调制装置的制作方法

1.本揭露涉及一种调制装置。


背景技术：

2.在大尺寸的调制装置中的线路布局相对复杂，因此，用于传递不同信号的线路之间的耦合作用将使电阻电容负载(resistance-capacitance loading，rc loading)增加，而影响信号传递的质量，导致调制装置的可靠度降低。


技术实现要素：

3.本揭露提供一种调制装置，其可降低用于传递不同信号的线路的阻抗值和/或电容负载，以减少电阻电容负载。
4.根据本揭露的实施例，调制装置包括基板、调制单元、数据线以及扫描线。调制单元设置在基板上。数据线设置在基板上并电性连接调制单元。扫描线设置在基板上，并具有与数据线重叠的重叠区以及未与数据线重叠的非重叠区。在第一方向上，扫描线在重叠区具有第一宽度，扫描线在非重叠区具有第二宽度，且第一宽度小于第二宽度。
5.根据本揭露的实施例，调制装置包括基板、调制单元、数据线以及扫描线。调制单元设置在基板上。数据线设置在基板上并电性连接调制单元。扫描线设置在基板上并与数据线部分重叠。数据线具有与扫描线重叠的重叠区以及未与扫描线重叠的非重叠区。在第二方向上，数据线在重叠区具有第三宽度，数据线在非重叠区具有第四宽度，且第三宽度小于第四宽度。
6.根据本揭露的实施例，调制装置包括基板、多个调制单元、数据线以及扫描线。多个调制单元设置在基板上。数据线设置在基板上并电性连接多个调制单元的至少一者。扫描线设置在基板上并与数据线平行设置。
7.为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
8.包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。
9.图1a为本揭露第一实施例的调制装置的局部俯视示意图；
10.图1b为依据图1a的剖线a1-a1’剖出的一实施例的剖面示意图；
11.图1c为本揭露一实施例的调制装置中的扫描线与数据线的设置关系的局部俯视示意图；
12.图1d为本揭露另一实施例的调制装置中的扫描线与数据线的设置关系的局部俯视示意图；
13.图1e为依据图1a的剖线a2-a2’剖出的一实施例的剖面示意图；
14.图1f为依据图1a的剖线a2-a2’剖出的另一实施例的剖面示意图；
15.图1g为依据图1a的剖线a2-a2’剖出的又一实施例的剖面示意图；
16.图2a为本揭露第二实施例的调制装置的局部俯视示意图；
17.图2b为依据图2a的剖线b-b’剖出的一实施例的剖面示意图；
18.图2c为依据图2a的剖线b-b’剖出的另一实施例的剖面示意图；
19.图3a为本揭露第三实施例的调制装置的局部俯视示意图；
20.图3b为依据图3a的剖线c-c’剖出的一实施例的剖面示意图；
21.图4为本揭露第四实施例的调制装置的局部俯视示意图；
22.图5a为本揭露第五实施例的调制装置的局部俯视示意图；
23.图5b为依据图5a的剖线d1-d1’剖出的一实施例的剖面示意图；
24.图5c为依据图5a的剖线d2-d2’剖出的一实施例的剖面示意图；
25.图5d为依据图5a的剖线d2-d2’剖出的另一实施例的剖面示意图；
26.图6a为本揭露第六实施例的调制装置的局部俯视示意图；
27.图6b为依据图6a的剖线e-e’剖出的一实施例的剖面示意图；
28.图7为本揭露一实施例的调制装置中的扫描线与共享电线的设置关系的局部俯视示意图；
29.图8a为本揭露第七实施例的调制装置的局部俯视示意图；
30.图8b为依据图8a的调制装置的驱动电路的局部俯视示意图；
31.图9a为本揭露一实施例的感光装置的局部俯视示意图；
32.图9b为依据图9a的剖线f-f’剖出的一实施例的剖面示意图；
33.图10为本揭露第八实施例的调制装置的局部俯视示意图。
具体实施方式
34.通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
35.本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。
36.本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
37.当相应的构件(例如膜层或区域)被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一
个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
38.术语“大约”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的10％以内，或解释为在所给定的值或范围的5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
39.说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
40.须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
41.本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、其他适合的元件，或上述元件的组合，但不限于此。
42.在本揭露中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
43.本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、可重构智能表面调制装置(reconfigurable intelligent surface device)、信号馈入装置、波导装置、感测装置、发光装置、或拼接装置，但不以此为限。电子装置可包括可弯折或可挠式电子装置。电子装置可包括电子元件。电子装置例如包括液晶(liquid crystal)层或发光二极管(light emitting diode，led)。电子元件可包括被动元件与主动元件，例如电容、电阻、电感、可变电容、滤波器、二极管、晶体管(transistors)、感应器、微机电系统元件(mems)、液晶芯片(liquid crystal chip)等，但不限于此。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)、次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)、量子点发光二极管(quantum dot led)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材料、或上述组合，但不以此为限。感应器可例如包括电容式感应器(capacitive sensors)、光学式感应器(optical sensors)、电磁式感应器(electromagnetic sensors)、指纹感应器(fingerprint sensor，fps)、触控感应器(touch sensor)、天线(antenna)、或触控笔(pen sensor)等，但不限于此。下文将以显示装置做为电子装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
