一种蚀刻液组合物及其应用的制作方法

1.本发明属于化学蚀刻技术领域，具体涉及一种蚀刻液组合物及其应用。


背景技术：

2.液晶面板阵列基板上形成金属配线的过程通常包括：溅镀(sputter)成膜工艺、光刻胶或光致抗蚀剂涂布和显影工艺、形成金属配线的湿蚀刻工艺以及金属配线图案化后的去除不需要的光刻胶或光致抗蚀剂剥离工艺。
3.其一，目前面板厂正往大尺寸、高画质方向发展，由于产品更新升级和工厂资源技术路线转型的需要，不同膜层材料结构工艺的组合使用能更多的提高设计的便利性和提升产品性能裕度。对于不同世代的面板产品金属配线结构，金属配线上下层结构以及不同的阵列基板制作工艺，对蚀刻液的蚀刻特性要求也会不一样；对于不同工序，例如tft阵列电极与像素电极亦需要专门的化学品来完成制造。而现有的化学品方案往往仅能满足某一种特定用途配线结构的蚀刻，很难满足不同金属以及金属氧化物配线结构的蚀刻，故当需要蚀刻不同种材料构成的配线结构时，需要采用多种不同的蚀刻液，这无疑造成了蚀刻液的往复切换，设备的往复清洗，或者是更大的设备投资，在蚀刻液的回收端也会因为处理不同的蚀刻液而增加投资和损耗。
4.其二，在金属氧化物薄膜蚀刻领域，现有技术通常注重于铟氧化物的蚀刻深度或者去除，对铟氧化物的蚀刻锥角(taper)未进行进一步控制，存在蚀刻锥角形态失控的问题，所形成的金属氧化物膜层锥角可能是无参数范围(图1)甚至是逆锥角的形态(图2)，在工艺控制方面不利于后续cvd/pvd材料的附着，面临台阶附着不良的制造风险。


技术实现要素：

5.针对现有蚀刻液对于不同金属以及金属氧化物的适配性差以及对铟氧化物存在蚀刻锥角形态失控的问题，本发明提供了一种蚀刻液组合物及其应用。
6.本发明解决上述技术问题所采用的技术方案如下：
7.一方面，本发明提供了一种蚀刻液组合物，包括以下组分：
8.氧化剂、氟离子源、金属螯合剂、蚀刻调节剂、ph调节剂和水；
9.所述蚀刻调节剂包括碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐；
10.所述蚀刻液组合物满足以下条件：
11.当0.01％≤ma+mb≤0.5％时，0.33≤mb/ma≤3；
ꢀꢀꢀ
关系式(1)
12.当0.5％＜ma+mb≤1.5％时，2≤mb/ma≤4；
ꢀꢀꢀ
关系式(2)
13.其中，ma为蚀刻液组合物中碳杂环化合物及其盐的质量百分含量，mb为蚀刻液组合物中无机酸及其盐的质量百分含量。
14.可选的，包括以下重量组分：
15.氧化剂3％～25％，氟离子源0.1％～2％，金属螯合剂0.1％～10％，蚀刻调节剂0.01％～1.5％，ph调节剂0.01％～10％，以及余量的水；
16.其中，碳杂环化合物及其盐0.005-1％，无机酸及其盐0.005-1％。
17.可选的，所述氧化剂包括双氧水、过硫酸铵和过硫酸钠中的一种或多种。
18.可选的，所述氟离子源包括氟化氢铵、氟化氢钾、氟化钠、氟化钾、氟化氢钠和氢氟酸中的一种或多种。
19.可选的，所述金属螯合剂包括柠檬酸、苹果酸、丁二酸、丙二酸、乙二酸、亚氨基二乙酸、次氨基三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、氨基三亚甲基膦酸、1-羟基亚乙基-1,1-二磷酸、乙二胺四甲基磷酸和二亚乙基三胺五亚甲基磷酸中的一种或多种。
20.可选的，所述碳杂环化合物及其盐包括5-氨基四唑、甲基四唑、吡啶、苯并吡唑、苯并咪唑、甲基苯三唑和羟甲基苯三唑中的一种或多种、和/或以上化合物的金属盐化合物；
21.所述无机酸及其盐包括硫酸、硫酸钠、硫酸氢钠、硫酸钾、硫酸氢钾、硫酸铵、硫酸氢铵、硝酸、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铵、磷酸、磷酸钠、磷酸二氢钠、磷酸氢二钠、磷酸钾、磷酸二氢钾、磷酸氢二钾、磷酸铵、磷酸氢二铵、磷酸二氢铵、乙酸、乙酸钠、乙酸钾和乙酸铵中的一种或多种。
22.可选的，所述ph调节剂包括氢氧化钠、氨、氢氧化钾、异丙醇胺和三乙醇胺中的一种或多种。
23.可选的，所述蚀刻液组合物还包括金属防护剂0.1％～1％和金属离子1-5ppm。
24.可选的，所述金属防护剂包括苯并三氮唑、巯基苯并三唑、2-巯基苯并三唑和二乙基硫脲中的一种或多种；
