在膜中制造纳米孔的方法、装置及叠加电场的生成装置与流程

1.本技术涉及在膜中制造纳米孔的方法、装置及叠加电场的生成装置。


背景技术：

2.随着纳米技术的发展和检测单分子能力的兴起，促进了现代科学和医学的非凡进步。其中，单分子测量方法的核心是检测过程中在空间和时间上限制住单个分析物，理想情况下，探测器的尺度应该与分析物的尺寸相当，以达到单分子灵敏度，因此，基于固态纳米孔结构的单分子检测技术发展迅速，而利用与检测分子尺度相当的纳米孔来控制和传感分析物，可以更好地理解其分子行为和相互作用。
3.目前，纳米孔通常被嵌入在介质膜中，通过将介质膜布置在流体中，介质膜对流体中进行分隔，然后通过施加穿过介质膜的电势，该电势用于加速流体中的带电离子，由于介质膜中存在一些缺陷，带电离子将量子隧穿进入这些缺陷中，这些隧穿进入缺陷的带电离子将产生泄漏电流，同时在介质膜中引起更多的缺陷，当缺陷累积到一定量时，介质膜就会发生永久性破坏击穿，此时，泄漏电流会突然增加，以在介质膜上形成纳米级的孔。
4.针对上述相关技术，发明人发现：施加电势穿过介质膜，带电离子在介质膜产生新缺陷的位置是随机的，导致难以精准生成纳米孔。


技术实现要素：

5.为了提高制造纳米孔的精准性，本技术提供在膜中制造纳米孔的方法、装置及叠加电场的生成装置。
6.第一方面，本技术提供的一种用于在膜中制造纳米孔的方法，采用如下的技术方案：一种用于在膜中制造纳米孔的方法，包括以下步骤：将由电介质材料组成的膜布置在容器中，其中，所述容器中填充有含有离子的流体，所述膜将所述流体分隔成两部分；施加电势于所述膜两侧的第一电极及第二电极上，所述第一电极包括至少两导电臂，其中，至少一所述导电臂与所述第二电极之间形成的电场与至少另一所述导电臂与所述第二电极之间形成的电场叠加，以形成电场增强的电场叠加区，所述膜的预设区域位于所述电场叠加区；监测穿过所述膜的泄露电流；在检测到所述泄漏电流突然增加时，移除穿过所述膜的所述电势。
7.通过采用上述技术方案，施加电势于第一电极及第二电极上，该电势形成电场增强的电场叠加区，且膜的预设区域位于电场叠加区上，在预设区域内发生量子隧穿和新缺陷的机率远远高于其他区域，因此，在预设区域位置的膜更容易被击穿，使纳米孔形成的位置可以被定域，进而提高了制造纳米孔的精准性。
8.优选的，还包括：
所述电势为交变电势，以在所述膜的两侧交替形成所述电场叠加区。
9.通过采用上述技术方案，在膜的两侧依次形成叠加电场，便于在膜两侧的预设区域形成新的缺陷。
10.优选的，所述电场叠加区呈尖角形。
11.通过采用上述技术方案，叠加电场呈尖角形，可在预设区域形成一个点，进一步提高了制造纳米孔的精准性。
12.优选的，所述在检测到所述泄漏电流突然增加时，移除穿过所述膜的所述电势，包括：监测所述泄漏电流的变化速率；将所述变化速率与速率阈值进行比较，在所述变化速率大于所述速率阈值时，移除穿过所述膜的所述电势。
13.优选的，所述在检测到所述泄漏电流突然增加时，移除穿过所述膜的所述电势，包括：监测所述泄漏电流的电流值；将所述电流值与电流阈值进行比较，在所述电流值大于所述电流阈值时，移除穿过所述膜的所述电势。
14.通过采用上述技术方案，便于对泄漏电流突然增加的状态进行检测。
15.优选的，还包括调节所述施加电势的大小，以调节制造纳米孔的时间。
16.优选的，还包括调节流体中的离子浓度，以调节制造纳米孔的时间。
17.通过采用上述技术方案，可根据实际需求调整制造纳米孔的时间，实用性强。
18.第二方面，本技术提供一种叠加电场的生成装置，采用如下的技术方案：一种叠加电场的生成装置，包括：电源；导电体，所述导电体包括第一电极和第二电极，所述第一电极、第二电极分别与所述电源的正负极连接，所述第一电极包括本体及设置于所述本体上的至少两导电臂，所述第二电极呈柱形，所述第二电极位于所述本体的轴线位置，至少两所述导电臂位于所述本体的同一侧，且至少两所述导电臂环绕于所述第二电极间隔均匀设置，所述第二电极的端部与所述导电臂的端部之间有距离。
19.通过采用上述技术方案，产生的电场可在第二电极的端部形成汇集，以形成尖角形的叠加电场。
20.优选的，所述第一电极呈空心圆筒状，该圆筒的一端作为所述本体，圆筒的侧壁作为所述导电臂。
21.优选的，所述第一电极呈圆柱状，所述第二电极外径与所述第二电极(30)直径的比值为（）：1。
22.优选的，所述第二电极的端部与所述导电臂的端部之间沿所述第二电极轴向方向的距离为3cm10cm。
