晶圆检测实时对焦方法、装置、电子设备及存储介质与流程

1.本技术涉及半导体晶圆检测技术领域，特别是涉及一种晶圆检测实时对焦方法、装置、电子设备及存储介质。


背景技术：

2.随着半导体技术的不断发展，半导体制程工艺对精度的要求越来越高，使得晶圆检测设备的检测能力决定着半导体制程工艺精度检测的稳定性，而只有精确的找到晶圆(原材料：硅)上的缺陷，才能保证整个生产线的健康，从而提高生产效率。
3.相关技术中，为了对晶圆进行精度检测，晶圆检测设备通常利用高度传感器对晶圆表面进行面阵采集，记录下每个拍摄点的对焦时的高度值，从而在后续的镜头采集拍摄的过程中实时对焦相应的高度值，但时间成本高，晶圆检测效率低。


技术实现要素：

4.本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术实施例提供了一种晶圆检测实时对焦方法、装置、电子设备及存储介质，能够保证晶圆精度的同时有效提高晶圆检测的效率。
5.第一方面，本技术实施例提供了一种晶圆检测实时对焦方法，包括：
6.按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面，得到多个参考点；
7.针对每个所述参考点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节所述待检测晶圆和镜头的检测距离，将所述检测距离作为所述参考点对应的第一对焦值；
8.基于双线性插补算法，利用所述参考点及对应的所述第一对焦值对所述圆形表面中的待检测点进行插补，得到各个所述待检测点的第二对焦值；
9.在对所述待检测晶圆进行扫描拍摄时，基于所述第二对焦值对各个所述待检测点进行实时对焦，以使得拍摄的图像达到预设清晰度。
10.在本技术的一些实施例中，所述预设间隔大于所述待检测点的间隔，所述按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面，得到多个参考点，包括：
11.基于所述圆形表面的圆心和直径，按预设间隔设定平行线和垂直线；
12.获取所述平行线和所述垂直线与所述圆形表面的圆周的第一交点，并依次连接所述第一交点，得到封闭的检测平面；
13.获取所述检测平面内，所述平行线与所述垂直线的交点为第二交点；
14.设置所述第一交点和所述第二交点为参考点。
15.在本技术的一些实施例中，所述针对每个所述参考点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节所述待检测晶圆和镜头的检测距离，将所述检测距离作为所述参考点对应的第一对焦值，包括：
16.在所述参考点处拍摄所述待检测晶圆的图像；
17.调节所述待检测晶圆和所述镜头的检测距离，以使所述图像达到预设清晰度；
18.将所述检测距离作为所述参考点的第一对焦值。
19.在本技术的一些实施例中，所述基于双线性插补算法，利用所述参考点及对应的所述第一对焦值对所述圆形表面中的待检测点进行插补，得到各个所述待检测点的第二对焦值，包括：
20.选取正方形分布的四个所述参考点及对应的所述第一对焦值；所述参考点为所述正方形的四个角点；
21.基于所述双线性插补算法，利用所述参考点及对应的所述第一对焦值对所述正方形中的待检测点进行插补，得到所述正方形中的所述待检测点的第二对焦值。
22.在本技术的一些实施例中，所述在对所述待检测晶圆进行扫描拍摄时，基于所述第二对焦值对各个所述待检测点进行实时对焦，以使得拍摄的图像达到预设清晰度，包括：
23.基于所述第二对焦值，使用抛物线拟合所述待检测点的对焦路径；
24.在对所述待检测晶圆进行扫描拍摄时，根据所述对焦路径对各个所述待检测点进行实时对焦，以使得拍摄的图像达到预设清晰度。
25.在本技术的一些实施例中，所述按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面，得到多个参考点之前，还包括：
26.预先设置所述预设间隔，包括：
27.基于所述圆形表面的圆心和直径，在所述圆形表面的一条直径上，按测试间隔选取预设数量的参考测试点；
