重布线悬臂梁结构及制备方法、封装结构及制备方法与流程

1.本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种重布线悬臂梁结构及制备方法、封装结构及制备方法。


背景技术：

2.在现有倒装芯片技术中，通过两个芯片及其上重分布层进行连接，芯片与芯片之间透过硅上无机介电中介层或有机介电中介层重布线互连，其电性特征与芯片内互连的特征非常相似，能大幅降低功耗和提高频宽。不过在现有技术中，由于两个芯片通过完整重分布层直接连接，由于介电材料的自身介电电性限制，与纯空腔结构相比的电性效果仍又差距。而单纯的悬臂空腔结构又有稳定性和可靠性的挑战，同时针对有机介电层上的空腔形成更是有工艺上的挑战。


技术实现要素：

3.通过本发明悬臂梁结构与倒装凸点在悬臂梁的位置及其倒装凸点的高度来支持悬臂梁从而形成空腔结构，以及倒装凸点支撑处两边的悬空与悬臂的比例与优化，和控制悬臂梁与第一芯片和第二芯片上金属层或重布线金属层以及介电层表面的距离，由于倒装凸点的特殊设计，从而一方面由半空腔部(倒装凸点到增强锚点的部分，增强锚点其实就是第一导电粘结层、底部第一主体金属层及凹槽内的底部介电绝缘层)应用于射频领域可以得到相应较好的射频性能，如通过悬臂梁结构及倒装凸点的相互配合能通过电压与电流来调整射频信号，另一方面应用可以是通过全空腔部(倒装凸点到悬臂梁末端部分)的电磁调制效果对射频信号进行微调。
4.由于悬臂梁是悬空的，所以悬臂梁和第一芯片之间的空气的介电常数和损耗都很低，有利于相应射频性能的提升和微调。
5.倒装凸点之外悬空的悬臂梁设计长度可以相应地设计，重布线悬臂梁结构结合第二芯片对于的电极配合来增加另外的间距从而射频性能调整能力。另一方面悬臂梁的夹层结构增强结构采用ni或nife(如15-45％fe)电镀合金能够更进一步增加电磁场的调节能力。
6.因此，本发明重布线悬臂梁结构可以有多种应用与调节能力。当重布线悬臂梁结构与第二芯片连接并封装在一起时，在此第二芯片可以为主动芯片也可以为被动芯片，则整个封装结构形成一种rfmems(射频微电机系统)的结构。
7.本发明针对现有技术中的缺点，提供了一种重布线悬臂梁结构及制备方法、封装结构及制备方法。
8.为了解决上述技术问题，本发明通过下述技术方案得以解决：
9.一种重布线悬臂梁结构，包括：
10.含有第一芯片引脚金属层的第一芯片；
11.形成在第一芯片表面的第一芯片介电绝缘层，形成在第一芯片介电绝缘层表面的
底部第一导电粘结层，所述底部第一导电粘结层通过第一芯片介电绝缘层的开孔与第一芯片引脚金属层电性连接；
12.形成在底部第一导电粘结层上的底部第一主体金属层，刻蚀底部第一主体金属层和底部第一导电粘结层形成裸露出第一芯片表面的凹槽；
13.形成在所述凹槽内的底部介电绝缘层；
14.依次形成在所述底部第一主体金属层上的悬臂梁结构，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层、第一主体金属层、第二主体金属层及第三主体金属层；
15.依次形成在第三主体金属层上的倒装凸点。
16.作为一种可实施方式，所述第二导电粘结层的部分表面相对于所述第一芯片的表面以形成空腔结构，所述空腔结构包括半空腔部及全空腔部，其中，以所述倒装凸点的中心线为起始线到悬臂梁末端的部分为全空腔部，剩余部分为半空腔部。
17.作为一种可实施方式，所述倒装凸点依次包括倒装凸点第一主体金属层、倒装凸点第二主体金属层和倒装凸点焊帽，所述倒装凸点所在位置与所述第二导电粘结层的部分表面相对应。
18.作为一种可实施方式，所述倒装凸点第一主体金属层、倒装凸点第二主体金属层或倒装凸点焊帽的高度能自适应调整。
19.作为一种可实施方式，所述底部第一导电粘结层及所述第二导电粘结层的材料都为tiw或者ti。
20.作为一种可实施方式，若底部第一导电粘结层和第二导电粘结层的材料相同，则底部第一导电粘结层比第二导电粘结层薄至少500a
°
。
21.作为一种可实施方式，所述第二主体金属层的厚度大于第二导电粘结层的厚度。
22.一种重布线悬臂梁结构的制备方法，包括以下步骤：
23.提供包括第一芯片引脚金属层的第一芯片；
24.在第一芯片的第一芯片介电绝缘层表面形成底部第一导电粘结层，所述底部第一导电粘结层与所述第一芯片引脚金属层电性连接；
25.在底部第一导电粘结层上选择性电镀形成底部第一主体金属层，在底部第一导电粘结层和底部第一主体金属层上填充以及曝光显影或图案化刻蚀形成底部介电绝缘层，并开孔露出至少一部分底部第一主体金属层；
26.在所述底部第一主体金属层上形成悬臂梁结构，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层、第一主体金属层、第二主体金属层及第三主体金属层；
27.在悬臂梁结构上形成倒装凸点；
28.去除部分底部介电绝缘层和底部第一粘结层，使得所述第二导电粘结层的部分表面相对于所述第一芯片的表面以形成空腔结构。
29.作为一种可实施方式，形成的倒装凸点依次包括倒装凸点第一主体金属层、倒装凸点第二主体金属层和倒装凸点焊帽，所述倒装凸点所在位置与所述第二导电粘结层的部分表面相对应。
30.作为一种可实施方式，所述介电绝缘材料通过干法等离子体和/或湿法刻蚀去除。
31.作为一种可实施方式，所述底部第一导电粘结层通过干法等离子体和/或湿法刻蚀去除。
32.一种重布线悬臂梁封装结构，包括：
33.含有第一芯片引脚金属层的第一芯片；
34.形成在第一芯片表面的第一芯片介电绝缘层，形成在第一芯片介电绝缘层表面的底部第一导电粘结层，所述底部第一导电粘结层通过第一芯片介电绝缘层的开孔与第一芯片引脚金属层电性连接；