23.通过采用上述技术方案，可形成形态较好的尖角形的叠加电场。
24.第三方面，本技术提供一种用于在膜中制造纳米孔的装置，采用如下的技术方案：
一种用于在膜中制造纳米孔的装置，包括：容器，所述容器内设有通道，所述通道用于布置由电介质材料组成的膜，所述容器中填充有含有离子的流体，所述膜将所述流体分隔成两部分；电源；导电体，设置于容器上并正对所述膜，且与所述电源电连接，所述导电体包括所述膜两侧的第一电极及第二电极，所述第一电极包括至少两导电臂，用于施加电势于所述第一电极及第二电极上，至少一所述导电臂与所述第二电极之间形成的电场与至少另一所述导电臂与所述第二电极之间形成的电场叠加，以形成电场增强的电场叠加区，所述膜的预设区域位于所述电场叠加区；电流传感器，用于监测穿过所述膜的泄露电流；控制器，与所述电流传感器、所述电源连接，用于在所述泄漏电流突然增加时，移除穿过所述膜的所述电势。
25.通过采用上述技术方案，施加电势于第一电极及第二电极上，该电势形成电场增强的电场叠加区，且膜的预设区域位于电场叠加区上，在预设区域内发生量子隧穿和新缺陷的机率远远高于其他区域，因此，在预设区域位置的膜更容易被击穿，而当膜被击穿时，此时，电流传感器检测到泄漏电流突然增加，控制器通过控制电源移除穿过膜的电势，以完成单孔的纳米孔的制造。其中，纳米孔形成的位置可以被定域，进而提高了制造纳米孔的精准性。
26.优选的，所述第一电极还包括本体，所述第二电极呈柱形，所述第二电极位于所述本体的轴线位置，所述第二电极与所述容器侧壁固定连接，所述第二电极的一端至于所述流体中，至少两所述导电臂设置于所述本体的同一侧，且至少两所述导电臂环绕于所述第二电极间隔均匀设置。
27.优选的，所述第二电极与所述膜的距离为1
∗
m1
∗
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28.优选的，所述第二电极的端部与所述导电臂的端部之间沿所述第二电极轴向方向的距离为3cm~10cm。
29.优选的，所述第一电极呈空心圆筒状，该圆筒的一端作为所述本体，圆筒的侧壁作为所述导电臂。
30.优选的，所述第二电极呈圆柱状，所述第一电极外径与所述第二电极直径的比值为（）：1。
31.通过采用上述技术方案，产生的电场可汇集到第二电极的端部，以形成尖角形的叠加电场，尖角形的叠加电场作用在预设区域上的区域为一个点，可进一步提高制造纳米孔的精准性。
32.优选的，所述电源有两个，所述导电体有两组，两组所述导电体分别与两个所述电源电连接，且两组所述导电体中心对称设置；所述控制器与两个所述电源连接，用于控制两个所述电源交替工作，以形成两个交变的电势。
33.通过采用上述技术方案，控制电源交替工作，在膜的两侧依次形成叠加电势，便于在膜两侧的预设区域形成新的缺陷。
34.综上所述，本技术包括以下有益技术效果：通过设置电场增强的电场叠加区，在预
设区域发生量子隧穿和新缺陷的机率远远高于其他区域，使纳米孔形成的位置可以被定域，进而提高了制造纳米孔的精准性。
附图说明
35.图1是本技术实施例1中一种叠加电场的生成装置的结构示意图；图2是本技术实施例2中一种叠加电场的生成装置的结构示意图；图3是本技术实施例3中一种叠加电场的生成装置的结构示意图；图4是本技术实施例4中一种用于在膜中制造纳米孔的装置的结构示意图；图5是本技术实施例5中一种用于在膜中制造纳米孔的装置的结构示意图；图6是本技术实施例6中一种用于在膜中制造纳米孔的装置的结构示意图；图7是本技术实施例7中一种用于在膜中制造纳米孔的装置的结构示意图；图8是本技术实施例8中一种用于在膜中制造纳米孔的方法的流程示意图。
36.附图标记说明：10、电源；20、第一电极；21、本体；22、导电臂；30、第二电极；40、容器；41、第一空腔；42、第二空腔；43、通道；44、连接板；50、电流传感器；60、控制器。
具体实施方式
37.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图1-8及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
38.实施例1参照图1，本技术实施例公开一种叠加电场的生成装置，生成装置包括电源10和导电体，其中，导电体包括第一电极20和第二电极30，在本实施例中，第一电极20与电源10的正极连接，第二电极30与电源10的负极连接；在其他实施例中，第一电极20也可以与电源10的负极连接，而第二电极30与电源10的正极连接。
