：用于经由通信网络7010执行与其它控制单元的通信的网络接口(i/f)；以及用于通过有线通信或无线通信执行与车辆内外的设备或传感器等的通信的通信i/f。图19所示的集成控制单元7600的功能构成包括微计算机7610、通用通信i/f 7620、专用通信i/f 7630、定位部分7640、信标接收部分7650、车内设备i/f 7660、声音/图像输出部分7670、车载网络i/f 7680和储存部分7690。其它控制单元类似地包括微计算机、通信i/f和储存部分等。
195.驱动系统控制单元7100根据各种类型的程序控制与车辆的驱动系统相关的设备的动作。例如，驱动系统控制单元7100用作用于产生车辆的驱动力的驱动力产生设备(诸如内燃发动机或驱动马达等)、用于将驱动力传递到车轮的驱动力传递机构、用于调节车辆的转向角的转向机构和用于产生车辆的制动力的制动设备等的控制设备。驱动系统控制单元7100可以具有作为防抱死制动系统(abs)或电子稳定控制(esc)等的控制设备的功能。
196.驱动系统控制单元7100与车辆状态检测部分7110连接。车辆状态检测部分7110例如包括检测车身的轴向旋转运动的角速度的陀螺仪传感器、检测车辆的加速度的加速度传感器以及用于检测加速踏板的操作量、制动踏板的操作量、方向盘的转向角、发动机速度或车轮的转速等的传感器中的至少一个。驱动系统控制单元7100通过使用从车辆状态检测部分7110输入的信号执行算术处理，并且控制内燃发动机、驱动马达、电力转向设备和制动设备等。
197.车身系统控制单元7200根据各种类型的程序控制对车身设置的各种类型的设备的动作。例如，车身系统控制单元7200用作无钥匙进入系统、智能钥匙系统、电动车窗设备或诸如前照灯、倒车灯、制动灯、转向灯或雾灯等的各种类型的灯的控制设备。在这种情况下，从作为钥匙的替代的移动设备传送的无线电波或各种类型的开关的信号可以被输入到车身系统控制单元7200。车身系统控制单元7200接收这些输入的无线电波或信号，并且控制车辆的门锁设备、电动车窗设备或灯等。
198.电池控制单元7300根据各种类型的程序控制作为驱动马达的电源的二次电池7310。例如，从包括二次电池7310的电池设备向电池控制单元7300供给关于电池温度、电池输出电压或电池中剩余电量等的信息。电池控制单元7300通过使用这些信号执行算术处理，并且执行用于调节二次电池7310的温度的控制，或者控制针对电池设备设置的冷却设备等。
199.车外信息检测单元7400检测关于包括车辆控制系统7000的车辆的外部的信息。例如，车外信息检测单元7400与成像部分7410和车外信息检测部分7420中的至少一个连接。成像部分7410包括飞行时间(tof)照相机、立体照相机、单眼照相机、红外照相机和其它照相机中的至少一个。车外信息检测部分7420例如包括用于检测当前大气条件或天气条件的环境传感器和用于检测包括车辆控制系统7000的车辆的周围的另一车辆、障碍物或行人等的周围信息检测传感器中的至少一个。
200.环境传感器例如可以是检测雨的雨滴传感器、检测雾的雾传感器、检测日照程度的阳光传感器和检测降雪的雪传感器中的至少一个。周围信息检测传感器可以是超声传感器、雷达设备和lidar设备(光检测和测距设备或激光成像检测和测距设备)中的至少一个。成像部分7410和车外信息检测部分7420中的每一个可以被设置为独立的传感器或设备，或者可以被设置为集成多个传感器或设备的设备。
201.图20示出成像部分7410和车外信息检测部分7420的安装位置的示例。成像部分7910、7912、7914、7916和7918例如被设置在车辆7900的前鼻、侧视镜、后保险杠和后门上的位置和车辆内部的挡风玻璃上部上的位置中的至少一个处。被设置到前鼻的成像部分7910和设置到车辆内部的挡风玻璃上部的成像部分7918主要获得车辆7900的前部的图像。被设置到侧视镜的成像部分7912和7914主要获得车辆7900的侧面的图像。被设置在后保险杠或后门的成像部分7916主要获得车辆7900的后部的图像。被设置到车辆内部的挡风玻璃上部的成像部分7918主要用于检测前行车辆、行人、障碍物、信号、交通标志或车道等。