28.针对每个所述参考测试点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节所述待检测晶圆和镜头的检测距离，将所述检测距离作为所述参考测试点对应的测试对焦值；
29.基于双线性插补算法，利用所述参考测试点及对应的所述测试对焦值对所述直径上参考检测点进行插补，得到各个所述参考检测点的插补对焦值；
30.基于所述插补对焦值，拟合得到所述参考检测点的测试对焦路径；
31.根据所述测试对焦路径，对所述直径上各个所述参考检测点进行实时对焦和扫描拍摄，得到测试图像；
32.若各个所述测试图像均达到预设清晰度，则设置所述测试间隔为预设间隔；否则调整所述测试间隔，重复所述预先设置所述预设间隔的过程。
33.第二方面，本技术实施例还提供了一种晶圆检测实时对焦装置，应用如本技术第一方面实施例所述的晶圆检测实时对焦方法，包括：
34.检测相机，用于拍摄待检测晶圆的图像；
35.控制器，用于规划对焦路径，以控制所述检测相机按所述对焦路径移动。
36.在本技术的一些实施例中，所述控制器还用于按预设间隔划分所述待检测晶圆的圆形表面得到多个参考点，基于各个所述参考点及对应的第一对焦值，利用双线性插补算法规划所述对焦路径。
37.第三方面，本技术实施例还提供了一种电子设备，包括存储器、处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如本技术第一方面实施例所述的晶圆检测实时对焦方法。
38.第四方面，本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储有程序，所述程序被处理器执行实现如本技术第一方面实施例所述的晶圆检测实时对焦方
法。
39.本技术实施例至少包括以下有益效果：
40.本技术实施例提供了一种晶圆检测实时对焦方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法首先按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面，从而得到多个参考点，再针对每个参考点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节待检测晶圆和镜头的检测距离，将检测距离作为参考点对应的第一对焦值，然后基于双线性插补算法，利用参考点及对应的第一对焦值对圆形表面中的待检测点进行插补，得到各个待检测点的第二对焦值，最后在对待检测晶圆进行扫描拍摄时，基于第二对焦值对各个待检测点进行实时对焦，以使得拍摄的图像达到预设清晰度。由此只需要根据预设间隔的参考点的第一对焦值，利用双线性插补算法便可计算出每个待检测点的第二对焦值，保证晶圆精度的同时，大大减少了对焦次数，从而有效提高了晶圆检测的效率。
41.本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
42.本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
43.图1是本技术一个实施例提供的晶圆检测实时对焦方法的流程示意图；
44.图2是图1中步骤s101的流程示意图；
45.图3是本技术一个实施例提供的晶圆划分示意图；
46.图4是图1中步骤s103的流程示意图；
47.图5是本技术一个实施例提供的待检测点双线性插补示意图；
48.图6是本技术一个实施例提供的双线性插补算法原理示意图；
49.图7是图1中步骤s104的流程示意图；
50.图8是本技术一个实施例提供的对焦路径示意图；
51.图9是图1中步骤s101之前的流程示意图；
52.图10是本技术一个实施例提供的参考测试点示意图；
53.图11是本技术一个实施例提供的测试对焦路径示意图；
54.图12是本技术一个实施例提供的晶圆检测实时对焦装置示意图；
55.图13是本技术一个实施例提供的电子设备的结构示意图。
56.附图标记：检测相机100、控制器200、电子设备1000、处理器1001、存储器1002。
具体实施方式
57.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
58.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