25.所述金属离子包括铜、铝、钼、钛、钨和铌中的一种或多种。
26.另一方面，本发明提供了如上所述的蚀刻液组合物在金属及金属氧化物蚀刻液或返工液中的应用。
27.根据本发明提供的蚀刻液组合物，通过多成分组合，满足对于不同金属及金属氧化物的蚀刻需要，能同时兼容不同金属和非金属膜质的蚀刻制造以及返工需要，不需要采用多种不同的蚀刻液进行多道蚀刻，减少了处理工序和清洗步骤，有效降低设备成本和提高了蚀刻效率，带来更显著的经济效益；同时，为了保证在蚀刻过程中对金属氧化物膜的底部锥角形成稳定的蚀刻效果，避免形成逆锥角或倒角等不利因素，采用了碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐作为蚀刻调节剂，同时对于碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐的质量关系进行了大量试验发现，在本发明提供的蚀刻液体系中，碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐的添加量以及相互之间的比例对于金属氧化物膜的底部蚀刻锥角的形成具有明显的关联性，当碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐满足关系式(1)或关系式(2)时，能够稳定控制金属氧化物的蚀刻结构，形成底部锥角结构完整，保证稳定的欧姆接触、低的尖端放电风险、低的填充附着不良，在器件的性能上满足光电子元件多元的电性设计和性能提升，以及在稳定的锥角参数上进一步制程/结构设计的可能性。
附图说明
28.图1是现有铟氧化物的蚀刻锥角缺陷(无参数范围)电镜图；
29.图2是现有铟氧化物的蚀刻锥角缺陷(逆锥角)电镜图。
具体实施方式
30.为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
31.本发明一实施例提供了一种蚀刻液组合物，包括以下组分：
32.氧化剂、氟离子源、金属螯合剂、蚀刻调节剂、ph调节剂和水；
33.所述蚀刻调节剂包括碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐；
34.所述蚀刻液组合物满足以下条件：
35.当0.01％≤ma+mb≤0.5％时，0.33≤mb/ma≤3；
ꢀꢀꢀ
关系式(1)
36.当0.5％＜ma+mb≤1.5％时，2≤mb/ma≤4；
ꢀꢀꢀ
关系式(2)
37.其中，ma为蚀刻液组合物中碳杂环化合物及其盐的质量百分含量，mb为蚀刻液组合物中无机酸及其盐的质量百分含量。
38.所述蚀刻液组合物通过多成分组合，满足对于不同金属及金属氧化物的蚀刻需要，能同时兼容不同金属和非金属膜质的蚀刻制造以及返工需要，不需要采用多种不同的蚀刻液进行多道蚀刻，减少了处理工序和清洗步骤，有效降低设备成本和提高了蚀刻效率，带来更显著的经济效益。
39.同时，为了保证在蚀刻过程中对金属氧化物膜的底部锥角形成稳定的蚀刻效果，避免形成逆锥角或倒角等不利因素，采用了碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐作为蚀刻调节剂，同时对于碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐的质量关系进行了大量试验发现，在本发明提供的蚀刻液体系中，碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐的添加量以及相互之间的比例对于金属氧化物膜的底部蚀刻锥角的形成具有明显的关联性，当碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐满足关系式(1)或关系式(2)时，能够稳定控制金属氧化物的蚀刻结构，形成底部锥角结构完整，保证稳定的欧姆接触、低的尖端放电风险、低的填充附着不良，在器件的性能上满足光电子元件多元的电性设计和性能提升，以及在稳定的锥角参数上进一步制程/结构设计的可能性。
40.在一些实施例中，所述蚀刻液组合物包括以下重量组分：
41.氧化剂3％～25％，氟离子源0.1％～2％，金属螯合剂0.1％～10％，蚀刻调节剂0.01％～1.5％，ph调节剂0.01％～10％，，以及余量的水；