35.形成在底部第一导电粘结层上的底部第一主体金属层，刻蚀底部第一主体金属层和底部第一导电粘结层形成裸露出第一芯片的表面的凹槽；
36.形成在所述凹槽内的底部介电绝缘层；
37.依次形成在所述底部第一主体金属层上的悬臂梁结构，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层、第一主体金属层、第二主体金属层及第三主体金属层；
38.依次形成在第三主体金属层上的倒装凸点；
39.第二芯片，所述第二芯片表面设有第二芯片导电粘结层和第二芯片引脚金属层，在所述第二芯片导电粘结层形成多个第二芯片导电焊盘并电性连接第二芯片引脚金属层，所述第二芯片导电焊盘电性连接所述倒装凸点；
40.所述第二导电粘结层的部分表面相对于所述第一芯片的表面，所述第三主体金属层的部分表面相对于所述第二芯片的表面以形成空腔结构。
41.作为一种可实施方式，还包括基板，所述基板包含导电金属层；
42.所述第二芯片的导电金属层通过连接结构连接所述基板的导电金属层。
43.作为一种可实施方式，所述倒装凸点依次包括倒装凸点第一主体金属层、倒装凸点第二主体金属层和倒装凸点焊帽，所述倒装凸点所在位置与所述第二导电粘结层的部分表面相对应，所述第二芯片导电焊盘电性连接所述倒装凸点焊帽。
44.一种重布线悬臂梁封装结构的制备方法，包括以下步骤：
45.提供包括第一芯片引脚金属层的第一芯片；
46.在第一芯片的第一芯片介电绝缘层表面形成底部第一导电粘结层，所述底部第一导电粘结层与所述第一芯片引脚金属层电性连接；
47.在底部第一导电粘结层上选择性电镀形成底部第一主体金属层，在底部第一导电粘结层和底部第一主体金属层上填充以及曝光显影或图案化刻蚀形成底部介电绝缘层，并开孔露出至少一部分底部第一主体金属层；
48.在所述底部第一主体金属层上形成悬臂梁结构，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层、第一主体金属层、第二主体金属层及第三主体金属层；
49.在悬臂梁结构上形成倒装凸点；
50.提供第二芯片，所述第二芯片表面设有第二芯片导电粘结层及第二芯片引脚金属层，在所述第二芯片导电粘结层上形成多个第二芯片导电焊盘并电性连接第二芯片引脚金属层；
51.将所述第二芯片导电焊盘电性连接所述倒装凸点，提供至少一个第一芯片电性连接于第二芯片；
52.去除部分底部介电绝缘层、多余的第二芯片导电粘结层及底部第一导电粘结层，使得所述第二导电粘结层的部分表面相对于所述第一芯片的表面，使得所述第三主体金属层的部分表面相对于所述第二芯片的表面以形成空腔结构。
53.作为一种可实施方式，所述倒装凸点依次包括倒装凸点第一主体金属层、倒装凸点第二主体金属层和倒装凸点焊帽，所述倒装凸点所在位置与所述第二导电粘结层的部分表面相对应，所述第二芯片导电焊盘电性连接所述倒装凸点焊帽。
54.作为一种可实施方式，所述底部第一导电粘结层、所述第二导电粘结层及所述第二芯片导电粘结层的材料都为tiw或者ti。
55.作为一种可实施方式，若底部第一导电粘结层和第二芯片导电粘结层的材料相同，则底部第一导电粘结层的厚度与第二芯片导电粘结层的厚度相同或者比第二芯片导电粘结层薄190a
°‑
200a
°
。
56.作为一种可实施方式，若底部第一导电粘结层和第二导电粘结层的材料相同，则底部第一导电粘结层比第二导电粘结层薄至少500a
°
。
57.作为一种可实施方式，还包括以下步骤：
58.提供包含导电金属层的基板；
59.将所述第二芯片的导电金属层通过连接结构连接所述基板的导电金属层。
60.作为一种可实施方式，还包括以下步骤：
61.提供保护盖，将保护盖密封在所述基板上，或，将第一芯片及第二芯片的边缘进行密封。
62.本发明由于采用了以上技术方案，具有显著的技术效果：
63.通过本发明提出的结构及制备方法，不仅结构简单，工艺精度要求低，提高了良品率，减少了不必要的步骤，工艺简单。
64.通过本发明悬臂梁结构与倒装凸点在悬臂梁的位置及其倒装凸点的高度来支持悬臂梁及控制悬臂梁与第一芯片和第二芯片上金属层或重布线金属层的距离，由于倒装凸点的特殊设计，从而得到相应的射频性能，并通过悬臂梁结构及倒装凸点的相互配合能通过电压与电流来调整射频信号。
65.由于悬臂梁是悬空的，所以悬臂梁和第一芯片之间的空气的介电常数和损耗都很低，有利于相应射频性能的提升。
66.倒装凸点之外悬空的悬臂梁设计长度可以相应地设计，重布线悬臂梁结构结合第二芯片对于的电极配合来增加另外的间距从而射频性能调整能力。
67.因此，本发明重布线悬臂梁结构可以有多种应用与调节能力。当重布线悬臂梁结构与第二芯片连接并封装在一起时，在此第二芯片可以为主动芯片也可以为被动芯片，则整个封装结构形成一种rfmems(射频微电机系统)的结构。
附图说明
68.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
69.图1是本发明重布线悬臂梁结构示意图；
70.图2是本发明实施例2的流程示意图；
71.图3是本发明重布线悬臂梁结构的初始结构示意图；
72.图4是本发明实施例4的结构示意图；
73.图5是本发明实施例5的流程示意图；
74.图6是本发明实施例5具体的初始步骤示意图；
75.图7是本发明实施例5具体的中间步骤示意图；
76.图8是本发明实施例5具体的第二中间步骤示意图；
77.图9是本发明实施例5中生成的封装结构的示意图；
78.图10是封装结构最终的结构示意图；
79.图11是第一芯片与第二芯片的另一种连接方式示意图。
80.附图中的标号说明：