202.顺便提及，图20描绘各个成像部分7910、7912、7914和7916的拍摄范围的示例。成像范围a表示设置到前鼻的成像部分7910的成像范围。成像范围b和c分别表示设置到侧视镜的成像部分7912和7914的成像范围。摄像范围d表示设置到后保险杠或后门的成像部分7916的成像范围。例如，可以通过叠加由成像部分7910、7912、7914和7916成像的图像数据获得从上方观看的车辆7900的鸟瞰图像。
203.设置到车辆7900的前部、后部、侧面和角落以及车辆内部挡风玻璃的上部的车外信息检测部分7920、7922、7924、7926、7928和7930可以例如是超声传感器或雷达设备。例如，设置到车辆7900的前鼻、后保险杠、车辆7900的后门和车辆内部的挡风玻璃上部的车外信息检测部分7920、7926和7930可以是lidar设备。这些车外信息检测部分7920～7930主要用于检测前行车辆、行人或障碍物等。
204.将返回到图19继续描述。车外信息检测单元7400使成像部分7410对车外的图像进行成像，并接收成像的图像数据。另外，车外信息检测单元7400从连接到车外信息检测单元7400的车外信息检测部分7420接收检测信息。在车外信息检测部分7420是超声传感器、雷达设备或lidar设备的情况下，车外信息检测单元7400发射超声波或电磁波等，并且接收所接收的反射波的信息。基于接收的信息，车外信息检测单元7400可以执行检测诸如人、车辆、障碍物、标志、道路表面上的字符等的物体的处理或者检测到其的距离的处理。车外信息检测单元7400可以基于接收的信息执行识别降雨、雾或路面状况等的环境识别处理。车外信息检测单元7400可以基于接收的信息计算到车外物体的距离。
205.另外，基于接收的图像数据，车外信息检测单元7400可以执行识别人、车辆、障碍物、标志或道路表面上的字符等的图像识别处理，或者检测到其的距离的处理。车外信息检测单元7400可以对接收的图像数据进行诸如失真校正或对准等的处理，并且组合由多个不
同成像部分7410成像的图像数据以生成鸟瞰图像或全景图像。车外信息检测单元7400可以通过使用由包括不同成像部分的成像部分7410成像的图像数据执行视点转换处理。
206.车内信息检测单元7500检测关于车辆内部的信息。车内信息检测单元7500与例如检测驾驶员状态的驾驶员状态检测部分7510连接。驾驶员状态检测部分7510可以包括对驾驶员成像的照相机、检测驾驶员的生物信息的生物传感器或收集车辆内部声音的麦克风等。生物传感器例如被设置在座椅表面或方向盘等中，并且检测坐在座椅中的乘员或握着方向盘的驾驶员的生物信息。基于从驾驶员状态检测部分7510输入的检测信息，车内信息检测单元7500可以计算驾驶员的疲劳程度或驾驶员的精力集中程度，或者可以确定驾驶员是否正在打盹。车内信息检测单元7500可以对通过声音收集获得的音频信号进行诸如噪声消除处理等的处理。
207.集成控制单元7600根据各种类型的程序控制车辆控制系统7000内的一般动作。集成控制单元7600与输入部分7800连接。输入部分7800由能够由乘员进行输入操作的设备(诸如例如触摸面板、按钮、麦克风、开关或杆等)实现。可以向集成控制单元7600供给通过对通过麦克风输入的语音进行语音识别而获得的数据。输入部分7800可以例如是使用红外线或其它无线电波的远程控制设备，或者支持车辆控制系统7000的动作的外部连接设备，诸如移动电话或个人数字助理(pda)等。输入部分7800可以为例如照相机。在这种情况下，乘客可以通过手势输入信息。或者，可以输入通过检测乘员穿戴的可穿戴设备的运动而获得的数据。并且，输入部分7800可以例如包括基于由乘员等通过使用上述输入部分7800输入的信息生成输入信号并将生成的输入信号输出到集成控制单元7600的输入控制电路等。乘员等通过操作输入部分7800向车辆控制系统7000输入各种类型的数据或给出处理动作的指令。
208.储存部分7690可以包括存储由微计算机执行的各种类型的程序的只读存储器(rom)和存储各种类型的参数、运算结果或传感器值等的随机存取存储器(ram)。另外，储存部分7690可以由诸如硬盘驱动器(hdd)等的磁储存设备、半导体储存设备、光学储存设备或磁光储存设备等实现。