59.在本技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
60.在本技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
61.本技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。
62.随着半导体技术的不断发展，半导体工艺对精度的要求越来越高，这使得对于晶圆检测设备的能力的要求也越来越高，晶圆检测设备的检测能力的好坏决定着半导体制程工艺精度检测的稳定性，而只有精确的找到晶圆(原材料：硅)上的缺陷，才可以保证整个生产线的健康，从而提高生产效率。因此对于晶圆表面检测的高精度要求，在检测过程中需要保证镜头与晶圆表面在拍摄时处于镜头对焦位置的景深(对焦前后清晰的范围)范围内。但是由于晶圆在加工过程中会受到的各种因素的干扰，导致晶圆表面可能存在超过镜头本身的景深，因此在实时检测过程中，如果不进行镜头的实时对焦，检测相机就无法采集拍摄到清晰的图像，从而降低了晶圆检测的准确度。
63.相关技术中，为了对晶圆进行精度检测，晶圆检测设备通常利用高度传感器对晶圆表面进行面阵采集，记录下每个拍摄点的对焦时的高度值，从而在后续的镜头采集拍摄的过程中实时对焦相应的高度值，但时间成本高，晶圆检测效率低。
64.基于此，本技术实施例提供了一种晶圆检测实时对焦方法、装置、电子设备及存储介质，在晶圆检测实时对焦方法中，只需要根据预设间隔的参考点的第一对焦值，利用双线性插补算法便可计算出每个待检测点的第二对焦值，保证晶圆精度的同时，大大减少了对焦次数，从而有效提高了晶圆检测的效率。
65.参照图1所示，本技术实施例提供了一种晶圆检测实时对焦方法，包括但不限于以下步骤s101至步骤s104。
66.步骤s101，按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面，得到多个参考点。
67.可以理解的是，晶圆是半导体芯片制造的基础材料，也称为半导体硅片，是由高纯度单晶硅材料制成的圆形薄片。因此晶圆具有一定的刚性，局部不会产生非常大的起伏变化，平整度较高，这为本技术中利用少数参考点及其对焦高度和双线性插补算法得到各个待检测点的对焦高度提供了基础。
68.在一些实施例中，按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面，示例性的，可以将圆形表面划分为多个矩形、正方形或者平行四边形等，然后按照预设间隔等间隔地选取得到多个参考点。示例性的，将圆形表面划分为多个正方形后，选取各个正方形之间的交点作为参考点，或者选取各个正方形的四个角点作为参考点，本实施例对此不做限制。
69.步骤s102，针对每个参考点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节待检测晶圆和镜头的检测距离，将检测距离作为参考点对应的第一对焦值。
70.在一些实施例中，按顺序扫描待检测晶圆，例如将相机沿着预设的扫描路径在待检测晶圆的圆形表面进行扫描，一般采用的扫描方式是螺旋状或网格状。在扫描过程中，针对每个参考点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节待检测晶圆和镜头之间的检测距离，使得图像达到预设清晰度，可以理解的是，预设清晰度是指拍摄的图像清晰度符合对焦规范，满足晶圆对焦检测的要求，然后将图像达到预设清晰度的检测距离作为该参考点的第一对焦值。
71.由此通过在拍摄各个参考点图像的过程中，实时调整待检测晶圆和镜头之间的检测距离，以使拍摄的图像达到预设清晰度，即可得到各个参考点对应的第一对焦值。
72.步骤s103，基于双线性插补算法，利用参考点及对应的第一对焦值对圆形表面中的待检测点进行插补，得到各个待检测点的第二对焦值。
73.可以理解的是，双线性插补算法是一种图像处理算法，用于在已知四个相邻点的情况下估计一个新点的值。具体来说，它通过沿着水平和垂直方向分别进行单线性插补来计算新点的值，这相当于在两个方向上分别绘制一条直线，然后用这些直线的交点作为新点的估计值。在本技术中，已知点即为已经得到第一对焦值的参考点，新点即待检测点，因此通过双线性插补算法可以得到新点的估计值，即得到待检测点的第二对焦值。