81.1、底部第一导电粘结层；2、底部第一主体金属层；3、底部介电绝缘层；4、第二导电粘结层；5、第一主体金属层；6、第二主体金属层；7、第三主体金属层；8、倒装凸点第一主体金属层；9、倒装凸点第二主体金属层；10、倒装凸点焊帽；101、半空腔部；102、全空腔部；30、第一芯片；31、第一芯片引脚金属层；32、第一芯片介电绝缘层；40、第二芯片；41、第二芯片引脚金属层；42、第二芯片介电绝缘层；43、第二芯片导电粘结层；44、第二芯片导电焊盘；45、基板；46、保护盖；47、连接结构；48、密封结构。
具体实施方式
82.下面结合实施例对本发明做进一步的详细说明，以下实施例是对本发明的解释而本发明并不局限于以下实施例。
83.为了彻底理解本技术，将在下列的描述中提出详细的结构以及步骤，以便阐释本技术提出的技术方案。本技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本技术还可以具有其他实施方式。
84.实施例1：
85.一种重布线悬臂梁结构，如图1所示，包括：
86.含有第一芯片引脚金属层31的第一芯片30；
87.形成在第一芯片30表面的第一芯片介电绝缘层32，形成在第一芯片介电绝缘层32表面的底部第一导电粘结层1，所述底部第一导电粘结层1通过第一芯片介电绝缘层32的开孔与第一芯片引脚金属层31电性连接；
88.形成在底部第一导电粘结层1上的底部第一主体金属层2，刻蚀底部第一主体金属层2和底部第一导电粘结层1形成裸露出第一芯片30的表面的凹槽；
89.形成在所述凹槽内的底部介电绝缘层3；
90.依次形成在所述底部第一主体金属层2上的悬臂梁结构，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层4、第一主体金属层5、第二主体金属层6及第三主体金属层7；
91.依次形成在第三主体金属层7上的倒装凸点；
92.所述第二导电粘结层4的部分表面相对于所述第一芯片30的表面。
93.在这个实施例中是去掉了除凹槽内的底部介电绝缘层3以外的介电绝缘材料。
94.本实施例基于第一芯片30上制备出重布线悬臂梁结构，首先，在第一芯片30表面形成第一芯片介电绝缘层32，在第一芯片介电绝缘层32表面形成底部第一导电粘结层1，所述底部第一导电粘结层1通过第一芯片介电绝缘层32的开孔与第一芯片引脚金属层31电性
连接，为重布线悬臂梁结构做出生产条件，进而形成重布线悬臂梁结构的各个结构，而在此结构中重点在于悬臂梁结构与倒装凸点在悬臂梁的位置及其倒装凸点的高度来支持悬臂梁及控制悬臂梁与第一芯片30和第二芯片40上金属层或重布线金属层的距离，正是基于倒装凸点这种特殊设计得到空腔结构，以倒装凸点的中心线为界限，空腔结构包括半空腔部101和全空腔部102，以所述倒装凸点的中心线为起始线到悬臂梁末端的部分为全空腔部102，剩余部分为半空腔部101。通过这样的结构进而能够得到对相应的射频性能的灵活设计和调制，并通过悬臂梁结构及倒装凸点的相互配合能通过电压与电流来调整射频信号。在所有实施例中，并未强制限定悬臂梁结构的长度，因为悬臂梁结构的长度或者宽度都是可以结合电性连接的第二芯片40及第一芯片30的性能进行设计的，另外，倒装凸点的长度或者宽度也不做限定，在后续的使用过程中也会进行调整，进而得到相应的射频性能。
95.第二导电粘结层4的部分表面相对于述第一芯片30的表面即就是悬臂梁的设计是悬空的，所以悬臂梁和第一芯片30之间的空气的介电常数和损耗都很低，有利于相应射频性能的提升。倒装凸点之外悬空的悬臂梁设计长度可以相应地设计以得到空腔结构，空腔结构又包括半空腔部101和全空腔部102，重布线悬臂梁结构结合第二芯片40对于的电极配合来增加另外的间距从而射频性能调整能力。
96.具体地，所述倒装凸点依次包括倒装凸点第一主体金属层8以其未显示的可选的粘结层如ti或tiw，倒装凸点第二主体金属层9和倒装凸点焊帽10，所述倒装凸点所在位置与所述第二导电粘结层4的部分表面相对应。在此，倒装凸点第一主体金属层8可以是铜，还可以是其他导电材料或多层不同金属的堆叠，预先设计好倒装凸点第一主体金属层8的形状，比如圆柱体或跑道型等，进而形成倒装凸点第二主体金属层9，此层的材料可以为ni等材料，这些材料可以阻挡sn/cu反应，当然还可以为其他材料，只要能满足此性能即可，在倒装凸点第二主体金属层9形成倒装凸点焊帽10，回流后倒装凸点焊帽10变成帽型或凸形，由于后续是需要与其他芯片的金属层或者焊盘进行焊接，因为首选易焊接材料，比如snag，ausn等材料，当然其他易焊接材料亦是可以，在此不再赘述。
97.另外，底部第一导电粘结层1及所述第二导电粘结层4的材料都为tiw或者ti。或其它与介电绝缘层具有较好粘结性能的金属，其目的就是既可以很好的发挥粘结性能又能较好的阻挡底部第一主体金属层2中相应离子的扩散，比如，底部第一主体金属层2是cu的话，那就能很好的阻挡铜离子的扩散。
98.在实际的选择中，底部第一主体金属层2选取的是cu，当然还可以选择铜的相关化合物，只要能实现相同功能即可，在此不再赘述。
99.在一个实施例中，若底部第一导电粘结层1和第二导电粘结层4的材料相同，比如，同时选取tiw或者同时选取ti，则底部第一导电粘结层1比第二导电粘结层4薄至少500a
°
。具体地，为了能起到更好的作用及效果，形成在所述凹槽内的底部介电绝缘层3的材料为如polyimide，pbo，wpr等有机高分子介电材料，或sio2，si3n4，sicn等无机介电材料，其目的就是为了绝缘和缓冲应力。
100.而悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层4、第一主体金属层5、第二主体金属层6及第三主体金属层7；第二导电粘结层4选择的是如ti或tiw，或其它与介电绝缘层具有较好粘结性能的金属；第一主体金属层5主要起电流控制作用，在此选择的金属可以为铜，正如上述所说：第二导电粘结层4选择的是如ti或tiw，或其它与介电绝缘层具有较好粘结性能的