209.通用通信i/f 7620是广泛使用的通信i/f，该通信i/f作为与在外部环境7750中存在的各种装置的通信的中介。通用通信i/f 7620可以实现诸如全球移动通信系统(gsm(注册商标))、全球微波接入互操作性(wimax(注册商标))、长期演进(lte(注册商标))或高级lte(lte-a)等的蜂窝通信协议，或诸如无线lan(也称为无线保真(wi-fi(注册商标))或蓝牙(注册商标)等的另一无线通信协议。通用通信i/f 7620可以例如经由基站或接入点连接到存在于外部网络(例如，因特网、云网络或公司专用网络)上的装置(例如，应用服务器或控制服务器)。另外，通用通信i/f 7620可以通过使用例如对等(p2p)技术连接到存在于车辆附近的终端(该终端为例如驾驶员、行人或商店的终端，或者机器类型通信(mtc)终端)。
210.专用通信i/f 7630是支持为车辆内使用开发的通信协议的通信i/f。专用通信i/f 7630可以实现诸如例如作为车辆环境内无线接入(wave)(作为较低层的电气和电子工程师协会(ieee)802.11p和作为较高层的ieee 1609的组合)、专用短程通信(dsrc)或蜂窝通信协议的标准协议。专用通信i/f 7630通常实施作为包括车辆与车辆之间的通信(车辆到车辆)、道路与车辆之间的通信(车辆到基础设施)、车辆与住宅之间的通信(汽车到住宅)以及行人与车辆之间的通信(车辆到行人)中的一个或更多个的概念的v2x通信。
211.定位部分7640例如通过从gnss卫星接收全球导航卫星系统(gnss)信号(例如，来自全球定位系统(gps)卫星的gps信号)执行定位，并生成包括车辆的纬度、经度和高度的位置信息。顺便提及，定位部分7640可以通过与无线接入点交换信号识别当前位置，或者可以从诸如移动电话、个人手持电话系统(phs)或具有定位功能的智能电话的终端获得位置信息。
212.信标接收部分7650例如接收从安装在道路等上的无线电站传送的无线电波或电磁波，并由此获得关于当前位置、拥堵、封闭道路或必要时间等的信息。顺便提及，信标接收部分7650的功能可以被包含于上述的专用通信i/f 7630中。
213.车内设备i/f 7660是用于作为微计算机7610与存在于车辆内的各种车内设备7760之间的连接的中介的通信接口。车内设备i/f 7660可以通过使用诸如无线lan、蓝牙(注册商标)、近场通信(nfc)或无线通用串行总线(wusb)的无线通信协议建立无线连接。另外，车内设备i/f 7660可以经由图中未示出的连接端子(如果需要，还可以经由电缆)通过通用串行总线(usb)、高清多媒体接口(hdmi(注册商标))或移动高清链路(mhl)等建立有线连接。车内设备7760可以例如包括乘员拥有的移动设备和可穿戴设备以及携带到车辆中或附接到车辆的信息设备中的至少一个。车内设备7760还可以包括搜索到任意目的地的路径的导航设备。车内设备i/f 7660与这些车内设备7760交换控制信号或数据信号。
214.车载网络i/f 7680是作为微计算机7610和通信网络7010之间的通信的中介的接口。车载网络i/f 7680根据通信网络7010所支持的预定协议传送和接收信号等。
215.集成控制单元7600的微计算机7610基于经由通用通信i/f 7620、专用通信i/f 7630、定位部分7640、信标接收部分7650、车内设备i/f7660和车载网络i/f 7680中的至少一个获得的信息，根据各种类型的程序控制车辆控制系统7000。例如，微计算机7610可以基于所获得的关于车辆内部和外部的信息计算驱动力产生设备、转向机构或制动设备的控制目标值，并且向驱动系统控制单元7100输出控制命令。例如，微计算机7610可以执行旨在实现高级驾驶员辅助系统(adas)的功能的协作控制，这些功能包括车辆的防撞或减震、基于跟车距离的跟车行驶、车速保持行驶、车辆碰撞警告或车辆偏离车道警告等。另外，微计算机7610可以执行旨在用于自动驾驶的协作控制，该协作控制通过基于所获得的关于车辆周围的信息控制驱动力产生设备、转向机构或制动设备等，使得车辆在不依赖于驾驶员的操作等的情况下自动行驶。
216.微计算机7610可以基于经由通用通信i/f 7620、专用通信i/f 7630、定位部分7640、信标接收部分7650、车内设备i/f 7660和车载网络i/f 7680中的至少一个获得的信息，生成车辆与诸如周围结构或人等的物体之间的三维距离信息并且生成包括关于车辆的当前位置的周围的信息的本地地图信息。另外，微计算机7610可以基于所获得的信息预测诸如车辆碰撞、行人等的接近或进入封闭道路等的危险，并且生成警告信号。警告信号可以例如是用于产生警告声音或点亮警告灯的信号。