42.其中，碳杂环化合物及其盐0.005-1％，无机酸及其盐0.005-1％。
43.在具体的实施例中，所述氧化剂的重量组分可以为3％、3.2％、3.5％、3.8％、4％、4.5％、5％、5.5％、6％、6.5％、7％、7.5％、7.8％、8％、8.5％、9％、9.5％、10％、11％、13％、13.2％、13.5％、13.8％、14％、14.5％、15％、15.5％、16％、16.5％、17％、17.5％、17.8％、18％、18.5％、19％、19.5％、20％、21％、23％、23.2％、23.5％、23.8％、24％、24.5％或25％；所述氟离子源的重量组分可以为0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.55％、0.6％、0.65％、0.7％、0.75％、0.8％、0.85％、0.9％、0.95％、1％、1.1％、1.15％、1.2％、1.25％、1.3％、1.35％、1.4％、1.45％、1.5％、1.55％、1.6％、1.65％、1.7％、1.75％、1.8％、1.85％、1.9％、1.95％或2％；所述金属螯合剂的重量组分可以为0.1％、0.12％、0.15％、0.3％、0.5％、0.8％、0.9％、1.0％、1.2％、1.4％、1.7％、1.9％、2.1％、2.2％、2.4％、2.7％、2.9％、3％、3.2％、3.5％、3.8％、4％、4.5％、5％、5.5％、6％、6.5％、7％、7.5％、
7.8％、8％、8.5％、9％、9.5％或10％；所述蚀刻调节剂的重量组分可以为0.01％、0.02％、0.05％、0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.55％、0.6％、0.65％、0.7％、0.75％、0.8％、0.85％、0.9％、0.95％、1％、1.1％、1.15％、1.2％、1.25％、1.3％、1.35％、1.4％、1.45％或1.5％；所述ph调节剂的重量组分可以为0.01％、0.02％、0.05％、0.1％、0.12％、0.15％、0.3％、0.5％、0.8％、0.9％、1.0％、1.2％、1.4％、1.7％、1.9％、2.1％、2.2％、2.4％、2.7％、2.9％、3％、3.2％、3.5％、3.8％、4％、4.5％、5％、5.5％、6％、6.5％、7％、7.5％、7.8％、8％、8.5％、9％、9.5％或10％；所述碳杂环化合物及其盐的重量组分可以为0.005％、0.01％、0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.55％、0.6％、0.65％、0.7％、0.75％、0.8％、0.85％、0.9％、0.95％、1％；所述无机酸及其盐的重量组分可以为0.005％、0.01％、0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.55％、0.6％、0.65％、0.7％、0.75％、0.8％、0.85％、0.9％、0.95％、1％。
44.本蚀刻液组合物提供的组分中，氧化剂用于对金属及合金进行氧化，使金属转变成金属氧化物以继续蚀刻。
45.在一些实施例中，所述氧化剂包括双氧水、过硫酸铵和过硫酸钠中的一种或多种。
46.本蚀刻液组合物提供的组分中，氟离子源用于金属氧化物中金属-氧键的解离，使金属氧化物转变成金属离子以继续蚀刻。通过所述氟离子源和所述氧化剂进行组合，能够有效提高对于金属和金属氧化物的蚀刻效果，具有较好的蚀刻底物适应性。
47.所述双氧水的浓度为15wt.％～50wt.％。
48.在一些实施例中，所述氟离子源包括氟化氢铵、氟化氢钾、氟化钠、氟化钾、氟化氢钠和氢氟酸中的一种或多种。
49.本蚀刻液组合物提供的组分中，金属螯合剂用于将金属离子转变成较为稳定的金属螯合物，避免蚀刻液中金属离子饱和，促进蚀刻过程的进行。
50.在一些实施例中，所述金属螯合剂包括柠檬酸、苹果酸、丁二酸、丙二酸、乙二酸、亚氨基二乙酸、次氨基三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、氨基三亚甲基膦酸、1-羟基亚乙基-1,1-二磷酸、乙二胺四甲基磷酸和二亚乙基三胺五亚甲基磷酸中的一种或多种。