金属，其目的就是既可以很好的发挥粘结性能又能较好的阻挡底部第一主体金属层2中相应离子的扩散，比如，底部第一主体金属层2是cu的话，那就能很好的阻挡铜离子的扩散；第二主体金属层6主要起电磁控制和机械强度作用，可以选用如ni，nife(如15-45％fe)，或其它的导电特殊磁性材料，及第三主体金属层7主要起接触电阻控制和表面保护作用，如cu,au,ag,或其它金属材料。
101.另外，为了使得整体结构的效果更好，所述第二主体金属层6的厚度大于第二导电粘结层4的厚度。
102.实施例2：
103.一种重布线悬臂梁结构的制备方法，如图2所示，包括以下步骤：
104.s100、提供包括第一芯片引脚金属层31的第一芯片30；
105.s200、在第一芯片30的第一芯片介电绝缘层32表面形成底部第一导电粘结层1，所述底部第一导电粘结层1与所述第一芯片引脚金属层31电性连接；具体过程为：在第一芯片30表面形成第一芯片介电绝缘层32，如polyimide，pbo，wpr等有机高分子介电绝缘材料或sio2，si3n4，sin等无机介电绝缘材料，并通过光刻开孔露出第一芯片引脚金属层31，然后加热固化，在第一芯片介电绝缘层32表面通过物理溅射沉积形成底部第一导电粘结层1，所述底部第一导电粘结层1通过第一芯片介电绝缘层32的开孔与第一芯片引脚金属层31电性连接；
106.s300、在底部第一导电粘结层1上选择性电镀形成底部第一主体金属层2，在底部第一导电粘结层1和底部第一主体金属层2上填充以及曝光显影或图案化刻蚀形成底部介电绝缘层3，并开孔露出至少一部分底部第一主体金属层2；具体过程为：以物理溅射沉积依次形成底部第一导电粘结层1和薄膜铜种子层，薄膜铜种子层采用如1000埃-3000埃厚度的铜层，通过选择性的光刻电镀在底部第一导电粘结层1上形成底部第一主体金属层2，刻蚀底部第一主体金属层2之外的薄膜铜种子层，但不刻蚀去掉底部第一导电粘结层1，然后在完整的第一导电粘结层1和底部第一主体金属层2上形成底部介电绝缘层3，并开孔露出至少一部分第一主体金属层2；
107.s400、在所述底部第一主体金属层2上形成悬臂梁结构并进行电性连接，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层4、第一主体金属层5、第二主体金属层6及第三主体金属层7；具体过程为：在底部介电绝缘层3上物理溅射沉积第二导电粘结层4和薄膜铜种子层，通过涂布光刻胶a和进行选择性的光刻显影以及随后的电镀形成第一主体金属层5(如铜)、第二主体金属层6(如ni、nife或其它电镀生长的磁性材料)以及第三主体金属层7(如铜，或金)；然后去除光刻胶a；
108.s500、在悬臂梁结构上形成倒装凸点；具体过程为：第一主体金属层5之外的第二导电粘结层4和薄膜铜种子层先不被刻蚀掉，然后可选地在第三主体金属层7和第二导电粘结层4上物理溅射沉积薄膜粘结层(在此未画出以简化)和薄膜铜种子层(即该双金属种子层为可选择的)；通过在第一芯片30的晶圆上涂布光刻胶b和进行选择性的光刻显影以及随后的电镀形成倒装凸点第一主体金属层8、倒装凸点第二主体金属层9和倒装凸点焊帽10；随后去除光刻胶b并刻蚀去掉第一主体金属层5之外的第二导电粘结层4和薄膜铜种子层以及倒装凸点第一主体金属层8之外的第二导电粘结层4和薄膜铜种子层；
109.在此，所述倒装凸点在切割好的第一芯片30倒装于第二芯片40的晶圆上起到了直
接连接的作用；
110.作为另外一种制备方法，随后可采用第3次光刻胶c进行涂胶显影掩膜的方法去除部分第二导电粘结层4，仅保留悬臂梁及其周围依工艺、机械及电性所需设计的部分，需在倒装凸点回流或倒装在第二芯片前被刻蚀掉，然后第3次光刻胶c被去除。
111.作为另外一种制备方法，也可以采用激光掩膜局部去除第二导电粘结层4，仅保留悬臂梁及其周围依工艺、机械及电性所需设计的部分。
112.s600、去除部分底部介电绝缘层3和底部第一粘结层1，使得所述第二导电粘结层4的部分表面相对于所述第一芯片30的表面，具体为：通过等离子刻蚀或选择性湿法刻蚀的方法去除至少悬臂梁下和至少周边至少2um范围内的底部介电绝缘层3和底部第一粘结层1，底部第一导电粘结层1、底部介电绝缘层3及部分底部第一主体金属层2形成具备缓冲能量的支撑悬臂梁的锚块结构。
113.本实施例基于第一芯片30上制备出重布线悬臂梁结构的方法，首先，在第一芯片30的表面形成底部第一导电粘结层1，并使得底部第一导电粘结层1与第一芯片引脚金属层31电性连接，为重布线悬臂梁结构做出生产条件，进而形成重布线悬臂梁结构的各个结构，而在此结构中重点在于悬臂梁结构与倒装凸点在悬臂梁的位置及其倒装凸点的高度来支持悬臂梁及控制悬臂梁与第一芯片30和第二芯片40上金属层或重布线金属层的距离，正是基于倒装凸点这种特殊设计得到空腔结构，空腔结构又包括半空腔部101和全空腔部102，通过这样的结构进而能够得到对相应的射频性能的灵活设计和调制，并通过悬臂梁结构及倒装凸点的相互配合能通过电压与电流来调整射频信号。在所有实施例中，并未强制限定悬臂梁结构的长度，因为悬臂梁结构的长度或者宽度都是可以结合电性连接的第二芯片40及第一芯片30的性能进行设计的，另外，倒装凸点的长度或者宽度也不做限定，在后续的使用过程中也会进行调整，进而得到相应的射频性能。