74.在一些实施例中，待检测晶圆的圆形表面上有许多待检测点，基于双线性插补算法，利用参考点及对应的第一对焦值对圆形表面中的各个待检测点进行插补，即可得到各个检测点对应的第二对焦值。
75.步骤s104，在对待检测晶圆进行扫描拍摄时，基于第二对焦值对各个待检测点进行实时对焦，以使得拍摄的图像达到预设清晰度。
76.在一些实施例中，在对待检测晶圆进行扫描拍摄时，基于第二对焦值可以对待检测晶圆的各个待检测点进行实时对焦，可以理解的是，每扫描一个待检测点，根据双线性插补算法得到的第二对焦值，调整控制镜头和待检测晶圆的检测距离为该第二对焦值，从而实现对待检测晶圆的实时对焦，使得拍摄的图像可以达到预设清晰度，最终完成该待检测晶圆的检测。
77.参照图2所示，在本技术的一些实施例中，上述步骤s101还可以包括但不限于以下步骤s201至步骤s204。
78.步骤s201，基于圆形表面的圆心和直径，按预设间隔设定平行线和垂直线。
79.可以理解的是，晶圆的圆心和直径可以通过测量晶圆的边缘得到。示例性的，先使用测量仪器测量晶圆的直径，然后将直径的值除以2，就可以得到晶圆的半径，再使用该测量仪器测量晶圆的两个相对的边缘，将它们的坐标值相加并除以2，就可以得到晶圆的圆心坐标。
80.在一些实施例中，基于圆形表面的圆心和直径，按预设间隔设定平行线和垂直线，示例性的，确定圆形表面的一条直径后，在平行该直径的方向上，按照预设间隔等间隔地设定平行线，然后在垂直该直径的方向上，按照预设间隔等间隔地设定垂直线，本实施例对此不做限制。
81.可以理解的是，本技术利用参考点及其第一对焦值得到各个待检测点的第二对焦值，因此相邻参考点之间的距离需要大于相邻待检测点之间的距离，即预设间隔大于检测相机的视野。参照图3所示的晶圆划分示意图，圆形表面中各个网格点即为各个待检测点，
按预设间隔设定的平行线和垂直线，大于相邻待检测点之间的距离。
82.步骤s202，获取平行线和垂直线与圆形表面的圆周的第一交点，并依次连接第一交点，得到封闭的检测平面。
83.在一些实施例中，参照图3所示的晶圆划分示意图，平行线和垂直线与圆形表面的圆周的交点为第一交点，获取各个第一交点并依次连接，可以得到封闭的检测平面。
84.步骤s203，获取检测平面内，平行线与垂直线的交点为第二交点。
85.在一些实施例中，获取在检测平面内，各个平行线与各个垂直线的交点为第二交点。
86.步骤s204，设置第一交点和第二交点为参考点。
87.参照图4所示，在本技术的一些实施例中，上述步骤s103还可以包括但不限于以下步骤s301至步骤s302。
88.步骤s301，选取正方形分布的四个参考点及对应的第一对焦值。
89.在一些实施例中，参照图5所示的待检测点双线性插补示意图，选取正方形分布的相邻四个参考点，分别为q1、q2、q3和q4，其对应的坐标分别为q1(x1,y1)、q2(x1,y2)、q3(x2,y1)和q4(x2,y2)，对应的第一对焦值分别为q1、q2、q3和q4。
90.可以理解的是，参照图6所示的双线性插补算法原理示意图，已知四个参考点，分别为q1、q2、q3和q4，其对应的坐标分别为q1(x1,y1)、q2(x1,y2)、q3(x2,y1)和q4(x2,y2)，对应的第一对焦值分别为q1、q2、q3和q4。想要插补待检测点r(x，y)的对焦高度值，即第二对焦值r，利用双线性插补算法插补的具体过程如下：首先过r点做平行y轴的直线，可以得到坐标r1(x，y1)和坐标r2(x，y2)，然后在平面q1q3q1q3对x做一次单线性插补，可以得到r1的对焦高度值r1，其中r1＝(x2-x)/(x2-x1)*q1+(x-x1)/(x2-x1)*q3；同理，在平面q2q4q2q4继续对x做一次单线性插补，可以得到r2的对焦高度值r2，其中r2＝(x2-x)/(x2-x1)*q2+(x-x1)/(x2-x1)*q4，最后在平面r1r2r1r2对y做一次单线性插补，从而得到r的对焦高度值r，其中r＝(y2-y)/(y2-y1)*r1+(y-y1)/(y2-y1)*r2。
91.可以理解的是，也可以先对y做单线性插补再对x做单线性插补，从而得到待检测点r(x，y)的对焦高度值r，即第二对焦值，本实施例对此不做限制。