39.在本实施例中，第一电极20呈包括呈环形的本体21及设置于本体21上的两导电臂22，两导电臂22位于本体21的同一侧，且两导电臂22对称设置，两导电臂22垂直于本体21所在的平面，使第一电极20呈轴对称形状；在其他实施例中，两导电臂22也可以不垂直于本体21所在的平面。
40.在本实施例中，第二电极30呈细长圆柱形；在其他实施例中，第二电极30也可以呈棱柱形。其中，第二电极30位于第一电极20的轴线位置，第二电极30的端部与导电臂22的端部之间有距离。
41.实施例1的原理为：打开电源10，每一导电臂22与第二电极30之间形成电场，两个电场分别从两导电臂22端部向第二电极30的端部收拢，形成尖角形的电场，两电场在第二电极30的端部位置叠加，由于两电场在第二电极30的端部位置的矢量方向一致，从而在第二电极30的端部处形成电场增强的电场叠加区。
42.其中，当第一电极20与电源10的负极连接，第二电极30与电源10的正极连接时，两导电臂22与第二电极30之间的电场从第二电极30的端部向两导电臂22端部方向分散，形成尖角形的电场，两电场在第二电极30的端部位置叠加。同样，由于两电场在第二电极30的端部位置的矢量方向一致，从而在第二电极30的端部处形成电场增强的电场叠加区。
43.实施例2参照图2，本实施例与实施例1的不同之处在于，第一电极20的本体21呈方形。
44.实施例3参照图3，本实施例与实施例1的不同之处在于，第一电极20呈空心圆筒状，圆筒远离第二电极30的一端作为本体21，圆筒的侧壁作为导电臂22。
45.可选的，第一电极20外径与第二电极30直径的比值为（）：1，其中，第二电极30的直径尺寸为微米级别甚至纳米级别。
46.可选的，第二电极30的端部与导电臂22的端部之间的距离为3cm~10cm，该距离为沿第二电极30轴向方向的距离。
47.实施例3的原理为：打开电源10，圆筒的端部与第二电极30之间相当于形成多个电场，多个电场从圆筒的端部向第二电极30的端部收拢，形成尖角形的电场，多个电场在第二电极30的端部位置叠加，由于多个电场在第二电极30的端部位置的矢量方向一致，从而在第二电极30的端部处形成电场增强的电场叠加区。
48.实施例4参照图4，本技术实施例公开一种用于在膜中制造纳米孔的装置，包括容器40、电源10、导电体、电流传感器50和控制器60，其中，容器40由绝缘材料制成。在本实施例中，容器40内设置有第一空腔41与第二空腔42，第一空腔41与第二空腔42通过通道43连通。
49.可选的，容器40内设置有连接板44，连接板44卡接固定在第一空腔41与第二空腔42之间，通道43设置在连接板44上，通道43用于布置由电介质材料组成的膜。在实际使用时，在第一空腔41与第二空腔42填充含有离子的流体时，膜将流体分隔成两部分。其中，第一空腔41与第二空腔42中的流体可以相同，也可以不同。
50.在本实施方案中，膜可以由氮化硅组成；在其他实施例中，膜也可以由氧化物和氮化物组成，膜还可以由包括电介质材料和/或导电材料的多层材料组成。
51.电流传感器50用于监测穿过膜的泄露电流，在本实施例中，电流传感器50可以采用皮安响应的电流表，该电流表通过一对电极分别连接到第一空腔41与第二空腔42中。在其他实施例中，电流传感器50也可以由电流放大电路与数据采集电路组成。
52.控制器60，与电流传感器50、电源10连接，用于在泄漏电流突然增加时，移除穿过所膜的电势，在本实施例中，控制器60可以采用计算机。
53.导电体设置于容器40上并正对膜，在本实施例中，导电体包括第一电极20和第二电极30，第一电极20和第二电极30分别位于膜的两侧，其中，第一电极20与电源10的正极连接。
54.第一电极20呈包括呈环形的本体21及设置于本体21上的两导电臂22，两导电臂22位于本体21的同一侧，且两导电臂22对称设置，两导电臂22垂直于本体21所在的平面，两导电臂22与容器40的侧壁垂直固定连接。
55.第二电极30与电源10的负极连接，第二电极30呈源柱形，第二电极30位于第一电极20的轴线位置，第二电极30的一端至于流体中。
56.实施例4的原理为：将膜封装在连接板44的通道43上，然后在第一空腔41与第二空腔42内填充含有离子的流体，流体覆盖膜。打开控制器60与电源10，其中，第一电极20和第