114.在一个实施例中，所述倒装凸点依次包括倒装凸点第一主体金属层8以其未显示的可选的粘结层如ti或tiw，、倒装凸点第二主体金属层9和倒装凸点焊帽10，所述倒装凸点所在位置与所述第二导电粘结层4的部分表面相对应。在此，倒装凸点第一主体金属层8可以是铜，还可以是其他导电材料或多层不同金属的堆叠，预先设计好倒装凸点第一主体金属层8的形状，比如圆柱体等，进而形成倒装凸点第二主体金属层9，此层的材料可以为ni等材料，这些材料可以阻挡sn/cu反应，当然还可以为其他材料，只要能满足此性能即可，在倒装凸点第二主体金属层9形成倒装凸点焊帽10，回流后倒装凸点焊帽10变成帽型或凸形，由于后续是需要与其他芯片的金属层或者焊盘进行焊接，因为首选易焊接材料，比如snag，ausn等材料，当然其他易焊接材料亦是可以，在此不再赘述。
115.在一个实施例中，底部第一导电粘结层1及所述第二导电粘结层4的材料都为tiw或者ti，或其它与介电绝缘层具有较好粘结性能的金属，其目的就是既可以很好的发挥粘结性能又能较好的阻挡底部第一主体金属层2中相应离子的扩散，比如，底部第一主体金属层2是cu的话，那就能很好的阻挡铜离子的扩散。
116.在实际的选择中，底部第一主体金属层2选取的是cu，当然还可以选择铜的相关化合物，只要能实现相同功能即可，在此不再赘述。
117.在一个实施例中，若底部第一导电粘结层1和第二导电粘结层4的材料相同，比如，同时选取tiw或者同时选取ti，则底部第一导电粘结层1比第二导电粘结层4薄至少500a
°
。
具体地，为了能起到更好的作用及效果，形成在所述凹槽内的底部介电绝缘层3的材料为如polyimide，pbo，wpr等有机高分子介电材料，或sio2，si3n4，sin等无机介电材料，其目的就是为了绝缘。
118.而悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层4、第一主体金属层5、第二主体金属层6及第三主体金属层7；第二导电粘结层4选择的是如ti或tiw，或其它与介电绝缘层具有较好粘结性能的金属；第一主体金属层5主要起电流控制作用，在此选择的金属可以为铜，正如上述所说：第二导电粘结层4选择的是如ti或tiw，或其它与介电绝缘层具有较好粘结性能的金属，其目的就是既可以很好的发挥粘结性能又能较好的阻挡底部第一主体金属层2中相应离子的扩散，比如，底部第一主体金属层2是cu的话，那就能很好的阻挡铜离子的扩散；第二主体金属层6主要起电磁控制和机械强度作用，可以选用如ni，nife,或其它的导电特殊磁性材料，及第三主体金属层7主要起接触电阻控制和表面保护作用，如cu,au,ag,或其它金属材料。
119.另外，为了使得整体结构的效果更好，所述第二主体金属层6的厚度大于第二导电粘结层4的厚度。
120.在制备方法中，介电绝缘材料通过干等离子体和/或湿溶剂去除。底部第一导电粘结层通过湿法蚀刻去除。
121.实施例3：
122.一种重布线悬臂梁封装结构，如图3所示，其大体结构与实施例1类似，区别在于：所述第二导电粘结层4的表面与所述第一芯片30的表面之间保留形成有底部介电绝缘层3。
123.实施例4：
124.一种重布线悬臂梁封装结构，如图4所示，包括：
125.含有第一芯片引脚金属层31的第一芯片30；
126.形成在第一芯片30表面的第一芯片介电绝缘层32，形成在第一芯片介电绝缘层32表面的底部第一导电粘结层1，所述底部第一导电粘结层1通过第一芯片介电绝缘层32的开孔与第一芯片引脚金属层31电性连接；
127.形成在底部第一导电粘结层1上的底部第一主体金属层2，刻蚀底部第一主体金属层2和底部第一导电粘结层1形成裸露出第一芯片30的表面的凹槽；
128.形成在所述凹槽内的底部介电绝缘层3；
129.依次形成在所述底部第一主体金属层2上的悬臂梁结构，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层4、第一主体金属层5、第二主体金属层6及第三主体金属层7；
130.依次形成在第三主体金属层7上的倒装凸点；
131.第二芯片40，所述第二芯片40表面设有第二芯片导电粘结层43及第二芯片引脚金属层41，在所述第二芯片导电粘结层43上形成多个第二芯片导电焊盘44并电性连接第二芯片引脚金属层41，所述第二芯片导电焊盘44电性连接所述倒装凸点；
132.所述第二导电粘结层4的部分表面相对于所述第一芯片30的表面，所述第三主体金属层7的部分表面相对于所述第二芯片40的表面。
133.此实施例就是将重布线悬臂梁结构与第二芯片40进行电性连接，当重布线悬臂梁结构与第二芯片40连接并封装在一起时，在此第二芯片40可以为主动芯片也可以为被动芯片，则整个封装结构形成一种rfmems(射频微电机系统)的结构。在整个结构中，其实重点还
是悬臂梁结构与倒装凸点在悬臂梁的位置及其倒装凸点的高度，通过本发明悬臂梁结构与倒装凸点在悬臂梁的位置及其倒装凸点的高度来支持悬臂梁及控制悬臂梁与第一芯片30和第二芯片40上金属层或重布线金属层的距离，由于基于倒装凸点这种特殊设计得到空腔结构，空腔结构又包括半空腔部101和全空腔部102，通过这样的结构进而能够得到对相应的射频性能的灵活设计和调制，并通过悬臂梁结构及倒装凸点的相互配合能通过电压与电流来调整射频信号。
134.由于悬臂梁是悬空的，所以悬臂梁和第一芯片30之间的空气的介电常数和损耗都很低，有利于相应射频性能的提升。
135.倒装凸点之外悬空的悬臂梁设计长度可以相应地设计，重布线悬臂梁结构结合第二芯片40对于的电极配合来增加另外的间距从而射频性能调整能力。
136.实施例5：
137.一种重布线悬臂梁封装结构的制备方法，如图5所示，包括以下步骤：
138.s100、提供包括第一芯片引脚金属层31的第一芯片30；
139.s200、在第一芯片30的第一芯片介电绝缘层32表面形成底部第一导电粘结层1，所述底部第一导电粘结层1与所述第一芯片引脚金属层31电性连接；具体过程为：在第一芯片30表面形成第一芯片介电绝缘层32，如polyimide，pbo，wpr等有机高分子介电绝缘材料或sio2，si3n4，sin等无机介电绝缘材料，并通过光刻开孔露出第一芯片引脚金属层31，然后加热固化，在第一芯片介电绝缘层32表面通过物理溅射沉积形成底部第一导电粘结层1，所述底部第一导电粘结层1通过第一芯片介电绝缘层32的开孔与第一芯片引脚金属层31电性连接；