217.声音/图像输出部分7670将声音和图像中的至少一个的输出信号传送到能够在视觉或听觉上向车辆乘员或车外通知信息的输出设备。在图19的示例中，音频扬声器7710、显示部分7720和仪表面板7730被示出为输出设备。显示部分7720可以例如包括板上显示器和平视显示器中的至少一个。显示部分7720可以具有增强现实(ar)显示功能。输出设备可以是这些设备以外的其它设备，并且可以是诸如耳机、诸如乘员等穿戴的眼镜型显示器的可
穿戴设备、投影仪或灯等的另一设备。在输出设备是显示设备的情况下，显示设备以诸如文本、图像、表格或图表等的各种形式可视地显示通过由微计算机7610执行的各种类型的处理获得的结果或从另一控制单元接收的信息。另外，在输出设备是音频输出设备的情况下，音频输出设备将由再现的音频数据或声音数据等构成的音频信号转换成模拟信号，并在听觉上输出模拟信号。
218.顺便提及，图19所示的示例中的经由通信网络7010彼此连接的至少两个控制单元可以集成到一个控制单元中。可选地，各个控制单元可以分别包括多个控制单元。并且，车辆控制系统7000可以包括附图中未示出的另一控制单元。另外，由以上描述中的控制单元中的一个执行的功能的一部分或全部可以被分配给另一控制单元。即，只要经由通信网络7010传送和接收信息，就可以由控制单元中的任一个执行预定的运算处理。类似地，连接到控制单元中的一个的传感器或设备可以连接到另一控制单元，并且，多个控制单元可以经由通信网络7010相互传送和接收检测信息。
219.注意，用于实现根据应用示例的成像设备300的各功能的计算机程序可以被安装在任何控制单元等上。并且，还能够提供存储这种计算机程序的计算机可读记录介质。记录介质为例如磁盘、光盘、磁光盘或快擦写存储器等。另外，可以在不使用记录介质的情况下经由例如网络分发上述的计算机程序。
220.在上述车辆控制系统7000中，根据应用示例的成像设备300可以被应用于应用示例的集成控制单元7600。例如，成像设备300的控制电路304、信号处理电路305和存储器307可以由集成控制单元7600的微计算机7610或储存部分7690实现。并且，根据上述实施例和变更例中的每一个的固态成像元件1和根据应用示例的成像设备300可以被应用于根据应用示例的成像部分7410和车外信息检测部分7420，例如，根据应用示例的成像部分7910、7912、7914、7916和7918以及车外信息检测部分7920～7930等。通过使用根据上述实施例和变更例中的每一个的固态成像元件1和根据应用示例的成像设备300中的任何一个，即使在车辆控制系统7000中，也可以在抑制布线层数量增加的同时促进tg-fd电容的调节。
221.另外，可以在应用示例的集成控制单元7600的模块(例如，包括一个裸片的集成电路模块)中实现根据应用示例的成像设备300的至少一些构成要素。可选地，根据应用示例的成像设备300的一部分可以由车辆控制系统7000的多个控制单元实现。
222.《7-2.手术室系统》
223.根据本公开的技术适用于各种产品。例如，根据本公开的技术可以被应用于手术室系统。
224.图21是示意性地示出根据本公开的技术适用的手术室系统5100的总体构成的示图。参照图21，通过连接安装在手术室中的一组设备以能够经由手术室(or)控制器5107和接口控制器(if控制器)5109彼此协作，配置手术室系统5100。手术室系统5100通过使用能够传送和接收4k/8k图像的因特网协议(ip)网络被配置，并且经由ip网络传送和接收用于设备的输入和输出图像以及控制信息。
225.各种设备可以被安装在手术室中。作为示例，图21示出用于内窥镜手术的一组各种设备5101、设置在手术室的天花板上并且拍摄操作员手附近区域的天花板照相机5187、设置在手术室的天花板上并且拍摄手术室中的整体情况的手术场照相机5189、多个显示设备5103a～5103d、患者床5183和灯5191。除了所示的内窥镜之外，用于获取图像和视频的各
种医疗设备，诸如主从内窥镜手术机器人和x射线成像设备，可以被应用于设备组5101。