44.以下举例本揭露的示范性实施例，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或
相似部分。
45.图1a为本揭露第一实施例的调制装置的局部俯视示意图，图1b为依据图1a的剖线a1-a1’剖出的一实施例的剖面示意图，图1c为本揭露一实施例的调制装置中的扫描线与数据线的设置关系的局部俯视示意图，图1d为本揭露另一实施例的调制装置中的扫描线与数据线的设置关系的局部俯视示意图。
46.请同时参照图1a与图1b，本实施例的调制装置10a包括基板sb、调制单元au、扫描线sl以及数据线dl。调制装置10a可例如是适用于通讯领域、雷达/光达领域、可重构智能表面(reconfigurable intelligent surface；ris)技术或其余合适的领域/技术，但本揭露不以此为限。
47.基板sb的材料可例如是玻璃、塑料或其组合。举例而言，基板sb的材料可包括石英、蓝宝石(sapphire)、硅(si)、锗(ge)、碳化硅(sic)、氮化镓(gan)、硅锗(sige)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，pmma)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、聚酰亚胺(polyimide,pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)或其他适合的材料或上述材料的组合，本揭露不以此为限。
48.调制单元au例如设置在基板sb上。在一些实施例中，调制单元au可包括变容二极管、可变电容、可变电阻、相移器、放大器、天线、生物辨识传感器、石墨烯传感器、其余合适的元件或其组合。举例而言，本实施例的调制单元au包括有变容二极管，变容二极管可根据来自后续将介绍的驱动电路dc以及晶体管tft提供的信号来提供不同的电容值，即，通过改变变容二极管两端的电压可改变变容二极管的电容值的大小。因此，通过调整变容二极管的电容值，可使得本实施例的调制装置10a进行操作频段的调整，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，在同一行(row)中的相邻调制单元au之间的节距p与所欲调整的电磁波波长有相关性。举例而言，相邻调制单元au之间的节距p例如约为欲调整的电磁波波长的二分之一，但本揭露不以此为限。
49.扫描线sl以及数据线dl例如设置于基板sb上。扫描线sl例如电性连接后续将介绍的晶体管tft，且数据线dl例如电性连接调制单元au。在一些实施例中，扫描线sl朝第一方向d1延伸，且数据线dl朝第二方向d2延伸，其中第一方向d1与第二方向d2不同。在本实施例中，第一方向d1与第二方向d2垂直，但本揭露不以此为限。扫描线sl例如与数据线dl部分重叠，其中数据线dl部分覆盖扫描线sl，但本揭露不以此为限。在本实施例中，扫描线sl与数据线dl具有重叠区以及非重叠区。详细地说，前述的重叠区被定义为扫描线sl与数据线dl在基板sb的俯视方向n上重叠的区域，俯视方向n例如与第一方向d1以及第二方向d2垂直，其中扫描线sl具有与数据线dl重叠的重叠区sl_oa以及未与数据线dl重叠的非重叠区sl_noa；或者数据线dl具有与扫描线sl重叠的重叠区dl_oa以及未与扫描线sl重叠的非重叠区dl_noa。
50.在本实施例中，扫描线sl和/或数据线dl可具有以下的设计，以降低调制装置10a的电容负载(capacitive load)，其中由扫描线sl与数据线dl产生的电容负载可例如符合以下关系式：c＝(ε
·
a)/d，c为扫描线sl与数据线dl产生的电容负载，ε为扫描线sl与数据线dl之间的介质的电容率，a为扫描线sl与数据线dl在基板sb的俯视方向n上重叠的面积，且d为扫描线sl与数据线dl在基板sb的俯视方向n上的距离。
51.在一些实施例中，如图1c所示出，扫描线sl的重叠区sl_oa以及非重叠区sl_noa在
第二方向d2上可具有不同的宽度。详细地说，扫描线sl在重叠区sl_oa具有在第二方向d2上的第一宽度sl_w1，扫描线sl在非重叠区sl_noa具有在第二方向d2上的第二宽度sl_w2，且第一宽度sl_w1小于第二宽度sl_w2(sl_w1《sl_w2)。在另一些实施例中，如图1d所示出，数据线dl的重叠区dl_oa以及非重叠区dl_noa在第一方向d1上可具有不同的宽度。详细地说，数据线dl在重叠区dl_oa具有在第一方向d1上的第三宽度dl_w1，数据线dl在非重叠区dl_noa具有在第一方向d1上的第四宽度dl_w2，且第三宽度dl_w1小于第四宽度dl_w2(dl_w1《dl_w2)。
52.通过前述的设计，扫描线sl与数据线dl在基板sb的俯视方向n上重叠的面积可缩减，使得由扫描线sl与数据线dl产生的电容负载可降低，借此可提升调制装置10a的信号传递质量。
53.在一些实施例中，调制装置10a还包括有绝缘层il1、绝缘层il2、第一电极c1、第二电极c2、晶体管tft、共享电线cl、驱动电路dc、散热结构tc、导体层m。
54.绝缘层il1例如设置于基板sb上。在本实施例中，绝缘层il1设置于数据线dl与扫描线sl之间，且覆盖扫描线sl。绝缘层il1的材料可例如为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料(例如：聚四氟乙烯、聚酰亚胺、聚对二甲苯、苯并环丁烯或其余合适的材料)或上述的组合，但本揭露不限于此。设置于数据线dl与扫描线sl之间的绝缘层il1(介质)可因包括前述的材料而具有相对低的电容率，使得由扫描线sl与数据线dl产生的电容负载可降低，借此可提升调制装置10a的信号传递质量。在一些实施例中，绝缘层il1的电容率可小于5。在另一些实施例中，绝缘层il1的电容率可小于4。在又一些实施例中，绝缘层il1的电容率可小于3。