140.s300、在底部第一导电粘结层1上选择性电镀形成底部第一主体金属层2，在底部第一导电粘结层1和底部第一主体金属层2上填充以及曝光显影或图案化刻蚀形成底部介电绝缘层3，并开孔露出至少一部分底部第一主体金属层2；具体过程为：以物理溅射沉积依次形成底部第一导电粘结层1和薄膜铜种子层，薄膜铜种子层采用如1000埃-3000埃厚度的铜层，通过选择性的光刻电镀在底部第一导电粘结层1上形成底部第一主体金属层2，刻蚀底部第一主体金属层2之外的薄膜铜种子层，但不刻蚀去掉底部第一导电粘结层1，然后在完整的第一导电粘结层1和底部第一主体金属层2上形成底部介电绝缘层3，并开孔露出至少一部分第一主体金属层2；
141.s400、在所述底部第一主体金属层2上形成悬臂梁结构并进行电性连接，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层4、第一主体金属层5、第二主体金属层6及第三主体金属层7；具体过程为：在底部介电绝缘层3上物理溅射沉积第二导电粘结层4和薄膜铜种子层，通过涂布光刻胶a和进行选择性的光刻显影以及随后的电镀形成第一主体金属层5(如铜)、第二主体金属层6(如ni、nife或其它电镀生长的磁性材料)以及第三主体金属层7(如铜，或金)，然后去除光刻胶a；
142.s500、在悬臂梁结构上形成倒装凸点；具体过程为：第一主体金属层5之外的第二导电粘结层4和薄膜铜种子层先不被刻蚀掉，然后可选地在第三主体金属层7和第二导电粘结层4上物理溅射沉积薄膜粘结层(在此未画出以简化)和薄膜铜种子层(即该双金属种子层为可选择的)；通过在第一芯片30的晶圆上涂布光刻胶b和进行选择性的光刻显影以及随后的电镀形成倒装凸点第一主体金属层8、倒装凸点第二主体金属层9和倒装凸点焊帽10；
随后去除光刻胶b并刻蚀去掉第一主体金属层5之外的第二导电粘结层4和薄膜铜种子层以及倒装凸点第一主体金属层8之外的第二导电粘结层4和薄膜铜种子层；在此，所述倒装凸点在切割好的第一芯片30倒装于第二芯片40的晶圆上起到了直接连接的作用；
143.s006、去除部分底部介电绝缘层3和底部第一粘结层1，使得所述第二导电粘结层4的部分表面相对于所述第一芯片30的表面，具体为：通过等离子刻蚀或选择性湿法刻蚀的方法去除至少悬臂梁下和至少周边至少2um范围内的底部介电绝缘层3和底部第一粘结层1，底部第一导电粘结层1、底部介电绝缘层3及部分底部第一主体金属层2形成具备缓冲能量的支撑悬臂梁的锚块结构；
144.s007、将所述第二芯片导电焊盘44电性连接所述倒装凸点，如图6所示，提供至少一个第一芯片30倒装回流在第二芯片40的整个晶圆或单体芯片上；
145.s008、去除部分底部介电绝缘层3，使得所述第二导电粘结层4的部分表面相对于所述第一芯片30的表面，具体为：通过等离子刻蚀或选择性湿法刻蚀的方法去除凹槽以外的至少悬臂梁下和至少周边至少2um范围内的底部介电绝缘层3，如图7及图8所示；
146.s009、通过等离子刻蚀或选择性湿法刻蚀的方法去除多余的第二芯片导电粘结层43及底部第一导电粘结层1，使得所述第二导电粘结层4的部分表面相对于所述第一芯片30的表面，使得所述第三主体金属层7的部分表面相对于所述第二芯片40的表面，如图9所示，从而形成最终的mems悬臂梁射频和电磁调节结构。同时底部第一导电粘结层1、底部介电绝缘层3及部分底部第一主体金属层2形成具备缓冲能量的支撑悬臂梁的锚块结构。
147.此实施例就是将重布线悬臂梁结构与第二芯片40进行电性连接，当重布线悬臂梁结构与第二芯片40连接并封装在一起时，在此第二芯片40可以为主动芯片也可以为被动芯片，则整个封装结构形成一种rfmems(射频微电机系统)的结构。在整个结构中，重点在于悬臂梁结构与倒装凸点在悬臂梁的位置及其倒装凸点的高度，通过本发明悬臂梁结构与倒装凸点在悬臂梁的位置及其倒装凸点的高度来支持悬臂梁及控制悬臂梁与第一芯片30和第二芯片40上金属层或重布线金属层的距离，正是由于基于倒装凸点这种特殊设计得到空腔结构，空腔结构又包括半空腔部101和全空腔部102，通过这样的结构进而能够得到对相应的射频性能的灵活设计和调制，并通过悬臂梁结构及倒装凸点的相互配合能通过电压与电流来调整射频信号。
148.另外，在此实施例的制备工艺中，可以选择实施例3的结构，也可以选择实施例3中只去掉小部分介电绝缘材料而形成的结构，在此不再赘述，选择不同实施例中的结构都是可以实现此实施例的制备方法，只不过最终会转化成去掉介电绝缘材料多少的问题。
149.由于悬臂梁是悬空的，所以悬臂梁和第一芯片30之间的空气的介电常数和损耗都很低，有利于相应射频性能的提升。
150.倒装凸点之外悬空的悬臂梁设计长度可以相应地设计，重布线悬臂梁结构结合第二芯片40对于的电极配合来增加另外的间距从而射频性能调整能力。
151.如果底部第一导电粘结层1和第二芯片导电粘结层43的材料相同，则底部第一导电粘结层1的厚度与第二芯片导电粘结层43的厚度相同或者比导电粘结层43薄190a
°‑
200a
°
。
152.实施例6：
153.一种重布线悬臂梁封装结构，如图10、图11所示，其大体结构与实施例4类似，区别
在于：
154.另外，还包括基板45，所述基板45包含导电金属层；所述第二芯片引脚金属层41通过连接结构47连接所述基板45的导电金属层。此实施例的作用就是为了将重布线悬臂梁结构、第二芯片40与基板45封装于一体。在封装的过程中，可以有多种操作方式，提供保护盖46，将保护盖46密封在所述基板45上，或，将第一芯片30及第二芯片40的边缘通过密封结构48进行密封，密封结构48为密封材料或者粘合材料，一方面可以保护到重布线悬臂梁结构，另一方面可以增加悬臂梁结构的可靠性及机械强度。