51.在优选的实施例中，所述金属螯合剂包括乙二酸和苹果酸中的一种或多种；当金属螯合剂选自乙二酸、苹果酸或乙二酸或苹果酸与其他螯合剂形成的组合时，对于铜离子和铟离子具有较好的螯合效果，利于对于铜合金膜及铟氧化物膜的蚀刻应用。
52.本蚀刻液组合物提供的组分中，蚀刻调节剂主要用于对于金属氧化物膜蚀刻效果的调节，例如对于金属氧化物膜的底部锥角的蚀刻效果的调节。
53.其中，碳杂环化合物及其盐作用在于可以吸附在金属表面，降低氧化剂和氟离子源的反应效率从而达到调节蚀刻锥角和蚀刻速度的目的。
54.无机酸及其盐可以通过离子交换的方式，调节金属氧化物转化为金属离子的反应速度，起到优化反应速度、及使蚀刻截面更均匀的作用。
55.在一些实施例中，所述碳杂环化合物及其盐包括5-氨基四唑、甲基四唑、吡啶、苯并吡唑、苯并咪唑、甲基苯三唑和羟甲基苯三唑中的一种或多种、和/或以上化合物的金属盐化合物；
56.所述无机酸及其盐包括硫酸、硫酸钠、硫酸氢钠、硫酸钾、硫酸氢钾、硫酸铵、硫酸氢铵、硝酸、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铵、磷酸、磷酸钠、磷酸二氢钠、磷酸氢二钠、磷酸钾、磷酸
二氢钾、磷酸氢二钾、磷酸铵、磷酸氢二铵、磷酸二氢铵、乙酸、乙酸钠、乙酸钾和乙酸铵中的一种或多种。
57.本蚀刻液组合物提供的组分中，ph调节剂用于对蚀刻液组合物的整体ph值进行调节，使蚀刻液组合物的ph值维持稳定。
58.在一些实施例中，所述ph调节剂包括氢氧化钠、氨、氢氧化钾、异丙醇胺和三乙醇胺中的一种或多种。
59.在一些应用情况下，比如在对蚀刻后工件进行返工操作时，需要在短时间内选择性地彻底去除其中的金属氧化物，同时不对特定金属单质或合金造成损伤，例如通孔位置的金属，如采用上述蚀刻液组合物，则存在对于金属和金属氧化物同时具有蚀刻作用的问题，导致返工失败。
60.为解决上述问题，在一些实施例中，所述蚀刻液组合物还包括金属防护剂0.1％～1％和金属离子1-5ppm。
61.在具体的实施例中，所述蚀刻液组合物的重量组分可以为0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.55％、0.6％、0.65％、0.7％、0.75％、0.8％、0.85％、0.9％、0.95％或1％；所述金属离子的重量组分可以为1.0ppm、1.2ppm、1.4ppm、1.7ppm、1.9ppm、2.1ppm、2.2ppm、2.4ppm、2.7ppm、2.9ppm、3ppm、3.2ppm、3.5ppm、3.8ppm、4ppm、4.5ppm或5ppm。
62.其中，金属防护剂用于对金属成分进行临时性保护，达到选择性去除金属氧化物膜层但短时间内不对通孔部位金属造成损伤的需要，术语“短时间”指的是在除去金属氧化物膜的制造用时基础上可满足额外的过蚀刻时间(overetchtime，oet)下不发生通孔部位金属损伤的时间尺度。
63.更重要的是，发明人意外发现，通过在蚀刻液组合物中加入微量与目标金属对应的金属离子，加入的金属离子与金属防护剂配合，能够实现对于目标金属保护效果的显著提升。术语“目标金属”指的是蚀刻过程中需要进行临时性保护的金属成分。
64.通过加入金属防护剂和对应的金属离子，本发明过蚀刻时间oet可以为返工制造用时的20％，30％，50％，100％，满足充分的返工裕度。
65.在一些实施例中，所述金属防护剂包括苯并三氮唑、巯基苯并三唑、2-巯基苯并三唑和二乙基硫脲中的一种或多种；
66.所述金属离子包括铜、铝、钼、钛、钨和铌中的一种或多种。
67.本发明的另一实施例提供了如上所述的蚀刻液组合物的制备方法，包括以下操作步骤：
68.将氧化剂、氟离子源、金属螯合剂、蚀刻调节剂、ph调节剂和水进行混合得到蚀刻液组合物。
69.需要说明的是，水可以在制备过程中部分加入，在使用时再加入其余的水进行稀释，以得到蚀刻液组合物。
70.在一些实施例中，当所述蚀刻液组合物用于金属氧化物的蚀刻时，在所述蚀刻液组合物加入质量比例0.1％～1％的金属防护剂和1-5ppm的金属离子。
71.本发明的另一实施例提供了如上所述的蚀刻液组合物在金属及金属氧化物蚀刻液或返工液中的应用。