55.在一些实施例中，绝缘层il1可为单层结构或多层结构，本揭露不以此为限。另外，在一些实施例中，绝缘层il1的厚度il1_t为0.2μm-10μm。在另一些实施例中，绝缘层il1的厚度il1_t为1μm-5μm。由于绝缘层il1的厚度il1_t实质上为扫描线sl与数据线dl在基板sb的俯视方向n上的距离，因此，当绝缘层il1的厚度il1_t在前述的范围时，数据线dl在基板sb的俯视方向n上的距离可相对地增加，使得由扫描线sl与数据线dl产生的电容负载可降低，借此可提升调制装置10a的信号传递质量。
56.绝缘层il2例如设置于基板sb上。在本实施例中，绝缘层il2覆盖数据线dl。绝缘层il2包括的材料可与绝缘层il1包括的材料相同或相似，于此不再赘述。
57.第一电极c1以及第二电极c2例如设置于基板sb上。在本实施例中，第一电极c1以及第二电极c2设置于绝缘层il2上，且第一电极c1以及第二电极c2可以属于同一层金属层,亦可以属于不同层金属层。在一些实施例中，第一电极c1或/和第二电极c2可由单层金属层或多层子金属层组合而成，但本揭露不限于此。调制单元au例如设置在第一电极c1以及第二电极c2上，且可例如通过接垫pad1以及接垫pad2与第一电极c1以及第二电极c2电性连接，但本揭露不以此为限。第一电极c1可例如具有开口c1_op和/或狭槽c1_slit，且第二电极c2亦可例如具有开口c2_op和/或狭槽c2_slit，通过使第一电极c1以及第二电极c2具有前述的设计，可例如减少第一电极c1和/或第二电极c2反射的信号，以获得可控制的调制单元au的操作频率范围。值得说明的是，本实施例并未限制第一电极c1与第二电极c2具有的开口和/或狭槽的数量为一个，亦未限制第一电极c1与第二电极c2须同时具有开口以及狭槽。第一电极c1以及第二电极c2可例如通过现有的图案化工艺形成，举例而言，第一电极c1
以及第二电极c2可利用激光直接成型(laser direct structuring，lds)形成，但本揭露不以此为限
58.晶体管tft可例如与调制单元au电性连接，以驱动调制单元au。晶体管tft可例如包括有栅极g、源极s、漏极d以及半导体层se，但本揭露不以此为限。在本实施例中，栅极g与扫描线sl属于同一层金属层，且源极s以及漏极d与数据线dl属于同一层金属层，其中栅极g被绝缘层il1覆盖，源极s被绝缘层il2覆盖，且漏极d被绝缘层il2部分覆盖，但本揭露不以此为限。晶体管tft可例如通过贯穿绝缘层il2的通孔v1与调制单元au电性连接。详细地说，通孔v1在基板sb的俯视方向n上贯穿绝缘层il2，且暴露出部分的晶体管tft的漏极d，其中第一电极c1通过通孔v1与晶体管tft的漏极d电性连接，使得设置于第一电极c1上的调制单元au可与晶体管tft电性连接。
59.在一些实施例中，扫描线sl可与晶体管tft的栅极g电性连接，且数据线dl可与晶体管tft的源极s电性连接，其中扫描线sl以及数据线dl可各自用于提供扫描信号以及数据信号给相应的晶体管tft，使其操作调制单元au，但本揭露不以此为限。另外，在本实施例中，数据线dl可通过晶体管tft电性连接第一电极c1。
60.在一些实施例中，半导体层se的材料包括低温多晶硅(low temperature polysilicon，ltps)、金属氧化物(metal oxide)或非晶硅(amorphous silicon，a-si)，或前述之组合，但本揭露不以此为限。举例而言，半导体层se的材料可包含但不限于非晶硅、多晶硅、锗、化合物半导体(例如氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(例如sige合金、gaasp合金、alinas合金、algaas合金、gainas合金、gainp合金、gainasp合金)，或前述的组合。半导体层se的材料亦可包含但不限于金属氧化物，例如铟镓锌氧化物(igzo)、铟锌氧化物(izo)、铟镓锌氧化物(igzto)、或包含多环芳香族化合物的有机半导体，或前述的组合。栅极g在基板sb的俯视方向n上例如至少部分地与半导体层se重叠。源极s与漏极d例如彼此分离，且覆盖至少部分的半导体层se并与半导体层se电性连接。或者，源极s与漏极d可各自通过在其与半导体层se之间的绝缘层(未示出)中的通孔(未示出)而彼此电性连接。值得说明的是，晶体管tft为本领域技术人员所周知的任一种底部栅极型薄膜晶体管。然而，本实施例虽然是以底部栅极型薄膜晶体管为例，但本揭露不以此为限。
61.共享电线cl例如设置于基板sb上。在一些实施例中，共享电线cl与扫描线sl朝相同方向延伸，即，共享电线cl朝第一方向d1延伸，但本揭露不以此为限。在本实施例中，共享电线cl与栅极g以及扫描线sl属于同一层金属层，其中共享电线cl被绝缘层il1部分覆盖，但本揭露不以此为限。共享电线cl例如电性连接调制单元au，以将共享信号提供给调制单元au。在本实施例中，共享电线cl可通过贯穿绝缘层il1以及绝缘层il2的通孔v2与调制单元au电性连接。详细地说，通孔v2在基板sb的俯视方向n上贯穿绝缘层il1以及绝缘层il2，且暴露出部分的共享电线cl，其中第二电极c2通过通孔v2与共享电线cl电性连接，使得设置于第二电极c2上的调制单元au可与共享电线cl电性连接。
62.驱动电路dc例如设置于基板sb上。在一些实施例中，驱动电路dc可设置在基板sb的至少一侧。详细地说，驱动电路dc可设置在基板sb的周边区域(未示出)，但本揭露不以此为限。举例而言，如图1a所示出，驱动电路dc至少设置在位于基板sb的一侧的周边区域，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，驱动电路dc是以在基板sb1上直接设置驱动电路的方
式设置；或者驱动电路dc是以芯片设置在基板sb1上的方式设置，本揭露不以此为限。驱动电路dc可例如包括有时序控制电路、数据驱动电路、电压供应电路、电源驱动电路、其余合适的电路或其组合，本揭露不以此为限。在本实施例中，驱动电路dc各自与扫描线sl、数据线dl以及共享电线cl电性连接(与数据线dl电性连接的驱动电路未示出于图1a中)，其中驱动电路dc可通过扫描线sl以及数据线dl提供相应的扫描信号以及数据信号至晶体管tft，且驱动电路dc亦可通过共享电线cl提供相应的共享信号至调制单元au，使得调制单元au可根据晶体管tft以及共享电线cl各自提供的电压电平被操作，借此以达到多频操作和/或宽带操作的效果。