155.可以参见附图9，连接结构可以为打线，通过打线进行连接，还可以采用其他方式，参见图10，连接结构47可以一端为铜核焊球，另一端为铜金属块，外部可选镀ni/au,sn等焊接润湿性金属，二者可选一或结合使用，进而控制两个芯片之间的站立高度。当然同时也可以采用锡球，或与铜核焊球或塑核焊球或铜柱结合来控制。
156.本技术实施例以及实施例中的各个特征，在不相冲突前提下可以相互结合，所形成的技术方案均在本技术的保护范围之内。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应理解，尽管可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。应理解，空间关系术语例如“在...上方”、位于...上方”、“在...下方”、“位于...下方”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下方”的元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下方”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
157.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
158.这里参考作为本技术的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述本技术的实施例。这样，可以预期由于例如制备技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本技术的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制备导致的形状偏差。
159.此外，需要说明的是，本说明书中所描述的具体实施例，其零、部件的形状、所取名称等可以不同。凡依本发明专利构思所述的构造、特征及原理所做的等效或简单变化，均包括于本发明专利的保护范围内。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离本发明的结构或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种重布线悬臂梁结构，其特征在于，包括：含有第一芯片引脚金属层的第一芯片；形成在第一芯片表面的第一芯片介电绝缘层，形成在第一芯片介电绝缘层表面的底部第一导电粘结层，所述底部第一导电粘结层通过第一芯片介电绝缘层的开孔与第一芯片引脚金属层电性连接；形成在底部第一导电粘结层上的底部第一主体金属层，刻蚀底部第一主体金属层和底部第一导电粘结层形成裸露出第一芯片表面的凹槽；形成在所述凹槽内的底部介电绝缘层；依次形成在所述底部第一主体金属层上的悬臂梁结构，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层、第一主体金属层、第二主体金属层及第三主体金属层；依次形成在第三主体金属层上的倒装凸点。2.根据权利要求1所述的重布线悬臂梁结构，其特征在于，所述第二导电粘结层的部分表面相对于所述第一芯片的表面以形成空腔结构，所述空腔结构包括半空腔部及全空腔部，其中，以所述倒装凸点的中心线为起始线到悬臂梁末端的部分为全空腔部，剩余部分为半空腔部。3.根据权利要求1所述的重布线悬臂梁结构，其特征在于，所述倒装凸点依次包括倒装凸点第一主体金属层、倒装凸点第二主体金属层和倒装凸点焊帽，所述倒装凸点所在位置与所述第二导电粘结层的部分表面相对应。4.根据权利要求1所述的重布线悬臂梁结构，其特征在于，所述倒装凸点第一主体金属层、倒装凸点第二主体金属层或倒装凸点焊帽的高度能自适应调整。5.根据权利要求1所述的重布线悬臂梁结构，其特征在于，所述底部第一导电粘结层及所述第二导电粘结层的材料都为tiw或者ti。6.根据权利要求1所述的重布线悬臂梁结构，其特征在于，若底部第一导电粘结层和第二导电粘结层的材料相同，则底部第一导电粘结层比第二导电粘结层薄至少500a
°
。7.根据权利要求1所述的重布线悬臂梁结构，其特征在于，所述第二主体金属层的厚度大于第二导电粘结层的厚度。8.一种重布线悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供包括第一芯片引脚金属层的第一芯片；在第一芯片的第一芯片介电绝缘层表面形成底部第一导电粘结层，所述底部第一导电粘结层与所述第一芯片引脚金属层电性连接；在底部第一导电粘结层上选择性电镀形成底部第一主体金属层，在底部第一导电粘结层和底部第一主体金属层上填充以及曝光显影或图案化刻蚀形成底部介电绝缘层，并开孔露出至少一部分底部第一主体金属层；在所述底部第一主体金属层上形成悬臂梁结构，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层、第一主体金属层、第二主体金属层及第三主体金属层；在悬臂梁结构上形成倒装凸点；去除部分底部介电绝缘层和底部第一粘结层，使得所述第二导电粘结层的部分表面相对于所述第一芯片的表面以形成空腔结构，在凹槽内的介电绝缘材料形成底部介电绝缘层。