226.设备组5101、天花板照相机5187、手术场照相机5189和显示设备5103a～5103c经由ip转换器5115a～5115f(下文中，当未单独区分时，由附图标记5115表示)连接到if控制器5109。视频源侧(照相机侧)的ip转换器5115d、5115e和5115f对来自各个医学图像拍摄设备(诸如内窥镜、手术显微镜、x射线成像设备、手术场照相机和病理图像拍摄设备)的视频执行ip转换，并在网络上传送结果。视频输出侧(监视器侧)的ip转换器5115a～5115d将通过网络传送的视频转换为监视器特有格式，并且输出结果。视频源侧的ip转换器用作编码器，并且，视频输出侧的ip转换器用作解码器。ip转换器5115可以具有各种图像处理功能，并且可以具有例如对应于输出目的地的分辨率转换处理、内窥镜视频的旋转校正和图像稳定化以及对象识别处理的功能。图像处理功能还可以包括部分处理，诸如用于稍后描述的服务器上的分析的特征信息提取。这些图像处理功能可特定于所连接的医学图像设备，或者可以从外部升级。显示器侧的ip转换器可以执行诸如多个视频的合成(例如，画中画(pinp)处理)和注释信息的叠加的处理。ip转换器中的每一个的协议转换功能是将接收到的信号转换为符合允许在网络(诸如因特网)上传送信号的通信协议的转换信号的功能。任何通信协议可以被设定为通信协议。由ip转换器接收并在协议方面可转换的信号是数字信号，并且为例如视频信号或像素信号。ip转换器可以被加入视频源侧设备或视频输出侧设备中。
227.设备组5101属于例如内窥镜手术系统，并且包括例如内窥镜和用于显示由内窥镜拍摄的图像的显示设备。显示设备5103a～5103d、患者床5183和灯5191为例如与内窥镜手术系统分离地装备在手术室中的设备。用于手术或诊断的这些设备中的每一个也被称为医疗设备。or控制器5107和/或if控制器5109协同控制医疗设备的动作。当内窥镜手术机器人(手术主从)系统和诸如x射线成像设备的医学图像获取设备包含于手术室中时，这些设备也可以以相同的方式作为设备组5101连接。
228.or控制器5107以集成方式控制与医疗设备中的图像显示相关的处理。具体地，包含于手术室系统5100中的设备当中的设备组5101、天花板照相机5187和手术场照相机5189可以分别是具有在手术期间传送要显示的信息(以下，也称为显示信息)的功能的设备(以下，也称为传送源设备)。显示设备5103a～5103d可以分别是输出显示信息的设备(以下，也称为输出目的地设备)。or控制器5107具有控制传送源设备和输出目的地设备的动作以从传送源设备获取显示信息并且向输出目的地设备传送显示信息以导致输出目的地设备显示或记录显示信息的功能。显示信息指的是例如在手术期间拍摄的各种图像和关于手术的各种类型的信息(例如，患者的身体信息和过去的检查结果以及关于手术过程的信息)。
229.具体地，关于由内窥镜拍摄的患者体腔内的手术部位的图像的信息可以作为显示信息从设备组5101被传送到or控制器5107。关于由天花板照相机5187拍摄的操作员手附近区域的图像的信息可以作为显示信息从天花板照相机5187被传送。关于由手术场照相机5189拍摄的表示手术室整体情况的图像的信息可以作为显示信息从手术场照相机5189被传送。当具有成像功能的另一设备存在于手术室系统5100中时，or控制器5107还可以从另一设备获取关于由另一设备拍摄的图像的信息作为显示信息。
230.or控制器5107在用作输出目的地设备的显示设备5103a～5103d中的至少一个上显示所获取的显示信息(即，在手术期间拍摄的图像和关于手术的各种类型的信息)。在所
示示例中，显示设备5103a是安装在手术室的天花板上并从其悬挂的显示设备；显示装置5103b是安装在手术室的墙壁表面上的显示设备；显示设备5103c是安装在手术室的桌子上的显示设备；并且，显示设备5103d是具有显示功能的移动设备(诸如平板个人计算机(pc))。
231.if控制器5109控制来自以及通向连接设备的视频信号的输入和输出。例如，if控制器5109基于or控制器5107的控制控制视频信号的输入和输出。if控制器5109包括例如ip切换器，并且控制设置在ip网络上的设备之间的图像(视频)信号的高速传送。
232.手术室系统5100可以包括手术室外部的设备。手术室外的设备可以是连接到医院内置和外置网络的服务器、医护人员使用的pc或安装在医院会议室中的投影仪。当这种外部设备存在于医院外部时，or控制器5107还可以经由例如远程医疗的远程会议系统在另一医院的显示设备上显示显示信息。