92.步骤s302，基于双线性插补算法，利用参考点及对应的第一对焦值对正方形中的待检测点进行插补，得到正方形中的待检测点的第二对焦值。
93.在一些实施例中，图5的正方形中的p1、p2、p3和p4均为待检测点，其对应的坐标分别为p1(x1,y1)、p2(x1,y2)、p3(x2,y1)和p4(x2,y2)，由此基于双线性插补算法，利用四个相邻已知的参考点q1(x1,y1)、q2(x1,y2)、q3(x2,y1)和q4(x2,y2)及对应的第一对焦值q1、q2、q3和q4分别对正方形中的各个待检测点进行插补，即可得到正方形中的各个待检测点的第二对焦值。具体的，双线性插补待检测点p1(x1,y1)得到第二对焦值为p1，双线性插补待检测点p2(x1,y2)得到第二对焦值为p2，双线性插补待检测点p3(x2,y1)得到第二对焦值为p3，双线性插补待检测点p4(x2,y2)得到第二对焦值为p4。
94.可以理解的是，对圆形表面中的其他参考点进行相同的双线性插补过程，从而得到检测平面中各个待检测点的第二对焦值。
95.参照图7所示，在本技术的一些实施例中，上述步骤s104还可以包括但不限于以下步骤s401至步骤s402。
96.步骤s401，基于第二对焦值，使用抛物线拟合待检测点的对焦路径。
97.在一些实施例中，得到待检测晶圆表面的各个待检测点对应的第二对焦值后，对各个第二对焦值进行拟合。可以理解的是，由于待检测晶圆的圆形表面存在细微的翘曲，可以使用抛物线对各个第二对焦值进行拟合，从而得到各个待检测点的对焦路径，即检测相机在扫描拍摄待检测晶圆图像时的高度变化，本实施例对此不做限制。
98.步骤s402，在对待检测晶圆进行扫描拍摄时，根据对焦路径对各个待检测点进行实时对焦，以使得拍摄的图像达到预设清晰度。
99.在一些实施例中，在对待检测晶圆进行扫描拍摄时，根据对焦路径对各个待检测点进行实时对焦，参照图8所示的对焦路径示意图，对焦路径1是对各个第二对焦值进行拟合得到对焦路径，对焦路径2是在对该待检测晶圆进行检测时，检测相机实际运动的路径，由此可知，拟合的对焦路径1和实际运动的对焦路径2基本吻合，最大的偏差也都在检测相机的镜头景深范围内，因此基于对焦路径1拍摄的图像均可以达到预设清晰度。
100.参照图9所示，在本技术的一些实施例中，上述步骤s101之前需要预先设置预设间隔，其中，预先设置预设间隔可以包括但不限于以下步骤s501至步骤s506。
101.步骤s501，基于圆形表面的圆心和直径，在圆形表面的一条直径上，按测试间隔选取预设数量的参考测试点。
102.在一些实施例中，基于圆形表面的圆心和直径，在圆形表面的一条直径上，按测试间隔选取预设数量的参考测试点。示例性的，参照图10所示的参考测试点示意图，按测试间隔等间隔地在直径上选取呈正方形分布的四十个参考点，每个正方形的四个角点为四个参考点，即选取十个等间隔的正方形。本实施例对此不做限制。
103.步骤s502，针对每个参考测试点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节待检测晶圆和镜头的检测距离，将检测距离作为参考测试点对应的测试对焦值。
104.在一些实施例中，按顺序扫描待检测晶圆，例如将相机沿着预设的扫描路径在待检测晶圆的圆形表面进行扫描，一般采用的扫描方式是螺旋状或网格状。在扫描过程中，针对每个参考测试点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节待检测晶圆和检测相机的镜头之间的检测距离，使得图像达到预设清晰度，可以理解的是，预设清晰度是指拍摄的图像清晰度符合对焦规范，满足晶圆对焦检测的要求，然后将图像达到预设清晰度的检测距离作为该参考测试点的测试对焦值。
105.步骤s503，基于双线性插补算法，利用参考测试点及对应的测试对焦值对直径上参考检测点进行插补，得到各个参考检测点的插补对焦值。
106.可以理解的是，直径上的有多个参考检测点，基于双线性插补算法，利用参考测试点及对应的测试对焦值对直径上参考检测点进行插补，得到各个参考检测点的插补对焦值。
107.步骤s504，基于插补对焦值，拟合得到参考检测点的测试对焦路径。