63.散热结构tc例如设置在基板sb的下方。详细地说，散热结构tc在基板sb的俯视方向n上设置在基板sb的下方。散热结构tc可例如用以将设置于基板sb上方的各电子元件(例如晶体管tft、调制单元au、扫描线sl、数据线dl等)产生的热逸散至外界，以达到降低调制装置10a的温度的效果。在一些实施例中，散热结构tc可包括热沉(heat sink)，其具有多个散热鳍片，以快速地将前述的热逸散至外界。在另一些实施例中，散热结构tc可包括均温板(vapor chamber)，其具有包括微结构的腔室，腔室包括吸热端以及放热端，且工作流体在腔室内流动。当前述的热传导至腔室的吸热端时，工作流体吸收热而气化，此气化的工作流体因压力变高而移动至压力较低的放热端，而在放热端凝结回液体将热放出，借此将前述的热逸散至外界，之后此液体可通过微结构的毛细现象而回到吸热端。
64.在本实施例中，通过散热结构tc的设置可降低操作时扫描线sl和/或数据线dl的阻抗，其中扫描线sl和/或数据线dl可例如符合以下关系式：r＝(ρ
·
l)/a’，ρ为扫描线sl和/或数据线dl的电阻率，l为扫描线sl在第一方向d1上的长度和/或数据线dl在第二方向d2上的长度，且a’为扫描线sl在第二方向d2上的截面积和/或数据线dl在第一方向d1上的截面积。
65.在一些实施例中，如图1b所示出，散热结构tc设置在基板sb的下方，以将设置于基板sb上方的各电子元件产生的热逸散至外界，使得扫描线sl和/或数据线dl的温度可降低而减少其电阻率，借此降低扫描线sl和/或数据线dl的阻抗。
66.导体层m例如设置在散热结构tc与基板sb之间。详细地说，导体层m在基板sb的俯视方向n上设置在散热结构tc与基板sb之间。导体层m的材料可例如包括铜、钼、石墨、其余合适的导体或前述的其组合，且导体层m可例如包括单层结构或多层结构，本揭露不以此为限。导体层m可例如用于将设置于基板sb上方的各电子元件(例如晶体管tft、调制单元au、扫描线sl、数据线dl等)产生的热传导至散热结构tc，以降低调制装置10a的温度，但本揭露不以此为限。在其他的实施例中，导体层m可用于电性传导的用途。举例而言，导体层m可包括接地板(ground plate)，接地板的材料可例如包括金属，其可与调制单元au电性连接，以将调制单元au接地。导体层m可例如具有不透光的特性，且可全面地形成于基板sb的下方或可具有开口，以用于遮蔽不欲接收的电磁波，本揭露不以此为限。
67.图1e为依据图1a的剖线a2-a2’剖出的一实施例的剖面示意图，图1f为依据图1a的剖线a2-a2’剖出的另一实施例的剖面示意图，且图1g为依据图1a的剖线a2-a2’剖出的又一实施例的剖面示意图。
68.请参照图1e，本实施例还可包括有绝缘层il0。绝缘层il0例如设置于基板sb上，且设置于基板sb与绝缘层il1之间。绝缘层il0包括的材料可与绝缘层il1包括的材料相同或
相似，于此不再赘述。另外，本实施例的扫描线sl和/或数据线dl可包括有辅助电极线。详细地说，如图1e所示出，扫描线sl包括有主要电极线sla以及辅助电极线slb，且数据线dl包括有主要电极线dla以及辅助电极线dlb，其中辅助电极线slb以及辅助电极线dlb被绝缘层il0部分覆盖，主要电极线sla以及主要电极线dla设置于绝缘层il0上且各自通过过贯穿绝缘层il0的通孔il0_v1以及通孔il0_v2与辅助电极线slb以及辅助电极线dlb电性连接。
69.通过前述的设计，扫描线sl在第二方向d2上的截面积和/或数据线dl在第一方向d1上的截面积可增加，借此可降低扫描线sl和/或数据线dl的阻抗值。
70.另外，共享电线cl亦可包括有辅助电极线。详细地说，如图1e所示出，共享电线cl包括有主要电极线cla以及辅助电极线clb，其中辅助电极线clb被绝缘层il0部分覆盖，主要电极线cla设置于绝缘层il0上且通过贯穿绝缘层il0的通孔il0_v3与辅助电极线clb电性连接。
71.在一些实施例中，辅助电极线(例如:辅助电极线slb、辅助电极线dlb或/和辅助电极线clb)的材料与主要电极线(例如:主要电极线sla、主要电极线dla或/和主要电极线cla)的材料可以不同，此外，辅助电极线(例如:辅助电极线slb、辅助电极线dlb或/和辅助电极线clb)的材料电阻率可低于主要电极线(例如:主要电极线sla、主要电极线dla或/和主要电极线cla)的材料电阻率，但本揭露不限于此。在另一些实施例中，在俯视方向n上辅助电极线(例如:辅助电极线slb、辅助电极线dlb或/和辅助电极线clb)的厚度可大于主要电极线(例如:主要电极线sla、主要电极线dla或/和主要电极线cla)的厚度，但本揭露不限于此。在另一些实施例中，在一剖面方向上，辅助电极线(例如:辅助电极线slb、辅助电极线dlb或/和辅助电极线clb)的厚度可大于主要电极线(例如:主要电极线sla、主要电极线dla或/和主要电极线cla)的厚度，但本揭露不限于此。
72.然而，扫描线sl和/或数据线dl的样态并不以图1e示出的实施例为限。图1f以及图1g示出扫描线sl和/或数据线dl的其余实施例。
73.请参照图1f，其亦示出本实施例的扫描线sl和/或数据线dl包括有辅助电极线。详细地说，如图1f所示出，扫描线sl包括有主要电极线sla以及辅助电极线slb，且数据线dl包括有主要电极线dla以及辅助电极线dlb，其中辅助电极线slb以及辅助电极线dlb设置于基板sb的下方，主要电极线sla以及主要电极线dla设置于基板sb的上方且各自通过贯穿基板sb的通孔vs以及通孔vd与辅助电极线slb以及辅助电极线dlb电性连接。
74.通过前述的设计，扫描线sl在第二方向d2上的截面积和/或数据线dl在第一方向d1上的截面积可增加，借此可降低扫描线sl和/或数据线dl的阻抗值。
75.另外，共享电线cl亦可包括有辅助电极线。详细地说，如图1f所示出，共享电线cl包括有主要电极线cla以及辅助电极线clb，其中辅助电极线clb设置于基板sb的下方，主要电极线cla设置于基板sb的上方且通过贯穿基板sb的通孔vc与辅助电极线clb电性连接。
76.请参照图1g，其示出本实施例的扫描线sl包括有主要电极线sla以及辅助电极线slb，其中主要电极线sla设置于基板sb上，辅助电极线slb设置于绝缘层il2上且通过贯穿绝缘层il2的通孔il2_v1以及贯穿绝缘层il1的通孔il1_v1与主要电极线sla电性连接，其中通孔il2_v1与通孔il1_v1连通。
77.通过前述的设计，扫描线sl在第二方向d2上的截面积可增加，借此可降低扫描线sl的阻抗值。