72.当所述蚀刻液组合物不含所述金属防护剂时，所述蚀刻液组合物可作为金属及金
属氧化物蚀刻液使用。
73.当所述蚀刻液组合物含所述金属防护剂时，所述蚀刻液组合物可作为金属及金属氧化物的返工液使用，具体的，可用于对金属氧化物进行蚀刻并在短时间内对通孔部位的金属不造成可见损伤。
74.在一些实施例中，所述金属包括铜、铝、钼、钛、钨和铌中的一种或多种。
75.在一些实施例中，所述金属包括铜钼、铜钛、铜钼钛、铜钼铌中的一种或多种。
76.在一些实施例中，所述金属氧化物包括含铟氧化物。
77.在一些实施例中，所述含铟氧化物包括氧化铟锡和氧化铟镓锌中的一种或多种。
78.在一些实施例中，所述金属的厚度为所述金属氧化物的厚度为
79.在一些实施例中，所述金属及金属氧化物包括单层的金属膜、单层的铟氧化物膜，或金属膜和铟氧化物膜形成的叠层膜。
80.在一些实施例中，所述金属及金属氧化物形成于薄膜配线基板上或像素电极上。
81.以下通过实施例对本发明进行进一步的说明。
82.表1
83.[0084][0085]
实施例1～15
[0086]
实施例1～15用于说明本发明公开的蚀刻液组合物及其制备方法，包括以下操作步骤：
[0087]
采用表1中实施例1～15所示质量份的组分，按质量份数混合，得到蚀刻液组合物。
[0088]
对比例1～10
[0089]
对比例1～10用于对比说明本发明公开的蚀刻液组合物及其制备方法，包括以下操作步骤：
[0090]
采用表1中对比例1～10所示质量份的组分，按质量份数混合，得到蚀刻液组合物。
[0091]
性能测试
[0092]
1、对上述实施例1～15和对比例1～10制备得到的蚀刻液组合物进行如下性能测试：
[0093]
对于双层金属配线结构的蚀刻效果进行检测，双层金属配线结构包括有铜合金层和氧化铟锡层。其中，蚀刻实验和数据为35℃下进行，量测方法为sem量测，蚀刻时对部分像素电极通孔做露出处理，测试对于像素电极通孔处金属铜的腐蚀速率。
[0094]
得到的测试结果填入表2。
[0095]
表2
[0096][0097][0098]
从表2中数据可以看出，本发明各实施例提供的蚀刻液组合物对于不同蚀刻对象
均有一定的蚀刻效果，且整体蚀刻效果优于对比例提供的蚀刻液组合物的蚀刻效果。
[0099]
具体的，从实施例1、2、4以及对比例1～4和6～10可以看出，实施例及对比例均能对铜合金及铟氧化物膜进行蚀刻，但是实施例的铟氧化物膜的taper角度不会出现倒角及逆taper的缺陷问题，而对比例中铟氧化物膜的taper角出现不同程度的缺陷问题，这与碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐的质量关系存在直接关联。同时，从实施例10～15的测试结果可知，当采用不同种类的碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐组合时，满足关系式(1)或关系式(2)时，同样对于铟氧化物膜具有较好的锥角蚀刻效果，说明该关系式(1)和关系式(2)适用于不同的碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐。
[0100]
从实施例1、2、4及对比例5可以看出，对比例5可以完成铟氧化物膜的蚀刻，但是却无法进行铜合金的蚀刻，实施例所提供的蚀刻液组合物具有更好的针对铜合金以及铟氧化物膜的蚀刻兼容能力。
[0101]
2、对实施例3、5、7～9制备得到的蚀刻液组合物进行如下性能测试：
[0102]
对于双层金属配线结构的返工蚀刻效果进行检测，双层金属配线结构包括有钼合金层和氧化铟锡层。其中，蚀刻实验和数据为35℃下进行，返工蚀刻后检测钼合金层、氧化铟锡层是否残留，同时测试对像素电极通孔处金属铜的蚀刻速率。
[0103]
得到的测试结果填入表3。
[0104]
表3
[0105][0106]
从实施例3、5、7、8、9可以看出，实施例3、5、7、8、9是在实施例2、4、6的基础上稍作改动或者并且完成了金属防护剂部分的添加设计，通过像素电极通孔处的金属腐蚀速率可以看出，通过进行金属防护剂的设置，指定金属的腐蚀速率得到了非常大的降低，由此可以满足像素电极返工蚀刻工艺的生产制造，而不进行金属防护剂添加的实施例2、4、6则仍然保留较快的针对指定金属的腐蚀速率。从实施例3、5、7、8、9可以看出，在添加指定金属元素至溶液中后，金属的腐蚀速率出现进一步降低，说明可以通过进一步添加指定需保护的金属离子来提高对金属的防护作用。