108.在一些实施例中，根据插补得到的各个插补对焦值，进行拟合得到参考检测点的测试对焦路径，即检测相机在扫描拍摄该直径的待检测晶圆图像时的高度变化。示例性的，参照图11所示的测试对焦路径示意图，该测试对焦路径的横坐标表示参考点所在正方形的索引，纵坐标则表示参考点所在正方形中参考检测点的插补对焦值，单位为um。
109.步骤s505，根据测试对焦路径，对直径上各个参考检测点进行实时对焦和扫描拍
摄，得到测试图像。
110.在一些实施例中，根据测试对焦路径，对待检测晶圆的进行扫描拍摄，具体的，对直径上各个参考检测点进行实时对焦和扫描拍摄，从而得到测试图像。
111.步骤s506，若各个测试图像均达到预设清晰度，则设置测试间隔为预设间隔；否则调整测试间隔，重复预先设置预设间隔的过程。
112.在一些实施例中，若各个测试图像均达到预设清晰度，即所有的测试图像均清晰没有离焦现象，满足待检测晶圆检测对焦的要求，则设置该测试间隔为预设间隔，从而对待检测晶圆的整个圆形表面进行划分，否则需要进一步调整测试间隔，重复预先设置预设间隔的过程，知道满足将测试间隔设置为预设间隔的条件为止。
113.由此只需要根据预设间隔得到参考点的第一对焦值，利用双线性插补算法便可计算出每个待检测点的第二对焦值，而无需对每个待检测点都进行对焦和记录其对焦高度值，保证晶圆精度的同时，大大减少了对焦次数，从而有效提高了晶圆检测的效率。
114.本发明实施例还提供一种晶圆检测实时对焦装置，可以实现上述晶圆检测实时对焦方法。参照图12所示晶圆检测实时对焦装置示意图，在本技术一些实施例中，晶圆检测实时对焦装置包括检测相机100和控制器200，其中，检测相机100用于拍摄待检测晶圆的图像，控制器200用于规划对焦路径，以控制检测相机100按对焦路径移动，从而调整控制检测相机100和待检测晶圆之间的检测距离，使得扫描拍摄的图像位于检测相机100的景深范围内，保证了图像的清晰度。
115.在一些实施例中，控制器200还用于按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面得到多个参考点，基于各个参考点及对应的第一对焦值，利用双线性插补算法规划对焦路径。
116.可以理解的是，晶圆检测实时对焦装置还可以包括距离传感器、待检测晶圆的放置器等模块，本领域技术人员可以根据实际需求设置，本实施例对此不做限制。
117.本实施例的晶圆检测实时对焦装置的具体实施方式与上述晶圆检测实时对焦方法的具体实施方式基本一致，在此不再一一赘述。
118.图13示出了本技术实施例提供的电子设备1000。电子设备1000包括：处理器1001、存储器1002及存储在存储器1002上并可在处理器1001上运行的计算机程序，计算机程序运行时用于执行上述的晶圆检测实时对焦方法。
119.处理器1001和存储器1002可以通过总线或者其他方式连接。
120.存储器1002作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序，如本技术实施例描述的晶圆检测实时对焦方法。处理器1001通过运行存储在存储器1002中的非暂态软件程序以及指令，从而实现上述的晶圆检测实时对焦方法。
121.存储器1002可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储执行上述的晶圆检测实时对焦方法。此外，存储器1002可以包括高速随机存取存储器1002，还可以包括非暂态存储器1002，例如至少一个储存设备存储器件、闪存器件或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器1002可选包括相对于处理器1001远程设置的存储器1002，这些远程存储器1002可以通过网络连接至该电子设备1000。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
122.实现上述的晶圆检测实时对焦方法所需的非暂态软件程序以及指令存储在存储器1002中，当被一个或者多个处理器1001执行时，执行上述的晶圆检测实时对焦方法，例如，执行图1中的方法步骤s101至步骤s104、图2中的方法步骤s201至步骤s204、图4中的方法步骤s301至步骤s302、图7中的方法步骤s401至步骤s402、图9中的方法步骤s501至步骤s506。