二电极30施加的电势穿过膜，两导电臂22与第二电极30之间的电场从第二电极30的端部向两导电臂22端部方向分散，形成尖角形的电场，两电场在第二电极30的端部位置叠加。由于两电场在第二电极30的端部位置的矢量方向一致，从而在第二电极30的端部处形成电场增强的电场叠加区，电场叠加区位于膜的预设区域。
57.流体中的带电离子向膜的预设区域方向移动，由于膜中存在一些缺陷，带电离子将量子隧穿进入这些缺陷中，这些隧穿进入缺陷的带电离子将产生泄漏电流，电流传感器50对穿过膜的泄露电流进行监测，同时，带电离子在膜中引起更多的缺陷，当缺陷累积到一定量时，膜就会发生永久性破坏击穿，在膜上形成纳米级的孔，此时，电流传感器50检测到泄漏电流突然增加，控制器60控制电源10关闭，以移除穿过膜的电势。
58.其中，膜的预设区域位于电场叠加区上，在预设区域内发生量子隧穿和新缺陷的机率远远高于其他区域，因此，在预设区域位置的膜更容易被击穿，使纳米孔形成的位置可以被定域，提高了制造纳米孔的精准性。
59.实施例5参照图5，本实施例与实施例4的不同之处在于，第一电极20呈空心圆筒状，此时，圆筒远离第二电极30的一端作为本体21，圆筒的侧壁作为导电臂22。
60.可选的，第一电极20外径与第二电极30直径的比值为（）：1，第二电极30的直径尺寸为微米级别甚至纳米级别，其中，第二电极30的端部与导电臂22的端部之间的距离为3cm10cm，而第二电极30与膜的距离为1
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61.实施例5的原理为：打开电源10，圆筒的端部与第二电极30之间相当于形成多个电场，多个电场从圆筒的端部向第二电极30的端部收拢，形成尖角形的电场，多个电场在第二电极30的端部位置叠加，由于多个电场在第二电极30的端部位置的矢量方向一致，从而在第二电极30的端部处形成电场增强的电场叠加区。
62.实施例6参照图6，本实施例与实施例5的不同之处在于，导电体有两组，电源10有两个，两组导电体分别与两个电源10电连接，且两组导电体中心对称设置，控制器60与两个电源10连接。
63.实施例6的原理为：通过控制器60控制两个电源10交替工作，形成两个交变的电势，以在膜的两侧交替形成电场叠加区，可提高制造纳米孔的效率。
64.实施例7参照图7，本实施例与实施例5的不同之处在于，导电体有两组，两组导电体中心对称设置，其中一组导电体的第一电极20通过开关管s1与电源10的正极连接，该组导电体的第二电极30通过开关管s2与电源10的负极连接。而另一组导电体的第一电极20通过开关管s3与电源10的负极连接，该组导电体的第二电极30通过开关管s4与电源10的正极连接，其中，开关管s1~s4的控制端均与控制器60连接。
65.实施例7的原理为：打开电源10，在第一个周期时，控制器60控制开关管s1、s2导通，控制开关管s3、s4截止；而第二个周期时，控制器60控制开关管s1、s2截止，控制开关管s3、s4导通，通过控制开关管交替导通与截止，形成两个交变的电势，以在膜的两侧交替形成电场叠加区，可提高制造纳米孔的效率。
66.实施例8参照图8，本实施例公开一种用于在膜中制造纳米孔的方法，包括以下步骤：s10：将由电介质材料组成的膜布置在容器40中，其中，所述容器40中填充有含有离子的流体，所述膜将所述流体分隔成两部分。
67.s20：施加电势于所述膜两侧的第一电极20及第二电极30上，所述第一电极20包括至少两导电臂22，其中，至少一所述导电臂22与所述第二电极30之间形成的电场与至少另一所述导电臂22与所述第二电极30之间形成的电场叠加，以形成电场增强的电场叠加区，所述膜的预设区域位于所述电场叠加区。
68.s30：监测穿过所述膜的泄露电流。
69.s40：在检测到所述泄漏电流突然增加时，移除穿过所述膜的所述电势。
70.在本实施例中，将膜封装在连接板44的通道43上，然后在第一空腔41与第二空腔42内填充含有离子的流体，因为膜的阻隔作用，流体分隔成两部分。打开控制器60与电源10，此时，导电体施加的电势穿过膜，且形成尖角形的电场，其中，电场在第二电极30的端部位置得到了叠加，以形成电场增强的电场叠加区，电场叠加区位于膜的预设区域。
71.流体中的带电离子向膜的预设区域方向移动，由于膜中存在一些缺陷，带电离子将量子隧穿进入这些缺陷中，这些隧穿进入缺陷的带电离子将产生泄漏电流，电流传感器50对穿过膜的泄露电流进行监测，带电离子在膜中引起更多的缺陷。当缺陷累积到一定量时，膜就会发生永久性破坏击穿，即在膜上形成纳米级的孔，此时，电流传感器50监测到泄漏电流突然增加，并将该电流信息发送给控制器60，控制器60控制电源10关闭，以移除穿过膜的电势。