78.然而，再次说明扫描线sl和/或数据线dl的实施例并不以图1e至图1g示出的实施例为限。举例而言，扫描线sl和/或数据线dl可例如在基板sb的俯视方向n上具有超过1微米的厚度；或者扫描线sl和/或数据线dl可由多层结构组成，使得扫描线sl在第二方向d2上的截面积和/或数据线dl在第一方向d1上的截面积可相对地增加，借此可降低扫描线sl和/或数据线dl的阻抗值。
79.图2a为本揭露第二实施例的调制装置的局部俯视示意图，图2b为依据图2a的剖线b-b’剖出的一实施例的剖面示意图，且图2c为依据图2a的剖线b-b’剖出的另一实施例的剖面示意图。须说明的是，图2a的实施例可沿用图1a的实施例的元件标号与部分内容，且图2b与图2c的实施例可沿用图1e至图1g的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
80.请参照图2a，本实施例的调制装置10b与前述的调制装置10a的主要差异在于：调制装置10b包括的扫描线sl与数据线dl平行设置，即，调制装置10b包括的扫描线sl朝第二方向d2延伸。调制装置10b在第二方向d2上的最大长度小于在第一方向d1上的最大长度，因此，与扫描线sl朝第一方向d1延伸的设置方式相比，调制装置10b包括的扫描线sl具有的长度较短。
81.通过前述的设计，扫描线sl在第二方向d2上可具有相对短的长度，借此可降低扫描线sl的阻抗值。
82.另外，本实施例的共享电线cl亦可朝第二方向d2延伸。
83.在图2b以及图2c中，其示出了扫描线sl的另一些实施例。
84.请参照图2b以及图2c，其示出本实施例的扫描线sl包括有辅助电极线。详细地说，如图2b所示出，扫描线sl包括有主要电极线sla以及辅助电极线slb，其中主要电极线sla设置于基板sb上且被绝缘层il1部分覆盖，且辅助电极线slb设置于绝缘层il1上并通过贯穿绝缘层il1的通孔il1_v1与主要电极线sla电性连接。此外，本实施例的辅助电极线slb与数据线dl属于同一层金属层，但本揭露不以此为限。请参照图2b以及图2c，在图2b中，扫描线sl的辅助电极线slb与共享电线cl不重叠；而在图2c中，扫描线sl的辅助电极线slb与共享电线cl重叠。
85.通过前述的设计，扫描线sl在第二方向d2上的截面积可增加，借此可降低扫描线sl的阻抗值。
86.另外，在图2b示出的实施例中，共享电线cl亦可包括有辅助电极线。详细地说，如图2b所示出，共享电线cl包括有主要电极线cla以及辅助电极线clb，其中主要电极线cla设置于基板sb上且被绝缘层il1部分覆盖，且辅助电极线clb设置于绝缘层il1上并通过贯穿绝缘层il1的通孔il1_v3与主要电极线cla电性连接。此外，本实施例的辅助电极线clb亦与数据线dl属于同一层金属层，但本揭露不以此为限。
87.图3a为本揭露第三实施例的调制装置的局部俯视示意图，且图3b为依据图3a的剖线c-c’剖出的一实施例的剖面示意图。须说明的是，图3a的实施例可沿用图2a的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
88.请同时参照图3a以及图3b，本实施例的调制装置10c与前述的调制装置10b的主要差异在于：调制装置10c的驱动电路dc设置于基板sb的下方，且驱动电路dc大致设置在基板
sb的中间区域。
89.详细地说，驱动电路dc设置于基板sb的下方。本实施例的驱动电路dc各自通过通孔vs、通孔vd以及通孔vc与扫描线sl、数据线dl以及共享电线cl电性连接，其中通孔vs与通孔vc贯穿基板sb，且通孔vd贯穿绝缘层il1、基板sb。在一些实施例中，导体层m可设置于基板sb与驱动电路dc之间，驱动电路dc可通过贯穿基板sb以及导体层m的多个通孔分别与扫描线sl、数据线dl或/和共享电线cl电性连接，但本揭露不限于此。
90.基于此，在调制装置10c中，驱动电路dc是设置于基板sb的下方，因此，与驱动电路dc设置于基板sb的至少一侧的设置方式相比，调制装置10c包括的扫描线sl和/或数据线dl具有的长度较短。
91.通过前述的设计，扫描线sl在第二方向d2上和/或数据线dl在第二方向d2上可具有相对短的长度，借此可降低扫描线sl和/或数据线dl的阻抗值。
92.图4为本揭露第四实施例的调制装置的局部俯视示意图。须说明的是，图4的实施例可沿用图1a的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
93.请参照图4，本实施例的调制装置10d与前述的调制装置10a的主要差异在于：调制装置10d的一个调制单元au由两个晶体管操作，且包括有两条数据线。
94.详细地说，调制装置10d包括有用于操作一个调制单元au的第一晶体管tft1以及第二晶体管tft2，且数据线dl包括有主要数据线dl1以及辅助数据线dl1’。主要数据线dl1可例如与第一晶体管tft1电性连接，且辅助数据线dl1’可例如与第二晶体管tft2电性连接，以各自用于提供相应的数据信号，使第一晶体管tft1以及第二晶体管tft2用于操作调制单元au，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，当主要数据线dl1所承受的电压或电流过大，可使用辅助数据线dl1’分担承载，但本揭露不以此为限。
95.值得说明的是，本实施例的调制装置10d(或者前述的调制装置10a、调制装置10b或调制装置10c)还可包括两条扫描线(未示出)，其包括有主要扫描线以及辅助扫描线，其中主要扫描线以及辅助扫描线各自与相应的晶体管电性连接，但本揭露不以此为限。
96.图5a为本揭露第五实施例的调制装置的局部俯视示意图，图5b为依据图5a的剖线d1-d1’剖出的一实施例的剖面示意图，图5c为依据图5a的剖线d2-d2’剖出的一实施例的剖面示意图，且图5d为依据图5a的剖线d2-d2’剖出的另一实施例的剖面示意图。须说明的是，图5a的实施例可沿用图1a的实施例的元件标号与部分内容，图5b的实施例可沿用图1b的实施例的元件标号与部分内容，且图5c以及图5d的实施例可各自沿用图1e至图1g的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
97.请同时参照图5a以及图5b，本实施例的调制装置10e与前述的调制装置10a的主要差异在于：调制装置10e中的晶体管tft为顶部栅极型薄膜晶体管，且晶体管tft中的半导体层se包括的材料为低温多晶硅。
98.在本实施例中，调制装置10e还包括有缓冲层bf以及绝缘层il0。