123.本技术实施例还提供了一种存储介质，存储介质为计算机可读存储介质，该存储介质存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述晶圆检测实时对焦方法。存储器作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器可选包括相对于处理器远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至该处理器。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
124.本技术实施例提供的晶圆检测实时对焦方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法首先按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面，从而得到多个参考点，再针对每个参考点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节待检测晶圆和镜头的检测距离，将检测距离作为参考点对应的第一对焦值，然后基于双线性插补算法，利用参考点及对应的第一对焦值对圆形表面中的待检测点进行插补，得到各个待检测点的第二对焦值，最后在对待检测晶圆进行扫描拍摄时，基于第二对焦值对各个待检测点进行实时对焦，以使得拍摄的图像达到预设清晰度。由此只需要根据预设间隔的参考点的第一对焦值，利用双线性插补算法便可计算出每个待检测点的第二对焦值，保证晶圆精度的同时，大大减少了对焦次数，从而有效提高了晶圆检测的效率。
125.以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
126.本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于ram、rom、eeprom、闪存或其他存储器技术、cd-rom、数字多功能盘(dvd)或其他光盘存储、磁盒、磁带、储存设备存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包括计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
127.还应了解，本技术实施例提供的各种实施方式可以任意进行组合，以实现不同的技术效果。以上是对本技术的较佳实施进行了具体说明，但本技术并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本技术精神的共享条件下还可作出种种等同的变形或
替换。

技术特征：
1.一种晶圆检测实时对焦方法，其特征在于，包括：按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面，得到多个参考点；针对每个所述参考点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节所述待检测晶圆和镜头的检测距离，将所述检测距离作为所述参考点对应的第一对焦值；基于双线性插补算法，利用所述参考点及对应的所述第一对焦值对所述圆形表面中的待检测点进行插补，得到各个所述待检测点的第二对焦值；在对所述待检测晶圆进行扫描拍摄时，基于所述第二对焦值对各个所述待检测点进行实时对焦，以使得拍摄的图像达到预设清晰度。2.根据权利要求1所述的晶圆检测实时对焦方法，其特征在于，所述预设间隔大于所述待检测点的间隔，所述按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面，得到多个参考点，包括：基于所述圆形表面的圆心和直径，按预设间隔设定平行线和垂直线；获取所述平行线和所述垂直线与所述圆形表面的圆周的第一交点，并依次连接所述第一交点，得到封闭的检测平面；获取所述检测平面内，所述平行线与所述垂直线的交点为第二交点；设置所述第一交点和所述第二交点为参考点。3.