[0107]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，包括以下组分：氧化剂、氟离子源、金属螯合剂、蚀刻调节剂、ph调节剂和水；所述蚀刻调节剂包括碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐；所述蚀刻液组合物满足以下条件：当0.01％≤m
a
+m
b
≤0.5％时，0.33≤m
b
/m
a
≤3；关系式(1)当0.5％＜m
a
+m
b
≤1.5％时，2≤m
b
/m
a
≤4；关系式(2)其中，m
a
为蚀刻液组合物中碳杂环化合物及其盐的质量百分含量，m
b
为蚀刻液组合物中无机酸及其盐的质量百分含量。2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，包括以下重量组分：氧化剂3％～25％，氟离子源0.1％～2％，金属螯合剂0.1％～10％，蚀刻调节剂0.01％～1.5％，ph调节剂0.01％～10％，以及余量的水；其中，碳杂环化合物及其盐0.005-1％，无机酸及其盐0.005-1％。3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述氧化剂包括双氧水、过硫酸铵和过硫酸钠中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述氟离子源包括氟化氢铵、氟化氢钾、氟化钠、氟化钾、氟化氢钠和氢氟酸中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属螯合剂包括柠檬酸、苹果酸、丁二酸、丙二酸、乙二酸、亚氨基二乙酸、次氨基三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、氨基三亚甲基膦酸、1-羟基亚乙基-1,1-二磷酸、乙二胺四甲基磷酸和二亚乙基三胺五亚甲基磷酸中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述碳杂环化合物及其盐包括5-氨基四唑、甲基四唑、吡啶、苯并吡唑、苯并咪唑、甲基苯三唑和羟甲基苯三唑中的一种或多种、和/或以上化合物的金属盐化合物；所述无机酸及其盐包括硫酸、硫酸钠、硫酸氢钠、硫酸钾、硫酸氢钾、硫酸铵、硫酸氢铵、硝酸、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铵、磷酸、磷酸钠、磷酸二氢钠、磷酸氢二钠、磷酸钾、磷酸二氢钾、磷酸氢二钾、磷酸铵、磷酸氢二铵、磷酸二氢铵、乙酸、乙酸钠、乙酸钾和乙酸铵中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述ph调节剂包括氢氧化钠、氨、氢氧化钾、异丙醇胺和三乙醇胺中的一种或多种。8.根据权利要求2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物还包括金属防护剂0.1％～1％和金属离子1-5ppm。9.根据权利要求8所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属防护剂包括苯并三氮唑、巯基苯并三唑、2-巯基苯并三唑和二乙基硫脲中的一种或多种；所述金属离子包括铜、铝、钼、钛、钨和铌中的一种或多种。10.如权利要求1～9任意一项所述的蚀刻液组合物在金属及金属氧化物蚀刻液或返工液中的应用。

技术总结
为克服现有蚀刻液对于不同金属以及金属氧化物的适配性差以及对铟氧化物存在蚀刻锥角形态失控的问题，本发明提供了一种蚀刻液组合物，其特征在于，包括以下组分：氧化剂、氟离子源、金属螯合剂、蚀刻调节剂、pH调节剂和水；所述蚀刻调节剂包括碳杂环化合物及其盐和无机酸及其盐；所述蚀刻液组合物满足以下条件：当0.01％≤m


技术研发人员：梅园 鄢艳华
受保护的技术使用者：深圳新宙邦科技股份有限公司
技术研发日：2023.03.30
技术公布日：2023/8/5