99.缓冲层bf例如设置于基板sb上，且半导体层se例如设置于缓冲层bf上。在本实施例中，缓冲层bf设置于基板sb与半导体层se之间，但本揭露不以此为限。缓冲层bf的材料可例如为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆栈层)，但本揭
露不限于此。缓冲层bf可例如用于减少基板sb中的杂质进入半导体层se中的情况，且可例如用于增强基板sb与半导体层se之间的黏合性，但本揭露不以此为限。
100.绝缘层il0例如设置于缓冲层bf上且部分覆盖半导体层se。绝缘层il0包括的材料可与绝缘层il1包括的材料相同或相似，于此不再赘述。
101.在一些实施例中，半导体层se可包括源极区、漏极区以及通道区(未示出)，源极区接触源极s，漏极区接触漏极d，通道区与栅极g在基板sb的俯视方向n上重叠。此外，调制装置10e还可包括有遮光层(未示出)，遮光层可例如设置于基板sb与半导体层se的通道区之间且被缓冲层bf覆盖，且遮光层在基板sb的俯视方向n上与半导体层se的通道区至少部分重叠，借此可减少通道区因受外界的环境光照射而受影响劣化的情况。在一些实施例中，遮光层的材料可包括穿透率低于30％的材料，但本揭露不以此为限。
102.请参照图5c以及图5d，本实施例的扫描线sl可包括有辅助电极线。
103.详细地说，在一实施例中，如图5c所示出，扫描线sl包括有主要电极线sla以及辅助电极线slb，其中辅助电极线slb位于主要电极线sla上。从另一个角度来看，调制装置10e可包括有区域area1以及区域area2，区域area1与区域area2在第一方向d1上彼此相邻，其中区域area2定义为在基板sb的俯视方向n上未与数据线dl或半导体层se重叠的区域，区域area1为区域area2以外的区域。主要电极线sla例如分布于区域area1以及区域area2中，且辅助电极线slb例如分布于区域area2中。基于此，通过前述的设计，位于区域area2中的扫描线sl在第二方向d2上的截面积可增加，借此可降低扫描线sl的阻抗值。
104.在另一实施例中，如图5d所示出，扫描线sl包括的主要电极线sla位于辅助电极线slb上，其中主要电极线sla例如分布于区域area1以及区域area2中，且辅助电极线slb例如分布于区域area2中。基于此，通过前述的设计，位于区域area2中的扫描线sl在第二方向d2上的截面积可增加，借此可降低扫描线sl的阻抗值。
105.图6a为本揭露第六实施例的调制装置的局部俯视示意图，且图6b为依据图6a的剖线e-e’剖出的一实施例的剖面示意图。须说明的是，图6a的实施例可沿用图5a的实施例的元件标号与部分内容，且图6b的实施例可沿用图5b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
106.请同时参照图6a以及图6b，本实施例的调制装置10f与前述的调制装置10e的主要差异在于：调制装置10f中的晶体管tft’为双栅极型薄膜晶体管。
107.详细地说，在本实施例中，扫描线sl具有开口sl_op，其中扫描线sl的开口sl_op在基板sb的俯视方向n上暴露出部分的半导体层se，借此形成具有彼此分离的双栅极(栅极g1以及栅极g2)的晶体管tft’。
108.虽然图6a未示出，在一些实施例中，扫描线sl具有的开口sl_op可沿着第一方向d1延伸而与数据线dl在基板sb的俯视方向n上部分重叠，借此可减少扫描线sl与数据线dl在基板sb的俯视方向n上重叠的面积。
109.通过前述的设计，扫描线sl与数据线dl在基板sb的俯视方向n上重叠的面积可减少，使得由扫描线sl与数据线dl产生的电容负载可降低，借此可提升调制装置10f的信号传递质量。
110.图7为本揭露一实施例的调制装置中的扫描线与共享电线的设置关系的局部俯视示意图。
111.在一些实施例中，如图7所示出，共享电线cl具有电连接线段cl_cs以及延伸线段cl_es。共享电线cl的电连接线段cl_cs例如用于与调制单元au电性连接。另外，共享电线cl的延伸线段cl_es例如在共享电线cl的延伸方向(本实施例为第一方向d1)延伸，且其两端连接相邻的电连接线段cl_cs。在本实施例中，共享电线cl的电连接线段cl_cs相对远离扫描线sl，即，共享电线cl的电连接线段cl_cs与扫描线sl之间在第二方向d2上的距离d
cs
大于共享电线cl的延伸线段cl_es与扫描线sl之间在第二方向d2上的距离d
es
。
112.通过前述的设计，共享电线cl与扫描线sl之间在第二方向d2上的距离可增加，使得由共享电线cl与扫描线sl产生的电容负载可降低。
113.值得说明的是，在其他的实施例中，亦可使共享电线cl的延伸线段cl_es相对远离扫描线sl，即，共享电线cl的电连接线段cl_cs与扫描线sl之间在第二方向d2上的距离d
cs
小于共享电线cl的延伸线段cl_es与扫描线sl之间在第二方向d2上的距离d
es
，但本揭露不以此为限。
114.另外，在其他的实施例中，亦可增加用于驱动一行(row)的共享电线cl与用于驱动相邻行的扫描线sl之间在第二方向d2上的距离，但本揭露不以此为限。
115.图8a为本揭露第七实施例的调制装置的局部俯视示意图，且图8b为依据图8a的调制装置的驱动电路的局部俯视示意图。须说明的是，图8a的实施例可沿用图3a的实施例的元件标号与部分内容，且图8b的实施例可沿用图3b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
116.请参照图8a，本实施例的调制装置10g与前述的调制装置10c的主要差异在于：调制装置10g包括设置于基板sb的下方的多个芯片ic，且由多个芯片ic分区驱动多个调制单元au。
117.详细地说，本实施例的调制装置10g将m*n个调制单元au分为一组调制单元组100，其中m*n个调制单元au以数组排列的方式设置，在第一方向d1上排列有m个调制单元au，且在第二方向d2上排列有n个调制单元au。因此，在基板sb的第一表面sb_s1(设置有调制单元au的表面)上，一组调制单元组100中包括有n条扫描线、m条数据线以及n条共享电线，且一组调制单元组100由一个芯片ic驱动。以图8a为例，本实施例的调制装置10g将3*2个调制单元au分为一组调制单元组100以数组排列的方式设置。在基板sb的第一表面sb_s1(设置有调制单元au的表面)上，一组调制单元组100中包括有2条扫描线(扫描线sl1以及扫描线sl2)、3条数据线(数据线dl1、数据线dl2以及数据线dl3)以及2条共享电线(共享电线cl1以及共享电线cl2)，且一组调制单元组100由一个芯片ic驱动。