233.外部服务器5113为例如手术室外部的医院内服务器或云服务器，并且可以用于例如图像分析和/或数据分析。在这种情况下，手术室中的视频信息可以被传送到外部服务器5113，并且服务器可以通过大数据分析或使用人工智能(ai)(机器学习)的识别/分析处理生成附加信息，并将附加信息反馈到手术室中的显示设备。此时，连接到手术室中的视频设备的ip转换器5115h将数据传送到外部服务器5113，使得视频被分析。传送的数据可以是例如使用内窥镜或其它工具的手术的视频本身、从视频提取的元数据和/或指示所连接的设备的动作状态的数据。
234.手术室系统5100还配有中央操作面板5111。通过中央操作面板5111，用户可以向or控制器5107发出关于if控制器5109的输入/输出控制的指令和关于所连接设备的动作的指令。用户可以通过中央操作面板5111切换图像显示。通过在显示设备的显示表面上设置触摸屏，构成中央操作面板5111。中央操作面板5111可以经由ip转换器5115j连接到if控制器5109。
235.可以通过使用有线网络建立ip网络，或者，可以通过使用无线网络建立部分或全部网络。例如，视频源侧的ip转换器中的每一个可以具有无线通信功能，并且可以经由诸如第五代移动通信系统(5g)或第六代移动通信网络(6g)的无线通信网络将接收的图像传送到输出侧ip转换器。
236.根据本公开的技术可以适当地应用于上述构成当中的天花板照相机5187和手术场照相机5189。具体地，根据上述实施例和变更例中的每一个的固态成像元件1和根据应用示例的成像设备300可以应用于天花板照相机5187和手术场照相机5189等。通过使用根据上述实施例和变更例中的每一个的固态成像元件1和根据应用示例的成像设备300中的任何一个，即使在手术室系统5100中，也能够在抑制布线层数量增加的同时促进tg-fd电容的调节。
237.《8.附录》
238.注意，本技术还可以具有以下构成。
239.(1)
240.一种固态成像元件，包括：
241.第一半导体基板；
242.第二半导体基板，第二半导体基板堆叠在第一半导体基板上，绝缘层介于第一半
导体基板与第二半导体基板之间；
243.光电转换元件，光电转换元件设置在第一半导体基板上并且通过光电转换产生电荷；
244.浮置扩散层，浮置扩散层设置在第一半导体基板上并且保持由光电转换元件产生的电荷；
245.传输栅极，传输栅极是传输晶体管的栅电极，传输晶体管设置在第一半导体基板上并且将由光电转换元件产生的电荷传输到浮置扩散层；
246.第一贯通布线，第一贯通布线电连接到浮置扩散层并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板；
247.第二贯通布线，第二贯通布线电连接到传输栅极并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板；
248.布线层，布线层堆叠在第二半导体基板上并且具有电连接到第一贯通布线或第二贯通布线的布线；和
249.调节层，调节层设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线和第二贯通布线中的两个或一个接触并且调节传输栅极和浮置扩散层之间的电容。
250.(2)
251.根据(1)所述的固态成像元件，其中，
252.调节层包括：
253.设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线接触的扩散层；以及
254.设置在第二半导体基板上以与第二贯通布线接触而不与扩散层接触的栅极层。
255.(3)
256.根据(1)所述的固态成像元件，其中，
257.调节层包括：
258.设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线接触的第一扩散层；以及
259.设置在第二半导体基板上以与第二贯通布线接触而不与第一扩散层接触的第二扩散层。
260.(4)
261.根据(1)所述的固态成像元件，其中，
262.调节层包括：
263.设置在第二半导体基板上以与第二贯通布线接触的扩散层。
264.(5)
265.根据(2)所述的固态成像元件，其中，