72.在一些实施例中，电场叠加区呈尖角形，并通过设置两组导电体与两个电源10，控制器60控制两个电源10交替工作，使两个穿过膜的电势为两个交变电势，以在膜的两侧交替形成电场叠加区。
73.在一些实施例中，在检测到所述泄漏电流突然增加时，移除穿过所述膜的所述电势，包括：s401：监测所述泄漏电流的电流值。
74.s402：将所述电流值与电流阈值进行比较，在所述电流值大于所述电流阈值时，移除穿过所述膜的所述电势。
75.或；s403：监测所述泄漏电流的变化速率。
76.s404：将所述变化速率与速率阈值进行比较，在所述变化速率大于所述速率阈值时，移除穿过所述膜的所述电势。
77.在一些实施例中，还包括：s50：调节所述施加电势的大小，以调节制造纳米孔的时间。
78.和/或；s60：调节流体中的离子浓度，以调节制造纳米孔的时间。
79.实施例9的原理为：施加电势于第一电极20及第二电极30上，该电势形成电场增强的电场叠加区，且膜的预设区域位于电场叠加区上，在预设区域内发生量子隧穿和新缺陷的机率远远高于其他区域，因此，在预设区域位置的膜更容易被击穿，使纳米孔形成的位置
可以被定域，提高了制造纳米孔的精准性。
80.所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。

技术特征：
1.一种用于在膜中制造纳米孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：将由电介质材料组成的膜布置在容器(40)中，其中，所述容器(40)中填充有含有离子的流体，所述膜将所述流体分隔成两部分；施加电势于所述膜两侧的第一电极(20)及第二电极(30)上，所述第一电极(20)包括至少两导电臂(22)，其中，至少一所述导电臂(22)与所述第二电极(30)之间形成的电场与至少另一所述导电臂(22)与所述第二电极(30)之间形成的电场叠加，以形成电场增强的电场叠加区，所述膜的预设区域位于所述电场叠加区；监测穿过所述膜的泄露电流；在检测到所述泄漏电流突然增加时，移除穿过所述膜的所述电势。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：所述电势为交变电势，以在所述膜的两侧交替形成所述电场叠加区。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电场叠加区呈尖角形。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在检测到所述泄漏电流突然增加时，移除穿过所述膜的所述电势，包括：监测所述泄漏电流的变化速率；将所述变化速率与速率阈值进行比较，在所述变化速率大于所述速率阈值时，移除穿过所述膜的所述电势。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在检测到所述泄漏电流突然增加时，移除穿过所述膜的所述电势，包括：监测所述泄漏电流的电流值；将所述电流值与电流阈值进行比较，在所述电流值大于所述电流阈值时，移除穿过所述膜的所述电势。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括调节所述施加电势的大小，以调节制造纳米孔的时间。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括调节流体中的离子浓度，以调节制造纳米孔的时间。8.一种叠加电场的生成装置，其特征在于，包括：电源(10)；导电体，所述导电体包括第一电极(20)和第二电极(30)，所述第一电极(20)、第二电极(30)分别与所述电源(10)的正负极连接，所述第一电极(20)包括本体(21)及设置于所述本体(21)上的至少两导电臂(22)，所述第二电极(30)呈柱形，所述第二电极(30)位于所述本体(21)的轴线位置，至少两所述导电臂(22)位于所述本体(21)的同一侧，且至少两所述导电臂(22)环绕于所述第二电极(30)间隔均匀设置，所述第二电极(30)的端部与所述导电臂(22)的端部之间有距离。9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一电极(20)呈空心圆筒状，该圆筒的一端作为所述本体(21)，圆筒的侧壁作为所述导电臂(22)。10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第二电极(30)呈圆柱状，所述第一电极(20)外径与所述第二电极(30)直径的比值为（）：1。