118.芯片ic可例如包括有时序控制电路、数据驱动电路、电压供应电路、电源驱动电路、其余合适的电路或其组合，本揭露不以此为限。在本实施例中，芯片可通过面板级封装(panel level package，plp)工艺形成于基板sb下方，其中面板级封装可包括重布线结构先制(rdl first)工艺或芯片先制(chip first)工艺。因此，本实施例的基板sb可具有面板级尺寸(也就是说，基板sb的面积可大于或等于50厘米x 50厘米)，其可用于实现高产能的需求。
119.另外，在本实施例中，基板sb具有多个通孔，其中多个芯片ic可通过基板sb的多个通孔与调制单元au电性连接。详细地说，在一组调制单元组100中，在基板sb的第二表面sb_s2(设置有芯片ic的表面)上设置有与一个芯片ic电连接的两条扫描线(扫描线sl1’以及扫
描线sl2’)、三条数据线(数据线dl1’、数据线dl2’以及数据线dl3’)以及两条共享电线(共享电线cl1’以及共享电线cl2’)，其中扫描线sl1’通过基板sb的通孔vs1与扫描线sl1电性连接，扫描线sl2’通过基板sb的通孔vs2与扫描线sl2电性连接，数据线dl1’通过基板sb的通孔vd1与数据线dl1电性连接，数据线dl2’通过基板sb的通孔vd2与数据线dl2电性连接，数据线dl3’通过基板sb的通孔vd3与数据线dl3电性连接，共享电线cl1’通过基板sb的通孔vc1与共享电线cl1电性连接，且共享电线cl2’通过基板sb的通孔vc2与共享电线cl2电性连接。
120.通过前述的设计，在调制装置10g中，扫描线sl在第一方向d1上的长度和/或数据线dl在第一方向d1上的长度可减少，借此可降低扫描线sl和/或数据线dl的阻抗值。
121.图9a为本揭露一实施例的感光装置的局部俯视示意图，且图9b为依据图9a的剖线f-f’剖出的一实施例的剖面示意图。须说明的是，图9a的实施例可沿用图1a的实施例的元件标号与部分内容，且图9b的实施例可沿用图1b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
122.请参照图9a，本实施例的感光装置20与前述的调制装置10a的主要差异在于：感光装置20包括光电单元ps而未包括调制单元au。
123.详细地说，感光装置20包括有光电单元ps，其中光电单元ps包括有光电二极管pd、电极e1以及电极e2。光电二极管pd可例如包括有半导体层pd1、感光层pd2以及半导体层pd3，且半导体层pd1、感光层pd2以及半导体层pd3例如以此顺序在基板sb的俯视方向n上堆栈。电极e1以及电极e2例如各自与半导体层pd1以及半导体层pd3电性连接。光电二极管pd可例如包括单晶材料、多晶材料或有机材料，举例来说，光电二极管pd可例如包括有机光电二极管(opd,organic photodiode)，本揭露不以此为限。
124.光电单元ps例如与晶体管tft”的漏极d电性连接，以使晶体管tft”可用以驱动光电单元ps。详细地说，光电单元ps可将接收到的光子转换成载子(例如电子和/或空穴)，在晶体管tft”未开启时，载子储存在光电单元ps中。当晶体管tft”开启之后，储存于光电单元ps的载子可例如经由与晶体管tft”耦接的读取线(数据线dl)被读取，从而实现光检测的作用。本实施例的晶体管tft”例如为一种双栅极型薄膜晶体管(包括栅极g1以及栅极g2)，且包括的材料例如为低温多晶硅，但本揭露不以此为限。
125.在一些实施例中，感光装置20还可包括有缓冲层bf、绝缘层il3、绝缘层il4以及偏置线bl。
126.缓冲层bf例如设置于基板sb与晶体管tft”的半导体层se之间。缓冲层bf的材料可例如为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆栈层)，但本揭露不限于此。缓冲层bf可例如用于减少基板sb中的杂质进入半导体层se中的情况，且可例如用于增强基板sb与半导体层se之间的黏合性，但本揭露不以此为限。
127.绝缘层il3例如设置于绝缘层il2上。在本实施例中，绝缘层il3覆盖晶体管tft”且部分覆盖光电单元ps，其中绝缘层il3具有暴露出光电单元ps的电极e2的通孔il3_v。绝缘层il3包括的材料可与绝缘层il1包括的材料相同或相似，于此不再赘述。
128.绝缘层il4例如设置于绝缘层il3上。在本实施例中，绝缘层il4亦覆盖晶体管tft”且部分覆盖光电单元ps，其中绝缘层il4具有暴露出光电单元ps的电极e2的通孔il4_v，即，通孔il4_v可与通孔il3_v连通而一起暴露出部分的电极e2。绝缘层il4包括的材料可与绝
缘层il1包括的材料相同或相似，于此不再赘述。在一些实施例中，绝缘层il4可做为平坦层的用途，但本揭露不以此为限。
129.偏置线bl例如设置于绝缘层il4上且与光电单元ps电性连接，其中偏置线bl可例如通过连通的通孔il3_v以及通孔il4_v与光电单元ps的电极e2电性连接。偏置线bl可例如用于施加电压给光电单元ps，使光电单元ps中的空穴电子对分离而产生载子。在一些实施例中，偏置线bl可朝第二方向d2延伸，但本揭露不以此为限。
130.在本实施例中，亦可将应用于调制装置10a至调制装置10g中的扫描线sl和/或数据线dl的设计应用至感光装置20中，以提升感光装置20的光检测质量。举例而言，可通过减少扫描线sl与数据线dl在基板sb的俯视方向n上重叠的面积，以使得由扫描线sl与数据线dl产生的电容负载可降低；或者可通过使扫描线sl和/或数据线dl包括有主要电极线与辅助电极线的叠层，而使扫描线sl在第二方向d2上的截面积和/或数据线dl在第一方向d1上的截面积可增加，借此可降低扫描线sl和/或数据线dl的阻抗值，但本揭露不以此为限。
131.图10为本揭露第八实施例的调制装置的局部俯视示意图。须说明的是，图10的实施例可沿用图1a的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
132.请参照图10，本实施例的调制装置10h与前述的调制装置10a的主要差异在于：调制装置10h包括调制单元mems而未包括调制单元au。
133.详细地说，调制装置10h中的调制单元mems例如是一种微机电单元，其包括有共享电极ce以及调制电极me。共享电极ce例如与共享电线cl电性连接，以接收来自共享电线cl提供的信号，且共享电极ce例如具有开口ce_op，但本揭露不以此为限。调制电极me例如与晶体管tft电性连接，以通过来自晶体管tft提供的相应信号而移动。在本实施例中，调制电极me可接收晶体管tft提供的相应信号而旋转移动。举例而言，在调制装置10h中的第一行(row)的一组调制单元mems1是在晶体管tft未开启的状态，在调制装置10h中的第二行的一组调制单元mems2接收晶体管tft提供的第一信号而旋转移动，且在调制装置10h中的第三行的一组调制单元mems3接收晶体管tft提供的第二信号而旋转移动。
