一种提升射频谐波的装置的制作方法

1.本发明涉及提升射频谐波领域，尤其涉及一种提升射频谐波的装置。


背景技术：

2.随着通讯产品集成化程度越来越高，对原器件尺寸要求越来越小，而且随着5g网络的建设，客户要求均是集成化平面化，而且产品工作频率较高；指标参数越来越严苛。但是外形尺寸小就意味着产品内部的原器件尺寸减小，这样环行器需要满足高规格谐波要求难度大。原来提升谐波规格的方法(如增大导体中心结、修改形状等)受到限制。
3.传统方案都是采用两片完全一样的陶瓷环旋磁铁氧体，谐波指标主要通过中心导体的设计来满足要求。但由于产品体积越来越小，此种设计方法已经不能达到客户的谐波规格要求。为解决上述问题，本申请中提出一种提升射频谐波的装置。


技术实现要素：

4.(一)发明目的
5.为解决背景技术中存在的技术问题，本发明提出一种提升射频谐波的装置，本发明通过两种铁氧体的组合来提升谐波指标，在中心导体上方使用低介电常数铁氧体，下方使用高介电常数铁氧体，可以有效提升谐波指标。
6.(二)技术方案
7.为解决上述问题，本发明提供了一种提升射频谐波的装置，包括两个相互设置的陶瓷环铁氧体，两个所述陶瓷环铁氧体之间材质不同；
8.两个所述陶瓷环铁氧体之间设有中心导体。
9.一个所述陶瓷环铁氧体为介陶瓷环铁氧体，另一个所述陶瓷环铁氧体为介陶瓷环铁氧体。
10.优选的，所述陶瓷环铁氧体包括陶瓷环和铁氧体。
11.优选的，所述陶瓷环铁氧体上设有导磁片，一个所述导磁片上设有磁铁，另一个所述导磁片上设有介质环，所述陶瓷环铁氧体、中心导体、导磁片、介质环和磁铁的外部设有腔体，并通过盖板封堵，所述中心导体上设有连接柱，所述介陶瓷环铁氧体的下方设有导电磁片。
12.本发明的上述技术方案具有如下有益的技术效果：
13.传统设计每只产品中心导体上下装配完全相同的两片陶瓷环旋磁铁氧体，经过理论分析和仿真、试验发现，如果提高中心导体下面的铁氧体陶瓷环介电常数，导体上面使用低介电常数陶瓷环旋磁铁氧体，可以有效提升谐波指标，使其满足用户要求。
14.采用不同介电常数的铁氧体，通过两种铁氧体的组合来提升谐波指标，在中心导体上方使用低介电常数铁氧体，下方使用高介电常数铁氧体，可以有效提升谐波指标；可以有效提升谐波指标，满足客户和市场需求。
附图说明
15.图1为本发明提出的一种提升射频谐波的装置的结构示意图。
16.图2为本发明提出的一种提升射频谐波的装置中使用了两片陶瓷环介电常数为30的铁氧体谐波测试图。
17.图3为本发明提出的一种提升射频谐波的装置中下陶瓷环铁氧体的介电常数改为介50后测试波形图。
18.附图标记：1、陶瓷环铁氧体；101、陶瓷环；102、铁氧体；2、中心导体；3、导磁片；4、磁铁；5、腔体；6、介质环；7、盖板；8、连接柱；9、电磁片。
具体实施方式
19.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
20.如图1所示，本发明提出的一种提升射频谐波的装置，包括两个相互设置的陶瓷环铁氧体1，两个陶瓷环铁氧体1之间材质不同；
21.两个陶瓷环铁氧体1之间设有中心导体2。
22.一个陶瓷环铁氧体1为介30陶瓷环铁氧体，另一个陶瓷环铁氧体1为介50陶瓷环铁氧体。
23.具体的，陶瓷环铁氧体1包括陶瓷环和铁氧体。
24.需要说明的是，射频隔离器、环行器是通过给微波铁氧体施加外部磁场实现非互易的射频器件。因为技术发展对器件的体积要求越来越高，所以同等规格下要求铁氧体也越来越小，减小铁氧体体积的一个常见做法是使用带陶瓷环的铁氧体。陶瓷环的介电常数越高其谐振的频率点越趋向于低频，所需的磁场则越强，磁场越强对谐波的抑制就会越好。但所需磁场太强，由于体积限制，会导致外置磁场难以满足的问题。
25.在传统设计中，中心导体上下放置两片相同的铁氧体，以上文示意图中的产品为例，采用了两片介电常数为30的陶瓷环旋磁铁氧体。结果发现谐波难以达标，需要提升介电常数，如果采用2pcs介电常数为50的陶瓷环铁氧体，则所需磁场太强，超出了外置磁场的上限。此时我们采用两片混合的方式，中心导体下方使用高介电常数(50)陶瓷环铁氧体，上方仍使用介30的陶瓷环铁氧体，此时谐波可以满足要求，也可以提供合适的磁场。问题得以解决。具体效果见下文两种方案的测试结果对比。
26.在一个可选的实施例中，陶瓷环铁氧体1上设有导磁片3，一个导磁片3上设有磁铁4，另一个导磁片3上设有介质环6，陶瓷环铁氧体1、中心导体2、导磁片3、介质环6和磁铁4的外部设有腔体5，并通过盖板7封堵，中心导体2上设有连接柱8，介50陶瓷环铁氧体的下方设有导电磁片9。
27.使用了两片陶瓷环介电常数为30的铁氧体，其谐波测试图2：
28.产品的工作频率范围为3400-3600mhz,二次谐波对应6800-7200mhz,从上图可以看到二次谐波最差为5点：-15.669db，不能满足客户规格-19db。
29.把下陶瓷环铁氧体的介电常数改为介50后测试波形如图3；
30.从图中可以看到二次谐波最差为1点：-21.408db，满足客户要求。
31.需要说明的是，传统设计每只产品中心导体上下装配完全相同的两片陶瓷环旋磁铁氧体，经过理论分析和仿真、试验发现，如果提高中心导体下面的铁氧体陶瓷环介电常数，导体上面使用低介电常数陶瓷环旋磁铁氧体，可以有效提升谐波指标，使其满足用户要求。
32.采用不同介电常数的铁氧体，通过两种铁氧体的组合来提升谐波指标，在中心导体上方使用低介电常数铁氧体，下方使用高介电常数铁氧体，可以有效提升谐波指标；可以有效提升谐波指标，满足客户和市场需求。
33.应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。