11.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第二电极(30)的端部与所述导电臂(22)的端部之间沿所述第二电极(30)轴向方向的距离为3cm~10cm。12.一种用于在膜中制造纳米孔的装置，其特征在于，包括：容器(40)，所述容器(40)内设有通道(43)，所述通道(43)用于布置由电介质材料组成的膜，所述容器(40)中填充有含有离子的流体，所述膜将所述流体分隔成两部分；电源(10)；导电体，设置于容器(40)上并正对所述膜，且与所述电源(10)电连接，所述导电体包括所述膜两侧的第一电极(20)及第二电极(30)，所述第一电极(20)包括至少两导电臂(22)，用于施加电势于所述第一电极(20)及第二电极(30)上，至少一所述导电臂(22)与所述第二电极(30)之间形成的电场与至少另一所述导电臂(22)与所述第二电极(30)之间形成的电场叠加，以形成电场增强的电场叠加区，所述膜的预设区域位于所述电场叠加区；电流传感器(50)，用于监测穿过所述膜的泄露电流；控制器(60)，与所述电流传感器(50)、所述电源(10)连接，用于在所述泄漏电流突然增加时，移除穿过所述膜的所述电势。13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第一电极(20)还包括本体(21)，所述第二电极(30)呈柱形，所述第二电极(30)位于所述本体(21)的轴线位置，所述第二电极(30)与所述容器(40)侧壁固定连接，所述第二电极(30)的一端至于所述流体中，至少两所述导电臂(22)设置于所述本体(21)的同一侧，且至少两所述导电臂(22)环绕于所述第二电极(30)间隔均匀设置。14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第二电极(30)与所述膜的距离为1
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m。15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述第二电极(30)的端部与所述导电臂(22)的端部之间沿所述第二电极(30)轴向方向的距离为3cm~10cm。16.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第一电极(20)呈空心圆筒状，该圆筒的一端作为所述本体(21)，圆筒的侧壁作为所述导电臂(22)。17.根据权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第二电极(30)呈圆柱状，所述第一电极(20)外径与所述第二电极(30)直径的比值为（）：1。18.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述电源(10)有两个，所述导电体有两组，两组所述导电体分别与两个所述电源(10)电连接，且两组所述导电体中心对称设置；所述控制器(60)与两个所述电源(10)连接，用于控制两个所述电源(10)交替工作，以形成两个交变的电势。

技术总结
本申请涉及在膜中制造纳米孔的方法、装置及叠加电场的生成装置，所述方法包括以下步骤：将由电介质材料组成的膜布置在容器中，其中，所述容器中填充有含有离子的流体，所述膜将所述流体分隔成两部分；施加电势于所述膜两侧的第一电极及第二电极(30)上，所述第一电极包括至少两导电臂，其中，至少一所述导电臂与所述第二电极之间形成的电场与至少另一所述导电臂与所述第二电极之间形成的电场叠加，以形成电场增强的电场叠加区，所述膜的预设区域位于所述电场叠加区；监测穿过所述膜的泄露电流；在检测到所述泄漏电流突然增加时，移除穿过所述膜的所述电势。本申请具有提高制造纳米孔精准性的效果。孔精准性的效果。孔精准性的效果。


技术研发人员：罗华 骆仕军
受保护的技术使用者：武汉铢寸科技有限公司
技术研发日：2022.05.20
技术公布日：2023/8/5