134.通过使调制电极me旋转移动可改变共享电极ce与其之间的电容值，借此达到调整操作频段的效果；或者可改变共享电极ce的开口ce_op的有效长度，借此达到调整开口ce_op的共振频率的效果，但本揭露不以此为限。
135.在本实施例中，亦可将应用于调制装置10a至调制装置10g中的扫描线sl和/或数据线dl的设计应用至调制装置10h中，以提升调制装置10h的信号传递质量。举例而言，可通过减少扫描线sl与数据线dl在基板sb的俯视方向n上重叠的面积，以使得由扫描线sl与数据线dl产生的电容负载可降低；或者可通过使扫描线sl和/或数据线dl包括有主要电极线与辅助电极线的叠层，而使扫描线sl在第二方向d2上的截面积和/或数据线dl在第一方向d1上的截面积可增加，借此可降低扫描线sl和/或数据线dl的阻抗值，但本揭露不以此为限。
136.根据上述，本揭露的一些实施例通过在调制装置中减少扫描线和/或数据线的长度、增加扫描线和/或数据线的截面积以和/或者设置散热结构，可使得扫描线和/或数据线的阻抗值降低。本揭露的另一些实施例通过在调制装置中减少设置于扫描线与数据线之间的绝缘层的电容率、减少扫描线与数据线重叠的面积以和/或者增加扫描线与数据线之间
的距离，可使得扫描线和/或数据线的电容负载降低。另外，本揭露的又一些实施例可包括前述的调制装置的设计的组合，使得扫描线和/或数据线的阻抗值与电容负载可降低。基于此，本揭露实施例提供的调制装置可减少电阻电容负载，且其的信号传递质量以及可靠性可提升。
137.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。各实施例间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

技术特征：
1.一种调制装置，其特征在于，包括：基板；调制单元，设置在所述基板上；数据线，设置在所述基板上并电性连接所述调制单元；以及扫描线，设置在所述基板上，并具有与所述数据线重叠的重叠区以及未与所述数据线重叠的非重叠区，其中，在第一方向上，所述扫描线在所述重叠区具有第一宽度，所述扫描线在所述非重叠区具有第二宽度，且所述第一宽度小于所述第二宽度。2.根据权利要求1所述的调制装置，其特征在于，还包括第一电极以及第二电极，所述第一电极与所述第二电极设置在所述基板上，且所述调制单元设置在所述第一电极以及所述第二电极上。3.根据权利要求2所述的调制装置，其特征在于，还包括共享电线，所述共享电线电性连接所述第二电极，且所述数据线电性连接所述第一电极。4.根据权利要求1所述的调制装置，其特征在于，还包括散热结构，所述散热结构设置在所述基板下方。5.根据权利要求4所述的调制装置，其特征在于，还包括导体层，所述导体层设置在所述散热结构与所述基板之间。6.根据权利要求1所述的调制装置，其特征在于，所述扫描线包括主要电极线以及辅助电极线，其中所述辅助电极线通过贯穿绝缘层的通孔电性连接所述主要电极线。7.根据权利要求1所述的调制装置，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述数据线与所述扫描线之间，且所述绝缘层的厚度为0.2μm-10μm。8.一种调制装置，其特征在于，包括：基板；调制单元，设置在所述基板上；数据线，设置在所述基板上并电性连接所述调制单元；以及扫描线，设置在所述基板上并与所述数据线部分重叠，其中，所述数据线具有与所述扫描线重叠的重叠区以及未与所述扫描线重叠的非重叠区，其中，在第二方向上，所述数据线在所述重叠区具有第三宽度，所述数据线在所述非重叠区具有第四宽度，且所述第三宽度小于所述第四宽度。9.根据权利要求8所述的调制装置，其特征在于，还包括第一电极以及第二电极，所述第一电极与所述第二电极设置在所述基板上，且所述调制单元设置在所述第一电极以及所述第二电极上。10.根据权利要求9所述的调制装置，其特征在于，还包括共享电线，所述共享电线电性连接所述第二电极，且所述数据线电性连接所述第一电极。11.根据权利要求8所述的调制装置，其特征在于，还包括散热结构，所述散热结构设置在所述基板下方。12.根据权利要求11所述的调制装置，其特征在于，还包括导体层，所述导体层设置在所述散热结构与所述基板之间。
13.根据权利要求8所述的调制装置，其特征在于，所述数据线包括主要电极线以及辅助电极线，其中所述辅助电极线通过贯穿绝缘层的通孔电性连接所述主要电极线。14.根据权利要求8所述的调制装置，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述数据线与所述扫描线之间，且所述绝缘层的厚度为0.2μm-10μm。15.一种调制装置，其特征在于，包括：基板；多个调制单元，设置在所述基板上；数据线，设置在所述基板上并电性连接所述多个调制单元的至少一者；以及扫描线，设置在所述基板上并与所述数据线平行设置。16.根据权利要求15所述的调制装置，其特征在于，还包括驱动电路，所述驱动电路设置于所述基板上，且所述驱动电路设置在所述基板的周边区域。17.根据权利要求15所述的调制装置，其特征在于，还包括驱动电路，所述驱动电路设置于所述基板上，且所述驱动电路设置在所述基板的中间区域。18.根据权利要求15所述的调制装置，其特征在于，还包括多个芯片，所述多个芯片设置于所述基板下方，且所述多个芯片分区驱动所述多个调制单元。19.根据权利要求18所述的调制装置，其特征在于，所述多个芯片通过面板级封装工艺形成于所述基板下方。20.根据权利要求18所述的调制装置，其特征在于，所述基板具有多个通孔，所述多个芯片通过所述多个通孔与所述多个调制单元电性连接。

技术总结
本揭露提供一种调制装置，其包括基板、调制单元、数据线以及扫描线。调制单元设置在基板上。数据线设置在基板上并电性连接调制单元。扫描线设置在基板上，并具有与数据线重叠的重叠区以及未与数据线重叠的非重叠区。在第一方向上，扫描线在重叠区具有第一宽度，扫描线在非重叠区具有第二宽度，且第一宽度小于第二宽度。本揭露的调制装置可减少电阻电容负载。载。载。


技术研发人员：蔡宗翰 刘敏钻
受保护的技术使用者：群创光电股份有限公司
技术研发日：2022.09.28
技术公布日：2023/8/9