266.扩散层由与浮置扩散层相同的材料形成。
267.(6)
268.根据(2)所述的固态成像元件，其中，
269.栅极层由与传输栅极相同的材料形成。
270.(7)
271.根据(3)所述的固态成像元件，其中，
272.第一扩散层和第二扩散层由相同的材料形成。
273.(8)
274.根据(3)所述的固态成像元件，其中，
275.第一扩散层和第二扩散层由与浮置扩散层相同的材料形成。
276.(9)
277.根据(4)所述的固态成像元件，其中，
278.扩散层由与浮置扩散层相同的材料形成。
279.(10)
280.一种电子设备，包括：
281.固态成像元件，其中，
282.固态成像元件包括：
283.第一半导体基板；
284.第二半导体基板，第二半导体基板堆叠在第一半导体基板上，绝缘层介于第一半导体基板与第二半导体基板之间；
285.光电转换元件，光电转换元件设置在第一半导体基板上并且通过光电转换产生电荷；
286.浮置扩散层，浮置扩散层设置在第一半导体基板上并且保持由光电转换元件产生的电荷；
287.传输栅极，传输栅极是传输晶体管的栅电极，传输晶体管设置在第一半导体基板上并且将由光电转换元件产生的电荷传输到浮置扩散层；
288.第一贯通布线，第一贯通布线电连接到浮置扩散层并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板；
289.第二贯通布线，第二贯通布线电连接到传输栅极并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板；
290.布线层，布线层堆叠在第二半导体基板上并且具有电连接到第一贯通布线或第二贯通布线的布线；和
291.调节层，调节层设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线和第二贯通布线中的两个或一个接触并且调节传输栅极和浮置扩散层之间的电容。
292.(11)
293.一种包括根据(1)～(9)中的任一项所述的固态成像元件的电子设备。
294.附图标记列表
295.1固态成像元件
296.10第一基板
297.11第一半导体基板
298.12传感器像素
299.13像素区域
300.20第二基板
301.20a半导体层
302.20b半导体层
303.21第二半导体基板
304.22读出电路
305.23像素驱动线
306.24垂直信号线
307.30第三基板
308.31第三半导体基板
309.32逻辑电路
310.33垂直驱动电路
311.34列信号处理电路
312.35水平驱动电路
313.36系统控制电路
314.40滤色器
315.42p阱层
316.43元件分离部分
317.46绝缘层
318.50光接收透镜
319.51层间绝缘膜
320.52绝缘层
321.53绝缘层
322.54绝缘层
323.55连接布线
324.56布线层
325.57绝缘层
326.58焊盘电极
327.59连接部分
328.61层间绝缘膜
329.62布线层
330.63绝缘层
331.64焊盘电极
332.71第一贯通布线
333.72第二贯通布线
334.74扩散层
335.75栅极层
336.76扩散层
337.77栅电极
338.300成像设备
339.301检测光学系统
340.302快门设备
341.303成像元件
342.304控制电路
343.305信号处理电路
344.306监视器
345.307存储器
346.amp放大晶体管
347.fd浮置扩散
348.pd光电二极管
349.rst复位晶体管
350.sel选择晶体管
351.tg传输栅极
352.tr传输晶体管

技术特征：