技术特征：
1.一种提升射频谐波的装置，包括两个相互设置的陶瓷环铁氧体(1)，其特征在于：两个所述陶瓷环铁氧体(1)之间材质不同；两个所述陶瓷环铁氧体(1)之间设有中心导体(2)。2.根据权利要求1所述的一种提升射频谐波的装置，其特征在于，一个所述陶瓷环铁氧体(1)为介30陶瓷环铁氧体，另一个所述陶瓷环铁氧体(1)为介50陶瓷环铁氧体。3.根据权利要求2所述的一种提升射频谐波的装置，其特征在于，所述陶瓷环铁氧体(1)包括陶瓷环和铁氧体。4.根据权利要求1-3任一所述的一种提升射频谐波的装置，其特征在于，所述陶瓷环铁氧体(1)上设有导磁片(3)。5.根据权利要求4所述的一种提升射频谐波的装置，其特征在于，一个所述导磁片(3)上设有磁铁(4)，另一个所述导磁片(3)上设有介质环(6)。6.根据权利要求5所述的一种提升射频谐波的装置，其特征在于，所述陶瓷环铁氧体(1)、中心导体(2)、导磁片(3)、介质环(6)和磁铁(4)的外部设有腔体(5)，并通过盖板(7)封堵。7.根据权利要求6所述的一种提升射频谐波的装置，其特征在于，所述中心导体(2)上设有连接柱(8)，所述介50陶瓷环铁氧体的下方设有导电磁片(9)。

技术总结
本发明涉及提升射频谐波技术领域，且公开了一种提升射频谐波的装置，包括两个相互设置的陶瓷环铁氧体，两个所述陶瓷环铁氧体之间材质不同；两个所述陶瓷环铁氧体之间设有中心导体。本发明提出一种提升射频谐波的装置，本发明通过两种铁氧体的组合来提升谐波指标，在中心导体上方使用低介电常数铁氧体，下方使用高介电常数铁氧体，可以有效提升谐波指标。可以有效提升谐波指标。可以有效提升谐波指标。


技术研发人员：钟奎 屈锟
受保护的技术使用者：深圳市诺信博通讯有限公司
技术研发日：2023.06.12
技术公布日：2023/8/13