根据权利要求1所述的晶圆检测实时对焦方法，其特征在于，所述针对每个所述参考点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节所述待检测晶圆和镜头的检测距离，将所述检测距离作为所述参考点对应的第一对焦值，包括：在所述参考点处拍摄所述待检测晶圆的图像；调节所述待检测晶圆和所述镜头的检测距离，以使所述图像达到预设清晰度；将所述检测距离作为所述参考点的第一对焦值。4.根据权利要求1所述的晶圆检测实时对焦方法，其特征在于，所述基于双线性插补算法，利用所述参考点及对应的所述第一对焦值对所述圆形表面中的待检测点进行插补，得到各个所述待检测点的第二对焦值，包括：选取正方形分布的四个所述参考点及对应的所述第一对焦值；所述参考点为所述正方形的四个角点；基于所述双线性插补算法，利用所述参考点及对应的所述第一对焦值对所述正方形中的待检测点进行插补，得到所述正方形中的所述待检测点的第二对焦值。5.根据权利要求1所述的晶圆检测实时对焦方法，其特征在于，所述在对所述待检测晶圆进行扫描拍摄时，基于所述第二对焦值对各个所述待检测点进行实时对焦，以使得拍摄的图像达到预设清晰度，包括：基于所述第二对焦值，使用抛物线拟合所述待检测点的对焦路径；在对所述待检测晶圆进行扫描拍摄时，根据所述对焦路径对各个所述待检测点进行实时对焦，以使得拍摄的图像达到预设清晰度。6.根据权利要求1至5任一项所述的晶圆检测实时对焦方法，其特征在于，所述按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面，得到多个参考点之前，还包括：预先设置所述预设间隔，包括：基于所述圆形表面的圆心和直径，在所述圆形表面的一条直径上，按测试间隔选取预设数量的参考测试点；
针对每个所述参考测试点拍摄图像，并在每次拍摄时对应调节所述待检测晶圆和镜头的检测距离，将所述检测距离作为所述参考测试点对应的测试对焦值；基于双线性插补算法，利用所述参考测试点及对应的所述测试对焦值对所述直径上参考检测点进行插补，得到各个所述参考检测点的插补对焦值；基于所述插补对焦值，拟合得到所述参考检测点的测试对焦路径；根据所述测试对焦路径，对所述直径上各个所述参考检测点进行实时对焦和扫描拍摄，得到测试图像；若各个所述测试图像均达到预设清晰度，则设置所述测试间隔为预设间隔；否则调整所述测试间隔，重复所述预先设置所述预设间隔的过程。7.一种晶圆检测实时对焦装置，其特征在于，应用如权利要求1至6任一项所述的晶圆实时对焦方法，包括：检测相机，用于拍摄待检测晶圆的图像；控制器，用于规划对焦路径，以控制所述检测相机按所述对焦路径移动。8.根据权利要求7所述的晶圆检测实时对焦装置，其特征在于，所述控制器还用于按预设间隔划分所述待检测晶圆的圆形表面得到多个参考点，基于各个所述参考点及对应的第一对焦值，利用双线性插补算法规划所述对焦路径。9.一种电子设备，其特征在于，包括存储器、处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6中任一项所述的晶圆检测实时对焦方法。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有程序，所述程序被处理器执行实现如权利要求1至6中任一项所述的晶圆检测实时对焦方法。

技术总结
本申请实施例提供的晶圆检测实时对焦方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体晶圆检测技术领域。其中，方法首先按预设间隔划分待检测晶圆的圆形表面，得到多个参考点，再针对参考点拍摄图像，在拍摄时对应调节待检测晶圆和镜头的检测距离，将检测距离作为参考点的第一对焦值，然后基于双线性插补算法，利用参考点及对应的第一对焦值对待检测点进行插补，得到各个待检测点的第二对焦值，最后在对待检测晶圆进行扫描拍摄时，基于第二对焦值对待检测点进行实时对焦，以使得拍摄的图像达到预设清晰度。由此无需对每个待检测点都进行对焦和记录其对焦高度值，保证晶圆精度的同时，大大减少了对焦次数，从而有效提高了晶圆检测的效率。率。率。


技术研发人员：袁小龙 于波 张华
受保护的技术使用者：深圳市格灵精睿视觉有限公司
技术研发日：2023.04.11
技术公布日：2023/8/14