9.根据权利要求8所述的重布线悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，形成的倒装凸点依次包括倒装凸点第一主体金属层、倒装凸点第二主体金属层和倒装凸点焊帽，所述倒装凸点所在位置与所述第二导电粘结层的部分表面相对应。10.根据权利要求8所述的重布线悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，所述介电绝缘材料通过干法等离子体和/或湿法刻蚀去除。11.根据权利要求8所述的重布线悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，所述底部第一导电粘结层通过干法等离子体和/或湿法刻蚀去除。12.一种重布线悬臂梁封装结构，其特征在于，包括：含有第一芯片引脚金属层的第一芯片；形成在第一芯片表面的第一芯片介电绝缘层，形成在第一芯片介电绝缘层表面的底部第一导电粘结层，所述底部第一导电粘结层通过第一芯片介电绝缘层的开孔与第一芯片引脚金属层电性连接；形成在底部第一导电粘结层上的底部第一主体金属层，刻蚀底部第一主体金属层和底部第一导电粘结层形成裸露出第一芯片的表面的凹槽；形成在所述凹槽内的底部介电绝缘层；依次形成在所述底部第一主体金属层上的悬臂梁结构，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层、第一主体金属层、第二主体金属层及第三主体金属层；依次形成在第三主体金属层上的倒装凸点；第二芯片，所述第二芯片表面设有第二芯片导电粘结层和第二芯片引脚金属层，在所述第二芯片导电粘结层形成多个第二芯片导电焊盘并电性连接第二芯片引脚金属层，所述第二芯片导电焊盘电性连接所述倒装凸点；所述第二导电粘结层的部分表面相对于所述第一芯片的表面，所述第三主体金属层的部分表面相对于所述第二芯片的表面以形成空腔结构。13.根据权利要求12所述的重布线悬臂梁封装结构，其特征在于，还包括基板，所述基板包含导电金属层；所述第二芯片的导电金属层通过连接结构连接所述基板的导电金属层。14.根据权利要求12所述的重布线悬臂梁封装结构，其特征在于，所述倒装凸点依次包括倒装凸点第一主体金属层、倒装凸点第二主体金属层和倒装凸点焊帽，所述倒装凸点所在位置与所述第二导电粘结层的部分表面相对应，所述第二芯片导电焊盘电性连接所述倒装凸点焊帽。15.一种重布线悬臂梁封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供包括第一芯片引脚金属层的第一芯片；在第一芯片的第一芯片介电绝缘层表面形成底部第一导电粘结层，所述底部第一导电粘结层与所述第一芯片引脚金属层电性连接；在所述底部第一主体金属层上形成悬臂梁结构并进行电性连接，并对底部第一主体金属层进行刻蚀形成凹槽并裸露出底部第一导电粘结层，填充介电绝缘材料；在所述底部第一主体金属层上形成悬臂梁结构，所述悬臂梁结构依次包括第二导电粘结层、第一主体金属层、第二主体金属层及第三主体金属层；在悬臂梁结构上形成倒装凸点；
提供第二芯片，所述第二芯片表面设有第二芯片导电粘结层，在所述第二芯片导电粘结层形成多个第二芯片导电焊盘并电性连接第二芯片引脚金属层；将所述第二芯片导电焊盘电性连接所述倒装凸点，提供至少一个第一芯片电性连接于第二芯片；去除凹槽以外的所有介电绝缘材料，在凹槽内的介电绝缘材料形成底部介电绝缘层；去除多余的第二芯片导电粘结层及底部第一导电粘结层，使得所述第二导电粘结层的部分表面相对于所述第一芯片的表面，使得所述第三主体金属层的部分表面相对于所述第二芯片的表面以形成空腔结构。16.根据权利要求15所述的重布线悬臂梁封装结构的制备方法，其特征在于，所述倒装凸点依次包括倒装凸点第一主体金属层、倒装凸点第二主体金属层和倒装凸点焊帽，所述倒装凸点所在位置与所述第二导电粘结层的部分表面相对应，所述第二芯片导电焊盘电性连接所述倒装凸点焊帽。17.根据权利要求15所述的重布线悬臂梁封装结构的制备方法，其特征在于，所述底部第一导电粘结层、所述第二导电粘结层及所述第二芯片导电粘结层的材料都为tiw或者ti。18.根据权利要求17所述的重布线悬臂梁封装结构的制备方法，其特征在于，若底部第一导电粘结层和第二芯片导电粘结层的材料相同，则底部第一导电粘结层的厚度与第二芯片导电粘结层的厚度相同或者比导电粘结层薄190a
°‑
200a
°
。19.根据权利要求15所述的重布线悬臂梁封装结构的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：提供包含导电金属层的基板；将所述第二芯片的导电金属层通过连接结构连接所述基板的导电金属层。20.根据权利要求19所述的封装结构的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：提供保护盖，将保护盖密封在所述基板上，或，将第一芯片及第二芯片的边缘进行密封。

技术总结
本发明公开一种重布线悬臂梁结构、制备方法、封装结构及制备方法，重布线悬臂梁结构包括：第一芯片；第一导电粘结层，底部第一导电粘结层与第一芯片引脚金属层电性连接；底部第一主体金属层，刻蚀底部第一主体金属层形成的裸露出底部第一导电粘结层的凹槽；形成在凹槽内底部介电绝缘层；依次形成在底部第一主体金属层上的悬臂梁结构，依次形成在第三主体金属层上的倒装凸点；第二导电粘结层的部分表面相对于第一芯片的表面，由此形成的空腔结构，空腔结构包括半空腔部和全空腔部。结构简单，工艺精度要求低，由于倒装凸点的特殊设计，得到相应的射频性能，基于悬臂梁结构及倒装凸点的相互配合能通过电压与电流来调整射频信号。互配合能通过电压与电流来调整射频信号。互配合能通过电压与电流来调整射频信号。


技术研发人员：林耀剑 伊斯兰姆
受保护的技术使用者：江苏长电科技股份有限公司
技术研发日：2023.05.16
技术公布日：2023/8/9