1.一种固态成像元件，包括：第一半导体基板；第二半导体基板，第二半导体基板堆叠在第一半导体基板上，绝缘层介于第一半导体基板与第二半导体基板之间；光电转换元件，光电转换元件设置在第一半导体基板上并且通过光电转换产生电荷；浮置扩散层，浮置扩散层设置在第一半导体基板上并且保持由光电转换元件产生的电荷；传输栅极，传输栅极是传输晶体管的栅电极，传输晶体管设置在第一半导体基板上并且将由光电转换元件产生的电荷传输到浮置扩散层；第一贯通布线，第一贯通布线电连接到浮置扩散层并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板；第二贯通布线，第二贯通布线电连接到传输栅极并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板；布线层，布线层堆叠在第二半导体基板上并且具有电连接到第一贯通布线或第二贯通布线的布线；和调节层，调节层设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线和第二贯通布线中的两个或一个接触并且调节传输栅极和浮置扩散层之间的电容。2.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，调节层包括：设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线接触的扩散层；以及设置在第二半导体基板上以与第二贯通布线接触而不与扩散层接触的栅极层。3.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，调节层包括：设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线接触的第一扩散层；以及设置在第二半导体基板上以与第二贯通布线接触而不与第一扩散层接触的第二扩散层。4.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，调节层包括：设置在第二半导体基板上以与第二贯通布线接触的扩散层。5.根据权利要求2所述的固态成像元件，其中，扩散层由与浮置扩散层相同的材料形成。6.根据权利要求2所述的固态成像元件，其中，栅极层由与传输栅极相同的材料形成。7.根据权利要求3所述的固态成像元件，其中，第一扩散层和第二扩散层由相同的材料形成。8.根据权利要求3所述的固态成像元件，其中，第一扩散层和第二扩散层由与浮置扩散层相同的材料形成。9.根据权利要求4所述的固态成像元件，其中，扩散层由与浮置扩散层相同的材料形成。
10.一种电子设备，包括：固态成像元件，其中，固态成像元件包括：第一半导体基板；第二半导体基板，第二半导体基板堆叠在第一半导体基板上，绝缘层介于第一半导体基板与第二半导体基板之间；光电转换元件，光电转换元件设置在第一半导体基板上并且通过光电转换产生电荷；浮置扩散层，浮置扩散层设置在第一半导体基板上并且保持由光电转换元件产生的电荷；传输栅极，传输栅极是传输晶体管的栅电极，传输晶体管设置在第一半导体基板上并且将由光电转换元件产生的电荷传输到浮置扩散层；第一贯通布线，第一贯通布线电连接到浮置扩散层并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板；第二贯通布线，第二贯通布线电连接到传输栅极并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板；布线层，布线层堆叠在第二半导体基板上并且具有电连接到第一贯通布线或第二贯通布线的布线；和调节层，调节层设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线和第二贯通布线中的两个或一个接触并且调节传输栅极和浮置扩散层之间的电容。

技术总结
根据本公开的一个方面的固态成像元件设置有第一半导体基板(11)、绝缘层(46)、第二半导体基板(21)、第一半导体基板(11)的浮置扩散层(FD)、第一半导体基板(11)的传输栅极(TG)、电连接到浮置扩散层(FD)并且贯穿绝缘层(46)和第二半导体基板(21)的第一贯通布线(71)、电连接到传输栅极(TG)并且贯穿绝缘层(46)和第二半导体基板(21)的第二贯通布线(72)、堆叠在第二半导体基板(21)上并且具有电连接到第一贯通布线(71)或第二贯通布线(72)的布线的布线层(56)、以及设置在第二半导体基板(21)上以与第一贯通布线(71)和第二贯通布线(72)中的两个或一个接触并且调节传输栅极(TG)与浮置扩散(FD)之间的电容的调节层。扩散(FD)之间的电容的调节层。扩散(FD)之间的电容的调节层。


技术研发人员：前田修平 田中隆 福井大伸
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2021.11.25
技术公布日：2023/8/5